電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《32位基于ARM核心的帶64或128K字節(jié)閃存的微控制器數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 09:07:49
0 現(xiàn)象：
用stm32的spi接口驅(qū)動(dòng)MB85RS2MT(此芯片兼容FM25H20),問題是用示波器能看到單片機(jī)有數(shù)據(jù)輸出，但是我讀不出任何數(shù)據(jù)，讀出的都是0x00，不知道是什么原因，發(fā)帖求助。下面
2024-03-20 08:08:05
存儲(chǔ)卡 CompactFlash? 128Mb SLC
2024-03-14 23:00:25
可達(dá)1800MB/s3.2資源1.KU040表3.1 PCIe Gen3 SSD，Seq=128K，Queue Depth=4，1-DMA LUTsFFsBRAMsPCIe
總資源
2024-03-09 13:56:04
和板卡信息丟失
2. PSoC Programmermer沒法擦除指定flash，都是整個(gè)128K擦除，例如在flash中分配一個(gè)row來存儲(chǔ)產(chǎn)線校準(zhǔn)數(shù)據(jù)，如何保證在燒寫images后，保留產(chǎn)線校準(zhǔn)數(shù)據(jù)呢？謝謝
2024-02-27 06:02:59
)DMA讀取速度可達(dá)1800MB/s3.2資源1.KU040表3.1 PCIe Gen3 SSD，Seq=128K，Queue Depth=4，1-DMA LUTsFFsBRAMsPCIe
總資源
2024-02-21 10:16:30
光伏逆變器拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">概述及關(guān)鍵技術(shù)
2024-02-21 09:47:20
197 
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2024-01-29 09:31:170 ，提供生態(tài)配套成熟、完善的用于系統(tǒng)、應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)連接開發(fā)的高效算力；
集成 8MB/16MB/32MB PSRAM，為音視頻解碼、大容量存儲(chǔ)、掃碼以及網(wǎng)絡(luò)連接提供充裕的高容量、高帶寬的內(nèi)存支持；
擁有豐富
2024-01-04 09:23:18
FeRAM在汽車行駛記錄儀中應(yīng)用:
存儲(chǔ)實(shí)時(shí)的數(shù)據(jù)如速度、剎車.
推薦型號(hào)：MB85RS64T
·非易失性存儲(chǔ)器
·高可靠性
·FeRAM無需寫等待，快速讀寫
·低功耗，靜態(tài)電流小于10uA
·無限次的擦寫次數(shù)(一萬億次)
2024-01-02 15:46:16314 
基于DShanMCU-R128S2_DevKit的入門教程
2023-12-26 14:05:10180 R128 模組 針對(duì) R128 芯片，百問科技提供推出了一種型號(hào)模塊，如下表所示 型號(hào) SoC CPU0 CPU1 DSP SRAM LS-PSRAM HS-PSRAM Flash DAC
2023-12-26 11:11:00259 
Star MCU , up to 192 MHz - Memories - 1MB SRAM - SiP 8 MB/16 MB Flash - 8 MB H S PSRAM in R128
2023-12-26 10:57:00314 R128 DevKit 開發(fā)板 硬件工程開源地址：https://oshwhub.com/gloomyghost/r128-module 電路圖
2023-12-26 09:46:00362 /BT+PMU，提供生態(tài)配套成熟、完善的用于系統(tǒng)、應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)連接開發(fā)的高效算力； 集成 8MB/16MB/32MB PSRAM，為音視頻解碼、大容量存儲(chǔ)、掃碼以及網(wǎng)絡(luò)連接提供充裕的高容量、高帶寬的內(nèi)存支持
2023-12-25 09:41:00326 
針對(duì) R128 模組，百問科技推出了 R128 EVT 開發(fā)套件作為快速開發(fā)評(píng)估工具。
2023-12-22 15:16:06278 
針對(duì) R128 模組，百問科技推出了 R128 DevKit 開發(fā)板作為快速開發(fā)評(píng)估工具。 特性： 板載 R128-S2-N16R16 模組 板載 2.4G RF 陶瓷天線 板載 USB Type
2023-12-22 12:02:19207 
EEPROM存儲(chǔ)器 128-Kbit，I2C接口，工作電壓：1.8V to 5.5V
2023-12-21 14:01:38
新唐，NUC1262 M23內(nèi)核，
72MHZ
128K flash
20K ram
USB接口
2.4-2.5V電壓
10PDMA，
用做游戲機(jī)，LED燈條驅(qū)動(dòng) 加入了，I3C的接口，可以支持目前跟多的穿戴設(shè)備的接口，用還是比較好用，值得推薦
2023-12-15 13:47:43
FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個(gè)突出特性。特點(diǎn)是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46412 PY25Q128HA是一種串行接口閃存設(shè)備，設(shè)計(jì)用于各種大容量的基于消費(fèi)者的應(yīng)用程序，其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進(jìn)行執(zhí)行。該設(shè)備靈活的擦除架構(gòu)，其頁面擦除粒度也是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的理想選擇，消除了對(duì)額外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的需要。
2023-11-30 16:38:00275 
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
易失性存儲(chǔ)和精確的實(shí)時(shí)時(shí)鐘，本文推薦使用國產(chǎn)PB85RS2MC鐵電存儲(chǔ)器用于該存儲(chǔ)系統(tǒng)中。鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在系統(tǒng)主要是實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)和的實(shí)時(shí)時(shí)
2023-11-27 10:17:05
電表作為一個(gè)計(jì)量用電量的儀器，電表的精度不但與檢測芯片的精度有關(guān)，而且與其存儲(chǔ)方式有關(guān)，如果檢測到的電量數(shù)據(jù)不能隨機(jī)寫入存儲(chǔ)器或?qū)懭?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器過程出錯(cuò)電表的精度就會(huì)大大降低。 在智能電表數(shù)據(jù)
2023-11-21 09:59:20
要考慮到電能系統(tǒng)復(fù)雜多變的環(huán)境、低功耗、讀寫操作頻率和斷電保存的能力。目前符合電能質(zhì)量監(jiān)測系統(tǒng)存儲(chǔ)要求的是國產(chǎn)PB85RS2MC（富士通MB85RS2MT），兩款
2023-11-17 10:28:51
R128平臺(tái)SPI與DBI接口的性能對(duì)比
2023-11-15 09:08:46412 
R128 平臺(tái)提供了 SPI DBI 的 SPI TFT 接口，具有如下特點(diǎn)
2023-11-02 16:44:48509 
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2023-10-25 10:07:551 R128 平臺(tái)提供了 SPI DBI 的 SPI TFT 接口，具有如下特點(diǎn)
2023-10-23 11:26:18581 
的非易失性存儲(chǔ)器，既可以進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，又可以像RAM一樣操作。
本文將借助飛凌嵌入式OK3568-C開發(fā)板來為大家介紹一種采用FRAM的方案——使用SPI0掛載PB85RS2MC (FRAM
2023-10-19 09:28:15
使用，需要增添片外存儲(chǔ)器。因此鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是便攜式醫(yī)療設(shè)備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
自舉程序存儲(chǔ)在 STM32 器件的內(nèi)部自舉 ROM 存儲(chǔ)器（系統(tǒng)存儲(chǔ)器）中。在生產(chǎn)期間由 ST編程。其主要任務(wù)是通過一種可用的串行外設(shè)（USART、CAN、USB、I2C 等）將應(yīng)用程序下載到內(nèi)部
2023-09-28 07:15:06
眾所周知，鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
是一個(gè)點(diǎn)陣式存儲(chǔ)映射的LCD驅(qū)動(dòng)器，可支持最大128點(diǎn) 32SEGX4COM)的LCD屏。單片機(jī)可通過2C接口配置顯示參教和讀寫顯示數(shù)據(jù)，可配置4種功耗模式，也可通過關(guān)顯示和關(guān)振蕩器進(jìn)入省電模式。其高抗
2023-09-20 09:30:15301 
溫度：-40°C ~ +85°C
? 存儲(chǔ)器組織結(jié)構(gòu)：
- CW24C32A, 4096 × 8 (32K 位)
- CW24C64A, 8192 × 8 (64K 位)
- CW24C128
2023-09-15 07:53:08
? 存儲(chǔ)器組織結(jié)構(gòu)：
- CW24C256A, 32768 × 8 (256K 位)
- CW24C512A, 65536 × 8 (512K 位)
? 2 線串行接口
? 施密特觸發(fā)器，過濾輸入，實(shí)現(xiàn)
2023-09-15 07:45:35
? 存儲(chǔ)器組織結(jié)構(gòu)：
