2023年12月底,由國家發(fā)展改革委、國家數(shù)據(jù)局、中央網(wǎng)信辦、工業(yè)和信息化部、國家能源局五部門聯(lián)合印發(fā)的《關于深入實施“東數(shù)西算”工程 加快構建全國一體化算力網(wǎng)的實施意見》正式公布。
2024-01-16 10:41:21
212 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/BD/AA/wKgaomWl7WmAHMZsAAAb253xiQs624.png)
智能駕駛芯片排名并不簡單只看AI算力,CPU、存儲帶寬、功耗和AI算力數(shù)值一樣重要,這個下文會詳細分析。
2023-12-28 10:29:21
664 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B9/CB/wKgaomWM3fyAWYWwAAAdDky54pE009.jpg)
【科普小貼士】MOSFET性能改進:超級結MOSFET(SJ-MOS)
2023-12-13 14:16:16
411 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B1/EC/wKgZomVdmZWAIgWNAAAuw7LQmwo287.png)
【科普小貼士】MOSFET的性能:漏極電流和功耗
2023-12-07 17:23:17
365 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B0/28/wKgaomVdmH2AFBPNAAAnDhFioS4873.png)
【科普小貼士】MOSFET的性能:雪崩能力
2023-12-07 16:46:47
423 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B1/EC/wKgZomVdmBaAJhRRAAFYnr4kKbM381.png)
本文將詳細分析國產(chǎn)光耦的發(fā)展趨勢,探討其未來發(fā)展的關鍵因素與前景。
2023-12-06 11:01:51
237 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B4/92/wKgZomVv49uAbJ4RAARlbmmrHd8368.png#pic_center)
性能提升,功耗降低!,這樣的MOSFET是你的最愛么?
2023-12-04 15:09:36
114 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B0/1D/wKgaomVdiyuAGbNSAADcKYUvrdY897.png)
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36
315 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B4/3C/wKgZomVtbi-AOacbAAAet1kpjK0328.png)
本文將詳細分析國產(chǎn)固態(tài)光耦的優(yōu)勢和其在產(chǎn)品工程中的重要作用。
2023-11-30 11:30:01
201 10個天線性能指標的分析? 天線是無線通信系統(tǒng)中的重要組成部分,它們負責接收和發(fā)送無線信號。天線的性能可以對通信質量和系統(tǒng)性能產(chǎn)生重要影響。在設計和評估天線時,需要考慮多個性能指標。下面將詳細分析
2023-11-27 15:40:05
1318 高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應用
2023-11-24 14:57:39
195 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B0/0C/wKgaomVdcDmAILT2AACKeOfcBsQ525.jpg)
【科普小貼士】MOSFET的性能:電容的特性
2023-11-23 09:09:05
505 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B0/27/wKgaomVdlu2AI7vGAAAlUQKY4vo791.png)
從接觸單片機開始,我們就知道有一個叫KEIL的軟件。
2023-11-15 15:44:30
377 L298驅動的步進電機本身沒有細分功能請問軟件上可以細分嗎?怎么實現(xiàn)?有例程分享嗎?
2023-11-10 06:04:18
點擊藍字?關注我們 對于高壓開關電源應用,碳化硅或SiC MOSFET與傳統(tǒng)硅MOSFET和 IGBT相比具有顯著優(yōu)勢。SiCMOSFET很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應
2023-11-09 10:10:02
334 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/AE/F5/wKgZomVMQKmAT-w8AAHj1Ot68nk686.png)
光電耦合器是一種重要的電子元件,具有廣泛的應用領域和多項優(yōu)勢。本文將詳細分析光電耦合器的工作原理以及其在現(xiàn)代科技中的應用,并探索其潛力和未來發(fā)展方向。
2023-11-04 17:58:09
2034 高速光耦作為一種關鍵的電子元件,具有廣泛的應用范圍和諸多優(yōu)勢。本文將探討高速光耦的應用優(yōu)勢,并詳細分析其在現(xiàn)代科技領域中的重要性和潛力。
2023-11-04 17:47:55
1381 文章目錄
FAT32文件系統(tǒng)詳細分析 (續(xù)FAT文件系統(tǒng)詳解)
前言
格式化SD nand/SD卡
FAT32文件系統(tǒng)分析
3.1 保留區(qū)分析
3.1.1 BPB(BIOS Parameter
2023-11-03 17:55:26
這一篇,總結一下level shifter的晶體管級工作原理,就從最傳統(tǒng)的結構講起,詳細分析這個level shifter是怎么實現(xiàn)電平轉換功能的。
2023-11-03 16:36:12
893 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AE/29/wKgZomVEsNCALuKqAAF-BbyW7Tg160.jpg)
運放的datasheet參數(shù)表格中往往給出的是DC-PSRR,而AC-PSRR往往以圖表的形式給出。
2023-11-02 10:35:19
498 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AC/03/wKgaomVDCrOAMb16AAEHKvKsgQI401.jpg)
華科版《電機學》第三版第四章中直接指出,繞組電動勢、磁動勢具有相似性,但并未進行詳細分析。本文對該點進行深入分析,闡明兩者的一致性。
