兩種UVLED封裝方式COB和DOB的區(qū)別

UVLED封裝方式

目前市面上，UVLED常見的封裝方式是COB和DOB兩種，這兩種封裝方式的區(qū)別主要體現(xiàn)在封裝物料、生產(chǎn)工藝、光性能、電性能以及熱性能這幾方面。昀通科技作為UVLED固化機(jī)廠家，在之前的文章中也和大家分享過UVLED封裝的相關(guān)知識，但是對于這幾方面沒有深度的闡述過。

今天這篇文章，昀通科技將從這幾方面分別闡述這兩種UVLED封裝方式的區(qū)別，感興趣的朋友們就接著往下看吧！

兩種UVLED封裝方式區(qū)別

一.封裝物料。

在封裝物料的選擇上，COB與DOB這兩種UVLED封裝方式的主要區(qū)別在于芯片和基板。目前市面上，采用橫向結(jié)構(gòu)芯片的COB和垂直結(jié)構(gòu)芯片的COB都很常見，而DOB基本都采用垂直結(jié)構(gòu)芯片。

用于UVLED集成模組的基板主要有兩種，即銅基板和氮化鋁(AlN)陶瓷基板。兩種基板的區(qū)別體現(xiàn)在以下幾個方面。

1.?價格：氮化鋁陶瓷基板比銅基板的價格更高。

2.?結(jié)構(gòu)：銅基板的結(jié)構(gòu)從上到下一般為電路層(銅層)、絕緣層(BT樹脂)和銅層，而氮化鋁陶瓷基板一般為電路層和陶瓷層。

3.?力學(xué)特性：氮化鋁陶瓷很脆，在制造和安裝過程中很容易出現(xiàn)裂紋甚至破裂，而銅基板一般不會出現(xiàn)這種異常。

4.?熱性能：銅的導(dǎo)熱系數(shù)盡管比氮化鋁高，但銅基板內(nèi)包含了一層絕緣層，這會在一定程度上阻礙芯片的散熱。

5.?設(shè)計多樣性:相比陶瓷基板，銅基板更容易實現(xiàn)形狀尺寸上的變化。封裝物料的選擇不同，器件的性能和可靠性等都會有一定的差異。

二、生產(chǎn)工藝

在生產(chǎn)工藝中，UVLED封裝方式的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下兩個方面：

1.?COB一般屬于客制化產(chǎn)品，很難實現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化或者大規(guī)模生產(chǎn)，而DOB由于是將已標(biāo)準(zhǔn)化大規(guī)?；a(chǎn)的UVLED器件貼裝于基板上。

2.?COB的制造工藝難度比DOB更大，一旦出現(xiàn)制造不良，比如塌線，整個COB就報廢，而DOB就只損失某個器件。而且，在使用過程中一旦發(fā)生光源失效，COB只能將整個光源更換，而DOB只需要更換失效的器件。

三、光性能

因橫向結(jié)構(gòu)芯片通常采用藍(lán)寶石作為襯底，所以其散熱性能要比垂直結(jié)構(gòu)芯片要差。因此，垂直結(jié)構(gòu)芯片可允許通過的最大正向電流以及光功率密度等都比橫向結(jié)構(gòu)芯片的要大。采用橫向結(jié)構(gòu)UVLED芯片的COB因其芯片特性限制而常用于低功率(幾十瓦以下)要求的場合。

四、電性能

目前，UVLED的防靜電保護(hù)基本采用加齊納的方式來實現(xiàn)。因此，COB無法做到每顆芯片的防靜電保護(hù)，而DOB可以。所以，COB的抗靜電性能要比DOB差很多。而且，DOB模組可以通過基板的線路設(shè)計實現(xiàn)單顆器件的點亮測試和漏電流測試，便于失效分析。

五、熱性能

一般來說，UVLED器件的散熱路徑主要有三個：

1.?芯片-金線-線路層-碗杯-環(huán)境；

2.?芯片-外封膠(氣體或空氣)-透鏡(蓋板)-環(huán)境；

3.?芯片-固晶層-基板-環(huán)境。

相比之下，路徑1和2的散熱能力很有限，路徑3是主要的散熱途徑。如前所述，橫向結(jié)構(gòu)芯片自身的散熱性能不佳。那么，對比采用垂直結(jié)構(gòu)UVLED芯片的COB和DOB的散熱路徑可以發(fā)現(xiàn)，DOB在器件上多了兩層很薄的鍍金層和一層氮化鋁陶瓷以及在基板和器件間多了一層焊料層，但在基板上少了一層絕緣層。在不考慮擴(kuò)散熱阻等因素的理想狀態(tài)下，對COB與DOB進(jìn)行熱阻計算，相比DOB，COB的總熱阻要大得多，這是因為COB銅基板內(nèi)的絕緣層的熱阻過大。而對于DOB來說，其焊接互聯(lián)層(包括固晶層和錫膏層等)對其總熱阻的占比較大，如果互聯(lián)層的焊接質(zhì)量不佳，例如焊料不足或空洞很多，其對總熱阻的影響將更大。

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