2024年3月21日，總部位于哈瑙的家族企業(yè)和科技公司賀利氏，向位于中國的高端工業(yè)金剛石材料供應(yīng)商化合積電（廈門）半導(dǎo)體科技有限公司（簡稱“化合積電”）投資數(shù)百萬歐元。
2024-03-22 16:25:54
134 在進入今天的帖子討論Micro-x獨特的金剛石陽極以及它如何加快成像應(yīng)用程序之前，這里有一些背景閱讀:本文中我們跟蹤了x射線從管內(nèi)生成到x射線探測器單個像素上的檢測路徑。我們討論了x射線到達探測器
2024-03-14 08:14:42216 
據(jù)悉，此項創(chuàng)新的核心在于金剛石優(yōu)秀的導(dǎo)熱性能與絕緣特性。項目負責(zé)人坦言，金剛石可加工成優(yōu)質(zhì)的導(dǎo)電路徑，以極高效率將熱量傳導(dǎo)至銅制散熱器。
2024-03-10 10:01:54460 近日，德國弗勞恩霍夫研究所 (Fraunhofer) 的科學(xué)家們利用超薄金剛石膜成功降低了電子元件的熱負荷，并有望將電動汽車的充電速度提升五倍。
2024-03-07 16:33:25965 
所有的預(yù)處理器命令都是以井號（#）開頭。它必須是第一個非空字符，為了增強可讀性，預(yù)處理器指令應(yīng)從第一列開始。
2024-03-01 12:16:24192 
金剛石，以其無比的硬度和璀璨的光芒而聞名，也打開了其作為半導(dǎo)體的新視角，為下一代電子元件提供了新的可能。金剛石特有的特性，包括高導(dǎo)熱性和電絕緣特性，使其在一些特殊的電子和功率器件應(yīng)用中具有極大的吸引力，特別是在高功率和高溫環(huán)境中。
2024-02-27 17:14:00141 
來源：IEEE Spectrum 金剛石半導(dǎo)體器件的尺寸為4 mm x 4 mm。圖源：伊利諾伊大學(xué)厄巴納-香檳分校格蘭杰工程學(xué)院 本文是IEEE Spectrum與IEEE Xplore合作的獨家
2024-01-24 15:49:46112 
的制備成本相當(dāng)高，因此人們通常希望能夠從一個大型碳化硅晶錠中切割出盡可能多的薄碳化硅晶片襯底。而工業(yè)的發(fā)展使得晶片尺寸不斷增大，這使人們對切割工藝的要求變得更加嚴格。然而，碳化硅材料的硬度極高（莫氏硬度為9.5，僅次于世界上最硬的金剛石），同時又具有晶體的脆性，因此難以切割。
2024-01-23 09:42:20704 
LPCVD是低壓化學(xué)氣相沉積（low-pressurechemical vapor deposition）的縮寫，低壓主要是相對于常壓的APCVD而言，主要區(qū)別點就是工作環(huán)境的壓強，LPCVD的壓強通常只有10~1000Pa，而APCVD壓強約為101.3KPa。
2024-01-22 10:38:35166 
優(yōu)化硅的形態(tài)與沉積方式是半導(dǎo)體和MEMS工藝的關(guān)鍵，LPCVD和APCVD為常見的硅沉積技術(shù)。
2024-01-22 09:32:15433 
金剛石半導(dǎo)體因其超寬帶許、高壓、高載流子飽和漂移速度和優(yōu)良的熱導(dǎo)率而被青睞，尤其是其卓越的器件品質(zhì)因子，使之成為制備耐高溫、高頻、大功率和抗輻射電子產(chǎn)品的理想襯底，有效解決了“自熱效應(yīng)”和“雪崩擊穿”等關(guān)鍵問題。在5G/6G通信、微波/毫米波集成電路、探測與傳感等領(lǐng)域有著不可替代的應(yīng)用前景。
2024-01-18 14:10:12196 
mA/mm的ID，最大值和27Ω·mm的RON，創(chuàng)下了金屬有機化學(xué)氣相沉積（MOCVD）生長的III族氮化物p-FET的記錄。 高密度鈮酸鋰光子集成電路 在這里，我們證明了類金剛石碳（DLC）是制造基于鐵電體的光子集成電路的優(yōu)越材料，特別是LiNbO3。使用DLC作為硬掩模，我們展示了深蝕刻、緊密
2024-01-16 17:12:33146 
近期，大阪公立大學(xué)的研究團隊成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳化硅（SiC）襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上
