深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司，技術(shù)骨干來自清華大學(xué)和韓國(guó)延世大學(xué)，掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件國(guó)際領(lǐng)先的工藝，和第五代超快恢復(fù)功率二極管技術(shù)。薩科微slkor（www.slkormicro.com
2024-03-15 11:22:07
3月12日，DEKRA德凱集團(tuán)董事會(huì)主席兼首席執(zhí)行官Stan Zurkiewicz先生一行拜訪清華大學(xué)蘇州汽車研究院，探討汽車行業(yè)安全發(fā)展。
2024-03-13 16:46:36
632 串接NPN型晶體管的情況。晶體管基極要求注入電流，產(chǎn)生電流的電壓必須高于（Vo+Vbe），約為（Vo+1）。若基極串接一個(gè)電阻，則電阻輸入端電壓必須高于（Vo+1）以使電流流過。而最經(jīng)濟(jì)易行的方法
2024-03-06 20:49:11
在英特爾簡(jiǎn)化的工藝流程中（見圖 5），該工藝首先制造出鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（finFET）或全柵極晶體管，然后蝕刻納米硅片并填充鎢或其他低電阻金屬。
2024-02-28 11:45:25223 
絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種功率半導(dǎo)體，具有MOSFET 的高速、電壓相關(guān)柵極開關(guān)特性以及 BJT 的最小導(dǎo)通電阻（低飽和電壓）特性。
2024-02-27 16:08:49579 
在此次突破中，北京天壇醫(yī)院神經(jīng)外科賈旺教授團(tuán)隊(duì)攜手清華大學(xué)洪波教授團(tuán)隊(duì)，運(yùn)用微創(chuàng)腦機(jī)接口幫助高位截癱患者實(shí)現(xiàn)意念控制光標(biāo)。這標(biāo)志著我國(guó)在該領(lǐng)域取得又一里程碑式進(jìn)步。
2024-02-25 10:37:39191 雙極性晶體管是利用兩種離子導(dǎo)電，空穴和自由電子，但是對(duì)于一個(gè)實(shí)際存在的系統(tǒng)，其整體上是呈現(xiàn)電中性的，當(dāng)其中的電子或者空穴移動(dòng)形成電流時(shí)，與之對(duì)應(yīng)的空穴或者電子為什么不會(huì)一起隨著移動(dòng)？
這個(gè)問題困擾
2024-02-21 21:39:24
近日，清華大學(xué)機(jī)械系在電子鼻仿生嗅聞研究中取得新進(jìn)展，相關(guān)研究成果以“Sniffing Like a Wine Taster: Multiple Overlapping Sniffs (MOSS
2024-02-20 10:57:02304 
繼電器通過通斷線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)來控制機(jī)械開關(guān)，實(shí)現(xiàn)對(duì)電路的控制。而場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOS管）是一種基于半導(dǎo)體材料工作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，通過柵極施加正負(fù)偏壓來控制漏極與源極之間的通斷狀態(tài)。
2024-02-18 10:16:41546 
晶體管的三種工作狀態(tài)及其特點(diǎn)? 晶體管是一種半導(dǎo)體器件，常用于電子電路中作為放大器、開關(guān)等功能的實(shí)現(xiàn)。晶體管具有三種基本的工作狀態(tài)，包括截止?fàn)顟B(tài)、飽和狀態(tài)和放大狀態(tài)。 截止?fàn)顟B(tài)是指在晶體管的輸入電壓
2024-02-02 17:06:12516 另?yè)?jù)最新消息，致力于知識(shí)成果轉(zhuǎn)化的清華大學(xué)交叉信息研究院創(chuàng)新載體——深圳市智芯華璽信息技術(shù)有限公司（Accseal Ltd.）發(fā)布了全球首枚零知識(shí)證明（Zero Knowledge Proof， ZKP）片上系統(tǒng)（System on Chip， SOC）芯片 Accseal LEO Chip。
2024-02-01 15:39:52416 是，最大輸出電流時(shí)產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場(chǎng)效應(yīng)管可以無需任何外接元件而直接并聯(lián)，因?yàn)槠渎O電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場(chǎng)效應(yīng)管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
