我有個應(yīng)用設(shè)計，MCU用的是STM32G070rbt6芯片，外擴了一片鐵電存儲器FRAM。STM32G070在2.0V-3.3V工作電壓下都能正常工作，但鐵電存儲器FRAM的工作電壓
2024-03-13 08:04:03
嵌入式鐵電存儲器可實現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計。將鐵電存儲器添加到微控制器中可以進行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲與處理，是存儲系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計量儀表到
2024-03-06 09:57:22
DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36
264 
與主存儲器（內(nèi)存）和輔助存儲器（外存）有不同的特點和應(yīng)用場景。 首先，我們來詳細了解ROM的特點和分類。ROM是一種非易失性存儲器，這意味著即使在斷電或重啟系統(tǒng)后，存儲在ROM中的數(shù)據(jù)仍然保持完整。這是由于ROM的存儲單元是由非可更改的電路或柵電勢器構(gòu)成
2024-02-05 10:05:10744 1) 允許一個物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器進行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲器。
2024-01-30 08:18:12
鐵電存儲器通常具有更快的隨機存取時間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲器相比較為遲鈍。
2024-01-23 18:17:51518 
MRAM或磁性隨機存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲元素。
2024-01-09 14:24:03212 
工程監(jiān)測中振弦采集儀與其他監(jiān)測技術(shù)的比較研究 工程監(jiān)測中常用的監(jiān)測技術(shù)包括振弦采集儀、激光測距儀、全站儀、GPS等。下面是振弦采集儀與其他監(jiān)測技術(shù)的比較研究： 工程監(jiān)測中振弦采集儀與其他監(jiān)測技術(shù)
2023-12-27 14:57:34108 
：低功耗模式寫入工作，實現(xiàn)相同的讀/寫通信距離。? 大容量內(nèi)置存儲單元：記錄信息于電子標簽，實現(xiàn)追溯應(yīng)用所需的大容量內(nèi)存單元。? 讀寫工作高耐久性：保證最高1萬億次
2023-12-27 13:53:33
FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個突出特性。特點是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46412 需要在設(shè)計和開發(fā)過程中遵循一些最佳實踐。本文將詳細介紹如何最大限度地利用MCU的NVM。 1.選擇適當?shù)?b class="flag-6" style="color: red">存儲器類型： MCU的NVM通常有多種類型可供選擇，例如閃存（Flash）、EEPROM（電可擦除可編程只讀
存儲器）和
FRAM（非易失性RAM）。根據(jù)需要，選擇適當?shù)?/div>
2023-12-15 10:10:49507 在無線技術(shù)的世界中，藍牙技術(shù)因其獨特的特性和廣泛的應(yīng)用而脫穎而出。然而，像所有技術(shù)一樣，藍牙也有其優(yōu)勢和局限性，特別是當與其他無線技術(shù)如Wi-Fi、Zigbee和NFC等進行比較時。本文旨在探討這些
2023-12-14 16:18:07196 什么是內(nèi)存呢？在計算機的組成結(jié)構(gòu)中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器
2023-12-07 11:02:27623 在數(shù)字電子設(shè)備中，存儲器是至關(guān)重要的部分。它負責存儲和檢索數(shù)據(jù)，以支持各種計算和數(shù)據(jù)處理任務(wù)。在存儲器市場中，有兩種主要的類型：隨機訪問存儲器 ( RAM ) 和只讀存儲器 ( ROM )。盡管都是存儲器，但它們之間存在一些關(guān)鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17732 
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
明渠流量計廣泛應(yīng)用于城市供水引水渠、火電廠冷卻水引水和排水渠、污水治理流入等流量的測量。智能明渠流量計系統(tǒng)的測量是通過旋槳式流速傳感器來測量流速；通過壓力傳感器測量水位；采用鐵電存儲器實現(xiàn)了數(shù)據(jù)的非
2023-11-27 10:17:05
存儲中，鐵電存儲器在數(shù)據(jù)存儲方面的出色性能，可以應(yīng)用在大量的現(xiàn)代儀器儀表中，如水表、煤氣表、門禁系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備、自動取款機、汽車記錄儀、工業(yè)儀器等等。國產(chǎn)鐵電存儲器
2023-11-21 09:59:20
何謂半導(dǎo)體存儲器？ 半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點。 關(guān)閉電源
2023-11-15 10:20:01731 
單片機的存儲器主要有幾個物理存儲空間
