? ? ??IGBT的四個主要參數(shù) ? ? ? IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）是一種功率半導體器件，用于控制大電流和高電壓。它的四個
2024-03-22 08:37:29
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玻璃管保險絲的工作原理及主要參數(shù)? 玻璃管保險絲是一種常見的過載保護元件，通常由玻璃管和內(nèi)部金屬絲構成。當電流大于設定值時，保險絲會斷開電路，以保護電路和電器設備不受過載損壞。 玻璃管
2024-03-05 17:29:07166 您好，誰能告訴我SAK-TC277T-64F200S DC AURIX?的性能等級是什么？謝謝。
2024-03-05 07:57:08
尊敬的工程師，您好，
1、我想了解一下CCG3PA系列與CCG7D系列的主要區(qū)別有哪些，有沒有相關對照表參考。
2、我看了相關資料兩款芯片都支持后座娛樂系統(tǒng)，這樣的話，如果客戶在功率方面要求較低
2024-02-27 07:56:04
在溫度補償晶體振蕩器的實際應用中，除了標稱頻率、PPM精度和溫度穩(wěn)定性等主要參數(shù)外，還有一些其他重要參數(shù)需要注意。在標準電源電壓、標準負載電容阻抗、參考溫度等條件不變的情況下，溫度補償晶體振蕩器的頻率精度可以達到0.5PPM以上。
2024-02-26 18:05:31624 
在數(shù)字化浪潮席卷全球的今天，企業(yè)的網(wǎng)絡需求變得愈加復雜和多樣化。面對激烈的市場競爭，企業(yè)不得不尋求一種既能降低成本又能保證高性能的網(wǎng)絡解決方案。傳統(tǒng)組網(wǎng)方式雖然穩(wěn)定可靠，但昂貴的硬件投入和升級成
2024-02-26 14:59:06106 和電動工具配件到醫(yī)療器械、主要電器產(chǎn)品、數(shù)字消費設備及辦公自動化設備。FM3 CY9BFx1xS/T系列Arm Cortex-M3微控制器系統(tǒng)是高性能組，工作電壓范圍為 2.7V 至 5.5V。FM3
2024-02-26 10:08:43
晶體管是現(xiàn)代電子設備中不可或缺的元件，它的性能參數(shù)直接影響著設備的工作效率和穩(wěn)定性。晶體管的主要參數(shù)有最大漏極電壓、最大集電極電流、最大功耗、最大封裝溫度、最大峰值電流等。
2024-02-23 10:04:37207 我非常榮幸地向大家推薦幾款高性能的三防平板電腦，這些產(chǎn)品都來自億道三防onerugged系列。它們以其卓越的性能和出色的工藝設計，成為行業(yè)中備受矚目的產(chǎn)品。
2024-02-20 10:05:33123 Mesh組網(wǎng)的主要特點 mesh組網(wǎng)需要接網(wǎng)線嗎 怎么進行有線mesh組網(wǎng)？ Mesh組網(wǎng)是一種無線網(wǎng)絡拓撲結構，它具有以下主要特點： 1. 去中心化：每個設備在Mesh網(wǎng)絡中都可以成為主節(jié)點，無需
2024-02-04 14:07:31413 晶振的作用、原理以及主要參數(shù)。 一、晶振的作用： 晶振的主要作用是產(chǎn)生穩(wěn)定的時鐘信號，用于同步電子設備中的各個模塊的工作。因為晶振產(chǎn)生的振蕩頻率非常穩(wěn)定，能夠提供高精度的定時信號，因此晶振在數(shù)字電路和通信系統(tǒng)中具有重要的作用。穩(wěn)定的時鐘
2024-02-04 10:08:51392 二極管是電子器件中常見的一種元件，廣泛應用于電路中。二極管具有許多主要參數(shù)，這些參數(shù)在選擇和使用二極管時至關重要。在本文中，我將詳細介紹二極管的主要參數(shù)以及使用中需要特別注意的參數(shù)。 額定電流
2024-01-23 11:37:35503 射頻功率放大器是一種將射頻信號放大到更高功率級別的電子設備。根據(jù)其工作原理和應用要求，射頻功率放大器可以分為不同的類型。下面西安安泰將介紹一些常見的射頻功率放大器類型和相關的主要參數(shù)
2024-01-17 16:55:31152 
