想用IS62WV51216擴(kuò)充SRAM，使用了正點(diǎn)原子的mymalloc內(nèi)存管理，但是內(nèi)存初始化后一段時間就mymalloc分配地址失敗，發(fā)現(xiàn)是內(nèi)存狀態(tài)表全部不為0，換了一塊IS62WV5121還是一樣，有大佬知道可能是什么原因不
2024-03-18 06:10:11
的 32 位 RISC-V CPU，最高主頻可達(dá)320M，532KB SRAM，128KB ROM，4Kb eFuse；最大發(fā)射功率16-22dBm，靈敏度-98dBm，最高速率229.4 Mbps。
2024-03-12 16:22:16
125 
如下圖所示，GD32F4系列內(nèi)部SRAM分為通用SRAM空間和TCMSRAM空間，其中通用SRAM為從0x20000000開始的空間，TCMSRAM為從0x10000000開始的64KB空間。大家
2024-02-24 09:43:16186 
賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元（訪問時間高達(dá)20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲元件相結(jié)合，可提供快速的異步讀寫訪問速度，并在其整個工作范圍內(nèi)具有20年的數(shù)據(jù)保留。
2024-02-19 10:52:40191 
我們知道所有關(guān)于安全啟動的文檔都是基于 PSoC 62、63 或 64 的。
因?yàn)榘踩珕訖C(jī)制包括 M0+ 和 M4。
我們想知道如何使用 PSoC 61 進(jìn)行安全啟動。（\"PSoC
2024-01-30 07:51:21
賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元（訪問時間高達(dá)20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲元件相結(jié)合，可提供快速的異步讀寫訪問速度，并在其整個工作范圍內(nèi)具有20年的數(shù)據(jù)保留。
2024-01-09 10:54:28171 
已用這種模式成功驅(qū)動了一些psram，但是SRAM始終驅(qū)動不了。
SRAM驅(qū)動架構(gòu)
XMC復(fù)用模式讀時序，其中一個HCLK=4.16ns（240Mhz）
SRAM讀時序參數(shù)
SRAM讀時序圖
XMC
2024-01-04 10:46:19
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FT61EC2 數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-03 09:30:57
2 SRAM (Static Random Access Memory)是一種高速、隨機(jī)訪問的存儲器，它以其快速的讀寫操作和不需要刷新的特點(diǎn)而受到廣泛使用。本文將詳細(xì)介紹SRAM的讀寫電路設(shè)計(jì)
2023-12-18 11:22:39496 西門子 EDA的內(nèi)存技術(shù)專家Jongsin Yun說， SRAM 的微縮滯后于邏輯收縮，主要是由于最新技術(shù)中嚴(yán)格的設(shè)計(jì)規(guī)則。過去，我們對 SRAM 有單獨(dú)的設(shè)計(jì)規(guī)則，這使我們能夠比基于邏輯晶體管
2023-12-15 09:43:42175 SRAM是采用CMOS工藝的內(nèi)存。自CMOS發(fā)展早期以來，SRAM一直是開發(fā)和轉(zhuǎn)移到任何新式CMOS工藝制造的技術(shù)驅(qū)動力。
2023-12-06 11:15:31635 Ai-M61-32S開發(fā)環(huán)境搭建
2023-11-10 12:30:03479 
交流異步電機(jī)的異步是怎么來的？交流異步電動機(jī)的工作原理 異步電機(jī)的“異步”一詞來源于電機(jī)轉(zhuǎn)速與旋轉(zhuǎn)磁場的同步性不強(qiáng)。交流異步電動機(jī)是一種將電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能的設(shè)備，廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域，如工業(yè)、商業(yè)
2023-11-06 11:32:10863 孟晚舟稱將打造中國算力底座 華為All Intelligence啟動 AI火爆全球吸引了眾多的科技企業(yè)投身其中，在今日的華為全聯(lián)接大會 2023 上，華為副董事長、輪值董事長、CFO 孟晚舟稱將打造
2023-09-20 17:17:30665 使用MM32F3270 FSMC驅(qū)動SRAM
2023-09-18 16:29:50918 
讓一顆SRAM型FPGA在太空長期穩(wěn)定運(yùn)行的難度，就類似練成獨(dú)孤九劍的難度。
2023-08-15 10:36:081898 
SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對SRAM型FPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會遇到的問題及其影響。
2023-08-11 10:32:461086 
SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對SRAM型FPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會遇到的問題及其影響。
2023-08-11 10:30:451264 