2024-01-15 10:44:16436 對其帶載能力有很大影響，常用的MOS管材料有硅、碳化硅和氮化硅等。不同材料具有不同的特性，硅材料具有高電子遷移率和較低的電阻，適用于高頻應(yīng)用；碳化硅具有高電子飽和速度和高電壓傳導(dǎo)能力，適用于高功率應(yīng)用；氮化硅具有高溫特性和較高的能帶間隙，適
2024-01-12 14:43:47424 高格科技-四艙甲醛預(yù)處理箱-廠家定制各類環(huán)境試驗箱GAG-E224 四艙甲醛預(yù)處理箱一、主要功能在用氣候箱法測試樣品的揮發(fā)物排放量之前，對材料進行預(yù)平衡處理，環(huán)境艙具有恒溫、恒濕、換氣和采樣功能，并
2024-01-11 09:39:26
的生產(chǎn)首先需要準備好所需的原材料。氮化鎵是由高純度金屬鎵和氮氣通過化學(xué)氣相沉積（CVD）或分子束外延（MBE）等方法制備而成。高純度金屬鎵用于制備Ga熱源，而氮氣則用于形成氮化反應(yīng)。此外，還需要購買其他輔助材料，例如基
2024-01-10 10:09:41501 晶體管）結(jié)構(gòu)。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導(dǎo)率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴散率和散熱能力。 二維電子氣層：氮化鎵襯底上生長一層氮化鎵，形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大，由于
2024-01-09 18:06:41667 金剛石具有低密度、高彈性模量、高強度、高熱導(dǎo)率、化學(xué)惰性和生物相容性等優(yōu)異特性，在聲學(xué)領(lǐng)域主要應(yīng)用于高保真喇叭、聲表面波器件、聲傳感器等。
2024-01-08 11:02:22184 氮化鋁（AlN）以其超寬禁帶寬度（~6.2 eV）和直接帶隙結(jié)構(gòu)，與氧化鎵、氮化硼、金剛石等半導(dǎo)體材料被并稱為超寬禁帶半導(dǎo)體，與氮化鎵、碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料相比具有更優(yōu)異的耐高壓高溫、抗輻照性能。
2024-01-08 09:38:38183 
金剛石材料具有自然界物質(zhì)中最高的熱導(dǎo)率（高達2000 W/m·K），在大功率激光器、微波器件和集成電路等小型化高功率領(lǐng)域的散熱均有重要的應(yīng)用潛力。
2024-01-04 17:20:13536 
隨著科技的不斷發(fā)展，金剛石在許多領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。其中，化學(xué)氣相沉積（CVD）金剛石由于其獨特的物理和化學(xué)性質(zhì)，尤其在機械密封領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用前景。
2024-01-04 10:17:39259 中圖儀器CP系列臺階儀接觸式表面形貌測量儀器主要用于臺階高、膜層厚度、表面粗糙度等微觀形貌參數(shù)的測量。測量時通過使用2μm半徑的金剛石針尖在超精密位移臺移動樣品時掃描其表面，測針的垂直位移距離被轉(zhuǎn)換
2024-01-04 10:08:52
金剛石是我們都非常熟悉的超硬材料，人造金剛石晶體有多種不同的類型，大致可分為單形和聚形，每種類型都具有不同的特性和應(yīng)用。本文梳理了金剛石晶體的不同類型及應(yīng)用。
2024-01-02 15:47:27428 早稻田大學(xué)和 Power Diamonds Systems (PDS) 開發(fā)了一種結(jié)構(gòu)，其中金剛石表面覆蓋有氧化硅終端（C-Si-O 終端），當(dāng)柵極電壓為 0V 時，該結(jié)構(gòu)會關(guān)閉晶體管。為此他們宣布開發(fā)出一種“常關(guān)”鉆石 MOSFET。
