IGBT的主要功能在于其能夠作為全控器件，即可以觸發(fā)導(dǎo)通，也可以觸發(fā)關(guān)斷。這使得IGBT在電能變換和控制中起到關(guān)鍵作用。
2024-03-14 16:43:51
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IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種在功率電子領(lǐng)域中廣泛使用的半導(dǎo)體器件，用于在高電壓、高電流的情況下控制電能的傳輸和轉(zhuǎn)換。IGBT對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求
2024-03-12 15:27:38207 IGBT應(yīng)用于變頻器逆變電路中，存在這么一種情況，IGBT先短路再開通，請(qǐng)問這是一種什么樣的過程？按照字面理解意思就是先把IGBT的C和E短接起來，然后啟動(dòng)變頻器，此時(shí)這種過程就可以稱之為先短路再
2024-02-29 23:08:07
在IGBT短路時(shí)，假設(shè)在導(dǎo)通時(shí)短路，此時(shí)IGBT驅(qū)動(dòng)電壓達(dá)到穩(wěn)定高值，就是IGBT已經(jīng)完全導(dǎo)通，此時(shí)刻觸發(fā)外部電路短路，用示波器查看驅(qū)動(dòng)電壓、CE電壓和輸出電流，變頻器在極短的時(shí)間內(nèi)響應(yīng)后，驅(qū)動(dòng)電壓
2024-02-25 11:31:12
IGBT IPM結(jié)合了IGBT的高效能和高電流承載能力以及IPM的智能化控制與保護(hù)特性，其優(yōu)點(diǎn)可以總結(jié)如下： 集成度高： IGBT IPM將多個(gè)IGBT器件與驅(qū)動(dòng)、保護(hù)等電路集成在一個(gè)模塊中，減少
2024-02-23 10:50:10202 在高壓600V，額定電流10A的壓縮機(jī)電機(jī)控制中，IGBT經(jīng)常燒壞，主要有哪些原因?qū)е滤鼡p壞。
2024-02-22 17:58:38
IGBT模塊或者單管應(yīng)用于變頻器的制造，在做變頻器的短路實(shí)驗(yàn)時(shí)，在IGBT開通時(shí)刻做出短路動(dòng)作，IGBT的CE電壓會(huì)從零逐漸升高到最大之然后回到母線電壓的一半后達(dá)到穩(wěn)定。
但是在具體波形時(shí)，IGBT
2024-02-21 20:12:42
什么是IGBT的退飽和？為什么IGBT會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象？ IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)。它在高電壓和高電流應(yīng)用中具有低開啟電阻、低導(dǎo)通壓降和高開關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn)
2024-02-19 14:33:28475 IGBT應(yīng)用中有哪些短路類型？ IGBT是一種主要用于功率電子應(yīng)用的半導(dǎo)體器件。在實(shí)際應(yīng)用中，IGBT可能會(huì)遭遇多種短路類型。下面，我將詳細(xì)介紹IGBT應(yīng)用中常見的短路類型。 1. IGBT內(nèi)部開路
2024-02-18 10:21:57222 為交流電壓，它具有開關(guān)速度快、控制精度高和可靠性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。那么，方波驅(qū)動(dòng)IGBT是否合適呢？讓我們?cè)敿?xì)、具體、細(xì)致地探討一下。 首先，方波的特點(diǎn)是快速的邊沿轉(zhuǎn)換。這使得方波信號(hào)非常適合用來驅(qū)動(dòng)IGBT。IGBT的開關(guān)速度非?？?，能夠迅速響應(yīng)方
2024-02-06 16:28:47540 SPWM是怎么控制IGBT變頻變壓的？IGBT輸出的波形不是一系列等幅不等寬的方波嗎？如何變頻變壓？ SPWM是一種通過調(diào)節(jié)寬度脈沖的方式來控制IGBT變頻變壓的方法。通過改變脈沖的寬度和頻率，可以
2024-02-06 16:17:31258 絕緣層位于IGBT的N區(qū)表面，通常使用氧化硅（SiO2）等絕緣材料，用于隔離控制電極（柵極）與功率電極（P區(qū)和N+區(qū)）。
2024-02-06 10:29:19226 
聊聊什么是IGBT的膝電壓？ IGBT是一種半導(dǎo)體器件，常用于功率放大和電流控制應(yīng)用。作為一種開關(guān)器件，IGBT能夠在低驅(qū)動(dòng)電壓下實(shí)現(xiàn)較高的電流和電壓控制能力。膝電壓是其關(guān)鍵的特性之一，本文將對(duì)
