? ? ??IGBT的四個主要參數(shù) ? ? ? IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）是一種功率半導(dǎo)體器件，用于控制大電流和高電壓。它的四個
2024-03-22 08:37:29
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基本介紹功率器件可靠性是器件廠商和應(yīng)用方除性能參數(shù)外最為關(guān)注的，也是特性參數(shù)測試無法評估的，失效分析則是分析器件封裝缺陷、提升器件封裝水平和應(yīng)用可靠性的基礎(chǔ)。廣電計量擁有業(yè)界領(lǐng)先的專家團隊及先進
2024-03-13 16:26:07
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種重要的功率電子器件，廣泛應(yīng)用于各種高壓高電流的電力電子設(shè)備中。IGBT選型是指根據(jù)特定應(yīng)用需求選擇合適的IGBT
2024-03-12 15:31:12257 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種在功率電子領(lǐng)域中廣泛使用的半導(dǎo)體器件，用于在高電壓、高電流的情況下控制電能的傳輸和轉(zhuǎn)換。IGBT對驅(qū)動電路的要求
2024-03-12 15:27:38208 英飛凌新推出的IGBT7單管系列市場熱度不減，本文為大家整理針對該產(chǎn)品系列的常見問題，一看就懂，牢牢碼住!直播回放鏈接獲取IGBT7都通過了哪些可靠性測試？答：IGBT不論單管和模塊都需要通過
2024-03-05 08:17:27111 
IGBT器件的結(jié)構(gòu)和工作原理
2024-02-21 09:41:59288 
IGBT過流和短路故障的區(qū)別? IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫，是一種半導(dǎo)體功率開關(guān)器件。在工業(yè)和電力領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，常常用于高壓、高電流的開關(guān)電源和逆變器中。然而，由于各種原因，IGBT有可能
2024-02-18 11:05:32274 雙脈沖測試的基本原理是什么？雙脈沖測試可以獲得器件哪些真實參數(shù)？ 雙脈沖測試是一種常用的測試方法，用于測量和評估各種器件的性能和特性。它基于一種簡單而有效的原理，通過發(fā)送兩個脈沖信號并分析其響應(yīng)
2024-02-18 09:29:23232 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種半導(dǎo)體功率器件。它結(jié)合了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和雙極型晶體管的特性。
2024-02-06 10:47:041017 常用的變頻器檢測方法靜態(tài)測試和動態(tài)測試? 變頻器是一種電力調(diào)節(jié)裝置，可以實現(xiàn)對電動機的調(diào)速和節(jié)能。在使用變頻器時，經(jīng)常需要對其進行檢測，以確保其正常工作。常用的變頻器檢測方法主要包括靜態(tài)測試和動態(tài)
2024-02-01 15:47:24607 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種雙極性器件，結(jié)合了MOSFET和普通晶體管的優(yōu)勢，既具有IGFET（Insulated Gate
2024-02-01 13:59:45449 ; QJ3065.5-98元器件失效分析管理要求檢測項目試驗類型試驗項??損分析X 射線透視、聲學(xué)掃描顯微鏡、?相顯微鏡電特性/電性定位分析電參數(shù)測試、IV&a
2024-01-29 22:40:29
服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。檢測標(biāo)準(zhǔn)l AEC-Q101分立器件認(rèn)證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了絕緣柵場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極型晶體管（BJT）的特點。IGBT被廣泛應(yīng)用于電力
2024-01-22 11:14:57273 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種繼MOSFET和BJT之后的新型功率半導(dǎo)體器件，它的特點是結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低通壓損耗