2024-01-02 11:44:10570 
在太陽能電池的薄膜沉積工藝中，具有化學(xué)氣相沉積（CVD）與物理氣相沉積（PVD）兩種薄膜沉積方法，電池廠商在沉積工藝中也需要根據(jù)太陽能電池的具體問題進行針對性選擇，并在完成薄膜沉積工藝后通過
2023-12-26 08:33:01312 
熱管理在當(dāng)代電子系統(tǒng)中至關(guān)重要，而金剛石與半導(dǎo)體的集成提供了最有前途的改善散熱的解決方案。
2023-12-24 10:03:43547 
氮化鎵（GaN）晶體管在工作過程中產(chǎn)生的熱量和由此引起的溫升會導(dǎo)致性能下降并縮短器件的壽命，因此亟需開發(fā)有效的散熱方法。
2023-12-22 10:47:00489 
金剛石具有極高的硬度、良好的耐磨性和光電熱等特性，廣泛應(yīng)用于磨料磨具、光學(xué)器件、新能源汽車和電子封裝等領(lǐng)域，但金剛石表面惰性強，納米金剛石分散穩(wěn)定性差，與很多物質(zhì)結(jié)合困難，制約了其應(yīng)用與推廣。金剛石
2023-12-21 15:36:01226 產(chǎn)品描述CP系列表面臺階輪廓儀是一款超精密接觸式微觀輪廓測量儀器，其主要用于臺階高、膜層厚度、表面粗糙度等微觀形貌參數(shù)的測量。測量時通過使用2μm半徑的金剛石針尖在超精密位移臺移動樣品時掃描其表面
2023-12-21 09:13:19
在芯片制造中，有一種材料扮演著至關(guān)重要的角色，那就是氮化硅（SiNx）。
2023-12-20 18:16:09511 
氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMTs)因其優(yōu)異的大功率高頻性能在大功率射頻器件領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
2023-12-19 09:24:28383 
京瓷株式會社（以下簡稱京瓷）成功研發(fā)用于FTIR※的氮化硅（Silicon Nitride，以下簡稱SN）高性能光源。
2023-12-15 09:18:06234 
C語言的預(yù)處理是在編譯之前對源代碼進行處理的階段，它主要由預(yù)處理器完成。預(yù)處理器是一個獨立的程序，它負責(zé)對源代碼進行一些文本替換和處理，生成經(jīng)過預(yù)處理的代碼。以下是C語言預(yù)處理的一些重要特性
2023-12-08 15:40:15215 
碳化硅和氮化鎵的區(qū)別? 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種常見的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在電子、光電和功率電子等領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景。雖然它們都是寬禁帶半導(dǎo)體材料，但是碳化硅和氮化鎵在物理性質(zhì)
2023-12-08 11:28:51740 摘要：隨著半導(dǎo)體封裝載板集成度的提升，其持續(xù)增加的功率密度導(dǎo)致設(shè)備的散熱問題日益嚴重。金剛石-銅復(fù)合材料因其具有高導(dǎo)熱、低膨脹等優(yōu)異性能，成為滿足功率半導(dǎo)體、超算芯片等電子封裝器件散熱需求的重要候選
2023-12-04 08:10:06430 
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瓜蒂莫里,
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ghuart; 粗金剛石; 粗金剛石; 粗金剛石
2023-11-29 08:05:44
摘要本發(fā)明涉及芯片制造技術(shù)領(lǐng)域。硅基的cu/sio2混合結(jié)合樣品和金剛石基礎(chǔ)的cu/sio2混合結(jié)合樣品的準備后，進行等離子體活性。經(jīng)等離子體活性處理后，將cu/sio2混合結(jié)合試料浸泡在有機酸溶液中清洗后干燥。
2023-11-22 09:25:59285 