2024-02-03 16:23:43286 Field-Effect Transistor）的控制性能，又具有異質(zhì)結(jié)的管子功率特性。IGBT也是一個(gè)開關(guān)器件，可以在高電壓和高電流條件下工作，并且被廣泛應(yīng)用于各種電力電子設(shè)備中。 IGBT由三個(gè)主要區(qū)域組成
2024-02-01 13:59:45449 大功率的變頻器會(huì)對(duì)igbt的管壓降進(jìn)行保護(hù)，這是對(duì)變頻器控制igbt完全導(dǎo)通的一種控制，但是在運(yùn)行現(xiàn)場頻繁報(bào)這個(gè)故障，請(qǐng)問有哪些原因造成的？該如何解決？
2024-01-25 14:45:14
LED樹木燈光亮化方案的設(shè)計(jì)與控制技術(shù)解析
2024-01-24 17:54:50177 
低導(dǎo)通壓降和高開關(guān)速度的特點(diǎn)，因此被廣泛應(yīng)用于各種功率電子系統(tǒng)。 IGBT驅(qū)動(dòng)電路的主要功能是控制IGBT的開關(guān)狀態(tài)，并提供足夠的電流和電壓以確保IGBT的正常工作。IGBT驅(qū)動(dòng)電路通常包括輸入電路、隔離電路、驅(qū)動(dòng)邏輯電路和輸出電路等部分。 輸入電路用于接收輸入信
2024-01-23 13:44:51674 電子和工業(yè)控制系統(tǒng)中。它是一種用于高電壓和高電流應(yīng)用的開關(guān)和放大器。 IGBT的基本結(jié)構(gòu)由四個(gè)摻雜的半導(dǎo)體層組成：N型溝道、P型基區(qū)、N型漏結(jié)和P型柵結(jié)。控制其導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)的是其柵極。當(dāng)IGBT柵極電壓低于閾值時(shí)，它處于關(guān)閉狀態(tài)，沒有電流通過。當(dāng)柵極電壓高于閾值時(shí)，形成電場，電流可以流過
2024-01-22 11:14:57273 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種繼MOSFET和BJT之后的新型功率半導(dǎo)體器件，它的特點(diǎn)是結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低通壓損耗
2024-01-18 17:31:231080 由于IGBT高電壓、大電流和高頻特性，IGBT需要一個(gè)專門的驅(qū)動(dòng)電路來控制其開通和關(guān)斷。本文將介紹IGBT驅(qū)動(dòng)電路。 一、IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用 IGBT驅(qū)動(dòng)電路的主要作用是向IGBT提供適當(dāng)?shù)臇艠O
2024-01-17 13:56:55553 
一個(gè)IGBT用不同的驅(qū)動(dòng)板會(huì)得到不一樣的效果嗎？為什么？ 當(dāng)使用不同的驅(qū)動(dòng)板驅(qū)動(dòng)同一個(gè) IGBT 時(shí)，會(huì)產(chǎn)生不同的效果。這是因?yàn)轵?qū)動(dòng)板在控制 IGBT 的開關(guān)過程中起著重要的作用，不同的驅(qū)動(dòng)板具有
2024-01-15 11:26:04355 了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)，具備高電壓和高電流開關(guān)能力。 IGBT的工作原理可以分為四個(gè)階段：導(dǎo)通、關(guān)斷、過渡和飽和。 1. 導(dǎo)通階段：在導(dǎo)通階段，IGBT的門極電壓（V_GS）通過控制電壓源施加，使得MOSFET部分的導(dǎo)電層建立。這導(dǎo)致P型基區(qū)變窄，觸發(fā)NPN晶體管的導(dǎo)通。 2. 關(guān)斷階段
2024-01-12 14:43:521677 IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)，是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢，在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:35275 
開關(guān)器件。雖然它們的名稱相似，但在構(gòu)造、原理和應(yīng)用方面存在一些不同之處。 結(jié)構(gòu)與構(gòu)造差異： IGBT是一種由晶體管和MOSFET結(jié)合而成的雙極型功率開關(guān)器件。它由三個(gè)控制結(jié)構(gòu)——門級(jí)結(jié)、PN結(jié)和PNP