2024-01-18 17:31:231080 用于確定漏電流的穩(wěn)定性，這與IGBT的場畸變有關(guān)。HTRB 通過高溫反向偏置測試來增強故障機制，因此是器件質(zhì)量和可靠性的良好指標(biāo)，也可以驗證過程控制的有效性。
2024-01-17 09:57:17135 
IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件，常用于驅(qū)動大功率負(fù)載的電路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和BJT（雙極型晶體管）兩個器件構(gòu)成。它結(jié)合
2024-01-12 14:43:521681 設(shè)計充電臺燈你需要關(guān)注的重要測試參數(shù)：不同電池SoC下最高檔模式下的流明與時間；UI指示器顏色“Flip Flop”；電池SoC變化時的軟啟動驗證
2024-01-09 23:33:3292 2N6509是一種可控硅(也被稱為晶閘管)器件，主要用于電力和電子設(shè)備中的變流器、逆變器等電路中。測試2N6509的好壞需要考慮多個關(guān)鍵因素，例如靜態(tài)和動態(tài)特性測試、封裝和連接測試等。以下介紹
2023-12-27 10:34:03182 或性能下降的情況下，其運行的工作電壓和電流條件。實際上，不僅需要在安全工作區(qū)內(nèi)使用IGBT、SiC、GaN等開關(guān)器件，而且還需對其所在區(qū)域進行溫度調(diào)降。通常安全工作區(qū)分為正向偏置工作區(qū)（FBSOA）和反向偏置工作區(qū)（RBSOA），分別定義
2023-12-20 09:55:02118 
如何使用頻譜分析儀測試晶振參數(shù)？ 頻譜分析儀是一種常用于測試和分析信號頻譜特性的儀器，主要用于測量和分析各種信號的頻率、幅度和相位等參數(shù)。在測試晶振參數(shù)時，頻譜分析儀可以幫助我們了解晶振的頻率穩(wěn)定度
2023-12-18 14:16:16398 IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動器中的對比測試
2023-12-14 11:31:08232 
一、IGBT工作原理1.什么是IGBTIGBT：IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管
2023-12-08 15:49:06573 
這篇文章是英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體微信公眾號系列原創(chuàng)文章第205篇，IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析（下）
2023-12-06 11:56:43
17 這篇文章是《英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體》系列原創(chuàng)文章的第204篇，IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析（上）
2023-12-06 11:54:3924 IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動汽車的動力釋放速度,車輛加速能力和高速度.IGBT 功率器件作用新能源汽車應(yīng)用中
2023-12-01 15:48:31
IGBT的靜態(tài)特性其實并非難以理解的東西,即便是對于外行人而言。
2023-11-27 14:16:53534 
利用IGBT雙脈沖測試電路，改變電壓及電流測量探頭的位置，即可對IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管（下文簡稱FRD）的相關(guān)參數(shù)進行測量與評估。
2023-11-24 16:52:10521 
通過雙脈沖測試，可以得到IGBT的各項開關(guān)參數(shù)。
2023-11-24 16:36:421608 
通常我們對某款IGBT的認(rèn)識主要是通過閱讀相應(yīng)的datasheet，數(shù)據(jù)手冊中所描述的參數(shù)是基于一些已經(jīng)給定的外部參數(shù)條件測試得來的，而實際應(yīng)用中的外部參數(shù)都是個性化的，往往會有所不同，因此這些參數(shù)有些是不能直接拿來使用的。
2023-11-24 16:16:05683 
功率電子器件是PCS的核心組成部分，主要實現(xiàn)電能的轉(zhuǎn)換和控制。而IGBT就是最為常用的功率器件，今天我們主要來學(xué)習(xí)IGBT。
2023-11-22 09:42:50514 
IGBT的RCD緩沖電路各元件參數(shù)選擇？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種用于控制高電壓和高電流的功率半導(dǎo)體器件。它由一對PNP
2023-11-20 17:05:44545 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《隔離驅(qū)動IGBT等功率器件的技巧.doc》資料免費下載
