HM2302A-VB是VBsemi品牌的N溝道SOT23封裝場效應(yīng)管，主要參數(shù)如下：- 額定電壓（VDS）：20V- 額定電流（ID）：6A- 開態(tài)電阻（RDS(ON)）：24mΩ @ VGS
2024-03-20 14:51:41
HM2300D-VB是VBsemi品牌的N溝道SOT23封裝場效應(yīng)管，主要參數(shù)如下：- 額定電壓（VDS）：20V- 額定電流（ID）：6A- 開態(tài)電阻（RDS(ON)）：24mΩ @ VGS
2024-03-20 14:22:04
(ON)=27mΩ@VGS=10V，VGS=20V；閾值電壓Vth=1.5V。 封裝：SOP8 詳細(xì)參數(shù)說明：該產(chǎn)品為雙N溝道MOS場效應(yīng)晶體管
2024-03-20 11:42:33
產(chǎn)品型號：HAT2028R-VB產(chǎn)品名稱：VBsemi 雙N溝道場效應(yīng)管絲?。篤BA3638品牌：VBsemi參數(shù)：- 溝道類型：雙N溝道- 額定電壓：60V- 額定電流：6A- 開啟電阻：27m
2024-03-20 11:31:33
DTS3406-VB是VBsemi品牌的N溝道場效應(yīng)管，參數(shù)如下：- 封裝：SOT23- 額定電壓：30V- 額定電流：6.5A- 導(dǎo)通電阻：30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
2024-03-18 14:44:48
VBsemi CPH3441-TL-E-VB 是一款 SOT23 封裝的 N-Channel 溝道場效應(yīng)管。以下是詳細(xì)參數(shù)和應(yīng)用簡介：- **參數(shù)說明:** - 工作電壓（VDS
2024-03-16 16:02:12
**VB1240 (BSR202N-VB) N溝道場效應(yīng)晶體管**- **電壓：** 20V- **電流：** 6A- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))：** 24mΩ @ VGS=4.5V
2024-03-15 13:44:53
APM2318AC-TRL-VB是VBsemi品牌的N溝道場效應(yīng)管，絲印為VB1330，采用SOT23封裝。以下是詳細(xì)參數(shù)和應(yīng)用簡介：- 參數(shù)： - 溝道類型：N溝道 - 額定
2024-03-14 17:44:58
AP2318GEN-HF-VB是VBsemi品牌的N溝道場效應(yīng)管，參數(shù)如下：- 封裝：SOT23- 額定電壓：30V- 額定電流：6.5A- 導(dǎo)通電阻：30mΩ @ VGS=10V, VGS
2024-03-14 11:46:07
產(chǎn)品型號：4946BW-VB絲印：VBA3638品牌：VBsemi參數(shù)：- MOS管類型：2個(gè)N-Channel溝道- 最大耐壓：60V- 額定電流：6A- 開啟電阻：RDS(ON)=27m
2024-03-08 17:54:12
3400-VB是VBsemi品牌的N溝道場效應(yīng)管，絲印為VB1330，采用SOT23封裝。以下是詳細(xì)參數(shù)和應(yīng)用簡介：- 參數(shù)： - 溝道類型：N溝道 - 額定電壓
2024-03-08 13:53:58
20VN+N溝道MOS管 8814 TSSOP8 貼片雙NMOSFET 低壓場效應(yīng)管8814在電子元器件的世界里，MOS管，即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，扮演著至關(guān)重要的角色。今天，我們將深入探討
2024-03-07 20:22:17
無線充低壓MOS管3G03 SOT23-6 30V N+P溝道MOS常用場效應(yīng)管，是電子工程領(lǐng)域中常用的電子元器件之一。它在現(xiàn)代電子設(shè)備中扮演著重要的角色，特別是在無線充電領(lǐng)域，其應(yīng)用更是廣泛。首先
2024-03-07 20:19:09
場效應(yīng)管，即場效應(yīng)晶體管（簡稱FET），是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。
2024-02-20 15:31:17
516 
型號：MT6680-VB絲印：VBA1311品牌：VBsemi參數(shù)：- 封裝：SOP8- 溝道類型：N—Channel- 最大耐壓：30V- 最大電流：12A- 開態(tài)電阻：RDS(ON)=12m
2024-02-03 10:35:07
逆變器的場效應(yīng)管發(fā)熱原因? 逆變器是一種將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的裝置，常用于太陽能發(fā)電、風(fēng)能發(fā)電等可再生能源系統(tǒng)中。其中，場效應(yīng)管（MOSFET）是逆變器中的關(guān)鍵元件，負(fù)責(zé)開關(guān)直流電，實(shí)現(xiàn)直流電的變換
2024-01-31 17:17:01427 變大。