2023-11-01 06:22:38
單片機的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了?。?？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
對于做快速存儲采集數(shù)據(jù)類產(chǎn)品的用戶來說，在處理突發(fā)掉電情況時需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲器(FRAM) 就是個很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-10-19 09:28:15
存儲領(lǐng)域發(fā)展至今，已有很多不同種類的存儲器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見的存儲器及其應(yīng)用。
2023-10-17 15:45:50521 
內(nèi)存地址空間是否一定大于所有物理存儲器的容量？
2023-10-17 07:14:45
存儲器測試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
使用，需要增添片外存儲器。因此鐵電存儲器（FRAM）是便攜式醫(yī)療設(shè)備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
單片機功能強大，我想它可以完成存儲器6116的數(shù)據(jù)存取功能吧？這或許是認識單片機比較容易的一步？討厭我這個問題的朋友您就別看了，我真的不是想愚弄您。
2023-10-07 08:16:39
怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
以下主題概述了Altera的外部內(nèi)存接口解決方案。
Altera提供最快、最高效、延遲最低的內(nèi)存接口IP核。Altera的外部存儲器接口IP設(shè)計用于方便地與當今更高速的存儲器設(shè)備接口。
Altera
2023-09-26 07:38:12
如何檢測24c存儲器容量
2023-09-25 06:48:32
對于做快速存儲采集數(shù)據(jù)類產(chǎn)品的用戶來說，在處理突發(fā)掉電情況時需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲器(FRAM)就是個很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-09-22 08:01:59496 
存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類，前者在掉電后會失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持數(shù)據(jù)。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
存儲器是計算機中的重要組成部分，用于存儲程序、數(shù)據(jù)和控制信息等。根據(jù)存儲信息的介質(zhì)和訪問方式的不同，存儲器可以分為隨機存儲器（RAM）、只讀存儲器（ROM）和硬盤存儲器等幾類。本文將介紹存儲器的工作原理、分類及結(jié)構(gòu)。
2023-09-09 16:18:272106 本參考手冊面向應(yīng)用程序開發(fā)人員。它提供了關(guān)于如何使用STM32G4系列微控制器存儲器和外圍設(shè)備。
STM32G4系列是一系列具有不同內(nèi)存大小和封裝的微控制器以及外圍設(shè)備。
有關(guān)訂購信息、機械
2023-09-08 06:59:58
STM32 F7 概述? STM32總線架構(gòu)和存儲器映射? 總線架構(gòu)? 存儲器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復(fù)位和時鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
根據(jù)專利要點，提供本申請的一種存儲器是檢測方法及存儲半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中存儲單位與上線之間漏電測定的復(fù)雜技術(shù)問題，該存儲器的檢測方法如下：選通字線，通過位線在所有存儲單元中寫設(shè)定存儲。
2023-09-07 14:27:24524 
或是其他數(shù)據(jù)處理時，只有這類內(nèi)存才能夠可靠而無延遲地儲存?zhèn)鞲?b class="flag-6" style="color: red">器所搜集的數(shù)據(jù)。故此鐵電存儲器FRAM將是提高這些核心技術(shù)的關(guān)鍵元件，無論是BMS，還是VCU，這些系統(tǒng)
2023-09-01 10:04:52
隨著高速數(shù)據(jù)通信的進步，數(shù)據(jù)更頻繁地發(fā)送意味著對非易失性存儲器的需求增加，因為非易失性存儲器可以承受這種頻繁的數(shù)據(jù)操作。鐵電存儲器是具有物聯(lián)網(wǎng)新時代所要求的高讀寫耐久性和快速寫入速度的理想存儲設(shè)備
2023-08-24 10:05:59
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器的存儲元是電容器和晶體管的組合。每個存儲單元由一個電容器和一個晶體管組成。電容器存儲位是用于存儲數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021023 庫的慢-慢工藝點對塊進行合成，以200 MHz的目標速度確認時序特性。