2023-11-14 14:21:590 為什么需要芯片靜態(tài)功耗測試？如何使用芯片測試工具測試芯片靜態(tài)功耗？ 芯片靜態(tài)功耗測試是評估芯片功耗性能和優(yōu)化芯片設(shè)計的重要步驟。在集成電路設(shè)計中，靜態(tài)功耗通常是指芯片在不進行任何操作時消耗的功率
2023-11-10 15:36:271117 IGBT動態(tài)測試參數(shù)有哪些？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種高能效的電力電子設(shè)備中。為了保證IGBT的可靠性
2023-11-10 15:33:51885 igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281269 對比不同IGBT的參數(shù)及性能；
獲取IGBT開通和關(guān)斷過程的參數(shù)；
評估驅(qū)動電阻是否合適；
開通和關(guān)斷過程是否有不合適的震蕩；
2023-11-10 09:12:32786 
開關(guān)器件，常用于控制高電壓和高電流的電力電子設(shè)備中。IGBT短路測試是在IGBT生產(chǎn)和維修過程中常用的一項關(guān)鍵測試，旨在檢測IGBT是否存在電路短路故障。 IGBT短路測試平臺是一種用于進行IGBT
2023-11-09 09:18:291042 功率器件分為泛材類器件與IGBT器件兩類，IGBT器件是開關(guān)器件，優(yōu)勢在于體積小、壽命長、可靠性高，現(xiàn)在市場上使用程度最大的是第4代器件，全球龍頭企業(yè)為英飛凌，其現(xiàn)在的IGBT器件為商業(yè)化的第七代，主要應(yīng)用于乘用車、光伏和風(fēng)電能源領(lǐng)域。
2023-11-08 11:49:33282 聯(lián)訊儀器WAT 半導(dǎo)體參數(shù)測試系統(tǒng)基于自主研發(fā)pA/亞pA高精度源表，半導(dǎo)體矩陣開關(guān)，高電壓半導(dǎo)體脈沖源，3500V高壓源表等基礎(chǔ)儀表，掌握核心技術(shù)，通過優(yōu)化整機軟硬件設(shè)計，進一步提高系統(tǒng)精度，提升
2023-11-06 16:27:57467 
IGBT是新型功率半導(dǎo)體器件中的主流器件，已廣泛應(yīng)用于多個產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。IGBT模塊中所涉及的焊接材料大多精密復(fù)雜且易損壞，制造商在IGBT模塊焊接裝配過程中正面臨著重重挑戰(zhàn)。
2023-10-31 09:53:451106 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于IGBT器件的直流充電機充電裝置設(shè)計.pdf》資料免費下載
2023-10-23 10:20:290 各位大佬，請教一下 IGBT 模塊的絕緣耐壓如何測試？
2023-10-23 10:19:00
IGBT元器件旁路連接的反向二極管起什么作用？ IGBT是絕緣柵雙極型晶體管，它是一種強大的電力開關(guān)元件，廣泛用于各種交流和直流電力電子應(yīng)用中。IGBT的前向?qū)ㄌ匦灶愃朴趩尉w管，而其反向阻止特性
2023-10-22 11:33:561075 igbt可以反向?qū)▎?？如何控?b class="flag-6" style="color: red">igbt的通斷？ IGBT 是 Insulated Gate Bipolar Transistor 隔離柵雙極晶體管的縮寫，是一種功率半導(dǎo)體器件。IGBT 可以用
2023-10-19 17:08:051888 導(dǎo)通條件 IGBT的導(dǎo)通需要滿足以下三個條件： 1. 高驅(qū)動電壓：IGBT的導(dǎo)通需要在門極和漏極之間建立一定的電
2023-10-19 17:08:028161 年
業(yè)務(wù)模式：模組
簡介：寧波達(dá)新半導(dǎo)體有限公司從事IGBT、MOSFET、FRD等功率半導(dǎo)體芯片與器件的設(shè)計、制造和銷售，并提供相關(guān)的應(yīng)用解決方案。公司總部位于浙江省余姚市，建有國內(nèi)領(lǐng)先的測試
2023-10-16 11:00:14
隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，MCU芯片因其強大功能被廣泛應(yīng)用，尤其是成為汽車領(lǐng)域的核心電子元器件。現(xiàn)如今車規(guī)應(yīng)用要求更加嚴(yán)格，對于車載mcu芯片測試的要求也變得嚴(yán)苛。那么mcu芯片需要測試哪些項目呢？
2023-10-12 15:11:45667 
半導(dǎo)體動態(tài)測試參數(shù)是指在交流條件下對器件進行測試，是確保半導(dǎo)體性能、穩(wěn)定性和可靠性的重要依據(jù)。動態(tài)測試參數(shù)主要有開關(guān)時間、開關(guān)損耗、反向恢復(fù)電流、開關(guān)電流、耗散功率等。