如果在柵源之間加負(fù)向電壓，溝道電阻會越來越小失去控制的作用。漏極和源極可以互換。
2、絕緣柵型場效應(yīng)管分為N溝道和P溝道，每一種又分為增強(qiáng)型和耗盡型。
N溝道增強(qiáng)型MOS管在其柵源之間加正向電壓，形成反型
2024-01-30 11:51:42
電壓時(shí)導(dǎo)電溝道是低阻狀態(tài)，加上控制電壓溝道電阻逐漸變大。
2、絕緣柵型場效應(yīng)管分為N溝道和P溝道，每一種又分為增強(qiáng)型和耗盡型。
N溝道增強(qiáng)型MOS管在其柵源之間加正向電壓，形成反型層和導(dǎo)電溝道，溝道電阻
2024-01-30 11:38:27
是，最大輸出電流時(shí)產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場效應(yīng)管可以無需任何外接元件而直接并聯(lián)，因?yàn)槠渎O電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場效應(yīng)管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
產(chǎn)品不適合電動車控制器比如80V100A、150A、200A等需要抗大電流沖擊的應(yīng)用領(lǐng)域。最適合用的領(lǐng)域就是芯片+mos管的驅(qū)動方式、5A以內(nèi)的普通邏輯開關(guān)或者高頻開關(guān)應(yīng)用。
惠海MOS管在典型應(yīng)用領(lǐng)域
2024-01-20 15:30:35
不會有明顯的改變。此時(shí)三極管功率基本不變，電流達(dá)到飽和，電壓降也已經(jīng)是最小值。
場效應(yīng)管以N增強(qiáng)型為例，其本質(zhì)是一個(gè)壓控電阻，通過控制柵源電壓控制漏源電阻，具有互導(dǎo)特性，輸出阻值的變化比上輸入電壓
2024-01-18 16:34:45
舉例而言，一個(gè)結(jié)型場效應(yīng)管，采用自偏置結(jié)構(gòu)，即柵極和源極短接在一起源極也有一個(gè)電阻，在電源和漏極接一個(gè)負(fù)載，此時(shí)場效應(yīng)管可以看做是一個(gè)互導(dǎo)放大器，壓控電流源，請問此時(shí)這種電路的輸入輸出電阻應(yīng)該怎么求
2024-01-15 18:06:15
替代原有場效應(yīng)管的替代品。本文將詳細(xì)比較分析2586場效應(yīng)管和3205場效應(yīng)管兩種常見型號的特性和性能，以確定3205能否替代2586。 一. 2586場效應(yīng)管的介紹 2586場效應(yīng)管是一種常見的N溝道MOS場效應(yīng)管型號，廣泛用于低功率放大器、電源電路和數(shù)字邏輯
2024-01-15 15:49:57317 場效應(yīng)管和IGBT的驅(qū)動經(jīng)常聽到米勒效應(yīng)這個(gè)詞，查閱了一些資料是柵極和漏極之間的等效電容，這個(gè)等效電容在場效應(yīng)管或者IGBT開通的時(shí)候在某一階段會放大較多倍，進(jìn)而導(dǎo)致驅(qū)動電路需要提供的電壓電流增多
2024-01-11 16:47:48
。 一、場效應(yīng)管MOS的基本原理 MOS是一種三端器件，由一個(gè)金屬柵極和兩個(gè)摻雜的硅襯底構(gòu)成。它通過加在柵極上的電壓控制硅襯底上的n型或p型區(qū)域中形成的溝道中的電流。柵極電壓也可以改變溝道的導(dǎo)電性。 MOS的參數(shù)有很多，包括柵極-源極電壓(Vgs)、漏極-源極電壓(Vds)、溝道
2024-01-04 11:03:541295 (ON)=12mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓：Vth=1.8V應(yīng)用簡介：FDS5670-NL-VB是一款N—Channel溝道的功率場效應(yīng)晶體管（Po
2024-01-03 16:14:33
型號：FDC5612-VB絲?。篤B7638品牌：VBsemi參數(shù)：- 封裝：SOT23-6- 溝道類型：N—Channel- 最大耐壓：60V- 最大電流：7A- 開態(tài)電阻：RDS(ON)=30m
2024-01-03 16:00:06
Ω@VGS=10V,VGS=20V- 閾值電壓：Vth=1.9V應(yīng)用簡介：CEP6086-VB是一款N—Channel溝道的功率場效應(yīng)管，封裝為TO220。其主要
2023-12-29 16:41:42
(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V- 閾值電壓：Vth=3.7V應(yīng)用簡介：FQP70N10-VB是一款N—Channel溝道的功率場效應(yīng)管，封裝為TO220
2023-12-29 15:51:46
(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V- 閾值電壓：Vth=1.7V應(yīng)用簡介：CMP100N03-VB是一款N—Channel溝道的功率場效應(yīng)管，封裝為TO220
2023-12-29 11:14:25