接口存儲器端口上的信號符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲器組件所要求的時序要求
2023-08-21 06:55:33
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MIFARE DESFire EV3特性和功能與其他MIFARE的比較.pdf》資料免費下載
2023-08-17 15:07:06
6 存儲器子系統(tǒng)的主要功能是在云計算和人工智能 (AI)、汽車和移動等廣泛應(yīng)用中盡可能快速可靠地為主機（CPU 或 GPU）提供必要的數(shù)據(jù)或指令。片上系統(tǒng) (SoC) 設(shè)計人員可以選擇多種類型的存儲器
2023-08-17 09:54:20414 
鐵電存儲器被用于醫(yī)療病人治療是生命監(jiān)護儀，記錄或監(jiān)控病人的生命體征—心率、脈搏、血壓、體溫等。這些監(jiān)護儀存儲著病人預(yù)先記錄的基準信息，可以和最近測量的數(shù)據(jù)進行對照，如果發(fā)生異常情況，監(jiān)護儀就會
2023-08-16 10:30:26
（SMC）。AHB MC有四個可訪問外部存儲器的AHB端口。每個AHB端口都有一個到內(nèi)存控制器的橋接接口。有一個單獨的AHB端口用于配置內(nèi)存控制器。SMC和DMC的特定配置被實例化以針對特定存儲器設(shè)備。
2023-08-02 14:51:44
可訪問外部存儲器的AHB端口。AHB端口具有到內(nèi)存控制器的橋接接口。有一個單獨的AHB端口用于配置內(nèi)存控制器。SMC的特定配置被實例化以針對特定存儲器設(shè)備。圖1-1顯示了AHB MC（PL241）配置
2023-08-02 07:14:25
（SMC）。AHB MC有四個可訪問外部存儲器的AHB端口。每個AHB端口都有一個到內(nèi)存控制器的橋接接口。有一個單獨的AHB端口用于配置內(nèi)存控制器。SMC和DMC的特定配置被實例化以針對特定存儲器設(shè)備。圖1-1顯示了AHB MC（PL242）配置
2023-08-02 06:26:35
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
顯示屏控制系統(tǒng)需要大量的內(nèi)存來對信息進行存儲，在以前的系統(tǒng)中主要是使用靜態(tài)RAM加后備鋰電池及電源管理芯片組成，系統(tǒng)相對來說比較復(fù)雜，不可靠因素相對增加。
2023-07-06 09:36:44260 
虛擬存儲器(Virtual Memory)的基本思想是對于程序來說，它的程序(code)、數(shù)據(jù)(data)、堆棧(stack)的總大小可以超過實際物理內(nèi)存(Physical Memory)的大小
2023-06-29 14:10:481390 
鐵電存儲器(FRAM)具有非易失性，讀寫速度快，沒有寫等待時間等優(yōu)勢，能夠像RAM一樣操作，低功耗，擦寫使用壽命長，芯片的擦寫次數(shù)為100萬次，比一般的E2PROM存儲器高10倍。特別適合在為工業(yè)
2023-06-29 09:39:03382 的信息不會丟失，且鋰電池還存在使用壽命的問題，所以當使用了FRAM（鐵電存儲器）上述問題就將迎刃而解。將國產(chǎn)FRAM PB85RS128替代以前SRAM組成的顯示屏
2023-06-28 11:43:30
易失性存儲器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲器的發(fā)展史，本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲器的發(fā)展歷程。易失性存儲器在計算機開機時存儲數(shù)據(jù)，但在關(guān)閉時將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28874 PLC系統(tǒng)中的存儲器主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序和工作狀態(tài)數(shù)據(jù)。PLC的存儲器包括系統(tǒng)存儲器和用戶存儲器。
2023-06-26 14:02:453775 半導(dǎo)體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
主存儲器的主要技術(shù)指標
* **存儲容量**
存儲器可以容納的二進制信息量（尋址空間，由CPU的地址線決定）
* **實際存儲容量：** 在計算機系統(tǒng)中具體配置了多少內(nèi)存。
* **存取速度：** 存取時間是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經(jīng)歷的時間，也稱為讀寫周期；
2023-05-26 11:28:10823 
磁表面存儲器——磁表面存儲器，它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來記錄信息的，載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質(zhì)。
存儲密度——磁表面存儲器單位長度或單位面積磁層表面所能存儲的二進制信息量
2023-05-26 11:27:061411 和耐久性設(shè)計，這些要求使國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC成為最佳的存儲選擇。 PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工
2023-05-26 10:14:23
的時候仍然可以保持數(shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計算機的內(nèi)存。1.1存儲器ROM介紹rom最初不能編程，出廠什么內(nèi)容就永遠什么內(nèi)容，