2023-11-01 16:34:50
510 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AD/A6/wKgZomVCDZCAVgWeAABq0gT6W7U892.jpg)
國產(chǎn)新風尚!WAYON維安針對PC及PC電源推出MOSFET細分產(chǎn)品
2023-11-01 15:10:01
232 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/AD/9F/wKgZomVB-cOAYW4hAACFtSkdWoA466.png)
文章目錄FAT32文件系統(tǒng)詳細分析(續(xù)FAT文件系統(tǒng)詳解)1.前言2.格式化SDnand/SD卡3.FAT32文件系統(tǒng)分析3.1保留區(qū)分析3.1.1BPB(BIOSParameterBlock
2023-10-18 17:12:34
726 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A9/16/wKgaomUvoXyADdw2AAA9U-oj5qA440.png)
文章目錄
FAT32文件系統(tǒng)詳細分析 (續(xù)FAT文件系統(tǒng)詳解)
前言
格式化SD nand/SD卡
FAT32文件系統(tǒng)分析
3.1 保留區(qū)分析
3.1.1 BPB(BIOS Parameter
2023-10-18 16:58:34
、大電流、低頻應用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應器件,能夠像
2023-10-18 16:05:02
328 本文將詳細分析降壓 DC/DC 電壓轉換器的工作原理。使用 SPICE 仿真,我們將研究輸出電壓穩(wěn)定、電壓紋波以及電感器和負載電流。
2023-10-18 09:07:08
728 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AA/9F/wKgZomUvMBWAbKQnAAAjqoKETHo054.png)
內含參考答案以及詳細分析
2023-10-07 07:15:56
電子工程師需要掌握的20個模擬電路的詳細分析
2023-09-28 06:22:26
MOSFET功率損耗的詳細計算
2023-09-28 06:09:39
本文檔的主要內容詳細介紹的是硬件工程師必須掌握的20個重要模擬電路的概述和參考答案以及詳細分析
2023-09-27 08:22:32
詳細介紹了硬件工程師必須掌握的20個重要模擬電路的概述和參考答案以及詳細分析
2023-09-27 06:01:17
高速數(shù)字信號的反射是影響現(xiàn)代數(shù)字電路設計的重要因素之一 嚴重的反射將破壞信號完整性,并引起過沖現(xiàn)象,從而出現(xiàn)錯誤的數(shù)字邏輯和毀壞器件。
2023-09-25 15:10:59
4002 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A6/08/wKgaomURMhuAJ0fEAABZ_lgdPgg223.jpg)
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET,根據(jù)superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點,使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明,
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET,根據(jù)superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點,使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明,
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
能會對MOSFET的頻率穩(wěn)定性、相位噪聲和總體性能產(chǎn)生負面影響。在振蕩器中,閃爍噪聲本身表現(xiàn)為靠近載波的邊帶,其他形式的噪聲從載波延伸出來,頻譜更平坦。隨著與載波的偏移量的增加,閃爍噪聲會逐漸衰減,直到
2023-09-01 16:59:12
進行詳細分析,讓大家更加深入了解這款芯片。 一、CPU和GPU性能 麒麟9000采用了華為自主研發(fā)的CPU和GPU架構,其中CPU使用的是Cortex-A77核心設計,GPU使用的是Mali-G78。這兩種核心都是具備高性能的最新一代芯片,它們在運行速度和CPU/GPU性能方面都有很高的表現(xiàn)。
2023-08-30 17:49:51
4293 麒麟820和麒麟970性能參數(shù)對比 麒麟820和麒麟970是華為推出的兩款手機芯片,同在麒麟系列,兩者在性能方面有何差別呢?下面詳細分析。 1.制程工藝 先從制程工藝角度分析,制程工藝是芯片性能
2023-08-29 17:27:25
5741 濾波電容器、共模電感、磁珠在EMC設計電路中是常見的身影,也是消滅電磁干擾的三大利器。
2023-08-24 17:26:22
237 本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應用,分析了MOSFET損耗特點,提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關系。
2023-08-17 09:16:30
1297 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/90/D8/wKgZomTddZGAL_oBAAANmhI8Eho082.jpg)
分類開始,測量CPU、GPU和內存帶寬使用情況。
對應用程序呈現(xiàn)工作負載進行詳細分析,然后審查應用程序使用可用硬件資源的效率。
對于模板中的每個計數(shù)器,本指南記錄了計數(shù)器的含義,并提供了與其關聯(lián)
2023-08-11 07:48:31
。分析從高級工作負載分類開始,測量CPU、GPU和內存帶寬使用情況。然后,對應用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應用程序對可用硬件資源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器,本指南將記錄計數(shù)器的含義,并提
2023-08-11 06:58:37
分類開始,測量CPU、GPU和內存帶寬使用情況。
對應用程序呈現(xiàn)工作負載進行詳細分析,然后審查應用程序使用可用硬件資源的效率。
對于模板中的每個計數(shù)器,本指南記錄了計數(shù)器的含義,并提供了與其關聯(lián)
2023-08-11 06:31:12