(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=20V- 閾值電壓：Vth=1.87V應(yīng)用簡介：CMD50N06B-VB是一款N—Channel溝道的功率場效應(yīng)管，封裝為TO252
2023-12-28 17:13:41
(ON)=80mΩ@VGS=10V,VGS=20V- 閾值電壓：Vth=1~3V應(yīng)用簡介：FDS89161LZ-VB是一款雙N—Channel溝道的場效應(yīng)管，封裝為SO
2023-12-28 16:23:34
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種利用電場效應(yīng)來控制電流的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型，場效應(yīng)晶體管可以分為n溝道和p溝道兩種類型。本文將對n溝道MOS
2023-12-28 15:28:282868 
于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件，其主要作用是放大和開關(guān)信號。場效應(yīng)管的好壞直接影響到電子設(shè)備的性能和穩(wěn)定性，因此對場效應(yīng)管進(jìn)行測量是非常重要的。本文將介紹場效應(yīng)管好壞的測量方法。 外觀檢查 首先，我們需要對場效應(yīng)管進(jìn)行外觀檢查。觀察場效應(yīng)管是否有破損、燒焦、變形等現(xiàn)象。如果有這些現(xiàn)象，說
2023-12-28 14:53:31472 Ω@VGS=10V,VGS=20V- 閾值電壓：Vth=1.2~2.2V應(yīng)用簡介：AO3400-VB是一款N—Channel溝道的場效應(yīng)管，封裝為SOT23。其主要
2023-12-25 10:54:24
Ω @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓（Vth）：1.8V- 封裝類型：TO252應(yīng)用簡介：30N10-VB是一款N溝道場效應(yīng)晶體管（FET），具有高
2023-12-22 16:06:22
控制電流的流動。場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)主要由柵極、源極和漏極組成，柵極和源極之間通過絕緣層隔離，源極和漏極之間通過導(dǎo)電層連接。場效應(yīng)管根據(jù)絕緣層的材料和摻雜方式可分為MOSFET和JFET兩種。 MOSFET是一種絕緣層采用氧化物的場效應(yīng)管
2023-12-21 11:27:16431 、細(xì)致地介紹這三種接法及其特點(diǎn)。 一、共源放大電路 共源放大電路是場效應(yīng)管中最常用的接法之一。它由場效應(yīng)管的源極作為信號源，負(fù)載電阻連接在漏極上，輸入信號通過門極施加。工作原理如下： 當(dāng)輸入信號施加在場效應(yīng)管
2023-12-20 10:45:02811 場效應(yīng)管放大電路的原理? 場效應(yīng)管（FET）是一種三極管，常用于電子放大電路中。FET的原理是利用半導(dǎo)體材料的特性來控制電流和電壓，以實(shí)現(xiàn)放大作用。通過理解FET工作的原理，我們可以了解到FET
2023-12-07 15:48:241317 Transistor（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管）的縮寫。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。這里我們以增強(qiáng)型MOS為例分析。
場效應(yīng)管是由源極，漏極，柵極組成，由于襯底的摻雜不同可分為N溝道和P溝道場效應(yīng)管。（溝道
2023-11-28 15:53:49
如圖：這個(gè)N溝道場效應(yīng)管，這樣接行不行？
2023-11-26 22:22:46
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管
2023-11-24 16:54:18633 如何區(qū)分場效應(yīng)管的三個(gè)電極？場效應(yīng)管可以算是三極管嗎？ 場效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡稱FET）是一種使用電場效應(yīng)來控制電流的電子器件。它由源極（source）、柵極
2023-11-21 16:05:231294 請問：CMOS管的功耗與MOS管的導(dǎo)電溝道的關(guān)系？
2023-11-20 07:01:20
場效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件，它可以用來放大或者控制電流 。根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同，場效應(yīng)管可以分為結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOSFET）。其中，JFET是由一個(gè)pn結(jié)構(gòu)組成，而MOSFET