清華大學(xué)交叉信息研究院的段路明教授課題組長(zhǎng)期以來進(jìn)行了創(chuàng)新性的研究，并提出使用同種離子的雙類型量子比特來實(shí)現(xiàn)量子網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)的方案。
2024-01-24 16:07:25481 量子網(wǎng)絡(luò)依托量子力學(xué)原理，以其特有的儲(chǔ)藏、處置及傳播性質(zhì)，成為了量子通信和巨型量子計(jì)算的關(guān)鍵支撐。清華大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)通過巧妙地運(yùn)用同種離子的雙譯碼量子比特，從而在全球范圍內(nèi)首次成功建立了無需干擾的量子網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)。
2024-01-24 14:19:18245 我在切換晶體管時(shí)遇到了一個(gè)問題。我正在嘗試讓 LED 通過晶體管閃爍。當(dāng)我從評(píng)估板（即 MSP-EXP430G2ET）獲取電源 （3.3V） 時(shí)，該程序有效。但是當(dāng)我使用外部電源 （8.33V） 為
2024-01-22 06:00:31
，則分析時(shí)則按照單獨(dú)的晶體管電路分析，與一般晶體管電路無差。
如果多發(fā)射極或多集電極的電路在非多極的一側(cè)全部短起來當(dāng)作一個(gè)晶體管，那么此時(shí)的關(guān)系可以看作一個(gè)或門的關(guān)系，只要有一路導(dǎo)通，則晶體管就實(shí)現(xiàn)
2024-01-21 13:47:56
常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的具有負(fù)阻特性的器件一單結(jié)晶體管，請(qǐng)問這個(gè)單結(jié)晶體管是什么？能夠實(shí)現(xiàn)負(fù)阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶體管在基極和集電極之間并聯(lián)電容有什么作用？是為了米勒電容嗎、？但是米勒電容對(duì)三極管的開通有害的時(shí)候，為什么還要并聯(lián)電容？電容不是越并越大，加大了等效米勒電容？
2024-01-19 22:39:57
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
晶體管也就是俗稱三極管，其本質(zhì)是一個(gè)電流放大器，通過基射極電流控制集射極電流。
1、當(dāng)基射極電流很小可以忽略不計(jì)時(shí)，此時(shí)晶體管基本沒有對(duì)基射極電流的放大作用，此時(shí)可以認(rèn)為晶體管處在關(guān)斷狀態(tài)
2、當(dāng)基
2024-01-18 16:34:45
的正負(fù)極短接，此時(shí)的輸出電阻是不是等于源極電阻和源漏導(dǎo)通電阻？
在求解輸入輸出電阻的問題上，為什么要將供電電源的正負(fù)極短接？這個(gè)問題困惑已久，尤其是在含有晶體管這種分立器件或者含有運(yùn)方放的電路上。
2024-01-15 18:06:15
在其內(nèi)部移動(dòng)的時(shí)間越短，從而提高開關(guān)速度。因此，隨著技術(shù)的進(jìn)步，晶體管的尺寸不斷縮小。例如，從70納米（nm）縮小到現(xiàn)在的7納米。 2. 新材料：研究人員一直在研究新材料，以替代傳統(tǒng)的硅材料，從而提高晶體管的開關(guān)速度。例如，
2024-01-12 11:18:22364 對(duì)于一個(gè)含有晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管，運(yùn)放的電路，該如何求解他的輸入電阻和輸出電阻，舉例而言，在含有晶體管的電路射極跟隨器中，求解輸出電阻時(shí)，為什么要考慮基極的電阻和偏置電路的電阻，此時(shí)不應(yīng)該在基極是二極管
2024-01-10 17:17:56
溝道寬度來提供更多的驅(qū)動(dòng)電流（圖1），其環(huán)柵設(shè)計(jì)改善了通道控制并較大限度地減少了短通道效應(yīng)。 圖1：在納米片晶體管中，柵極在所有側(cè)面接觸溝道，可實(shí)現(xiàn)比finFET更高的驅(qū)動(dòng)電流 從表面上看，納米片晶體管類似于FinFET，但納米片通道與基板平行排列
2023-12-26 15:15:11167 
IBM突破性研發(fā)的納米片晶體管，通過將硅通道薄化切割為納米級(jí)別的薄片，再用柵極全方位圍繞，實(shí)現(xiàn)更為精準(zhǔn)控電。此結(jié)構(gòu)使得在指甲蓋大小空間內(nèi)可容納最多達(dá)500億個(gè)晶體管，并且經(jīng)過液氮冷卻處理，其性能飆升至原本的兩倍之多。