2023-12-25 15:09:09399 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種電力開關(guān)裝置，常被用于控制大電流和高電壓的電力設(shè)備。IGBT軟開關(guān)和硬開關(guān)是兩種不同的IGBT工作模式，它們?cè)陂_關(guān)
2023-12-21 17:59:32658 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 和二極管是電子設(shè)備中常見的兩種功率開關(guān)器件。它們?cè)谠S多應(yīng)用中起著關(guān)鍵作用，主要用于交流電轉(zhuǎn)換、能量轉(zhuǎn)換和電流控制
2023-12-19 09:56:33573 IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動(dòng)器中的對(duì)比測試
2023-12-14 11:31:08232 
Transistor）是兩種常見的功率開關(guān)器件，用于電力電子應(yīng)用中的高電壓和高電流的控制。雖然它們都是晶體管的一種，但在結(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用方面有很大的區(qū)別。本文將詳細(xì)介紹IGBT和MOS管的區(qū)別。 首先
2023-12-07 17:19:38788 柵場效應(yīng)晶體管（IGFET）和雙極型晶體管（BJT）的特征，既具備晶體管放大和柵極控制的優(yōu)點(diǎn)，又同時(shí)具備功率開關(guān)的能力。IGBT 的作用和功能非常廣泛，下面將詳細(xì)介紹。 1. 功率開關(guān)功能：IGBT 主要用作功率開關(guān)，在高電壓和高電流的條件下，可以快速切換電路的電流。通過將柵極電壓從0V調(diào)整到高電壓（通態(tài)）或從
2023-12-07 16:32:552938 這篇文章是英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體微信公眾號(hào)系列原創(chuàng)文章第205篇，IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析（下）
2023-12-06 11:56:43
17 這篇文章是《英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體》系列原創(chuàng)文章的第204篇，IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析（上）
2023-12-06 11:54:3924 功率電子器件是PCS的核心組成部分，主要實(shí)現(xiàn)電能的轉(zhuǎn)換和控制。而IGBT就是最為常用的功率器件，今天我們主要來學(xué)習(xí)IGBT。
2023-11-22 09:42:50514 
IGBT整流器是用于將交流電轉(zhuǎn)換為直流電的關(guān)鍵設(shè)備，它們通過精確控制IGBT的導(dǎo)通時(shí)間來實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出的調(diào)節(jié)，確保提供高質(zhì)量、穩(wěn)定的直流電供電。在某些情況下，還可以實(shí)施功率因數(shù)校正（PFC）以提高輸入
2023-11-10 17:31:05730 
和性能，動(dòng)態(tài)測試是必不可少的。下面將詳細(xì)介紹IGBT動(dòng)態(tài)測試的參數(shù)。 1. 開通特性測試（Turn-on Characteristics Test）： 開通特性測試是通過控制IGBT的輸入信號(hào)，來檢測
2023-11-10 15:33:51885 ： IGBT是一種晶體管結(jié)構(gòu)，由MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）控制Bipolar雙極晶體管的開關(guān)動(dòng)作。IGBT主要由三個(gè)部分組成： - N型溝道區(qū)：
2023-11-10 14:26:281269 開關(guān)器件，常用于控制高電壓和高電流的電力電子設(shè)備中。IGBT短路測試是在IGBT生產(chǎn)和維修過程中常用的一項(xiàng)關(guān)鍵測試，旨在檢測IGBT是否存在電路短路故障。 IGBT短路測試平臺(tái)是一種用于進(jìn)行IGBT