。分析從高級工作負載分類開始,測量CPU、GPU和內存帶寬使用情況。然后,對應用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應用程序對可用硬件資源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器,本指南將記錄計數(shù)器的含義,并提
2023-08-11 06:18:39
分類開始,測量CPU、GPU和內存帶寬使用情況。
對應用程序呈現(xiàn)工作負載進行詳細分析,然后審查應用程序使用可用硬件資源的效率。
對于模板中的每個計數(shù)器,本指南記錄了計數(shù)器的含義,并提供了與其關聯(lián)
2023-08-11 06:17:39
分類開始,測量CPU、GPU和內存帶寬使用情況。
對應用程序呈現(xiàn)工作負載進行詳細分析,然后審查應用程序使用可用硬件資源的效率。
對于模板中的每個計數(shù)器,本指南記錄了計數(shù)器的含義,并提供了與其關聯(lián)
2023-08-11 06:13:07
分類開始,測量CPU、GPU和內存帶寬使用情況。
對應用程序呈現(xiàn)工作負載進行詳細分析,然后審查應用程序使用可用硬件資源的效率。
對于模板中的每個計數(shù)器,本指南記錄了計數(shù)器的含義,并提供了與其關聯(lián)
2023-08-11 06:11:43
開始,測量CPU、GPU和內存帶寬使用情況。
對應用程序呈現(xiàn)工作負載進行詳細分析,然后審查應用程序使用可用硬件資源的效率。
對于模板中的每個計數(shù)器,本指南記錄了計數(shù)器的含義,并提供了與其關聯(lián)
2023-08-11 06:10:46
分類開始,測量CPU、GPU和內存帶寬使用情況。
對應用程序呈現(xiàn)工作負載進行詳細分析,然后審查應用程序使用可用硬件資源的效率。
對于模板中的每個計數(shù)器,本指南記錄了計數(shù)器的含義,并提供了與其關聯(lián)
2023-08-11 06:10:22
。分析從高級工作負載分類開始,測量CPU、GPU和內存帶寬使用情況。然后,對應用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應用程序對可用硬件資源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器,本指南將記錄計數(shù)器的含義
2023-08-09 07:54:06
。分析從高級工作負載分類開始,測量CPU、GPU和內存帶寬使用情況。然后,對應用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應用程序對可用硬件資源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器,本指南將記錄計數(shù)器的含義,并提
2023-08-09 07:53:11
。分析從高級工作負載分類開始,測量CPU、GPU和內存帶寬使用情況。然后,對應用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應用程序對可用硬件資源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器,本指南將記錄計數(shù)器的含義,并提
2023-08-09 07:52:21
。分析從高級工作負載分類開始,測量CPU、GPU和內存帶寬使用情況。然后,對應用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應用程序對可用硬件資源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器,本指南將記錄計數(shù)器的含義
2023-08-09 07:48:17
。分析從高級工作負載分類開始,測量CPU、GPU和內存帶寬使用情況。然后,對應用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應用程序對可用硬件資源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器,本指南將記錄計數(shù)器的含義
2023-08-09 07:48:08
循序漸進的分析工作流。分析從高級工作負載分類開始,測量CPU、GPU和內存帶寬使用情況。然后,對應用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應用程序對可用硬件資源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器,本指南將
2023-08-09 07:44:01
遵循循序漸進的分析工作流。分析從高級工作負載分類開始,測量CPU、GPU和內存帶寬使用情況。然后,對應用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應用程序對可用硬件資源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器,本
2023-08-09 07:33:34
。分析從高級工作負載分類開始,測量CPU、GPU和內存帶寬使用情況。然后,對應用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應用程序對可用硬件資源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器,本指南將記錄計數(shù)器的含義,并提
2023-08-09 07:23:42
。分析從高級工作負載分類開始,測量CPU、GPU和內存帶寬使用情況。然后,對應用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應用程序對可用硬件資源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器,本指南將記錄計數(shù)器的含義,并提
2023-08-09 07:11:46
的分析工作流。分析從高級工作負載分類開始,測量CPU、GPU和內存帶寬使用情況。然后,對應用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應用程序對可用硬件資源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器,本指南將記錄計數(shù)器
2023-08-09 07:08:30
。分析從高級工作負載分類開始,測量CPU、GPU和內存帶寬使用情況。然后,對應用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應用程序對可用硬件資源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器,本指南將記錄計數(shù)器的含義,并提
2023-08-09 07:03:13