2023-12-26 14:55:07294 IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點(diǎn)下表現(xiàn)出近乎兩倍的性能提升。這一成就預(yù)計(jì)將帶來多項(xiàng)技術(shù)進(jìn)步，并可能為納米片晶體管取代 FinFET 鋪平道路。更令人興奮的是，它可能會(huì)導(dǎo)致更強(qiáng)大的芯片類別的開發(fā)。
2023-12-26 10:12:55199 場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極電流是多大 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種基于電場(chǎng)控制的電子器件，常用于放大、開關(guān)和調(diào)制等電子電路中。在FET中，柵極電流是其關(guān)鍵特性
2023-12-08 10:27:08655 其中，電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RRAM）依靠改變電阻水平來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。最近發(fā)表在《Angewandte Chemie》雜志上的一項(xiàng)研究詳細(xì)介紹了清華大學(xué)李原領(lǐng)導(dǎo)的研究小組的工作，他們開創(chuàng)了一種制造超分子憶阻器的方法，而憶阻器是構(gòu)建納米隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的關(guān)鍵部件之一。
2023-12-06 16:05:36341 
一種常見的晶體管類型，在現(xiàn)代集成電路中廣泛應(yīng)用。MOS晶體管具有三個(gè)極，分別是柵極（Gate）、漏極（Drain）和源極（Source）。在MOS晶體管的工作過程中，源極和漏極之間形成一個(gè)電流
2023-11-30 14:24:54619 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用基于三相絕緣柵極雙極性晶體管 (IGBT)的逆變器應(yīng)用筆記.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-29 11:05:31
5 什么是漏極？什么是源極？什么是柵極？柵極源極漏極怎么區(qū)分？漏極 源極 柵極相當(dāng)于三極管的哪極？ 漏極、源極和柵極都是指晶體管（如三極管）的不同極性。 首先，我們需要了解晶體管的基本結(jié)構(gòu)，它由兩個(gè)PN
2023-11-21 16:00:457806 我在進(jìn)行AD8138ARM的熱仿真，datasheet中只有結(jié)到環(huán)境的熱阻JA的數(shù)據(jù)，我需要結(jié)到外殼的熱阻Jc的數(shù)據(jù)，還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數(shù)目是多少？
2023-11-21 06:54:43
學(xué)術(shù)界和工業(yè)界已經(jīng)提出將二維（2D）過渡金屬二摻雜化合物（TMD）半導(dǎo)體作為未來取代物理柵極長(zhǎng)度小于10納米的硅晶體管的一種選擇。在這篇評(píng)論中，我們分享了基于堆疊二維TMD納米帶制造互補(bǔ)金屬氧化物
2023-11-07 09:55:55568 
針對(duì)這一難題，清華大學(xué)自動(dòng)化系戴瓊海院士、吳嘉敏助理教授與電子工程系方璐副教授、喬飛副研究員聯(lián)合攻關(guān)，提出了一種“掙脫”摩爾定律的全新計(jì)算架構(gòu)：光電模擬芯片，算力達(dá)到目前高性能商用芯片的3000余倍。
2023-10-31 18:00:39914 
據(jù)
清華大學(xué)官方消息，在計(jì)算能力方面，
清華大學(xué)攻關(guān)團(tuán)隊(duì)創(chuàng)造性地提出的計(jì)算框架光電深度融合，從最本質(zhì)的物理原理出發(fā)，電磁波傳播的空間為基礎(chǔ)的光計(jì)算和基爾霍夫定律為基礎(chǔ)的純結(jié)合了模擬電子計(jì)算?！?/div>
2023-10-31 11:18:04549 清華大學(xué)團(tuán)隊(duì)在超高性能計(jì)算芯片領(lǐng)域取得新突破，相關(guān)研究發(fā)表在Nature上。
2023-10-29 09:20:35553 
清華大學(xué)物理系教授薛平團(tuán)隊(duì)與公安部鑒定中心合作的方法開發(fā)的機(jī)器人技術(shù)融合智能機(jī)器人做手術(shù)，光學(xué)影像和激光蝕消融等技術(shù)以損毀的存儲(chǔ)芯片幫助一體化“手術(shù)”一體化usb儲(chǔ)存裝置等丟了恢復(fù)數(shù)據(jù)。