倍。SiC需要幾天的高達2,700攝氏度的高溫，而合成金剛石晶圓的CVD技術(shù)所用的溫度只有其三分之一" 。
2023-11-21 15:34:38287 
背景 客戶是 成都迪普金剛石鉆頭有限責(zé)任公司 ，這是一家專門從事各類金剛石鉆頭設(shè)計、制造、銷售和技術(shù)服務(wù)的公司。生產(chǎn)各種型號規(guī)格的金剛石全面鉆井、取芯及特殊應(yīng)用的鉆頭，并廣泛應(yīng)用于各油田的全面鉆井、定向鉆井、水平鉆井、
2023-11-17 17:04:20234 
據(jù)麥姆斯咨詢報道，經(jīng)過兩年、十余次的設(shè)計和工藝迭代，國科光芯（海寧）科技股份有限公司（簡稱：國科光芯）在國內(nèi)首個8英寸低損耗氮化硅硅光量產(chǎn)平臺，實現(xiàn)了傳輸損耗-0.1 dB/cm（1550 nm波長
2023-11-17 09:04:54654 氣態(tài)前驅(qū)體在晶圓上反應(yīng)，形成所需的薄膜沉積在晶圓表面。CVD可用于沉積多種金屬，如鎢、銅、鈦等。
2023-11-16 12:24:30548 
運用異質(zhì)外延工藝，Diamond Foundry以可擴展的基底制造單晶金剛石，這是一項前所未有的技術(shù)突破。過去已有技術(shù)用于生產(chǎn)金剛石晶片，但這些晶片基于壓縮金剛石粉末制備，缺乏單晶金剛石的特性。
2023-11-10 16:04:03857 該公司使用一種稱為異質(zhì)外延的工藝來沉積碳原子，并在可擴展的基底上制造單晶金剛石。以前已經(jīng)生產(chǎn)過金剛石晶片，但它是基于壓縮金剛石粉末，缺乏單晶金剛石的特性。
2023-11-08 16:07:13449 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）金剛石是自然界中天然存在的最堅硬的物質(zhì)，與此同時，實際上金剛石還是一種絕佳的半導(dǎo)體材料。作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料，金剛石具備擊穿場強高、耐高溫、抗輻照等性能，在輻射探測
2023-10-07 07:56:201630 
PECVD作為太陽能電池生產(chǎn)中的一種工藝，對其性能的提升起著關(guān)鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽能電池片的表面，從而有效提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換率。但為了清晰客觀的檢測沉積后太陽能電池
2023-09-27 08:35:491772 金剛石可是自然界里的熱導(dǎo)小霸王！它的熱導(dǎo)率簡直牛翻啦，是其他材料望塵莫及的。單晶金剛石的熱導(dǎo)率在2200到2600 W/(m.K)之間，這數(shù)據(jù)讓人目瞪口呆。金剛石的膨脹系數(shù)也相當(dāng)可觀，大約是1.1
2023-09-22 17:00:49329 為9.5級，僅次于世界上最硬的金剛石（10級）），導(dǎo)熱性能優(yōu)良，高溫抗氧化性強。由于碳化硅的天然含量較低，它主要是人造的。
2023-09-22 15:11:04306 
“此前，由于其較高的硬度和力學(xué)特性，金剛石也被譽為‘工業(yè)牙齒’，被廣泛用于地質(zhì)鉆探，非鐵金屬及合金、硬質(zhì)合金、石墨、塑料橡膠、陶瓷和木材等材料的切削加工等領(lǐng)域，也是石油天然氣鉆井、切割鉆頭上的核心部件?！编u廣田表示。
2023-09-21 17:29:43785 首先，以高純硅粉和高純碳粉為原料生長SiC，通過物理氣相傳輸（PVT）制備單晶
第二，使用多線切割設(shè)備切割SiC，晶體切成薄片，厚度不超過1毫米
第三，通過不同粒度的金剛石研磨液，將晶圓研磨至所需要的平整度和粗糙度。
2023-09-06 09:40:48675 單晶金剛石中的低損耗毫米波導(dǎo)和光柵耦合器
2023-08-21 15:55:20299 
