隨著Mini/Micro LED技術(shù)發(fā)展和小間距產(chǎn)品成熟，產(chǎn)業(yè)集聚效應(yīng)日趨明顯，同時，小間距LED顯示屏需求端的爆發(fā)式增長，迅速成為顯示屏市場的主流產(chǎn)品。
2024-03-18 13:48:09
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電池+STM8+RF433無線門鎖時，如何既能保持RF433的數(shù)據(jù)接收，又能最低功耗待機
2024-03-18 07:13:38
嵌入式鐵電存儲器可實現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計。將鐵電存儲器添加到微控制器中可以進行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲與處理，是存儲系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計量儀表到
2024-03-06 09:57:22
DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 
1) 允許一個物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器進行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲器。
2024-01-30 08:18:12
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《存儲器接口產(chǎn)品手冊.pdf》資料免費下載
2024-01-29 09:31:17
0 ）低功耗藍牙產(chǎn)品。得益于在片上存儲器（RAM/ROM/閃存）和SoC芯片尺寸（決定成本）間的謹慎權(quán)衡，DA14592非常適合包括聯(lián)網(wǎng)醫(yī)療、資產(chǎn)跟蹤、人機接口設(shè)備、計量、PoS讀卡器，和“眾包位置（CSL）”跟蹤等在內(nèi)的廣泛應(yīng)用。
2024-01-19 16:37:30586 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布推出新款低功耗藍牙（LE）片上系統(tǒng)（SoC），即DA14592。這款產(chǎn)品憑借其超低功耗和微型尺寸，成為瑞薩電子系列中功耗最低、體積最小的多核（Cortex-M33、Cortex-M0+）低功耗藍牙產(chǎn)品。
2024-01-19 16:18:15322 ADuCM360/1是否支持存儲器到存儲器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
極薄銅箔逐漸成為傳統(tǒng)銅箔市場的主流產(chǎn)品；復(fù)合銅箔或?qū)⒂瓉矸帕颗c裝車。
2024-01-13 10:51:11674 
近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282 這塊板子只需要用OE和WE信號就可以了，片選就接地吧，這樣讀操作時數(shù)據(jù)出來得快多了。
點評：大部分存儲器的功耗在片選有效時（不論OE和WE如何）將比片選無效時大100倍以上，所以應(yīng)盡可能使用CS來控制
2024-01-09 08:04:28
的。那么如何解決呢？本文將對RF模組在Sleep狀態(tài)下如何做到最低功耗進行說明。RF模組sleep時RF模組的IO狀態(tài)先要獲知RF模組Sleep時，RF模組的IO
2024-01-06 08:13:43141 
，休眠電流最低0.7uA，完全可以滿足不同的低功耗應(yīng)用。PY32L020在控制器、手持設(shè)備、PC 外設(shè)、游戲和 GPS 平臺、工業(yè)應(yīng)用等場景下都有著很好的應(yīng)用。
2023-12-20 16:02:38
Biomemory的DNA數(shù)據(jù)存儲卡承諾“最低”壽命為150年。1000美元的價格包括了兩張相同的卡——一張用于保存，另一張用于測試檢索數(shù)據(jù)的過程，其中帶有1KB的存儲空間。
2023-12-18 17:04:36381 電子產(chǎn)品尤其是電池供電的都要求低功耗，究竟怎樣才算低功耗？脫離應(yīng)用場合的數(shù)值沒有意義，低功耗是一種看情況而定、只可意會的標準。
2023-12-13 09:14:37248 資料顯示，LPDDR是低功耗的DRAM存儲器，由DDR內(nèi)存演化而來。LPDDR的架構(gòu)和接口針對低功耗應(yīng)用進行了專門優(yōu)化，提供更窄的通道寬度、尺寸更小、工作電壓更低和支持多種低功耗運行狀態(tài)。
2023-12-01 10:44:12217 閃速存儲器 （Flash Memory）簡稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17915 
GX250516Kb只添加存儲器可識別和存儲與其關(guān)聯(lián)的產(chǎn)品相關(guān)信息?？梢酝ㄟ^最小化的接口（例如微控制器的單個端口引腳）訪問該批次或產(chǎn)品特定的信息。
2023-11-21 16:04:27191 
低功耗雙倍速率同步動態(tài)隨機存取存儲器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡稱為 LPDDR，是DDR SDRAM 的一種，由于廣泛用于移動
2023-11-21 09:37:36257 
全球供應(yīng)品類豐富、發(fā)貨快速的現(xiàn)貨技術(shù)元器件和自動化產(chǎn)品領(lǐng)先商業(yè)分銷商DigiKey，今日宣布與?Ambiq?合作向全球分銷超低功耗半導(dǎo)體產(chǎn)品。 DigiKey 與 Ambiq 合作，提供低功耗 IC
2023-11-17 16:42:29131 
msp430f1101a功耗最低可以做到多少？
2023-11-09 06:05:12
DigiKey 已與 Ambiq 合作，在全球范圍內(nèi)分銷其超低功耗半導(dǎo)體。通過新的合作伙伴關(guān)系，DigiKey 現(xiàn)在正在庫存 Ambiq 的 Apollo4 Blue Plus。作為目前市場上動態(tài)
2023-11-07 16:36:32385 這個最低功耗可以達到多少
2023-11-07 07:33:19
實測的功耗可以做到多少