2023-10-18 11:01:55346 10月10日消息，據(jù)清華大學(xué)公眾號(hào)，近日，清華大學(xué)集成電路學(xué)院教授吳華強(qiáng)、副教授高濱基于存算一體計(jì)算范式，研制出全球首顆全系統(tǒng)集成的、支持高效片上學(xué)習(xí)（機(jī)器學(xué)習(xí)能在硬件端直接完成）的憶阻器存算一體
2023-10-14 08:11:42308 
這幾天清華大學(xué)又火出圈了。但這次并不是因?yàn)檎猩鷵屓撕惋執(zhí)?，而?b class="flag-6" style="color: red">清華大學(xué)的芯片研發(fā)團(tuán)隊(duì)研制出全球首顆全系統(tǒng)集成的存算一體芯片。這是我國(guó)、乃至全世界對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的又一重大突破。 這個(gè)芯片由清華大學(xué)
2023-10-11 14:39:41625 想象一下，一枚芯片上集成了記憶和計(jì)算的能力，在保護(hù)用戶隱私同時(shí)，還具備了類似人腦的自主學(xué)習(xí)，能耗僅為先進(jìn)工藝下專用集成電路系統(tǒng)的1/35，聽起來是不是很神奇？ 據(jù)清華大學(xué)公眾號(hào)10月9日消息，近期
2023-10-11 08:39:33416 
專業(yè)圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
2023 年 9 月 6 日，中國(guó) ——意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應(yīng)用對(duì)寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護(hù)的更高要求。
2023-09-07 10:12:13183 ? 近日，北京大學(xué)彭練矛院士/張志勇教授團(tuán)隊(duì) 造出一款基于陣列碳納米管的 90nm 碳納米管晶體管 ，具備可以高度集成的能力。 基于該90nm 碳納米管晶體管技術(shù)，目前該團(tuán)隊(duì)研發(fā)的高靈敏碳納米
2023-09-05 15:10:18537 
是一種半導(dǎo)體晶體器件，通常由層層不同摻雜的硅和其他半導(dǎo)體材料組成，主要由PN結(jié)和柵極構(gòu)成。而電子管由電子射極、網(wǎng)格和屏蔽極三部分組成，形狀通常是玻璃管。 二、物理原理 晶體管是利用PN結(jié)的導(dǎo)電特性來控制電流流動(dòng)的器件
2023-08-25 15:21:016863 近日，清華大學(xué)新聞與傳播學(xué)院發(fā)布了《大語(yǔ)言模型綜合性能評(píng)估報(bào)告》，該報(bào)告對(duì)目前市場(chǎng)上的7個(gè)大型語(yǔ)言模型進(jìn)行了全面的綜合評(píng)估。近年，大語(yǔ)言模型以其強(qiáng)大的自然語(yǔ)言處理能力，成為AI領(lǐng)域的一大熱點(diǎn)。它們
2023-08-10 08:32:01604 
傳感新品 【清華大學(xué)開發(fā)出“入耳式”新型腦機(jī)接口傳感器】 7 月 21 日消息，清華大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)宣布開發(fā)出一種名為 SpiralE BCI 的腦機(jī)接口（傳感器），該傳感器采用“入耳式”設(shè)計(jì)，使用者
2023-08-03 16:46:50424 區(qū)域組成：柵極、源極和漏極。與雙極晶體管不同，F(xiàn)ET 是電壓控制器件。柵極處的電壓控制電流從晶體管的源極流向漏極。場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有非常高的輸入阻抗，從幾兆歐 (MΩ) 到更大的電阻值。
這種高輸入阻抗
2023-08-02 12:26:53
該2通道混音器電路基于2n3904晶體管，該晶體管形成2個(gè)前置放大器。2通道混音器電路的第一個(gè)前置放大器具有高增益，可用于麥克風(fēng)輸入，第二個(gè)前置放大器可用于控制音頻電平的輸入。
這種雙通道
2023-08-01 17:19:21
清華大學(xué)舉辦了以“聚緣于校，開源共行”為主題的2023年開放原子校源行活動(dòng)。該活動(dòng)由開放原子開源基金會(huì)和清華大學(xué)共同主辦，得到工信部的大力支持。活動(dòng)吸引了政府部門、行業(yè)協(xié)會(huì)、全國(guó)高校、科技企業(yè)
2023-08-01 16:10:24270 
? 7月27日，為期三周的清華大學(xué)實(shí)習(xí)生團(tuán)隊(duì)在博眾精工關(guān)鍵項(xiàng)目實(shí)習(xí)實(shí)踐活動(dòng)圓滿結(jié)業(yè)。結(jié)業(yè)儀式在博眾精工科技園舉行。清華大學(xué)教授劉磊、實(shí)習(xí)生團(tuán)隊(duì)，吳江經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)組織人事和社會(huì)保障局副局長(zhǎng)潘軍，博眾精工