金剛石作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，近年來成為大家關(guān)注的熱點。盡管在材料制備、器件研制與性能方面取得了一定進展，但半導(dǎo)體摻雜技術(shù)至今沒有很好解決。氫終端金剛石由于具有典型的二維空穴氣被廣泛應(yīng)用于微波
2023-08-17 09:47:18910 
具有通孔結(jié)構(gòu)的金剛石在高精度引線成型及高功率微波器件散熱領(lǐng)域， 具有良好的應(yīng)用前景。
2023-08-12 14:49:181202 
以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體禁帶寬度、化學(xué)穩(wěn)定性、擊穿場強等優(yōu)勢，是國際半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究熱點。
2023-08-09 16:14:42522 
金剛石是由單一碳原子組成的具有四面體結(jié)構(gòu)的原子晶體，屬于典型的面心立方(FCC)晶體，空間點群為 oh7-Fd3m。每個碳原子以 sp3雜化的方式與其周圍的 4 個碳原子相連接，碳原子密度 1.77
2023-08-08 11:19:312535 
半導(dǎo)體材料是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的基石，Ga2O3、金剛石等超寬禁帶半導(dǎo)體，GaN、SiC等寬禁帶半導(dǎo)體前景廣闊。
2023-08-07 14:39:40535 
金剛石礦物的晶體結(jié)構(gòu)屬于等軸晶系同極鍵四面體結(jié)構(gòu)。碳原子位于四面體的角部和中心，具有高度的對稱性。晶胞中的碳原子以同極鍵連接，距離為154pm。。常見的晶形有八面體、菱形十二面體、立方體、四面體
2023-08-04 11:50:01458 
金剛石具有優(yōu)良的光學(xué)性能，高質(zhì)量 CVD 金剛石薄膜具有十分優(yōu)良的光學(xué)性能，除 3~6 μm 范圍內(nèi)的雙聲子區(qū)域存在晶格振動而產(chǎn)生的本征吸收峰外，在室溫下，從紫外至遠紅外甚至微波段，都有很高的透過性，理論透過率高達71.6%。
2023-08-03 10:51:43276 
金剛石對于半導(dǎo)體行業(yè)來說是一種很有前景的材料，但將其切成薄片具有挑戰(zhàn)性。
2023-08-02 11:07:16861 關(guān)鍵詞：金剛石，半導(dǎo)體封裝，散熱材料，高端國產(chǎn)材料引言：基板是裸芯片封裝中熱傳導(dǎo)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，高密度組裝、小型化特性愈發(fā)明顯，組件熱流密度越來越大，對新型基板材料的要求越來越高
2023-07-31 22:44:313863 基于業(yè)界長期的研發(fā)活動，如今金剛石半導(dǎo)體已經(jīng)開始逐步邁向?qū)嵱没?。但要真正普及推廣金剛石半導(dǎo)體的應(yīng)用，依然需要花費很長的時間，不過已經(jīng)有報道指出，最快在數(shù)年內(nèi)，將會出現(xiàn)金剛石材質(zhì)的半導(dǎo)體試用樣品。業(yè)界對金剛石半導(dǎo)體的關(guān)注程度越高，越易于匯集優(yōu)勢資源、加速研發(fā)速度。
2023-07-31 14:34:08816 在材料科學(xué)領(lǐng)域，金剛石因其絢麗的外形和卓越的物理特性而長期占據(jù)主導(dǎo)地位。它們無與倫比的硬度和導(dǎo)熱性，加上優(yōu)異的電絕緣性能，開辟了眾多工業(yè)應(yīng)用。
2023-07-26 10:15:09584 金剛石不僅具有包括最高的硬度、極高的熱導(dǎo)率、達5.5eV的寬帶隙、極高的擊穿電場和高固有載流子遷移率等多種卓越性質(zhì)
2023-07-25 09:30:44668 
材料往往因特定優(yōu)勢而聞名。金剛石正因為在室溫下具有最高的熱導(dǎo)率(2000W/m.K)，兼具帶隙寬、擊穿場強高、載流子遷移率高、耐高溫、抗酸堿、抗腐蝕、抗輻照等優(yōu)越性能，而在高功率、高頻、高溫領(lǐng)域有至關(guān)重要的應(yīng)用。金剛石，已被認為是目前最有發(fā)展前途的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一。