2023-11-02 08:11:46
單片機的存儲器主要有幾個物理存儲空間
2023-11-01 06:22:38
單片機的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了?。?？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
存儲領(lǐng)域發(fā)展至今，已有很多不同種類的存儲器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見的存儲器及其應(yīng)用。
2023-10-17 15:45:50521 
低功耗設(shè)計是當下的需要！這篇文章：低功耗設(shè)計方法論的必要性讓我們深入了解了現(xiàn)代設(shè)計的意圖和對功耗感知的需求。在低功耗方法標簽下的時鐘門控和電源門控的后續(xù)文章中，討論了一些SoC低功耗設(shè)計的方法。在這篇文章中，我們將考慮一個這樣的低功耗設(shè)計的FSM，可以推廣到任何低功耗時序電路的設(shè)計。
2023-10-17 10:41:13309 
存儲器測試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
stm8l系列低功耗待機電流最低能達到多少呢
2023-10-15 11:25:16
的高性價比32位MCU，適用于電動牙刷、TWS耳機倉、電子煙、氣體報警器等各類不同的智能個護、便攜式消費電子、智能家居等應(yīng)用場景。 該產(chǎn)品隸屬于芯海科技L系列低功耗MCU序列。該系列包括多款產(chǎn)品，內(nèi)嵌Flash存儲器，集成高性能ADC、豐富的外設(shè)和通信接口
2023-10-11 15:57:35301 
自舉程序存儲在 STM32 器件的內(nèi)部自舉 ROM 存儲器（系統(tǒng)存儲器）中。在生產(chǎn)期間由 ST編程。其主要任務(wù)是通過一種可用的串行外設(shè)（USART、CAN、USB、I2C 等）將應(yīng)用程序下載到內(nèi)部
2023-09-28 07:15:06
怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢，在各個領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點、性能指標及應(yīng)用領(lǐng)域進行詳細解析，以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比，具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 由于車載電子控制系統(tǒng)對于存取各類傳感器資料的需求持
2023-09-27 10:00:51
stm32F103 設(shè)置成最低功耗的standy模式，使用RTC和PA0兩種模式同時喚醒，實驗RTC可以實現(xiàn)了，再加上PA0能不能雙喚醒？
2023-09-25 07:00:30
如何檢測24c存儲器容量
2023-09-25 06:48:32
has also extended this range to include an ultra-low-power MCU platform）。按內(nèi)核架構(gòu)分為不同產(chǎn)品：
主流產(chǎn)品（STM32F0
2023-09-19 07:45:48
存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類，前者在掉電后會失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持數(shù)據(jù)。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
CW32L083是一款基于eFlash的單芯片低功耗微控制器，集成了ARM?Cortex?-M0+
核心，主頻高達64MHz，高速嵌入式存儲器（高達256K字節(jié)的FLASH和
高達24K字節(jié)
2023-09-14 06:41:28
)都是獨立和軟件可配置的 每個通道都有3個事件標志位DMA半傳輸DMA傳輸完成和DMA傳輸出錯 支持存儲器->存儲器外設(shè)->存儲器存儲器->外設(shè)和外設(shè)-&
2023-09-13 08:06:16
多達5個時鐘源，可實現(xiàn)最低功耗
?APB時鐘
?LP振蕩器：LSE、LSI、HSI
?外部時鐘
?具有可配置的活動邊緣：上升邊緣、下降邊緣和兩側(cè)邊緣
?當選擇兩個邊緣配置時，需要一個輔助時鐘源頻率
2023-09-12 07:36:32
ST低功耗MCU產(chǎn)品介紹? STM32L4 低功耗產(chǎn)品特性? STM32L 低功耗模式對比? 如何評估功耗，如何根據(jù)應(yīng)用選擇? 低功耗MCU ULPBench? 低功耗市場應(yīng)用
2023-09-11 08:08:05
ST低功耗MCU產(chǎn)品介紹? STM32Lx 低功耗產(chǎn)品特性? STM32Lx 低功耗模式對比? 低功耗MCU ULPBench? 低功耗市場應(yīng)用? 解決問題案例? 案例：外部GPIO的漏電流? 案例：硬件上的“小”問題? 案例：低功耗模式引起的外設(shè)工作異常? 案例：數(shù)據(jù)采集中的省電模式BAM
2023-09-11 06:04:06
STM32 F7 概述? STM32總線架構(gòu)和存儲器映射? 總線架構(gòu)? 存儲器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復(fù)位和時鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
根據(jù)專利要點，提供本申請的一種存儲器是檢測方法及存儲半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中存儲單位與上線之間漏電測定的復(fù)雜技術(shù)問題，該存儲器的檢測方法如下：選通字線，通過位線在所有存儲單元中寫設(shè)定存儲。
2023-09-07 14:27:24524 
包含了? ST低功耗MCU產(chǎn)品介紹? STM32L4 低功耗產(chǎn)品特性? STM32L 低功耗模式對比? 如何評估功耗，如何根據(jù)應(yīng)用選擇? 低功耗MCU ULPBench? 低功耗市場應(yīng)用
2023-09-07 08:12:41
為什么SD卡的速度比預(yù)期的要低?