2023-10-10 15:23:38278 
半導(dǎo)體靜態(tài)測試參數(shù)是指在直流條件下對其進行測試，目的是為了判斷半導(dǎo)體分立器件在直流條件下的性能，主要是測試半導(dǎo)體器件在工作過程中的電流特性和電壓特性。ATECLOUD半導(dǎo)體測試系統(tǒng)采用軟硬件架構(gòu)為測試工程師提供整體解決方案，此系統(tǒng)可程控，可以實現(xiàn)隨時隨地測試，移動端也可實時監(jiān)控測試數(shù)據(jù)情況。
2023-10-10 15:05:30415 IGBT是如今被廣泛應(yīng)用的一款新型復(fù)合電子器件，而IGBT測試也變的尤為重要，其中動態(tài)測試參數(shù)是IGBT模塊測試一項重要內(nèi)容，IGBT動態(tài)測試參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能的重要依據(jù)。其動態(tài)測試參數(shù)主要有：主要參數(shù)有開關(guān)參數(shù)、柵極電阻、柵極電荷、寄生電容等。
2023-10-09 15:14:35644 
通過目視檢查、測量電氣參數(shù)、評估柵極驅(qū)動和開關(guān)特性以及在應(yīng)力條件下進行測試，可以識別潛在故障。然而，這種萬用表測試只能提供有關(guān) IGBT 功能的有限信息。為了對 IGBT 進行更全面的評估，建議進行柵極驅(qū)動測試、開關(guān)性能分析等額外測試。
2023-10-09 14:20:02798 
軟件即可完成靜態(tài)功耗的測量，不同參數(shù)的配置與儀器操作完全由軟件完成，無需人工修改參數(shù)與讀取記錄數(shù)據(jù)，可以一次對多個芯片進行同時測量。
2023-10-08 15:30:25492 
電源并不是一個簡單的小盒子，它相當(dāng)于有源器件的心臟，源源不斷的向元器件提供能量。電源的好壞，直接影響到元器件的性能。電源的設(shè)計、制造及品質(zhì)管理等測試需要精密的電子儀器設(shè)備來模擬電源供應(yīng)器實際工作時之各項特性（即為各項規(guī)格），在驗證通過后才能投入使用。
2023-10-08 12:00:44276 就是是德-B1500A維修情況 ? 是德半導(dǎo)體器件參數(shù)分析儀B1500A電源損壞無法開機維修 一、半導(dǎo)體器件參數(shù)分析儀維修型號：是德-B1500A。 二、報修故障：儀器內(nèi)部工作電源損壞，造成儀器無法開機。 三、故障檢測：儀器缺縮放旋鈕，進入測試界面提
2023-09-28 16:33:50525 
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡稱，其由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(MOSFET)組成，是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式開關(guān)功率半導(dǎo)體器件，是實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的核心器件，也是目前MOS-雙極型功率器件的主要發(fā)展方向之一。
2023-09-22 16:54:103335 
IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，可提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測試，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設(shè)計、輕松升級擴展等優(yōu)勢，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試需求。
2023-09-19 14:57:28499 
在能源問題日益突出的現(xiàn)代，以IGBT為代表的功率半 導(dǎo)體器件以其優(yōu)良的能效轉(zhuǎn)換性能廣發(fā)應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。正確的IGBT測試技術(shù),不僅能準(zhǔn)確的測量IGBT各項電氣指標(biāo)，而且可以盡可能降低IGBT
2023-09-18 12:06:22320 IGBT器件柵極電壓波形振蕩的原因？
2023-09-16 08:32:131710 了性能各異的IGBT產(chǎn)品。為了優(yōu)化和驗證組件性能以及對不同IGBT的性能驗證，我們引入了雙脈沖測試方法，借此工具我們可以實現(xiàn)以下具體功能:
2023-09-15 10:09:32484 
IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動汽車的動力釋放速度, 車輛加速能力和高速度.