循序漸進的分析工作流。分析從高級工作負載分類開始,測量CPU、GPU和內存帶寬使用情況。然后,對應用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應用程序對可用硬件資源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器,本指南將
2023-08-09 07:01:50
。分析從高級工作負載分類開始,測量CPU、GPU和內存帶寬使用情況。然后,對應用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應用程序對可用硬件資源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器,本指南將記錄計數(shù)器的含義
2023-08-09 07:00:25
。分析從高級工作負載分類開始,測量CPU、GPU和內存帶寬使用情況。然后,對應用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應用程序對可用硬件資源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器,本指南將記錄計數(shù)器的含義,并提
2023-08-09 06:51:53
。分析從高級工作負載分類開始,測量CPU、GPU和內存帶寬使用情況。然后,對應用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應用程序對可用硬件資源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器,本指南將記錄計數(shù)器的含義
2023-08-09 06:40:20
。分析從高級工作負載分類開始,測量CPU、GPU和內存帶寬使用情況。然后,對應用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應用程序對可用硬件資源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器,本指南將記錄計數(shù)器的含義,并提
2023-08-09 06:31:22
。分析從高級工作負載分類開始,測量CPU、GPU和內存帶寬使用情況。然后,對應用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應用程序對可用硬件資源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器,本指南將記錄計數(shù)器的含義
2023-08-09 06:30:22
中的計數(shù)器模板遵循循序漸進的分析工作流。分析從高級工作負載分類開始,測量CPU、GPU和內存帶寬使用情況。然后,對應用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應用程序對可用硬件資源的使用效率。
對于模板中
2023-08-09 06:20:05
。分析從高級工作負載分類開始,測量CPU、GPU和內存帶寬使用情況。然后,對應用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應用程序對可用硬件資源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器,本指南將記錄計數(shù)器的含義,并提
2023-08-09 06:18:00
從高級工作負載分類開始,測量CPU、GPU和內存帶寬使用情況。然后,對應用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應用程序對可用硬件資源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器,本指南將記錄計數(shù)器的含義,并提
2023-08-09 06:17:49
。分析從高級工作負載分類開始,測量CPU、GPU和內存帶寬使用情況。然后,對應用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應用程序對可用硬件資源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器,本指南將記錄計數(shù)器的含義,并提
2023-08-09 06:16:16
。分析從高級工作負載分類開始,測量CPU、GPU和內存帶寬使用情況。然后,對應用程序渲染工作負載的詳細分析會審查應用程序對可用硬件資源的使用效率。
對于模板中的每個計數(shù)器,本指南將記錄計數(shù)器的含義
2023-08-09 06:00:30
本篇來詳細分析下UVC的相機終端相關的內容,同樣的我們理論結合實踐來進行。
2023-07-13 09:46:29
1057 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8C/9F/wKgZomSvVquAJg7VAAAMqhFpEh4278.jpg)
本篇來詳細分析下UVC的處理單元相關的內容,同樣的我們理論結合實踐來進行。
2023-07-13 09:42:30
1023 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8C/9E/wKgZomSvVWuAFEkEAAArITPP0bg555.jpg)
MOSFET是開關和汽車應用中非常常見的元件,支持低壓或高壓擺幅,并具有寬范圍的電流驅動。高功率應用的數(shù)量正在增加,從而產(chǎn)生了對功率MOSFET的額外需求。為了生產(chǎn)數(shù)量不斷增加的功率MOSFET
2023-06-30 11:26:16
886 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8B/C0/wKgZomSeTVWAFOlhAADAiEgANC8743.png)
。因此,對DC電源模塊的低溫試驗檢測應用較為廣泛。本文將從試驗環(huán)境、測試設備、試驗步驟、試驗評估等方面對DC電源模塊低溫試驗檢測進行詳細分析。
2023-06-29 10:56:49
340 本文根據(jù)某產(chǎn)品單板電路測試過程的浪涌電流沖擊問題,詳細分析了MOS管緩啟動電路的RC參數(shù),通過分析和實際對電路參數(shù)的更改,使電路的浪涌電流沖擊滿足板上電源要求。
2023-06-26 10:24:10
1042 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/72/F4/poYBAGNXoeCATJJVAAEGilv6kcU194.png)
UTC 10N65-ML是一款高壓功率MOSFET,它結合了先進的溝槽MOSFET,設計具有更好的特性,如快速開關時間、低柵極電荷、低導通狀態(tài)電阻和高崎嶇雪崩特性。這種功率MOSFET通常用于開關電源和適配器的高速開關應用。?