- CW24C256B, 32768 × 8 (256K 位)
- CW24C512B, 65536 × 8 (512K 位)
? 2 線串行接口
? 施密特觸發(fā)器，過濾輸入，實(shí)現(xiàn)
2023-09-15 07:20:24
CW25Q128A(128M位)串行閃存為空間、引腳和電源有限的系統(tǒng)提供存儲(chǔ)解決方案。
25Q系列提供的靈活性和性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過普通的串行閃存設(shè)備。
它們非常適合將代碼映射到RAM，直接從雙/四SPI
2023-09-15 06:00:05
空間
? 高達(dá)1M字節(jié)的片上閃存 ? 高達(dá)128K字節(jié)的內(nèi)嵌SRAM
? FSMC：靈活的高速外部存儲(chǔ)器接口
? 用于擴(kuò)展片外存儲(chǔ)器和外設(shè)
2023-09-13 08:27:23
存儲(chǔ)器
標(biāo)配4GB eMMC / 256MB Nand FLASH
eMMC 可選8GB
其他存儲(chǔ)
32KB EEPROM
接口類型
郵票孔，140PIN
工作溫度
工業(yè)級(jí)：-40℃-85℃
機(jī)械
2023-09-09 18:07:13
其他存儲(chǔ)器 128Mb SOP8_208MIL -40℃~+85℃ 1.65V~2V 133MHz
2023-09-05 10:19:12
PB85RS128可替換MB85RS128B（富士通）/ FM25V01A-GTR（賽普拉斯）
2023-08-22 16:38:152 PB85RS2MC可替換MB85RS2MT（富士通）/FM25V20A（賽普拉斯）
2023-08-22 09:56:047 庫的慢-慢工藝點(diǎn)對(duì)塊進(jìn)行合成，以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時(shí)序特性。
接口存儲(chǔ)器端口上的信號(hào)符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲(chǔ)器組件所要求的時(shí)序要求
2023-08-21 06:55:33
產(chǎn)品品牌：永嘉微電/VINKA 產(chǎn)品型號(hào)：VKL128 封裝形式：LQFP44 概述：VKL128 LQFP44是一個(gè)點(diǎn)陣式存儲(chǔ)映射的LCD驅(qū)動(dòng)器，可支持最大128點(diǎn)（32SEGx4COM
2023-08-16 15:25:40318 
發(fā)出警報(bào)聲。 本文主要介紹國產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC用于醫(yī)療生命監(jiān)護(hù)儀的存儲(chǔ)方案中。對(duì)于這些應(yīng)用，鐵電存儲(chǔ)器與EEPROM相比可以更頻繁地寫入，設(shè)備可以
2023-08-16 10:30:26
富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存儲(chǔ)器串行接口系列中密度最高的產(chǎn)品。目前已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)產(chǎn)品。 在不斷變化的環(huán)境中，隨著傳感器信息數(shù)據(jù)量的增加和邊緣計(jì)算的擴(kuò)展，客
2023-08-04 11:55:04339 
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
ADSP-21992進(jìn)一步擴(kuò)展了ADSP-2199x混合信號(hào)DSP產(chǎn)品系列的性能，可提供32K字程序存儲(chǔ)器RAM和16K字?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM。此外，ADSP-21992還可提供片上CAN
2023-07-14 16:00:59
R1EV5801MB Series 數(shù)據(jù)表 (1M EEPROM (128-kword×8-bit) / Ready/Busy and RES function)
2023-07-10 20:00:450 8051單片機(jī)使用8位數(shù)據(jù)總線，因此它們最多可以支持64K的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和64k的外部程序存儲(chǔ)器。總的來說，8051單片機(jī)可以尋址128k的外部存儲(chǔ)器。
2023-07-07 12:31:33736 
記錄儀器、數(shù)據(jù)采集、可移動(dòng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器等方面的應(yīng)用。本文主要介紹鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在智能配電箱中的應(yīng)用。
2023-06-29 09:39:03382 8 存儲(chǔ)器 8.5 外部存儲(chǔ)器 RA6 MCU包含用于連接到外部存儲(chǔ)器和器件的外部數(shù)據(jù)總線。某些產(chǎn)品還包括一個(gè)內(nèi)置的SDRAM控制器，可通過該控制器使用最高達(dá)128MB的外部SDRAM。八個(gè)可編程