2023-09-14 15:17:04358 靜態(tài)測試 1、測試整流電路 找下結(jié)果，可以判定電路已出現(xiàn)異常，A.到變頻器內(nèi)部直流電源的P端和N端，將萬用表調(diào)到電阻X10檔，紅表棒接到P，黑表棒分別依到R、S、T，正常時有幾十歐的阻值，且基本平衡
2023-09-13 14:50:41301 芯片測試大講堂系列 又和大家見面了 本期我們來聊聊 半導(dǎo)體參數(shù)測試 內(nèi)容涉及半導(dǎo)體參數(shù)測試原理， 參數(shù)測試面臨的挑戰(zhàn)與實測避坑指南。 前言 ● 半導(dǎo)體元器件是構(gòu)成現(xiàn)代電子設(shè)備和系統(tǒng)的基礎(chǔ)，其性能
2023-09-13 07:45:021210 
ChatGPT變聰明了嗎？如何計算IGBT器件的工作結(jié)溫Tvj
2023-09-09 08:16:11654 端子連接到一起，接至高壓源高端，基板接至測試儀器低壓端。高阻抗高壓源必須提供需要的絕緣測試電壓Viso，將測試電壓逐漸提升至規(guī)定值，該值可由下式確定并保持規(guī)定的時間t，然后將電壓降為0。對于內(nèi)部帶有NTC的IGBT模塊，可通過在接地的NTC與其他連
2023-09-08 08:58:001893 
功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫。當(dāng)然功率半導(dǎo)體元件除了IGBT之外，還有MOSFET、BIPOLAR等，這些都能用來作為半導(dǎo)體開關(guān)，今天單說IGBT的工藝流程。
2023-09-07 09:55:521084 
功率半導(dǎo)體器件在現(xiàn)代電力控制和驅(qū)動系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。IGBT模塊和IPM模塊是其中兩個最為常見的器件類型。它們都可以用于控制大功率負(fù)載和驅(qū)動電機等應(yīng)用，但是它們的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和功能有所不同，那么
2023-09-04 16:10:494677 
在電場中的運動來確定正負(fù)離子的平衡狀態(tài)，而電阻法則是通過測量離子在電阻層中的電流來判斷離子的平衡情況。 離子平衡測試儀器一般由以下幾個組成部分構(gòu)成： 1. 測試儀表：包括顯示屏、控制按鈕等，用于顯示和控制測試參數(shù)
2023-09-04 09:29:18425 
師來說，了解如何檢測IGBT的質(zhì)量非常重要。而對于初學(xué)者來說，找到正確的測試方法可能是一項挑戰(zhàn)。本文旨在提供一份詳盡、詳實、細(xì)致的文章，介紹如何使用萬用表來測試IGBT的質(zhì)量。 一、了解什么是IGBT 在深入了解如何測試IGBT之前，我們需要先了解什么是它。IGBT是一種功率半導(dǎo)體器件，可用于
2023-09-02 11:20:152222 手機側(cè)鍵手感測試儀的參數(shù)是什么？|深圳市磐石測控儀器有限公司
2023-08-31 09:14:59777 
在T/R組件測試中，測試設(shè)備的日趨復(fù)雜和技術(shù)的漸進融合迫使測試系統(tǒng)需要變得更加靈活。一方面成本的壓力要求測試系統(tǒng)具有更長的生命周期，另一方面測試系統(tǒng)仍須適應(yīng)被測件隨時間變化而帶來的各種變化，并且
2023-08-23 09:17:39987 
IGBT結(jié)溫是功率電子器件最重要的參數(shù)之一，器件在運行中測量此溫度是非常困難的。一個方法是通過使用IGBT模塊內(nèi)部的NTC(熱敏電阻)近似估計芯片穩(wěn)定工作狀態(tài)的溫度，此方法不適用與測量快速變化的IGBT溫度。
2023-08-11 09:03:22751 
) 。采用深槽刻
蝕和回填工藝制備了 p 柱和 p 體區(qū)分離的超結(jié) IGBT 器件。測試結(jié)果表明，該器件擊穿電壓高于
660 V，在導(dǎo)通電流 20 A 時，其飽和導(dǎo)通壓降為 1. 7 V，相比于傳統(tǒng)超結(jié) IGBT 器件更低，關(guān)斷
能量為 0. 23 mJ，遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)超結(jié) IGBT 器件的 3. 3 m
2023-08-08 10:20:000 車用IGBT器件技術(shù)概述
2023-08-08 10:00:312 IGBT芯片是IGBT器件的主要部分，通常由硅制成。它由四個區(qū)域組成：N+型集電極、P型漏極、N型溝道和P+型柵極。
2023-08-08 09:45:12619 
在 IGBT驅(qū)動電源板 中有著廣泛的應(yīng)用。 ? ? ? ?IGBT驅(qū)動板是控制系統(tǒng)和開關(guān)器件中的中間環(huán)節(jié)，承擔(dān)著接受控制系統(tǒng)信號并傳輸信號，確保IGBT執(zhí)行開關(guān)、保護、和反饋器件工作狀態(tài)的重任。 ? ? ? ?通常，IGBT驅(qū)動板由IGBT驅(qū)動芯片、驅(qū)動外圍電路、驅(qū)動輔