HMC-AUH312：高性能寬帶放大器的理想之選華灃恒霖電子榮譽推出的HMC-AUH312，一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、HEMT、低噪聲、寬帶放大器裸片，憑借其卓越的性能
2024-01-14 22:40:41
ADC3660IRSBT是一款由德州儀器（Texas Instruments）生產(chǎn)的雙路、16位、0.5MSPS至65MSPS、低噪聲、超低功耗模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）。其主要參數(shù)如下：位數(shù)：16位
2024-01-14 22:07:04
逆變器是一種將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的電子設備，廣泛應用于太陽能光伏發(fā)電、風力發(fā)電、電動汽車等領域。在選擇合適的逆變器時，需要關注其主要參數(shù)，以確保逆變器的性能和可靠性。那么逆變器的主要參數(shù)要求
2024-01-09 17:31:23366 瞬態(tài)抑制二極管(TVS)的主要參數(shù)？|深圳比創(chuàng)達電子
2023-12-27 10:36:18206 
霍爾元件的主要參數(shù)及其用途 引起霍爾元件誤差的因素? 霍爾元件是一種基于霍爾效應的電子元件，廣泛應用于測量、檢測、繼電器、電子開關、電子計算機、儀表、傳感器等領域。 一、霍爾元件的主要參數(shù)及其用途
2023-12-18 15:02:42744 晶振的主要參數(shù)，包括頻率、頻率穩(wěn)定性、工作溫度范圍? 晶振是一種被廣泛應用于電子設備中的元器件，它具有穩(wěn)定的頻率和精確的時間基準。在電子設備中，晶振通常用于時鐘電路、調(diào)制解調(diào)器、通信設備等場合
2023-12-18 14:16:34495 測試環(huán)境可在實驗室條件下模擬外場測試場景，通過控制接入節(jié)點間的衰減，使多個自組網(wǎng)節(jié)點組成各類經(jīng)典拓撲結構，在靜態(tài)/動態(tài)拓撲結構的基礎上對節(jié)點進行檢測，評估自組網(wǎng)產(chǎn)品性能。
2023-12-15 17:01:11339 
TSS-53LNB+是一款高性能的低噪聲寬帶放大器采用E-PHEMT技術，能夠在0.5-5 GHz的超寬頻率范圍內(nèi)工作，提供極高的動態(tài)范圍。SMT 低噪聲放大器, 頻率范圍：500 - 5000
2023-12-14 16:58:35
基于產(chǎn)品全工程智能化和質(zhì)量管理的需要，捷迅通自主研究智能視覺化測試系統(tǒng)進一步保證了產(chǎn)品的高質(zhì)量。超高性能的dragonfly射頻適配器和高性能的costin寬帶開關脈沖適配器系列在1千瓦到10千瓦之間的無線電力范圍內(nèi)覆蓋2mhz到60mhz的射頻頻率
2023-12-08 13:53:41208 PCIE-5565型反射內(nèi)存卡是一款高性能、高可靠性的內(nèi)存卡，廣泛應用于航空航天、工業(yè)控制、醫(yī)療設備等領域。下面將詳細介紹PCIE-5565型反射內(nèi)存卡的主要參數(shù)。
2023-11-29 16:09:48224 在電子科技日新月異的今天，唯創(chuàng)知音推出了一款極具競爭力的CMOS語音芯片——WTN6F系列。這款芯片憑借其低成本、高性能以及在1.8V~5.5V寬電壓范圍內(nèi)工作的特性，尤其是可重復燒寫的特點，在語音
2023-11-27 10:10:45149 
磁珠的工作原理、主要參數(shù)及選型 磁珠是目前廣泛應用于生物分子分離和純化的一種高效分離材料。它的工作原理基于磁珠本身含有磁性材料，可以通過外加磁場來實現(xiàn)快速分離。本文將詳細介紹磁珠的工作原理、主要參數(shù)
2023-11-22 18:18:201142 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《萬藍自組網(wǎng)電臺海面60KM測試.docx》資料免費下載
2023-11-08 16:30:58
0 “ 電容是電子學三大基本無源器件之一。電容種類繁多，知識體系更為龐雜，常有因為對電容認識不深，存在一些不正確的使用，造成失效問題。本文系統(tǒng)講解電容的知識，第一部分介紹電容的原理和主要參數(shù)；第二部