2023-06-14 16:45:45
0 的性能和多領域的應用潛力引起了廣泛關注。本文將詳細介紹CMZ120R080APA1的特點、應用以及關鍵性能參數(shù),展示其在高壓功率電子領域的新一代技術。 特點: CMZ120R080APA1具備以下幾個創(chuàng)新特點: 高速開關和低電容: CMZ120R080APA1采用先進的硅碳化物材料,具有快速開關特性和低電容設
2023-06-12 17:42:13
317 高壓探頭是指測量電氣設備中高電壓的電器設備,如變壓器、母線、發(fā)電機和高壓開關等。它主要用于測量電氣設備中的電場分布或電場梯度,以便分析電氣性能并識別故障。而在高壓探頭中,高壓隔離探頭和高壓差分探頭是兩種常見的類型。
2023-06-08 11:21:02
1106 針對SiC MOSFET模塊應用過程中出現(xiàn)的串擾問題,文章首先對3種測量差分探頭的參數(shù)和測 量波形進行對比,有效減小測量誤差;然后詳細分析串擾引起模塊柵源極出現(xiàn)電壓正向抬升和負向峰值過大 的原因
2023-06-05 10:14:21
1841 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/89/30/wKgZomR9RV-AQto6AABLDn_A58s272.png)
在高壓開關電源應用中,相較傳統(tǒng)的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅(以下簡稱“SiC”)MOSFET 有明 顯的優(yōu)勢。
2023-05-26 09:52:33
462 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/88/B5/wKgaomRwETuAR7lWAABO352aBbw144.png)
本章節(jié)首先介紹SVPWM控制技術的原理,然后詳細分析SVPWM控制算法的具體實現(xiàn)方式包括7段式SVPWM與5段式SVPWM算法,并通過Matlab/Simulink對SVPWM控制算法進行仿真分析,最后通過永磁同步電機矢量控制的實例進行算法應用。
2023-05-24 11:10:30
3721 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/88/9B/wKgaomRtf0uAP0ldAADDWW2WRpI507.jpg)
PCBA端子引腳焊接發(fā)生異常,通過對PCBA基板和端子進行一系列分析,定位到問題發(fā)生的原因在于共面性不良,且端子焊接引腳與錫膏接觸程度不足導致。詳細分析方案,請瀏覽文章獲知。
2023-05-17 13:58:46
723 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/82/DA/wKgZomRkbQmAI0QnAAArM0PKN_o849.jpg)
本文主要介紹了米勒效應的由來,并詳細分析了MOSFET開關過程米勒效應的影響,幫助定性理解米勒平臺的形成機制。最后給出了場效應管柵極電荷的作用。
2023-05-16 09:47:34
1316 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/82/CC/wKgZomRi4QGAXlSvAAAgAmckY2c962.png)
Cortex-M的內核中包含Systick定時器了,只要是Cortex-M系列的MCU就會有Systick,因此這是通用的,下面詳細分析。
2023-05-15 15:01:38
1851 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/A5/DE/pYYBAGRhzsiAbqMRAAgaUs-Xwto129.png)
大家好,今天通過幾個實際案例,給大家詳細分析一下音頻TDD Noise的產(chǎn)生原因、解決方案和思路。
2023-05-12 09:23:57
1590 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/82/B1/wKgZomRdlW6AQl9WAAAKdk2mqMI276.png)
Cortex-M的內核中包含Systick定時器了,只要是Cortex-M系列的MCU就會有Systick,因此這是通用的,下面詳細分析。
2023-05-10 09:00:53
4805 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/82/9D/wKgZomRaV6iAVTZzAAL3KsIMn-Y4.image)
結構體(struct)是由一系列具有相同類型或不同類型的數(shù)據(jù)構成的數(shù)據(jù)集合,也叫結構。
2023-05-04 10:21:39
767 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/82/6D/wKgaomRTGA-ADW3ZAABWh0oGzxs936.png)