2023-06-28 12:10:02348 
的信息不會(huì)丟失，且鋰電池還存在使用壽命的問題，所以當(dāng)使用了FRAM（鐵電存儲(chǔ)器）上述問題就將迎刃而解。將國產(chǎn)FRAM PB85RS128替代以前SRAM組成的顯示屏
2023-06-28 11:43:30
，鐵電存儲(chǔ)器不需要定時(shí)刷新，能在斷電情況下保存數(shù)據(jù)，特別適合在那些對(duì)寫入時(shí)間和次數(shù)有較高要求的應(yīng)用場合，而且與其MCU接口電路簡單，應(yīng)用方便，本文介紹了國產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在其多MCU系統(tǒng)中的應(yīng)用。
2023-06-20 14:19:25391 
，這個(gè)128K的51編譯器要怎么支持，KEIL要進(jìn)行怎樣的設(shè)置才能正確輸出程序，編譯輸出的程序是1個(gè)HEX還是2個(gè)？燒寫是否得分兩次進(jìn)行？
2023-06-20 06:03:04
和耐久性設(shè)計(jì)，這些要求使國產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC成為最佳的存儲(chǔ)選擇。PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元，該芯片不需要電池就可以
2023-06-12 14:55:12308 
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
使用國產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)芯片PB85RS2MC是一種最理想的選擇。該芯片不但在功能上正好滿足上述要求，而且憑借獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)性能是其它存儲(chǔ)器都無法達(dá)到的。
2023-06-01 10:59:48187 
作為一種非易失性存儲(chǔ)器，鐵電存儲(chǔ)器兼具動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的高速度與可擦除存儲(chǔ)器EEPROM非易失性優(yōu)點(diǎn)，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場合，鐵電存儲(chǔ)器以幾乎無限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
BL24C128A采用節(jié)省空間的8引PDIP、8引腳SOP和8引腳TSSOP，WLCSP4封裝，可通過雙線串行接口訪問。此外，BL24C128A提供1.7V（1.7V
2023-05-27 11:03:18
和耐久性設(shè)計(jì)，這些要求使國產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC成為最佳的存儲(chǔ)選擇。 PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工
2023-05-26 10:14:23
鐵電存儲(chǔ)器硬件接線圖傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，讀寫速度較慢，存儲(chǔ)單元反復(fù)擦寫后容易損壞，無法滿足機(jī)艙油氣濃度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的要求，故此，國產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器可快速讀寫，擦寫次數(shù)可達(dá)1E6 次讀/寫操作*1，是本方案最理想的選擇。
2023-05-18 12:39:21137 
ES32H040x芯片概述ES32H040x系列微控制器使用32位ARM Cortex-M0內(nèi)核，帶有存儲(chǔ)器保護(hù)單元。最高支持48MHz系統(tǒng)時(shí)鐘頻率。最大128K Byte Flash
2023-05-16 15:07:14
PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元，對(duì)標(biāo)富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛，無污染。
2023-04-20 11:29:57224 XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行閃速存儲(chǔ)器，可直接從雙/四SPI接口執(zhí)行代碼，存儲(chǔ)語音、文本和數(shù)據(jù)，提供的靈活性和性能遠(yuǎn)超普通串行閃速存儲(chǔ)器，非常適合于
2023-04-14 10:42:553818 
/寫存儲(chǔ)器，在斷電時(shí)無需外部電池即可保留數(shù)據(jù)。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS與MR3A16ACMA35原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:26:28
FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器，實(shí)時(shí)時(shí)鐘，低VDD復(fù)位，看門狗定時(shí)器，非易失性事件計(jì)數(shù)器，可鎖定的64位序列號(hào)區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11
隨著萬物智聯(lián)時(shí)代的到來，智能汽車等新興應(yīng)用場景對(duì)存儲(chǔ)提出了更高的性能要求。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司提供的一款2Mbit FeRAM——MB85RS2MLY
2023-04-07 11:24:481501 FLASH存儲(chǔ)器 3.3V 128Mbit NOR FLASH
2023-04-06 22:09:10
除了SPI這種串行接口比較受存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)廠商的歡迎，還有比如由samsung和toshiba設(shè)計(jì)的Toggle NAND Interface，也被稱為 Asynchronous DDR NAND
2023-04-04 15:16:19764 
大家好，有人可以告訴我在哪里可以找到 20140530_k20dx128_k64f_if_mbed.bin 引導(dǎo)加載程序固件嗎？我需要這個(gè)來完成 FRDM K64F 板的一些實(shí)驗(yàn)。如果您可以提供指向固件或 Github 云存儲(chǔ)庫的鏈接，那將非常有幫助。
2023-03-30 07:57:09
存儲(chǔ)器FRAM 128K（16 K×8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲(chǔ)器FRAM 16 K（2 K x 8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲(chǔ)器FRAM 64 K（8 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:56
存儲(chǔ)器FRAM 16 K（2 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲(chǔ)器FRAM 1M（128 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲(chǔ)器FRAM 256 K（32 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
內(nèi)存FRAM 128K（16K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲(chǔ)器FRAM 1M（128 K×8） 40MHz SPI
2023-03-29 20:47:53
存儲(chǔ)器FRAM 256 K（32 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:37
GD25LQ128E（128M位）串行閃存支持標(biāo)準(zhǔn)串行外設(shè)接口（SPI）
2023-03-28 15:11:45
128M BIT 串行接口閃存
2023-03-28 13:02:28
128Mb，3V，多I/O串行閃存
2023-03-28 00:18:32
IC FRAM 128KBIT I2C 1MHZ 8SOP
2023-03-27 14:51:18
IC FRAM 128KBIT SPI 33MHZ 8SOP
2023-03-27 13:55:34
IC FRAM 128KBIT SPI 25MHZ 8SOP
2023-03-27 13:52:38
64 K（8 K×8）位I2C存儲(chǔ)器FRAM
2023-03-27 13:39:18
存儲(chǔ)器容量：128Mb (256 Bytes x 65535 pages) 存儲(chǔ)器構(gòu)架(格式)：FLASH 存儲(chǔ)器類型：Non-Volatile 存儲(chǔ)器接口類型：SPI - Dual/Quad I/O 128Mbit 2.7V-3.6V
2023-03-27 11:55:17
存儲(chǔ)器容量：128Kb (16K x 8) 存儲(chǔ)器接口類型：2-Wire 工作電壓：1.7V ~ 5.5V 128Kbit,I2C接口,工作電壓：1.7V~5.5V
2023-03-27 11:43:20
128Mb 串行閃存，帶 166MHZ 多 I/O SPI 和四 I/O QPI DTR 接口
2023-03-27 10:53:56
IC FRAM 128KBIT SPI 33MHZ 8SOP
2023-03-25 03:37:43
FLASH存儲(chǔ)器 3.3V 128Mbit NOR FLASH
2023-03-25 03:32:44
FLASH存儲(chǔ)器 128 (16M x 8)MB SOIC8_208MIL
2023-03-24 14:48:24
R1EV5801MB Series 數(shù)據(jù)表 (1M EEPROM (128-kword×8-bit) / Ready/Busy and RES function)
2023-03-23 20:07:160 128K I2C串行EEPROM MSOP8
2023-03-23 04:56:18
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