2023-11-17 16:29:521230 
場效應(yīng)管FET（Field Effect Transistor），是利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，分為結(jié)型（JFET）和絕緣柵型（MOSFET簡稱MOS）。
2023-11-17 16:26:131516 
工藝以及可靠性等多個(gè)方面。下面將詳細(xì)介紹如何判斷一個(gè)場效應(yīng)管的好壞。 首先，對于場效應(yīng)管，最重要的性能參數(shù)是其放大能力和開關(guān)能力。放大能力衡量了場效應(yīng)管作為放大器時(shí)的增益，而開關(guān)能力則決定了場效應(yīng)管作為開關(guān)時(shí)的速度和穩(wěn)定性。同時(shí)還需關(guān)注的參數(shù)
2023-11-17 11:41:30690 環(huán)路24V電壓接的場效應(yīng)管的漏極，VCC接源極，DRIVE接?xùn)艠O，AD421的電路就是按數(shù)據(jù)手冊上接的，COM沒有接24V的地。
為什么通電后場效應(yīng)管的三個(gè)管腳都是24V，換了芯片跟FET也依然是這樣。
2023-11-16 07:23:24
MOS管和場效應(yīng)管有什么關(guān)系？對于初學(xué)者來說，這兩個(gè)名字常常讓人混淆，MOS管到底是不是場效應(yīng)管？
2023-11-13 17:23:05756 
供應(yīng)APG080N12 106a120v耐壓n mos管-絲印:G080N12場效應(yīng)管，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供APG080N12規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-10-27 17:29:52
場效應(yīng)管不導(dǎo)通，LED能亮嗎？
2023-10-17 07:09:53
場效應(yīng)管(MOSFET)也叫場效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件
2023-10-08 17:23:34559 
在過去的十幾年中，大功率場效應(yīng)管引發(fā)了電源工業(yè)的革命，而且大大地促進(jìn)了電子工業(yè)的發(fā)展。由于MOSFET管具有更快的開關(guān)速度,電源開關(guān)頻率可以做得更高,可以從50kHz提高到200kHz 甚至
2023-09-28 06:33:09
供應(yīng)AP3400A 30v耐壓n溝道mos管兼容萬代AO3400-3400 mos管，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP3400A規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-09-25 11:30:52
供應(yīng)AP3400A N溝道 30V 5.8A MOS場效應(yīng)管-mos3400規(guī)格參數(shù)，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供mos3400規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-09-25 11:28:26
0 供應(yīng)AP30N03K 低結(jié)電容 30V MOS-30N03K場效應(yīng)管參數(shù)，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP30N03K規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-09-25 11:14:000 手觸摸容易壞，為什么MOS管書名叫場效應(yīng)管呢？場是電場的場，效應(yīng)就不用了吧！很多ESD都是呈峰值短暫的尖峰浪涌電壓，但能量維持時(shí)間短。MOSFET的柵極源極之間是絕緣的，其GS之間有一個(gè)電容。根據(jù)U
2023-09-25 10:56:07
供應(yīng)AP30H150KA 30V 150A N溝道MOS管-30h150場效應(yīng)管，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP30H150KA規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-09-25 10:39:500 于各種電子設(shè)備中。而“場效應(yīng)管”這個(gè)名稱則來源于MOS管的工作原理，下面就詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地介紹一下MOS管為何被稱為場效應(yīng)管。 首先，我們需要介紹一下MOS管的結(jié)構(gòu)和工作原理。MOS管由柵極（gate