2023-11-03 16:56:55627 
Lora怎么實現(xiàn)像Zigbee那樣可以自組網(wǎng)
2023-11-03 07:19:28
派4B的BCM2711（ARMA72）。如今，RISC-V缺乏高端SoC及板卡的局面將被扭轉(zhuǎn)！01高性能RISC-VSOM—LM4A矽速首發(fā)高性能
2023-11-02 08:36:08396 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于藍牙的無線自組網(wǎng)絡的應用與研究.doc》資料免費下載
2023-10-30 11:54:560 供應APG095N01 100v 65a 的mos管-G095N01 mos管主要參數(shù)，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供APG095N01 規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-10-27 17:14:45
晶體管的主要參數(shù)包括以下幾個方面。
2023-10-25 09:35:39672 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《如何基于CC2530組建具有自組網(wǎng)、自愈特性的ZigBee無線網(wǎng)絡.pdf》資料免費下載
2023-10-23 09:15:363 MT8195安卓核心板,MT8195核心板主要參數(shù),安卓智能模組。基于臺積電6納米工藝制造的芯片。它采用了4個Cortex-A78大核和4個Cortex-A55小核，搭配Mali-G57MC5 GPU和APU 3.0，算力高達4 TOPs。
2023-10-19 18:26:19652 
性能和價格都很突出。
先讓我們介紹一下米爾-全志T113-S3開發(fā)板:
米爾T113-S3核心板MYC-YT113X采用6層PCB設計，將Nand Flash/eMMC、EEPROM、DC/DC
2023-10-17 20:57:36
一、板卡概述
板卡基于6U VPX標準結構，北京太速科技板卡包含一個C6678 DSP芯片，一個XCVU9P 高性能FPGA，雙路HPC FMC。二、處理板技術指標
?DSP處理器采用TI 8核
2023-10-16 11:12:06
了解TTL邏輯門電路的主要參數(shù)及測試方法。
2023-10-10 16:33:10822 
一、觸頭的主要參數(shù) 觸頭有四個主要參數(shù)：開距、超程、初壓力和終壓力。 1、開距 開距即觸頭行程，也稱觸頭斷開距離。 2、超程 超程即觸頭在閉合位置時，動靜觸頭移開時的距離。 3、初壓力 初壓力
2023-09-24 15:33:581656 近日，洛微科技對外發(fā)布新款高性能D系列 TOF相機D3，這是一款專為工業(yè)環(huán)境中高性能操作設計的3D TOF智能相機。
2023-09-22 10:47:43859 高速數(shù)據(jù)通信
* FPGA型號：PGL50H-6IFBG484（紫光同創(chuàng)logos系列產(chǎn)品）
PGL50H-6IFBG484的主要參數(shù)
盤古50核心板主要參數(shù)
電源參數(shù)
產(chǎn)品實拍
2023-09-21 15:42:41
盤古50Pro核心板是一款基于紫光同創(chuàng)Logos2系列PG2L50H-FBG484主控芯片的全新國產(chǎn)高性能FPGA核心板，相較于第一代盤古50K器件全新升級，具有高數(shù)據(jù)帶寬、高存儲容量的特點，適用于
2023-09-18 17:02:58
本文提供基于 ESP32-S3 的硬件設計的指導規(guī)范。ESP32-S3 是一款具有超高性能的 Wi-Fi +Bluetooth? 5 (LE) 系統(tǒng)級芯片。這些規(guī)范將幫助您提升原理圖和 PCB 版圖設計的準確性。
2023-09-18 08:06:04
下面從，晶振參數(shù)，MCU規(guī)格書與晶振下關的內(nèi)容，逐步說明晶振如何選型，原廠如何測試哪些參數(shù)，特殊情況如何處理，大家一起共同進步!