2023-07-28 10:22:34585 
本文轉(zhuǎn)自： 清華大學(xué)法學(xué)院 2023年7月15日上午，百度—清華自動(dòng)駕駛立法座談會(huì)在清華大學(xué)法律圖書館樓召開。 本次會(huì)議從高級(jí)別自動(dòng) 駕駛的發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)、《道路交通安全法》修改、國(guó)際國(guó)內(nèi)立法比較
2023-07-17 17:05:02780 
深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司（Shenzhen?SlkorMicroMicro?Semicon?Co.,Ltd），技術(shù)骨干來自清華大學(xué)和韓國(guó)延世大學(xué)，掌握第三代化合物半導(dǎo)體碳化硅功器件技術(shù)。薩科微產(chǎn)品
2023-07-01 13:55:20185 
校源行（清華大學(xué)站）活動(dòng)將在清華大學(xué)蒙民偉音樂廳舉辦。本次活動(dòng)擬通過邀請(qǐng)政府領(lǐng)導(dǎo)、知名高校嘉賓、頭部科技企業(yè)、權(quán)威主流媒體代表共聚校園共話開源，集中展示“開放原子校源行”公益項(xiàng)目進(jìn)展及成果，在高校學(xué)子中推廣優(yōu)秀開源項(xiàng)目
2023-06-26 21:55:01288 
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
來源：清元宇宙人工智能無疑是2023年最受關(guān)注的科技熱點(diǎn)。作為將會(huì)掀起人類再一次生產(chǎn)力革命的重大技術(shù)突破，人工智能受到了全球范圍內(nèi)各領(lǐng)域人士的高度關(guān)注。近日，清華大學(xué)沈陽(yáng)教授團(tuán)隊(duì)發(fā)布了《AIGC發(fā)展
2023-06-09 10:32:36550 5月31日，清華大學(xué)分析中心磁共振實(shí)驗(yàn)室舉行的《如何精準(zhǔn)測(cè)孔？》系列講座正式開講，國(guó)儀精測(cè)總經(jīng)理夏攀分享了《材料孔徑精確測(cè)定要點(diǎn)及測(cè)試實(shí)例分析》報(bào)告，線上線下近60余位相關(guān)領(lǐng)域的研究人員參加并進(jìn)
2023-06-09 10:28:34356 
近日，清華大學(xué)機(jī)械系在超快激光微納制造領(lǐng)域獲得新進(jìn)展，提出了基于超快激光等離激元分子調(diào)節(jié)實(shí)現(xiàn)自下而上的微納功能器件加工制造策略，并揭示了激光誘導(dǎo)等離激元與材料的非線性作用機(jī)理，利用超快激光激發(fā)納米腔等離激元效應(yīng)
2023-05-31 14:38:11536 
今日，縱目科技宣布與國(guó)內(nèi)頂尖學(xué)府——清華大學(xué)共同成立智能輔助駕駛系統(tǒng)聯(lián)合研究中心（以下簡(jiǎn)稱“聯(lián)合研究中心”），并在清華園內(nèi)舉辦了隆重的揭牌儀式。清華大學(xué)教授、副校長(zhǎng)曾嶸、中國(guó)工程院院士、清華大學(xué)車輛
2023-05-31 09:52:09302 
晶體管是什么控制型器件 晶體管屬于電流控制電流控制型器件。 晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件（包括二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管等，有時(shí)特指雙極型器件），具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種
2023-05-30 15:32:362179 我正在尋找摩托羅拉收音機(jī) VHF 射頻末級(jí)中使用的這些舊射頻晶體管的數(shù)據(jù)表，有人可以幫我嗎？
2023-05-30 07:40:02
數(shù)字晶體管（Digital Transistor）是一種集成了基極電阻的雙極性晶體管，其工作原理類似于常規(guī)的晶體管，但其具有更高的集成性和更方便的使用方式。
2023-05-29 15:58:39517 
晶體管是什么器件 晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。 1947年12月16日,威廉·肖克利
2023-05-16 11:12:59832 晶體管是什么 晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。 1947年12月16日,威廉·肖克利