2023-09-20 17:05:41933 場效應(yīng)晶體管簡稱場效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高(10^7^~10^15^Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。 一、場效應(yīng)管的作用
2023-09-20 15:26:061369 
不同的應(yīng)用場景中表現(xiàn)出了不同的特性。本文將詳細(xì)介紹結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管的區(qū)別。 首先，結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）是一種三端器件，其基本結(jié)構(gòu)由一根n型或p型半導(dǎo)體材料的兩端之間夾有一層p型或n型材料組成。這個(gè)p-n結(jié)被
2023-09-18 18:20:512224 ，因此需要進(jìn)行嚴(yán)格的測試和檢測，以確保其可靠性和穩(wěn)定性。 一、場效應(yīng)管的類型 場效應(yīng)管有兩種類型：N溝道場效應(yīng)管（N-channel FET）和P溝道場效應(yīng)管（P-channel FET）。這兩種類型的場效應(yīng)管具有相似的結(jié)構(gòu)和工作原理，但具有不同的尺寸和性能特征，
2023-09-02 11:31:243310 場效應(yīng)管MOSFET是mos管嗎？場效應(yīng)管mos管的區(qū)別？場效應(yīng)管和mos管有什么不一樣的地方？? MOSFET和場效應(yīng)管（FET）都屬于半導(dǎo)體器件中的一種，類似晶體管。MOSFET是MOS（金屬
2023-09-02 11:31:152542 場效應(yīng)管的原理與作用 場效應(yīng)管在電路中起什么作用？? 場效應(yīng)管，也被稱為晶體管，是一種重要的電子元件。它由一個(gè)半導(dǎo)體材料制成，可以調(diào)節(jié)電流的流動，被廣泛應(yīng)用于電路的放大和開關(guān)控制。 場效應(yīng)管
2023-09-02 11:31:132856 場效應(yīng)管好壞測量方法 mos怎么測量好壞？? 場效應(yīng)管（MOS）是一種半導(dǎo)體器件，其被廣泛應(yīng)用于各種電路中。在使用場效應(yīng)管前，我們需要先測量其好壞，以確保其正常工作，否則可能導(dǎo)致電路故障。本文將介紹
2023-09-02 11:20:101063 n溝道增強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管 n溝道增強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管，又稱nMOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），是一種非常
2023-09-02 10:05:251534 場效應(yīng)管怎么區(qū)分n溝道p溝道? 場效應(yīng)管是一種常見的半導(dǎo)體器件，可以用于電子器件中的信號放大、開關(guān)等應(yīng)用。場效應(yīng)管有兩種類型：n溝道型（n-channel）和p溝道型（p-channel），它們
2023-09-02 10:05:176876 了實(shí)現(xiàn)場效應(yīng)管的控制，就需要用到一些驅(qū)動芯片，下面我們就來詳細(xì)介紹一些常用的場效應(yīng)管驅(qū)動芯片。 1. IR2110 IR2110是一款用于驅(qū)動單個(gè)或雙路MOS場效應(yīng)管的高壓、高速驅(qū)動芯片。它采用了IR公司自主開發(fā)的高速和高電壓集成電路工藝，
2023-08-25 15:47:392610 工作原理 場效應(yīng)管（FET）是一種三極管，可以通過改變柵極電壓調(diào)節(jié)源極和漏極之間的電阻。場效應(yīng)管的原理是利用電場控制載流子濃度，其主要特點(diǎn)是輸入電阻大，高頻特性好。場效應(yīng)管可以分為N溝道和P溝道兩種結(jié)構(gòu)。 可控硅（SCR）是一種雙
2023-08-25 15:41:381549 供應(yīng)AP2080Q 場效應(yīng)管（MOSFET）20V 30A參數(shù)，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP2080Q規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-08-22 16:45:380 供應(yīng)AP2335 場效應(yīng)管(MOSFET) SOT-23 絲印2335 P溝道 20V7A，是銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP2335規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-08-22 16:24:490 場效應(yīng)晶體管簡稱場效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。