2023-11-09 09:18:291042 IGBT是新型功率半導(dǎo)體器件中的主流器件，已廣泛應(yīng)用于多個(gè)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。IGBT模塊中所涉及的焊接材料大多精密復(fù)雜且易損壞，制造商在IGBT模塊焊接裝配過程中正面臨著重重挑戰(zhàn)。
2023-10-31 09:53:451106 各位大佬，請(qǐng)教一下 IGBT 模塊的絕緣耐壓如何測試？
2023-10-23 10:19:00
IGBT在控制極上加正電壓可以控制導(dǎo)通，電壓為0時(shí)可以讓其關(guān)斷，那么加一個(gè)反壓呢？IGBT會(huì)是什么情況？ 關(guān)于IGBT在控制極上加反壓的情況，我們需要探討IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理以及反壓對(duì)其產(chǎn)生
2023-10-19 17:08:11860 igbt可以反向?qū)▎?？如?b class="flag-6" style="color: red">控制igbt的通斷？ IGBT 是 Insulated Gate Bipolar Transistor 隔離柵雙極晶體管的縮寫，是一種功率半導(dǎo)體器件。IGBT 可以用
2023-10-19 17:08:051888 、N型漏源和門極組成。因其高電壓和高電流開關(guān)能力，廣泛應(yīng)用于電力和電能控制器的控制中。 IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷是通過控制門極電壓來實(shí)現(xiàn)的。下文詳細(xì)介紹IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷條件，以及具體的導(dǎo)通和關(guān)斷過程。 IGBT
2023-10-19 17:08:028160 igbt模塊的作用和功能 igbt有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)嗎？ IGBT模塊是一種封裝了多個(gè)IGBT晶體管、驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路的半導(dǎo)體器件。它的作用是將低電壓高電流的控制信號(hào)轉(zhuǎn)換成高電壓低電流的輸出信號(hào)，而且
2023-10-19 17:01:221314 。
功率半導(dǎo)體器件作為電能轉(zhuǎn)換、驅(qū)動(dòng)、控制等電力電子裝置的基礎(chǔ)和核心，是推動(dòng)電力電子系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率、功率密度、體積重量等方面優(yōu)化的關(guān)鍵因素之一。
下面以特斯拉來看看功率半導(dǎo)體IGBT的分布，下圖
2023-10-16 11:00:14
選型IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是電子設(shè)備設(shè)計(jì)中的重要任務(wù)，因?yàn)檎_的IGBT選擇對(duì)于設(shè)備性能和可靠性至關(guān)重要。本文將介紹如何選擇適合您應(yīng)用的IGBT，并解釋IGBT的關(guān)鍵特性以及如何閱讀IGBT的數(shù)據(jù)表。
2023-09-13 15:47:56921 
PWM控制型IGBT工作在斬波模式，使得IGBT本身自帶干擾源屬性，自擾與互擾系統(tǒng)中的其他設(shè)備。
2023-09-08 15:22:26525 
驅(qū)動(dòng)器類IGBT控制方式，特別是變頻器類，有無PG V/f 控制、帶PG V/f控制、無PG矢量控制、帶PG矢量控制等等不同的控制方式和術(shù)語描述
2023-09-08 15:17:40957 
igbt為什么要反并聯(lián)二極管 IGBT是一種功率器件，它是一種膜材料型結(jié)構(gòu)，它采用P型部分、N型部分、漂移區(qū)、隔離氧化層、金屬控制電極和保護(hù)結(jié)構(gòu)等元件組成，為集成化的功率MOSFET和雙極性晶體管
2023-08-29 10:25:592924 路原理 IGBT逆變電路是由IGBT管、反并聯(lián)二極管、電感、電容等組成的電路。在正常工作時(shí)，IGBT管的門級(jí)隔離驅(qū)動(dòng)，控制IGBT管的導(dǎo)通和截止，使電路中的電感儲(chǔ)存電能，當(dāng)IGBT管截止時(shí)，電感產(chǎn)生的反電動(dòng)勢將使反并聯(lián)二極管導(dǎo)通，將儲(chǔ)存在電感中的電能傳遞到負(fù)載中