2023-07-19 10:29:54456 
金剛石、氧化鎵、氮化鋁等具有更寬的禁帶寬度，被稱為超寬禁帶半導(dǎo)體，未來有可能用來制造具有更低電阻、更高工作功率、更高耐溫能力的功率器件，因此研發(fā)熱度一直不減。
2023-07-19 09:56:091006 
面向天文觀測等領(lǐng)域?qū)Ω吖β蕟晤l 589 nm 鈉導(dǎo)星激光器的應(yīng)用需求，通過金剛石拉曼諧振及腔內(nèi)倍頻技術(shù)結(jié)合 1 018 nm 摻鐿光纖激光技術(shù)，實現(xiàn)了最高功率 16.5 W 的連續(xù)波單頻 589
2023-07-13 09:40:52606 
金剛石異質(zhì)外延已發(fā)展 30 年有余,而基于 Ir 襯底的大面積、高質(zhì)量的異質(zhì)外延單晶金剛石已取得較大進展。本文主要從關(guān)于異質(zhì)外延單晶金剛石及其電子器件兩個方面對異質(zhì)外延單晶金剛石的發(fā)展進行了闡述。
2023-07-12 15:22:23843 
氮化硅是一種半導(dǎo)體材料。氮化硅具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、機械性能和化學(xué)穩(wěn)定性，被廣泛應(yīng)用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙（大約3.2電子伏特），并可通過摻雜來調(diào)節(jié)其導(dǎo)電性能，因此被視為一種重要的半導(dǎo)體材料。
2023-07-06 15:44:433823 氮化鋁具有較高的熱導(dǎo)性，比氮化硅高得多。這使得氮化鋁在高溫環(huán)境中可以更有效地傳導(dǎo)熱量。
2023-07-06 15:41:231061 氮化硅陶瓷軸承球與鋼質(zhì)球相比具有突出的優(yōu)點:密度低、耐高溫、自潤滑、耐腐蝕。疲勞壽命破壞方式與鋼質(zhì)球相同。陶瓷球作為高速旋轉(zhuǎn)體產(chǎn)生離心應(yīng)力，氮化硅的低密度降低了高速旋轉(zhuǎn)體外圈上的離心應(yīng)力。
2023-07-05 10:37:061561 
學(xué)技術(shù)迎來了重大進展。通過化學(xué)氣相沉積（CVD）合成光學(xué)質(zhì)量金剛石的創(chuàng)新，金剛石色心工程，以及用于制造金剛石光學(xué)元件和光子結(jié)構(gòu)的技術(shù)，使這些進展成為可能。 ?基于金剛石優(yōu)異內(nèi)在特性的光子學(xué)應(yīng)用? 高純度的金剛石，在紫
2023-06-28 11:03:25367 韞茂科技成立于2018年，致力于成為平臺形態(tài)的納米級薄膜沉積設(shè)備制造企業(yè)。目前擁有ald原子層沉積系統(tǒng)、pvd物理氣體沉積系統(tǒng)、cvd化學(xué)氣體沉積系統(tǒng)、uhv超高真空涂層設(shè)備等12種產(chǎn)品。
2023-06-28 10:41:03540 近日，Nano Letters（《納米快報》）在線發(fā)表武漢大學(xué)高等研究院梁樂課題組和約翰霍普金斯大學(xué)Ishan Barman課題組關(guān)于高效構(gòu)建等離子增強NV色心的納米器件研究進展，他們利用自下向上的DNA自組裝方法開發(fā)了一種混合型獨立式等離子體納米金剛石
2023-06-26 17:04:52396 
往往我說今天上課的內(nèi)容是預(yù)處理時，便有學(xué)生質(zhì)疑：預(yù)處理不就是include 和define么？這也用得著講??？。是的，非常值得討論，即使是include 和define。但是預(yù)處理僅限于此嗎？遠遠
2023-06-25 06:15:38
檢測方案已成功應(yīng)用于 low-k 電介質(zhì)沉積應(yīng)用 ( 特別是氮化硅 Si3N4 ), 在減少顆粒污染的同時, 縮短了生產(chǎn)時間.