2023-09-14 16:03:132593 
1 產(chǎn)品概述LTNET-ZB系列設備是基于MANET（Mobile Ad Hoc Network，移動自組織網(wǎng)絡）技術開發(fā)的無線寬帶自組網(wǎng)產(chǎn)品。產(chǎn)品采用軟件無線電體制架構，支持多種波形加載，滿足
2023-09-13 13:03:44
以上是TDK品牌SPM4010系列繞線功率貼片電感參數(shù)表，功率貼片電感一般使用在DCDC上。
2023-09-11 17:26:131288 
和一個NTC測溫元件，并與一個高性能 8 位單片機相連接。 二.DHT11主要參數(shù) （1）濕度分辨率為8bit，測量精度為±4%RH（25℃），最大的測量范圍為20~90%RH，響應時間為6-16秒； （2）溫度分辨率為8bit，測量精度為±1℃，測量范圍為0 50℃，響應時間為6 30秒。 （3）傳感器
2023-09-11 11:17:043486 
。
核心板資源及參數(shù)核心板擴展信號底板外設接口資源軟件資源參數(shù)
名稱
配置
選配
處理器型號
T113-S3，2*Cortex-A7@1.2G
電源管理
分立電源
內(nèi)存
內(nèi)置128MB DDR3
2023-09-09 18:07:13
功率二極管主要參數(shù)有哪些？ 功率二極管是一種電子元器件，通常用于控制高電壓和高電流的開關電路和放大電路中。功率二極管的主要參數(shù)與其使用環(huán)境和應用目的有關。在本文中，我們將詳細討論功率二極管的主要參數(shù)
2023-08-28 17:22:411713 （帶跳頻功能）自組網(wǎng)電臺采用寬帶跳頻技術，跳速1000-2000hop/s，跳頻帶寬大于200MHz，跳頻點可達256個，具有很強的抗干擾和抗截獲通信能力 。 跳頻通信技術是在現(xiàn)代信息對抗日益激烈的形勢下迅速發(fā)展起來的，它具有很強的抗搜索、抗截獲、抗干擾能力
2023-08-28 09:11:47864 
你沒有看錯， LoRa 模組也有Mesh組網(wǎng)功能。
資料在下發(fā)，*附件：LoRaLan軟件快速使用說明.pdf
*附件：SZ05-LR-03 LoRaLan私有透傳模塊用戶使用手冊 .pdf
*附件：loralan產(chǎn)測工具V1.0.2.rar
2023-08-24 15:48:53
HPM是一個高度可配置的自動生成的AMBA 3總線子系統(tǒng)，基于稱為AXI總線矩陣的高性能AXI交叉開關，并由AMBA基礎設施組件進行擴展。
有關這些組件的信息，請參閱PrimeCell高性能矩陣
2023-08-22 06:22:10
先來介紹一下米爾-全志T113-S3開發(fā)板：
全志科技 T113 系列處理器是一款基于雙核A7@1.2GHz + HiFi4 DSP 多核異構工業(yè)級處理器，支持
H.265/H.264
2023-08-17 23:59:59
目前來說說晶振的標稱頻率在1 ~ 200 MHz之間，如3.2768MHz、8MHz、12MHz、24MHz、125MHz等，這些都是晶振的參數(shù)。對于更高的輸出頻率，通常使用PLL將低頻倍頻至1GHz以上，這些都是常見的晶振參數(shù)的
2023-08-10 13:55:252632 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高性能系列MCU STM32H5介紹.pdf》資料免費下載
2023-07-29 10:59:430 IGBT模塊動態(tài)參數(shù)是評估IGBT模塊開關性能如開關頻率、開關損耗、死區(qū)時間、驅(qū)動功率等的重要依據(jù)，本文重點討論以下動態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關時間參數(shù)，結合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543290 
龍芯3A5000板卡在高性能工作站的應用方案-迅為電子
2023-07-27 16:27:53536 
有很多客戶咨詢一個問題：ANYMESH寬帶自組網(wǎng)電臺能不能支持無人機的高速移動? 能不能在固定翼飛機高速飛行中正常通信? 能不能用在高速飛行的導彈上? 等等。實質(zhì)上，就是指寬帶自組網(wǎng)電臺在移動
2023-07-25 10:31:27268 ANYMESH-SDR-A4室外固定基站型自組網(wǎng)設備具有防腐蝕防雨水、防高溫等特性,可掛載于基站鐵塔等固定物體上。通過一定高度可有效擴大自組網(wǎng)之間通信覆蓋范圍,解決遠距離信號傳輸?shù)葐栴}。同時具有更強
2023-07-20 18:05:16344 
板卡基于6U VPX標準結構，包含一個C6678 DSP芯片，一個XCVU9P 高性能FPGA，雙路HPC FMC。
2023-07-20 16:21:41639 
在尺寸和重量非常小的情況下，實現(xiàn)了強大的 自組網(wǎng)通信能力，為小型無人載具的集群協(xié)同提供強有力的鏈路支持。 一、顯著特點 非視距傳輸:基于自組多跳技術，信號自動選擇最佳路徑到達無直接視距的目標節(jié)點 網(wǎng)絡自愈合:每個節(jié)點有多條傳輸數(shù)據(jù)的路徑