2023-08-29 10:25:543320 都可以控制電流和電壓，但在許多方面存在明顯的區(qū)別。 1. 結(jié)構(gòu)： 晶閘管是一種具有四個(gè)電極的單向?qū)щ娖骷?b class="flag-6" style="color: red">控制電極（門極）、陽極、陰極和輔助極。它由P型和N型半導(dǎo)體層交替形成，具有單向?qū)ㄐ再|(zhì)，控制電極和主極之間的電流只能在特定條件下流動(dòng)。 IGBT是一種三極管，包括控制極、集電極和發(fā)
2023-08-25 15:47:433683 中，例如直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)車、變頻器等。IGBT可以調(diào)節(jié)電力的大小，以便更好地控制電路中的電流和電壓。這種控制方法有助于提高電力電子設(shè)備的效率和控制精度。IGBT還將在電網(wǎng)中廣泛應(yīng)用，用于調(diào)節(jié)電網(wǎng)負(fù)載和平衡電網(wǎng)負(fù)載。此外，它也可以用于智能電網(wǎng)的改
2023-08-25 15:03:263059 、開關(guān)速度快、無噪聲、易控制的電力元件。它具有閉合低電壓降（VCEsat），高開關(guān)速度和低開關(guān)損耗的特點(diǎn)，非常適合于高頻率應(yīng)用。此外，IGBT還具有電壓控制和電流承載能力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)，因此，IGBT被廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、換流器、逆變器等高壓高頻率領(lǐng)域。 相比之下，IGCT是一種
2023-08-25 14:57:342924 半導(dǎo)體器件，它們主要用于控制電能的大功率電路中。IGBT和可控硅在電路中起著相似的作用，但是它們具有不同的特性和優(yōu)缺點(diǎn)。本文將對(duì)IGBT和可控硅的區(qū)別進(jìn)行詳細(xì)的比較和闡述。 1. 工作原理 可控硅是一種
2023-08-25 14:57:315655 Transistor）都是半導(dǎo)體器件，用于控制電流和電壓。IGBT和MOSFET在功能和結(jié)構(gòu)上非常相似，但它們有一些不同之處。 1. 結(jié)構(gòu) IGBT是由三極管和場效應(yīng)管兩個(gè)半導(dǎo)體器件組成的復(fù)合型器件
2023-08-25 14:50:013233 絕緣柵雙極晶體管（英語：Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT），是半導(dǎo)體器件的一種，主要用于新能源電動(dòng)汽車、及電動(dòng)車的交流電電動(dòng)機(jī)的輸出控制。
2023-08-11 14:46:19545 
摘要: 針對(duì)傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)超結(jié) IGBT 器件在大電流應(yīng)用時(shí)的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)較弱，削弱了 IGBT 器
件低飽和導(dǎo)通壓降優(yōu)點(diǎn)的問題，設(shè)計(jì)了 p 柱浮空的超結(jié) IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:000 電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器基本結(jié)構(gòu)可分為：殼體、高低壓連接器、電子控制元件、電氣控制元件、電氣功率元件。 電氣功率元件主要為IGBT集成功率模塊，是電氣控制器關(guān)鍵零部件。 通過電子控制元件與電氣控制
2023-07-28 11:03:451569 
IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時(shí)間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543287 
根據(jù)IGBT的產(chǎn)品分類來看，按照其封裝形式的不同，可分為IGBT分立器件、IPM模塊和IGBT模塊。
2023-07-22 16:09:301502 
IGBT是繼MOSFET之后，新一代的開關(guān)器件，主要用于高壓和高電流的開關(guān)控制。IGBT的全稱是Isolated Gate Bipolar Transistor，是由晶體管和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)相結(jié)合
2023-07-20 16:39:514483 IGBT作為電力電子領(lǐng)域的核心元件之一，其結(jié)溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設(shè)計(jì)，還會(huì)影響IGBT可靠性和壽命。