2023-06-21 10:03:30238 
與傳統(tǒng)上用于半導(dǎo)體的硅和其他材料相比，金剛石可以承受更高的電壓，可以以更高的速度和頻率運行，并且可以用于外層空間等高輻射環(huán)境。金剛石半導(dǎo)體作為下一代功率半導(dǎo)體的發(fā)展勢頭強勁。
2023-06-12 15:17:511249 
近日，教育部高等學(xué)校大學(xué)物理課程教學(xué)指導(dǎo)委員會課程思政工作委員對2022年高等學(xué)?！按髮W(xué)物理”和“大學(xué)物理實驗”課程思政案例立項情況進行了公示，同濟大學(xué)《金剛石NV色心量子計算實驗》課程作為優(yōu)秀
2023-06-12 11:04:19538 
金剛石半導(dǎo)體具有優(yōu)異的特性，作為功率器件材料備受期待。
2023-06-05 18:17:271436 
。 PVD 沉積工藝在半導(dǎo)體制造中用于為各種邏輯器件和存儲器件制作超薄、超純金屬和過渡金屬氮化物薄膜。最常見的 PVD 應(yīng)用是鋁板和焊盤金屬化、鈦和氮化鈦襯墊層、阻擋層沉積和用于互連金屬化的銅阻擋層種子沉積。 PVD 薄膜沉積工藝需要一個高真空的平臺，在
2023-05-26 16:36:511749 金剛石光學(xué)真空窗片高質(zhì)量的金剛石晶圓應(yīng)用作為光學(xué)窗口是理想的，主要為紅外，遠紅外和太赫茲范圍。這些金剛石晶片由高功率微波等離子體輔助化學(xué)氣相沉積(CVD)生長的高純多晶金剛石組成。
2023-05-24 11:26:37
以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及材料穩(wěn)定性，有著顯著的優(yōu)勢和巨大的發(fā)展?jié)摿Γ絹碓降玫絿鴥?nèi)外的重視。
2023-05-24 10:44:29568 
金剛石是一種“終極材料”，在硬度、聲速、熱導(dǎo)率、楊氏模量等方面具有所有材料中最好的物理性能；其他性能包括從紫外線到紅外線的寬波長光譜的透射率、熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性以及可控的電阻和導(dǎo)電性。這些特性使金剛石可用于各種應(yīng)用，如散熱器、加工工具、光學(xué)元件、音頻元件和半導(dǎo)體。
2023-05-23 12:41:381291 
臺階儀與白光干涉儀，兩者雖然都是表面微觀輪廓測量利器，但還是有所不同。1、測量方式（1）臺階儀是一款超精密接觸式微觀輪廓測量儀器，測量時通過使用2μm半徑的金剛石針尖在超精密位移臺移動樣品時掃描
2023-05-22 10:28:35
0 晶圓切割機在切割晶圓時，崩邊是一種常見的切割缺陷，影響切割質(zhì)量和生產(chǎn)效率。要選用合適的切割刀以減少崩邊，可以考慮以下幾點：根據(jù)晶圓尺寸和切割要求，選擇合適的金剛石顆粒尺寸和濃度的切割刀。金剛石顆粒
2023-05-19 16:18:01392 
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AIN）、氧化鋅（ZnO）和金剛石等，其中
2023-05-18 10:57:361018 在硅基光伏產(chǎn)業(yè)鏈中，硅晶片的制造是最基本的步驟。金剛石切片是主要的硅片切片技術(shù)，采用高速線性摩擦將硅切割成薄片。在硅片切片過程中，由于金剛石線和硅片的反復(fù)摩擦，硅片表面發(fā)生了大量的脆性損傷和塑性損傷。
2023-05-15 10:49:38489 
、核聚變等領(lǐng)域，成為先進的高溫結(jié)構(gòu)及功能材料。本文綜述了高導(dǎo)熱碳化硅陶瓷基復(fù)合材料制備及性能等方面的最新研究進展。研究通過引入高導(dǎo)熱相，如金剛石粉、中間相瀝青基碳纖維等