2023-09-07 07:36:19
庫的慢-慢工藝點對塊進行合成，以200 MHz的目標速度確認時序特性。
接口存儲器端口上的信號符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲器組件所要求的時序要求
2023-08-21 06:55:33
技術(shù)，每種技術(shù)都具有不同的特性和高級功能。雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 同步動態(tài)隨機存取存儲器 (SDRAM) 已成為主系統(tǒng)存儲器最主流的存儲器技術(shù)，因為它使用電容器作為存儲元件來實現(xiàn)高密度和簡單架構(gòu)、低延遲和高性能、無限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20414 
昂科燒錄器支持Analog
Devices亞德諾半導(dǎo)體的超低功耗、獨立式電量計IC MAX17201X
芯片燒錄行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者-昂科技術(shù)近日發(fā)布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號列表，其中昂科發(fā)布
2023-08-10 11:54:39
和高性能計算 GPGPU 領(lǐng)域上均推出了較為成熟的產(chǎn)品，在性能上不斷追趕行業(yè)主流產(chǎn)品，在特定領(lǐng)域達到業(yè)界一流水平。
2023-08-10 10:16:562147 
電池+STM8+RF433無線門鎖時，如何既能保持RF433的數(shù)據(jù)接收，又能最低功耗待機
2023-08-07 09:19:31
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）低功耗一直以來是物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的一個重要發(fā)展方向，近幾年隨著低功耗設(shè)備的需求不斷提高，比如MCU、存儲等芯片產(chǎn)品中，低功耗也成了各大廠商的一個重要產(chǎn)品設(shè)計要點。 ? 其中
2023-07-15 00:01:001352 英尚微提供的串行PSRAM存儲器件，該器件有SPI,QPI接口，支持單片機SPI,QPI接口，該RAM可配置為1位輸入和輸出獨立接口或4位I/O通用接口。所有必要的刷新操作都由設(shè)備本身負責(zé)。具有封裝小，容量大，成本低的優(yōu)勢。該產(chǎn)品是低成本低功耗高容量的ram資源外擴的存儲解決方案。
2023-07-07 17:08:14630 鐵電存儲器(FRAM)具有非易失性，讀寫速度快，沒有寫等待時間等優(yōu)勢，能夠像RAM一樣操作，低功耗，擦寫使用壽命長，芯片的擦寫次數(shù)為100萬次，比一般的E2PROM存儲器高10倍。特別適合在為工業(yè)
2023-06-29 09:39:03382 易失性存儲器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲器的發(fā)展史，本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲器的發(fā)展歷程。易失性存儲器在計算機開機時存儲數(shù)據(jù)，但在關(guān)閉時將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28874 PLC系統(tǒng)中的存儲器主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序和工作狀態(tài)數(shù)據(jù)。PLC的存儲器包括系統(tǒng)存儲器和用戶存儲器。
2023-06-26 14:02:453775 半導(dǎo)體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
多維科技TMR7303系列電流傳感器產(chǎn)品，其板載式外形尺寸和引腳定義與市場上的主流產(chǎn)品完全兼容，為客戶快速應(yīng)用和產(chǎn)品升級創(chuàng)造了捷徑。
2023-06-25 09:50:54372 
LPDDR是什么？ LPDDR （Low Power Double Data Rate SD RAM）低功耗雙倍速率動態(tài)隨機存取存儲器，是DDR SDRAM的一種，是JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會
2023-06-22 08:40:021816 
8 存儲器 RA6 MCU支持4GB的線性地址空間，范圍為 0000 0000h 到 FFFF FFFFh ，其中包含程序、數(shù)據(jù)和外部存儲器總線。該系列的某些產(chǎn)品包括一個SDRAM控制器，可利用
2023-06-21 12:15:03421 
M261在DCDC模式下進不了低功耗模式。
進入DCDC的指令是：
SYS_SetPowerRegulator(SYS_PLCTL_MVRS_DCDC);
電流確實是比沒有執(zhí)行此命令時小30%左右。說明此命令有作用了。
但卻進入不了低功耗模式。
2023-06-19 06:46:43
請問N76E003低功耗，掉電模式最低可以做到多少uA ?我怎么調(diào)也在120uA呢!