2023-07-19 17:54:59360 
化等優(yōu)異性能，非常適合在井下惡劣環(huán)境中構建穩(wěn)定網(wǎng)絡，提供無線寬帶接入信號。 在井下巷道內(nèi)，每隔一段距離放置一臺多跳自組網(wǎng)中繼基站設備，相鄰基站之間即可直接互聯(lián)組網(wǎng)。以某礦巷道總長10公里計，大約僅需部署30臺左右多跳自
2023-07-13 18:02:01660 
板卡基于6U VPX標準結構，包含一個C6678 DSP芯片，一個XCVU9P 高性能FPGA，雙路HPC FMC。
2023-06-20 11:29:20540 。其中，敏感薄膜材料創(chuàng)制和高性能化是獲得高性能薄膜熒光傳感器的關鍵，其核心又是高性能敏感單元的創(chuàng)制；而只有在實現(xiàn)理性設計、激發(fā)態(tài)過程精準調(diào)控后才可獲得理想敏感單元，進而實現(xiàn)敏感薄膜的高性能化的主要途徑。 激發(fā)態(tài)質(zhì)子轉(zhuǎn)移的分子內(nèi)電
2023-06-12 09:57:52354 
碳化硅mosfet有哪些主要參數(shù) 碳化硅MOSFET相關的主要參數(shù)包括： 1. 閾值電壓（Vth）- 這是MOSFET開啟的電壓。隨著Vth的增加，MOSFET的開關速度會變慢。 2. 導通電
2023-06-02 14:09:032010 8V97051A是一款高性能寬帶射頻合成器/PLL，經(jīng)過優(yōu)化，可用作多載波、多模FDD和TDD基站無線網(wǎng)卡中的本地振蕩器（LO）。
2023-05-30 15:12:40406 AD8343是一款高性能寬帶有源混頻器。具有所有端口的寬帶寬和非常低的互調(diào)失真，非常適合要求苛刻的發(fā)送應用程序或接收信道應用程序。
2023-05-26 10:52:36528 經(jīng)過多年的演進，從傳統(tǒng)的中繼組網(wǎng)、AC+AP組網(wǎng)、電力貓組網(wǎng)，升級到mesh組網(wǎng)，以及近兩年非?；馃岬腇TTR（全屋光寬帶）組網(wǎng)。
2023-05-25 17:08:531594 無中心分布式蜂群通信算法實現(xiàn)網(wǎng)絡動態(tài)資源調(diào)整，提高信道利用率。
蜂群自組網(wǎng)技術可用于無人機、無人系統(tǒng)、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)鏈、遠程控制、數(shù)據(jù)采集、人工智能、單兵裝備等應用場景。主要技術指標如下：
2023-05-19 14:57:191281 
無線
自組網(wǎng)是一組帶有無線收發(fā)裝置的移動終端組成的一個無中心、多跳、
自組織的網(wǎng)絡，是一種移動計算機通信網(wǎng)絡。
在
自組網(wǎng)中，每個移動終端就是一個節(jié)點，不僅能夠移動而且兼有路由器和主機兩種功能?？梢?/div>
2023-05-19 14:47:034040 
UJ3C065030T3S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UJ3C065030T3S 是一款 650 V、27 mohm RDS(on) SiC FET 產(chǎn)品，將其高性能第 3 代 SiC JFET
2023-05-12 16:02:53
通常，當我們選擇r型變壓器時，我們不一定對所有參數(shù)都有如此全面的了解。R型變壓器的主要參數(shù)是什么？他的相應功能是什么？有了這些問題，讓我們跟隨小r來學習變壓器最常用和最重要的參數(shù)，這樣我們在將來選擇變壓器時就不會感到困惑。
2023-05-12 14:44:491185 
UF3C065080T3S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF3C065080T3S 650 V、80 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET
2023-05-12 09:35:19
UF3C065040T3S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF3C065040T3S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET
2023-05-11 20:11:52
UF3C065030T3S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF3C065030T3S 650 V、27 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET
2023-05-11 18:30:12
Qorvo 的 UJ3C065080T3S 是一款 650 V、80 mohm RDS(on) SiC FET 產(chǎn)品，將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝
2023-05-11 17:13:57