2023-05-06 09:44:291639 新能源電動汽車爆發(fā)式增長的勢頭不可阻擋，氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊，對提升新能源汽車加速度、續(xù)航里程、充電速度、輕量化、電池成本等各項性能尤為重要。
2023-05-02 09:28:451169 
色心之所以得名，是因為它們的光學(xué)特性。雖然金剛石本身對可見光是透明的，但色心是其中的斑點，具有技術(shù)吸引力的能力，可以吸收光并在相當(dāng)窄的光譜帶（即具有非常特定的顏色（波長））中有效地重新發(fā)射光。重要的是，色心可以有效地發(fā)射單光子。這種窄帶單光子發(fā)射有幾個潛在的應(yīng)用。
2023-04-24 09:27:57495 
近日，上海玻璃鋼研究院有限公司的高級工程師趙中堅沿著該思路，以純纖維狀α-Si3N4粉為主要原料，通過添加一定比例氧化物燒結(jié)助劑，經(jīng)冷等靜壓成型和氣氛保護無壓燒結(jié)工藝燒結(jié)制備出了能充分滿足高性能導(dǎo)彈天線罩使用要求的多孔氮化硅陶瓷。
2023-04-16 10:30:461274 器中的熱量越多，被回收的熱量也越多。因此在余熱回收中提高重力熱管的傳熱性能是重要的研究方向與熱點之一。納米金剛石具有優(yōu)異的傳熱性能，能夠分散在水中形成金剛石-水納米流體作為重力熱管的工質(zhì)強化傳熱。然而
2023-04-14 09:46:53365 
工藝:金剛石或傳統(tǒng)磨料。只要控制和監(jiān)測研磨盤的平整度，任何一種研磨工藝都可以產(chǎn)生低至0.0003毫米的平整度結(jié)果。研磨過程是一種溫和的切削過程，它將研磨盤的平整度轉(zhuǎn)移到
2023-04-13 14:23:41816 
氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率、高溫性能和高速度等特點。這使得氮化硅線路板有著廣泛的應(yīng)用前景和市場需求，正因為如此斯利通現(xiàn)正全力研發(fā)氮化硅作為基材的線路板。
2023-04-11 12:02:401364 
氮化硅研磨環(huán)由于研磨環(huán)存在內(nèi)外氣壓差，可以在密閉的真空或者很濃密的場景中快速的上下運動，氮化硅磨介圈在大的球磨機里不僅起到研磨粉碎的作用，更重要的是眾多的氮化硅磨介圈環(huán)會發(fā)生共振現(xiàn)象，氮化硅
2023-03-31 11:40:35597 
導(dǎo)熱填料其主要成份為納米氮化硅鎂、納米碳化硅、納米氮化鋁、納米氮化硼、高球形度氧化鋁、納米氮化硅（有規(guī)則取向結(jié)構(gòu)）等多種超高導(dǎo)熱填料的組合而成，根據(jù)每種材料的粒徑、形態(tài)，表面易潤濕性，摻雜分數(shù)，自身
2023-03-29 10:11:55531 金剛石中的氮-空位(NV)色心是一種可在室溫下操作的優(yōu)良量子體系， 因具有獨特的電子自旋態(tài)及其可光學(xué)讀取特性，近年來已迅速發(fā)展成為一種可探測多種物理量和生物對象的有力手段。
2023-03-25 16:40:511872 。無鉛噴錫是基于歐盟的RoHS的指令出臺后，開始大量應(yīng)用于線路板的表面處理。噴錫的生產(chǎn)流程分為：前處理—噴錫—后處理三個步驟，下圖展示的是一個完整的噴錫工序的場景。2.化金（沉金）化金或沉金都
2023-03-24 16:59:21
從設(shè)備上區(qū)分有：金剛石劃片和激光劃片兩種。由于激光劃片設(shè)備昂貴，金剛石劃片是目前較為流行的。
2023-03-23 12:41:56370 CVD金剛石窗片鉆石基片真空太赫茲窗片 CVD金剛石具有很高的硬度，熱導(dǎo)率高（> 1800 W / mK，是銅的五倍），且具有寬帶光學(xué)透射效率。在UV紫外、可見光、中遠
2023-03-23 09:46:55
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