功率 MOSFET 正向導通時可用一電阻等效,該電阻與溫度有關,溫度升高,該電阻變大;它還與門極驅動電壓的大小有關,驅動電壓升高,該電阻變小。詳細的關系曲線可從制造商的手冊中獲得。
2023-05-04 10:09:47
538 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/82/6D/wKgaomRTFFmAZpI1AAATy2vY3VE461.png)
高壓SiC MOSFET的結構和技術存在著幾個重要瓶頸:1)器件漂移區(qū)的導通電阻隨電壓等級相應增加,其他結構(溝道、JFET區(qū)等)的存在進一步提高了總導通電阻。
2023-05-04 09:43:18
1394 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/82/6C/wKgaomRTDkuAf8hGAABKZVk5AwU835.png)
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列最終篇,主要介紹MOSFET動態(tài)性能相關的參數(shù)。 主要包括Qg、MOSFET的電容、開關時間等。 參數(shù)列表如下所示。
2023-04-26 17:52:14
4759 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/82/50/wKgaomRI9CmAEQygAADvoDtohgc028.jpg)
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列第二篇,主要介紹電性能相關的參數(shù)。 這部分的參數(shù)是我們經(jīng)常提到并且用到的,相關的參數(shù)如下表所示。
2023-04-26 17:50:10
2213 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/82/50/wKgaomRI83-AKcWuAAFSuK88nYs551.jpg)
上一節(jié)我們詳細分析了一個簡單的差分放大電路,并怎么去估算差分放大器的靜態(tài)工作點。
2023-04-25 15:42:51
1210 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/82/41/wKgZomRHhHeAKmJsAAAu1ZH-hoE953.jpg)
電遷移和紅外壓降 (EM-IR) 分析不是工具。 實際上,這是一個復雜的流程,包括寄生提取、布局后仿真和結果的詳細分析。 這就是為什么必須在流程的所有階段做出謹慎的決定。 例如,在提取過程中,必須正確選擇工藝和溫度。 此外,在提取過程中,必須將其配置為生成包含所有必需物理信息的高質量 DSPF。
2023-04-20 10:29:25
1005 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/A0/F3/pYYBAGRAo4GAUopeAAJWFiOdiZg668.png)
MOSFET作為主要的開關功率器件之一,被大量應用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗
2023-04-18 09:22:02
1251 MOSFET作為功率開關管,已經(jīng)是開關電源領域的絕對主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅動器件,其驅動表面上看來是非常簡單,但是詳細分析起來并不簡單。下面我會花一點時間,一點點來解析MOSFET的驅動技術,以及在不同的應用,應該采用什么樣的驅動電路。
2023-04-18 09:19:31
603 new操作符從自由存儲區(qū)(free store)上為對象動態(tài)分配內存空間,而malloc函數(shù)從堆上動態(tài)分配內存。自由存儲區(qū)是C++基于new操作符的一個抽象概念,凡是通過new操作符進行內存申請,該內存即為自由存儲區(qū)。而堆是操作系統(tǒng)中的術語,是操作系統(tǒng)所維護的一塊特殊內存,用于程序的內存動態(tài)分配,C語言使用malloc從堆上分配內存,使用free釋放已分配的對應內存。
2023-04-03 09:29:01
452 德索fakra線束,為了滿足電動高壓連接器的設計要求,高壓連接器的各個部件必須通過結構設計和材料選擇具有足夠的介電強度,以確保高壓阻力。高壓連接器的高壓性能設計主要包括爬電距離、界面氣隙和絕緣材料。
2023-03-28 11:26:53
359 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/9B/7C/pYYBAGQiTNeAGY4XAABeLZ3s_vs961.png)
正在加载...
評論