2023-07-07 16:11:303815 
IGBT : 是一種大功率的電力電子器件,是一個(gè)非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開時(shí)當(dāng)做開路。三大特點(diǎn)就是高壓、大電流、高速。它是電力電子領(lǐng)域非常理想的開關(guān)器件。 編輯：黃飛
2023-07-07 09:36:321089 
MOSFET和IGBT均為集成在單片硅上的固態(tài)半導(dǎo)體器件，且都屬于電壓控制器件。
2023-07-07 09:15:451490 
在單個(gè)器件中組合用于控制輸入的隔離柵極FET和作為開關(guān)的雙極功率晶體管，將MOSFET的簡單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極晶體管的高電流和低飽和電壓能力相結(jié)合。IGBT用于中到大功率應(yīng)用，如開關(guān)電源、牽引電機(jī)控制
2023-06-14 20:15:012114 
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個(gè)芯片之間通過鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝。
2023-06-02 09:09:29583 
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個(gè)芯片之間通過鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝，IGBT單元堆疊結(jié)構(gòu)如圖1-1所示。
2023-05-30 08:59:52555 
IGBT模塊損耗包含IGBT損耗和Diode損耗兩部分
2023-05-26 11:21:231254 
igbt模塊的作用是什么 IGBT模塊主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電。它有陰極，陽極，和控制極。關(guān)斷的時(shí)候其阻抗是非常大的基本是斷路，接通的時(shí)候存在很小的電阻
2023-05-17 15:09:125479 IGBT 作為新能源汽車電機(jī)控制器的核心部件，直接決定了電動(dòng)汽車的安全性和可靠性。本文主要介 紹采用熱敏感電參數(shù)法提取 IGBT 結(jié)溫，并結(jié)合 CLTC 等試驗(yàn)工況得出對(duì)應(yīng)結(jié)溫曲線，通過雨流分析
2023-05-05 10:34:52891 
Sic MOSFET的正柵壓目前已經(jīng)于Si IGBT相當(dāng)(+15V) ,但負(fù)柵壓仍有很大差別(-5V) ，Sic MOSFET開關(guān)速度快引起的EMII問題需要關(guān)注。
2023-04-17 10:57:29339 IGBT由柵極（G）、發(fā)射（E）和集電極（C）三個(gè)極控制。 如圖1，IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。 反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷
2023-04-08 09:36:261455 根據(jù)應(yīng)用場景的電壓不同，IGBT有超低壓、低壓、中壓和高壓等類型，其中新能源汽車、工業(yè)控制、家用電器等使用的IGBT以中壓為主，而軌道交通、新能源發(fā)電和智能電網(wǎng)等對(duì)電壓要求較高，主要使用高壓IGBT。
2023-04-04 11:14:371956 一。 確定方案和目的 在電子電路和工業(yè)應(yīng)用中，IGBT功率管被普遍應(yīng)用，電磁爐中的開關(guān)管，變頻器中三相電機(jī)控制，程控電源，逆變器等。通過IGBT來控制大電流的快速開關(guān)實(shí)現(xiàn)不同的功能。本節(jié)來學(xué)習(xí)
2023-03-27 14:57:37
，因此，選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流，同時(shí)選用時(shí)應(yīng)該降額使用。額定工作電壓、電壓波動(dòng)的范圍、最大工作電壓決定了IGBT模塊的額定電壓；驅(qū)動(dòng)器的外殼結(jié)構(gòu)以及排布方式也是IGBT選型的重要考慮因素。原作者：漂流的青春 車載控制器開發(fā)及測試
2023-03-23 16:01:54
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