2023-08-18 16:01:28591 
結(jié)型場效應(yīng)管柵極反偏但仍有電流，MOS場效應(yīng)管柵極絕緣，沒有電流。
2023-08-17 09:19:34617 
與源極、柵極與漏極之間均采用 SiO2絕緣層 隔離，MOSFET因此又被稱為 絕緣柵型 場效應(yīng)管。 市面上大家所說的功率場效應(yīng)晶體管通常指絕緣柵MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),簡
2023-08-16 09:22:213852 
下圖是一個(gè)由 RC 電路和 P 溝道場效應(yīng)管組成的延時(shí)關(guān)機(jī)電路
2023-08-14 17:02:131018 
場效應(yīng)管（英語：field-effect transistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應(yīng)控制電流的電子器件。
2023-07-28 10:06:295256 
20V N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管FS8205規(guī)格書
特點(diǎn)
? 專有的先進(jìn)平面技術(shù)
? 高密度超低電阻設(shè)計(jì)
? 大功率、大電流應(yīng)用
? 理想的鋰電池應(yīng)用
? 封裝形式：SOT23-6、TSSOP-8
2023-07-03 15:18:312 Oxide Semiconductor FET，簡稱MOSFET,1960年誕生）組成。 ? 2 場效應(yīng)管的分類及工作原理 場效應(yīng)管是一種單極型晶體管，與雙極型晶體管BJT都屬于晶體管。 在雙極型晶體管中
2023-06-29 09:21:342018 
（ Meta Oxide Semiconductor FET，簡稱MOSFET,1960年誕生 ）組成。 ? ? ? 2 場效應(yīng)管的分類及工作原理 場效應(yīng)管是一種單極型晶體管，與雙極型晶體管BJT都屬于晶體管。 在雙極
2023-06-28 08:39:283644 
供應(yīng)PTS4842 MOS場效應(yīng)管-30V/7.7A雙N溝道高級功率MOSFET，提供PTS4842雙mos管關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-10 14:45:17
供應(yīng)HY3810NA2P 100V180An溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管，提供HY3810NA2P 100v mos管手冊及關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-10 14:23:141 供應(yīng)超致mos管 SSF70R450S2 TO-220F 700V n溝道場效應(yīng)管，提供SSF70R450S2關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-10 13:53:03
場效應(yīng)管可以分成兩大類，一類是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET），另一類是絕緣柵場效應(yīng)管（MOSFET）。
2023-06-08 09:20:14430 
mos管漏極電壓8V,柵極電壓9V，仍低于源極12V電壓，持續(xù)導(dǎo)通?，F(xiàn)電路板出現(xiàn)故障后，柵極電壓上升很快，達(dá)到11.7V，mos管截止，造成漏極無電壓輸出，達(dá)不到輸出供電效果。請教大神們講解下此電路原理，最有可能出錯(cuò)的地方？mos管和運(yùn)放經(jīng)過單獨(dú)驗(yàn)證，是正常的
2023-06-05 22:50:12
1.是N溝道，耗盡型的場效應(yīng)管，是耗盡型。像圖上這樣的話，帶？的那端應(yīng)該是什么極？是源極還是漏極？
2.電路不接管子之前電流還可以，接上場效應(yīng)管，上電就短路，焊下來后測量柵極和源極之間不導(dǎo)通，源漏
2023-05-16 14:24:38
根據(jù)提問者的意思，N溝道場效應(yīng)管柵極（G極）電壓是否可以大于漏極（D極）電壓？為什么？
2023-05-09 09:06:062437 
為什么測量場效應(yīng)管的輸入電阻時(shí)要用測量輸出電壓的方法呢？
2023-05-06 16:15:01
，包括二極管（Diode）、NPN管（BJT NPN）、PNP管（BJT PNP）、P溝道MOS場效應(yīng)管（PMOS），以及N溝道MOS場效應(yīng)管（NMOS）。選擇好元器件類型后，在面板右下方會出現(xiàn)所選元器件
2023-04-27 16:28:47
9V P 溝道 MOS 場效應(yīng)管
2023-03-24 13:58:22
12V P 溝道 MOS 場效應(yīng)管
2023-03-24 13:44:14
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