想用IS62WV51216擴(kuò)充SRAM，使用了正點(diǎn)原子的mymalloc內(nèi)存管理，但是內(nèi)存初始化后一段時間就mymalloc分配地址失敗，發(fā)現(xiàn)是內(nèi)存狀態(tài)表全部不為0，換了一塊IS62WV5121還是一樣，有大佬知道可能是什么原因不
2023-08-07 08:28:34
本次操作的SRAM的型號是IS62WV51216，是高速，8M位靜態(tài)SRAM。它采用ISSI（Intergrated Silicon Solution, Inc）公司的高性能CMOS技術(shù)，按照512K個字（16）位進(jìn)行組織存儲單元。
2023-07-22 14:58:561092 
ISL68137-61P-EV1Z 用戶指南
2023-07-12 19:41:260 8430I-61 數(shù)據(jù)表
2023-07-11 19:24:460 8430-61 數(shù)據(jù)表
2023-07-11 18:44:070 ISL5X61EVAL1 評估板原理圖
2023-07-06 20:50:400 ISL5X61EVAL1 評估板布局
2023-07-06 20:49:410 9248-61 數(shù)據(jù)表
2023-06-27 19:26:190 賽普拉斯CY7C1041GN是一款高性能CMOS異步快速快速SRAM，由256K字16位組成。通過斷言芯片使能（CE）和寫入使能（WE）輸入LOW來執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入，同時在I/O0到I/O15上提供數(shù)據(jù)，在A0到A17引腳上提供地址。
2023-05-31 17:18:55388 UT61E_電原理圖 維修萬用表
2023-05-30 17:49:1013 技能H61主板圖紙免費(fèi)下載。
2023-05-29 09:30:3556 、電路中，何時采用同步或異步，取決于設(shè)計(jì)者，取決于當(dāng)前設(shè)計(jì)電路的需要。一般而言：高速邏輯應(yīng)該采用同步復(fù)位，低速邏輯可以采用異步復(fù)位；涉及人機(jī)交互的復(fù)位，適合異步復(fù)位；涉及機(jī)器之間的握手交互，應(yīng)該采用
2023-05-22 17:33:12
的 32 位 RISC-V CPU，最高主頻可達(dá) 320M，532KB SRAM，128KB ROM，4Kb eFuse；最大發(fā)射功率16-22dBm，靈敏度-98dBm，最高速率229.4 Mbps；該系列包括Ai-M61-01、Ai-M61-32S、Ai-M61-32SU三款模組。
2023-05-22 11:47:36752 
9248-61 數(shù)據(jù)表
2023-05-08 19:46:520 CH347 是一款高速 USB 總線轉(zhuǎn)接芯片，通過 USB 總線提供異步串口、I2C 同步串行接口、SPI 同 步串行接口和 JTAG 接口等。
在異步串口方式下，CH347 提供
2023-04-28 11:27:121774 
如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶手冊
2023-04-27 20:25:406 R1WV3216R 系列數(shù)據(jù)表
2023-04-27 19:49:000 EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴(kuò)SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 
我正在使用 S32k358 uC，我想禁用內(nèi)存區(qū)域的數(shù)據(jù)緩存。在框圖中，我看到樹形 SRAM 塊 SRAM0、SRAM1、SRAM2。是否可以禁用 SRAM2 的數(shù)據(jù)緩存并保留 SRAM 0 和 SRAM1 的數(shù)據(jù)緩存？
2023-04-23 08:01:09
R1WV6416R 數(shù)據(jù)表
2023-04-21 19:09:480 IMXRT1064 外部 SRAM - 同步和異步模式的 CLK 使用差異
2023-04-21 08:31:29
幾個問題。我應(yīng)該如何在同步 ADMUX SRAM 模式下配置這個接口，或者你能給我發(fā)個參考嗎？看了很多文檔，發(fā)現(xiàn)關(guān)于同步SRAM模式的參考資料幾乎沒有。我在看SDK(fsl_semc.h)的時候，發(fā)現(xiàn)
2023-04-17 06:55:21
我非常需要有關(guān) SRAM - SEMC 中異步模式工作邏輯的信息。我無法從 RM 獲得所需的相關(guān)信息。你能請口頭定義或文件嗎？只有下面的圖片能夠給我一些見解。 我只是想決定在我的場景中是應(yīng)該使用 SYNC 還是 ASYNC 模式。我需要更多信息才能做到這一點(diǎn)。
2023-04-07 13:28:31
IS61WV51216EEBLL-10TLI
2023-04-06 23:35:32
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
2023-04-06 16:51:33
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
2023-04-06 16:51:20
IC SRAM 16MBIT PAR 48MINIBGA
2023-04-06 16:50:18
IC SRAM 16MBIT PAR 48MINIBGA
2023-04-06 16:49:41
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
2023-04-06 16:13:28
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA
2023-04-06 16:00:52
128K x 16高速異步CMOS靜態(tài)RAM
2023-04-06 15:50:58
SRAM可以分為低速、中速、高速。===========================================================16位寬的SRAM//16BITSRAM指針
2023-04-06 15:13:03554 
IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA
2023-04-06 11:14:10
256K x 16帶3.3V電源的高速異步CMOS靜態(tài)RAM
2023-04-06 11:14:02
512K x 8高速異步CMOS靜態(tài)RAM
2023-04-06 11:14:01
PLUG AC INTERCHANGE ALL COUNTRY
2023-03-31 11:06:58
今天就帶你詳細(xì)了解一下到底什么是SRAM，在了解SRAM之前，有必要先說明一下RAM：RAM主要的作用就是存儲代碼和數(shù)據(jù)供CPU在需要的時候調(diào)用。
2023-03-30 14:11:51587 
CABLE FOR BOARD WV4ADCIF
2023-03-30 12:07:33
CABLE FOR BOARD WV4DACIF
2023-03-30 12:07:33
HDP-ALL-0004
2023-03-29 22:43:01
X2508WV-03-N0SN
2023-03-29 21:56:26
X2508WV-06-N0SN
2023-03-29 21:56:26
X9821WV-03-N0SN
2023-03-29 21:55:29
C6201WV-3P
2023-03-29 21:43:57
256K x 16高速異步CMOS靜態(tài)RAM BGA48_6X8MM
2023-03-29 21:21:52
256K x 16高速異步CMOS靜態(tài)RAM
2023-03-29 21:21:52
ISL68137-61P-EV1Z 用戶指南
2023-03-29 19:34:350 8430I-61 數(shù)據(jù)表
2023-03-29 19:00:041 X9396WV-07-N0SN
2023-03-29 17:28:57
CNJMA2008WV-3P
2023-03-29 16:24:23
SRAM - 異步 存儲器 IC 4Mb（256K x 16） 并聯(lián) 10 ns 44-TSOP II
2023-03-28 18:25:32
TSOP48_12X18.4MM 32 (2M x 16)MB
2023-03-28 18:25:31
1M x 16高速異步CMOS靜態(tài)RAM，帶3.3V電源 48TSOP I
2023-03-28 18:25:31
512K x 16帶3.3V電源的高速異步CMOS靜態(tài)RAM
2023-03-28 18:25:30
SRAM - 異步 存儲器 IC 8Mb（512K x 16） 并聯(lián) 10 ns 44-TSOP II
2023-03-28 18:25:30
NCEP40T20ALL
2023-03-28 18:07:38
CNJMA2008WV-4P
2023-03-28 18:07:22
A2100WV-03P2
2023-03-28 14:57:18
A2506WV-02P
2023-03-28 14:57:02
A2100WV-04P2
2023-03-28 14:57:01
CNJMA2004WV-4P
2023-03-28 14:45:53
高速DAP仿真器 BURNER
2023-03-28 13:06:20
高速無線調(diào)試器HSWLDBG BURNER 3.3,5
2023-03-28 13:06:20
我在LPC4357FET256的EMC上有一個外部SRAM，型號是IS61WV5128EDBLL-10TLI。寫完驅(qū)動調(diào)試的時候發(fā)現(xiàn)一個很奇怪的問題。如圖所示，我寫了一個功能驗(yàn)證程序。外部SRAM
2023-03-28 08:13:08
IC SRAM 32MBIT PAR 48MINIBGA
2023-03-27 13:30:52
IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TSOP I
2023-03-27 13:10:47
IC SRAM 16MBIT PAR 48MINIBGA
2023-03-27 13:06:59
IC SRAM 16MBIT PAR 48MINIBGA
2023-03-27 13:06:25
親愛的社區(qū)，我有幾個關(guān)于 SRAM ECC 的問題。1) SRAM 上的ECC 是否默認(rèn)啟用？哪些代碼使 SRAM 上的 ECC 啟用？2) 我試圖從 M7 內(nèi)核啟動 A53 內(nèi)核，所以我必須
2023-03-27 09:15:16
IC SRAM 32MBIT PAR 48MINIBGA
2023-03-25 04:01:34
IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TSOP I
2023-03-25 04:01:33
IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TSOP I
2023-03-25 04:01:32
8430-61 數(shù)據(jù)表
2023-03-24 19:27:230 IC SRAM 16MBIT PAR 48MINIBGA
2023-03-23 07:53:37
256K x 16高速異步CMOS靜態(tài)RAM，帶3.3V電源 44TSOP II
2023-03-23 04:56:20
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