2023-05-16 11:06:201133 4月14日至4月18日，時(shí)隔兩年再度重啟的全國(guó)電子順磁共振波譜學(xué)術(shù)研討會(huì)線下會(huì)議在浙江大學(xué)成功舉辦。來自清華大學(xué)的高級(jí)工程師楊海軍老師在會(huì)后寫下了飽含真情的感想。小編在征得楊老師同意后，將文章轉(zhuǎn)載
2023-05-08 09:58:12454 清華大學(xué)深圳國(guó)際研究生院聯(lián)合深圳中微電科技有限公司成立國(guó)產(chǎn)GPU芯片核心技術(shù)研發(fā)設(shè)計(jì)課題組，啟動(dòng)聯(lián)合培養(yǎng)博士后的招收工作。
2023-05-05 15:36:49452 
流 漏極引起的屏障降低 V千 滾落 工作溫度的影響 隧道進(jìn)入和穿過柵極氧化層泄漏電流 熱載流子從基板注入柵極氧化物引起的泄漏電流 柵極感應(yīng)漏極降低 （GIDL） 引起的漏電流 在繼續(xù)之前，請(qǐng)確保您熟悉?MOS晶體管的基本概念?這將使您為以下信息做好準(zhǔn)備。 1.
2023-05-03 16:27:007776 
單結(jié)晶體管隨著電容的充電放電是如何形成自激振蕩脈沖的？
2023-04-26 15:07:51
差分放大電路輸入共模信號(hào)時(shí)
為什么說RE對(duì)每個(gè)晶體管的共模信號(hào)有2RE的負(fù)反饋效果
這里說的每個(gè)晶體管的共模信號(hào)是指什么信號(hào) 是指輸入信號(hào) 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負(fù)的反饋
2023-04-25 16:15:31
雙極結(jié)晶體管電路輸入振幅變大為什么會(huì)導(dǎo)致失真呢？是什么原因呢？
2023-04-21 16:13:13
我正在尋找零件號(hào)“PCAL6408ABSHP”中有關(guān)工藝節(jié)點(diǎn)和晶體管數(shù)量的信息。NXP 網(wǎng)站上是否有一個(gè)位置可以找到 NXP 部件號(hào)的此類信息？
2023-04-19 09:27:44
西門子S7-200電源怎么看是繼電器輸出還是晶體管輸出呢？
2023-04-18 10:08:03
西門子CPUSR30可以增加晶體管擴(kuò)展模塊控制步進(jìn)電機(jī)嗎？
2023-04-17 14:13:13
薩科微slkor半導(dǎo)體技術(shù)總監(jiān)、清華大學(xué)李健雄介紹說，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型晶體管)和 MOSFET
2023-04-03 16:29:25521 
采用晶體管互補(bǔ)對(duì)稱輸出時(shí)，兩管基極之間有電容相連，為什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
請(qǐng)問BJT工藝的線性穩(wěn)壓源為什么多是PNP型晶體管呢？
2023-03-31 11:56:49
有沒有負(fù)觸發(fā)導(dǎo)通正的晶體管呢？哪位大神知道請(qǐng)賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
近日，清華大學(xué)機(jī)械系在基于自組裝微納制造的細(xì)胞轉(zhuǎn)染研究中取得重要進(jìn)展。
2023-03-30 10:57:52772 我在設(shè)計(jì) PCB 時(shí)犯了一個(gè)錯(cuò)誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了?！罢！狈绞绞怯?1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個(gè)晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號(hào)與此圖像相關(guān)：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉(zhuǎn)，但我想知道我是否可以正確使用一個(gè)。
2023-03-28 06:37:56
每個(gè)晶體管的兩個(gè)p-n結(jié)提供了電荷流動(dòng)的電子能壘，而晶體管可以通過向溝道上方的柵極施加電壓來導(dǎo)通。
2023-03-24 10:58:255428 的品牌文化，依靠強(qiáng)有力的品牌形象去爭(zhēng)取市場(chǎng)，贏得更多的優(yōu)質(zhì)客戶。 深圳市金航標(biāo)電子有限公司的技術(shù)骨干和研發(fā)團(tuán)隊(duì)，來自北京清華大學(xué)和電子科大，吸納海歸高端的射頻微波專業(yè)人才，可以研制高可靠、高性能天線
2023-03-24 09:23:37
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