Qorvo 的 UF3C065080T3S 650 V、80 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝
2023-05-11 14:52:46
Qorvo 的 UF3C065040T3S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝
2023-05-11 14:37:31
Qorvo 的 UF3C065030T3S 650 V、27 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝，以生產(chǎn)當今市場上唯一
2023-05-11 14:27:22
場所的高速無線接入。
超寬帶技術主要有以下特點：
1、超強的抗干擾性能
2、傳輸速率高
3、系統(tǒng)容量大
4、帶寬很寬
5、發(fā)射功率低且隱蔽性比較強，不太容易被發(fā)現(xiàn)和攔截，具有很高的保密性。
6、多勁分辨率
2023-05-08 17:09:04
很多客戶對我們的照明燈控模塊非常滿意，這次澤耀全新完善推出的A72系列藍牙Mesh自組網(wǎng)模塊，也一樣不會讓你失望：A72系列基于TLSR8258，工作在2.4GISM頻段，支持多種協(xié)議包括BLE
2023-05-06 09:38:47771 
參數(shù)調(diào)整更迅速——松下助您打造高性能手機貼膜機
2023-04-28 00:01:36325 
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列最終篇，主要介紹MOSFET動態(tài)性能相關的參數(shù)。 主要包括Qg、MOSFET的電容、開關時間等。 參數(shù)列表如下所示。
2023-04-26 17:52:144759 
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列第二篇，主要介紹電性能相關的參數(shù)。 這部分的參數(shù)是我們經(jīng)常提到并且用到的，相關的參數(shù)如下表所示。
2023-04-26 17:50:102213 
本次將為大家揭秘紫光盤古系列高性能入門級1K2K開發(fā)板。1K2K開發(fā)板以紫光Compact系列PGC1KG-LPG100/PGC2KG-LPG100器件為核心，滿足低功耗、低成本、小尺寸需求
2023-04-24 18:29:27
檢查將被跳過。黑客會利用這一點來讀取固件。
問題：
(1) S32K3系列是否也存在這樣的風險？
(2) 如果沒有，是否有針對這種風險的保護措施？它是如何受到保護的？
問題背后：有一款MCU
2023-04-24 07:02:31
共建和貢獻。而先楫半導體HPM6700系列高性能MCU通用開發(fā)板在2022年就率先合入OpenHarmony社區(qū)主干，助力該開源系統(tǒng)在工業(yè)控制、新能源等應用領域?qū)崿F(xiàn)突破。
先楫半導體市場總監(jiān)徐琦先生，在
2023-04-23 15:01:44
基于FMC的Kintex XCKU060高性能PCIe載板一、板卡概述 板卡主控芯片采用Xilinx 公司的 Kintex UltraScale系列FPGA XCKU060-2FFVA1156。板載
2023-04-13 15:56:21
溫度穩(wěn)定度指晶振在溫度變化時輸出頻率的變化范圍，是影響晶振穩(wěn)定性的重要因素。一般情況下，晶振的溫度穩(wěn)定度越高，晶振的性能越好，但成本也越高。在選擇晶振時，需要考慮系統(tǒng)的工作溫度范圍，選擇具有合適溫度穩(wěn)定度的晶振。
2023-04-06 09:44:143490 我 以為 我看到了關于優(yōu)化 LPC55S6x 系列雙核性能的應用說明，但我現(xiàn)在找不到任何東西。有這樣的資源嗎？我主要尋找的是有關內(nèi)存爭用的信息。我看到兩個內(nèi)核共享相同的閃存接口。從閃存運行的兩個內(nèi)核可以實現(xiàn)什么樣的性能？第二個核心是否需要從 RAM 運行才有用？
2023-03-31 09:07:04
又恢復到高阻抗狀態(tài)?！ VS可以吸收侵入性的ESD，保護電子設備，防止電路故障，TVS的主要參數(shù)如下： ?。?）最小擊穿電壓VBR：器件在發(fā)生擊穿的區(qū)域內(nèi)，在規(guī)定的試驗電流IBR（一般情況IBR
2023-03-29 11:11:24
高性能肖特基整流器，2 x 6 A
2023-03-28 18:16:46
迅為3A5000_7A2000工控主板，龍芯自主指令集架構全國產(chǎn)工業(yè)級板卡性能
2023-03-28 16:51:12494 
高性能同步整流芯片
2023-03-28 12:50:48
高性能、低電流收發(fā)器
2023-03-24 14:49:11
高性能硅柵CMOS
2023-03-24 14:01:37
PWM控制器是一種基于脈沖寬度調(diào)制技術的電子設備，用于控制電能的輸出或輸出電壓和電流的波形。PWM控制器主要參數(shù)、特點和應用如下。
2023-03-23 16:42:226329 已全部加載完成
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