2023-06-14 08:39:42
什么是nMCP？ nMCP是NAND-based MCP，結(jié)合了Flash和LPDDR封裝而成的二合一存儲產(chǎn)品，適用于嵌入式存儲應(yīng)用環(huán)境。可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)在應(yīng)用領(lǐng)域的表現(xiàn)力逐漸增強，低功耗、小型化
2023-06-05 19:35:031788 
磁表面存儲器——磁表面存儲器，它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來記錄信息的，載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質(zhì)。
存儲密度——磁表面存儲器單位長度或單位面積磁層表面所能存儲的二進制信息量
2023-05-26 11:27:061411 因此，存儲器件變得容量越來越大，設(shè)計越來越復(fù)雜。在開發(fā)存儲器件時，怎樣做才能既滿足嚴苛的性能、功耗、面積（PPA）目標，又能確保產(chǎn)品按時上市呢？
2023-05-25 14:33:47454 
今天的內(nèi)容是兩則科技新聞，“用于物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的全球最低功耗的無線芯片”，和“一款多頻段微型芯片天線”。由于芯片的面積分別為1平方毫米，和21平方毫米，差不多是1粒芝麻和2粒大米的大小，故稱為芝麻芯片
2023-05-24 06:00:00626 
，并把電容放電，藉此來保持數(shù)據(jù)的連續(xù)性。
SRAM：
SRAM利用寄存器來存儲信息，所以一旦掉電，資料就會全部丟失，只要供電，它的資料就會一直存在，不需要動態(tài)刷新，所以叫靜態(tài)隨機存儲器。
3.產(chǎn)品
2023-05-19 15:59:37
單片機的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
有可以進行mesh組網(wǎng)的低功耗藍牙模塊么？這種低功耗藍牙模塊組網(wǎng)支持多少個節(jié)點？是低功耗藍牙模塊BLE
2023-05-09 17:16:05
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
單相變壓器并聯(lián)運行是指具有相同極性、相同匝數(shù)比、相同相序和相同電壓比的兩個或多個變壓器相互并聯(lián)連接。
兩臺并聯(lián)的單相變壓器A和B的電路圖如下所示：
讓一個1是變壓器A的匝數(shù)比a2
2023-04-24 18:19:15
三相變壓器用于傳輸大量電力。三相變壓器需要對電力系統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)各個階段的電壓進行升壓和降壓。三相變壓器以兩種方式構(gòu)建。
三***立的單相變壓器適合三相操作。
單個三相變壓器，其中所有三相的鐵芯
2023-04-23 17:48:56
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設(shè)、外設(shè)到存儲器。在第十三章以及第二十七章，已講解存儲器到存儲器傳輸方式以及存儲器到外設(shè)傳輸方式，本章將講解DMA外設(shè)到存儲器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè)，通過串口調(diào)試助手等向開發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)會被返回給開發(fā)板并通過串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41
本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標地址上（內(nèi)部SRAM），最后對比源數(shù)據(jù)和目標地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準確。
2023-04-17 15:28:08
低功耗分兩方面，一是工況功耗，二是總平均功耗或說等效功耗。工況功耗低，主要是能效比高，比如同樣亮度需求下，LED或節(jié)能燈都比白熾燈所需的耗電量要少，所以它們就可以稱為低功耗產(chǎn)品?？偲骄?b class="flag-6" style="color: red">功耗則是
2023-04-14 16:06:27466 
對使用TI最低功耗的低功耗藍牙?無線微控制器（MCU）進行設(shè)計感興趣嗎？以下是您應(yīng)該選擇SimpleLink?藍牙低功耗CC2640無線MCU的5個原因：
2023-04-10 09:35:26839 存儲設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
的擦除操作，而且寫人時間也比閃存少幾個數(shù)量級。即使是與現(xiàn)有存儲器中性能較高的DRAM(讀取1寫入時間為30ns~50ns)相比，自旋注入MRAM的高性能仍然很突出。此外可擦寫次數(shù)超過1015次,和DRAM
2023-04-07 16:41:05
單相變壓器和三相變壓器額定值之間有什么關(guān)系嗎？
2023-04-07 10:10:17
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們?nèi)绾问褂谩Ｕ堉笇?dǎo)我們實現(xiàn)這一目標
2023-04-04 08:16:50
存儲器按存儲介質(zhì)特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計算機角度上看，易失性存儲器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
變頻器控制電路中電機用三角形接法還是用星型接法？單相變頻器和三相有何區(qū)別？單相變頻器和三相變頻器就電機接線方法上有何區(qū)別？為什么？
2023-03-28 16:46:02
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