2023-08-04 17:35:03609 IGBT模塊動態(tài)參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時間、驅(qū)動功率等的重要依據(jù)，本文重點討論以下動態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543290 
電路基礎(chǔ)知識。芯片測試涉及到電子電路的測量和分析，因此需要具備扎實的電路基礎(chǔ)知識，包括電子元器件、電路分析方法等。
2023-07-23 10:02:34506 根據(jù)IGBT的產(chǎn)品分類來看，按照其封裝形式的不同，可分為IGBT分立器件、IPM模塊和IGBT模塊。
2023-07-22 16:09:301502 
而形成的器件。它具有低開關(guān)損耗、高輸入阻抗、低噪聲和高速開關(guān)等優(yōu)點，因此在各個領(lǐng)域都得到廣泛應(yīng)用，如電力、軌道交通、電動汽車等。本文將詳細(xì)介紹IGBT如何選型以及選型時要考慮的參數(shù)。
2023-07-20 16:39:514487 工作條件下的輸出光功率，達(dá)到特定輸出光功率所需要的電流，斜線效率以及光譜特性等等。聯(lián)訊儀器CoC測試聯(lián)訊儀器全自動CoC測試系統(tǒng)CT6201，與聯(lián)訊儀器BI6201老化
2023-07-20 00:00:00438 
靜態(tài)分析可幫助面臨壓力的開發(fā)團隊。高質(zhì)量的版本需要按時交付。需要滿足編碼和合規(guī)性標(biāo)準(zhǔn)。錯誤不是一種選擇。
這就是開發(fā)團隊使用靜態(tài)分析工具/源代碼分析工具的原因。在這里，我們將討論靜態(tài)分析和使用靜態(tài)代碼分析器的好處，以及靜態(tài)分析的局限性。
2023-07-19 12:09:38845 
、激光顯示、光存儲、消費電子等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。VCSEL生產(chǎn)過程中有三道檢測工序,這三道工序都需要脈沖電流源對器件進行測試?？焖?、靈活且精度高的測試方案對于減小測試的成本至關(guān)重要。
2023-07-18 16:06:211726 
對功率器件動態(tài)參數(shù)進行測試是器件研發(fā)工程師、電源工程師工作中的重要一環(huán)，測試結(jié)果用于驗證、評價、對比功率器件的動態(tài)特性。
2023-07-10 16:28:08343 常用音頻運放最佳靜態(tài)電流，包括官方靜態(tài)電流與測試靜態(tài)電流，供功放電路設(shè)計參考
2023-06-25 09:26:081 PS-9305S-A5四軸五軸按鍵手感測試機的參數(shù)？|深圳磐石測控儀器
2023-06-14 09:49:17292 
在一起。焊接的質(zhì)量和可靠性對于電子產(chǎn)品的性能和壽命至關(guān)重要。這個時候則需要進行SMT元器件焊接的推力測試。 為了完成這一測試，我們需要使用SMT元器件焊接推拉力測試機。本文科準(zhǔn)測控小編將探討SMT元器件焊接推拉力測試機的原理、應(yīng)用和優(yōu)
2023-06-13 10:02:351357 
： 在進行元器件選型時，首先需要了解電路的需求和性能要求，例如：電壓、電流、頻率、溫度等參數(shù)。 2. 研究市場情況： 在元器件市場非常發(fā)達(dá)的情況下，所以同一類型的元器件會有很多品牌、型號和價格。在進行元器件選型時，需要經(jīng)過充分
2023-06-03 16:44:492692 PS-2305-20N自動化按鍵測試模組技術(shù)規(guī)格書的參數(shù)？|深圳磐石測控儀器
2023-05-30 10:53:02315 
在半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)研發(fā)或者半導(dǎo)體晶圓封測過程中需要進行電性能參數(shù)的表征，這些測量需要將精密源表(Source/MeasureUnit），LCR表（LCRMeter），數(shù)字萬用表
2023-05-21 08:32:35404 
IGBT絕緣柵雙極型晶體管一簡介IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BipolarJunctionTransistor，BJT
2023-04-20 09:54:432099 絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點。
2023-04-15 14:23:581287 IGBT是高頻開關(guān)器件，芯片內(nèi)部的電流密度大。當(dāng)發(fā)生過流或短路故障時，器件中流過的大于額定值的電流時，極易使器件管芯結(jié)溫升高，導(dǎo)致器件燒壞。今天我們就來聊聊IGBT的過流和短路保護。
2023-04-06 17:31:175478 
與驅(qū)動板進行連接，組合成為一個完整的整體?！ ≡谶\行過程中有開損耗、關(guān)損耗等，會造成IGBT會發(fā)熱，溫度升高，影響性能，因此，需要散熱系統(tǒng)為IGBT模塊提供散熱，IGBT模塊配備用于冷卻液的針狀散熱翅片
2023-03-23 16:01:54
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