2023-05-19 17:04:36766 
停止供電的時候仍然可以保持數(shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計算機的內(nèi)存。
1.1 存儲器ROM介紹
rom最初不能編程，出廠什么內(nèi)容就永遠什么內(nèi)容，不靈活。后來出現(xiàn)了
2023-05-19 15:59:37
在定義方面它們有本質(zhì)的區(qū)別，硬盤屬于“ 非易失性存儲器”，而內(nèi)存是“隨機存取存儲器”，屬于“易失性存儲設(shè)備“。
2023-05-17 15:40:191542 單片機的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設(shè)、外設(shè)到存儲器。在第十三章以及第二十七章，已講解存儲器到存儲器傳輸方式以及存儲器到外設(shè)傳輸方式，本章將講解DMA外設(shè)到存儲器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè)，通過串口調(diào)試助手等向開發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)會被返回給開發(fā)板并通過串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設(shè)、外設(shè)到存儲器。前面已講解過關(guān)于存儲器到存儲器數(shù)據(jù)傳輸方式，本章將講解存儲器到外設(shè)的傳輸方式以及在下一章將會講解外設(shè)到存儲器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13
等變化影響。獨有的“微振動分析”技術(shù)、“自校準精度”技術(shù)、“小盲區(qū)”技術(shù)使之能夠可靠應(yīng)對多種液體工況的液位精確測量。與其他原理的幾種液位計相比較，在測量裝有涉及毒性氣體、液化氣體、劇毒液體的一級或者二級重大危
2023-04-19 14:24:28364 本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標地址上（內(nèi)部SRAM），最后對比源數(shù)據(jù)和目標地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準確。
2023-04-17 15:28:08
和用于讀取，寫入和擦除數(shù)據(jù)的操作略有不同。而EEPROM指的是電可擦可編程只讀存儲器是一種存儲器，可以在字節(jié)級別讀取，寫入和擦除數(shù)據(jù)。另一方面Flash是EEPROM的一種，在結(jié)構(gòu)上以塊的形式排列，在塊中
2023-04-07 16:42:42
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
/寫存儲器，在斷電時無需外部電池即可保留數(shù)據(jù)。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS與MR3A16ACMA35原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:26:28
可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲器容量?？焖俚膶懭胨俣群蜔o限的耐用性使該存儲器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11
其他存儲器 8-TSSOP 1.8V 5.5V
2023-04-06 11:15:39
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們?nèi)绾问褂?。請指?dǎo)我們實現(xiàn)這一目標
2023-04-04 08:16:50
存儲器按存儲介質(zhì)特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計算機角度上看，易失性存儲器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
存儲器FRAM 128K（16 K×8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲器FRAM 16 K（2 K x 8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲器FRAM 64 K（8 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:56
存儲器FRAM 16 K（2 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 1M（128 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 256 K（32 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 256 K（32 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:37
FPGA - 配置存儲器 IC - 配置存儲器內(nèi)存閃存 16Mb 40 MHz
2023-03-28 13:18:05
64 K（8 K×8）位I2C存儲器FRAM
2023-03-27 13:39:18
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論