我將一個數(shù)組定義在SRAM2中，另一個數(shù)組定義在CCM中，我可以利用memcpy這個函數(shù)來將SRAM2里的數(shù)據(jù)拷貝到CCM中嗎。
因為我看總線矩陣圖，CCM的D-BUS和SRAM2并無交集，是不是也就意味著這兩塊內(nèi)存互相無法進行交互呢？
2024-03-06 08:21:14
;Cypress USB2.0 Generic Driver\"
7、EEPROM的型號是：CAT24L128UI。
請問除了以上步驟，是否還有遺漏？為何固件無法從EEPROM中啟動？
2024-02-28 07:24:20
EEPROM和FLASH總體差異 ????部分MCU片內(nèi)不帶程序存儲器ROM，可執(zhí)行代碼只能放在外面的EEPROM、FLASH(外擴)中； ????單片機對于數(shù)據(jù)的處理和系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)采集，需要考慮
2024-02-27 08:37:26
106 
CYUSB3014-BZXC 的EEPROM無法使用IIC燒入固件，每次都是燒入失敗，使用的EEPROM 是24LC1025-I/SN，附件是我們的原理圖。
2024-02-23 07:53:38
AT28C256是一款由Atmel公司生產(chǎn)的256KB的EEPROM芯片，具有高速讀寫特性，適用于多種應(yīng)用場合，包括數(shù)據(jù)存儲、程序存儲、固件升級等。
2024-02-01 17:34:53517 你好，我現(xiàn)在用的是XMC7200D開發(fā)板，我發(fā)現(xiàn)用MODUS和KEILVSCODE選擇用JLINK均無法仿真，但可以正常下載和擦除程序。我的jlink驅(qū)動版本是V7.88.請問這個怎么解決呢? 工程我是用project creator生成的
2024-02-01 06:32:02
我們知道一般MCU的flash有等待周期，隨主頻提升需要插入flash讀取的等待周期，以stm32f103為例，主頻在72M時需要插入2個等待周期，故而代碼效率無法達到最大時鐘頻率。
2024-01-31 09:43:37284 
MIPI接口技術(shù)在圖像和視頻傳輸中的應(yīng)用越來越廣泛，應(yīng)用場景也在不斷拓展，而不僅限于移動設(shè)備。MIPI接口在物聯(lián)網(wǎng)、智能家居、智能監(jiān)控、智能電視、智能汽車等領(lǐng)域也得到廣泛應(yīng)用。
MIPI還可
2024-01-22 08:56:38
你好 tms570能夠直接跑在sram上嗎？
從flash加載程序1之后，程序1把程序2搬移到sram中，然后在sram中運行程序。TMS570支持這樣運行不？
2024-01-19 09:24:49
單片機為何需要Flash和EEPROM？它們有何作用？ 單片機是一種集成電路，具有處理器核心、內(nèi)存和外設(shè)等功能，通常用于嵌入式系統(tǒng)中。Flash和EEPROM則是單片機中常用的存儲器類型，它們具有
2024-01-18 11:43:40551 你好，我們在 XMC4200 的 EEPROM 仿真中遇到了問題。發(fā)現(xiàn)的問題------------------- 我們使用 DAVE? 應(yīng)用程序分配了 70 字節(jié)的內(nèi)存，但實際上，我們使用了 92
2024-01-18 09:25:14
使用nuc505的板子在IAR和MDK的環(huán)境下都只能在SRAM里進行仿真，無法下載到flash，貌似是你們提供的505的flashloader存在問題，可以用ICP tool下載！
2024-01-17 06:14:51
();
SYS_Init()；
SYS_LockReg();
/***********************************
利用data flash模擬EEPROM
2024-01-15 06:10:36
溫度傳感器是一種用于測量環(huán)境或物體的溫度的設(shè)備。根據(jù)不同的原理和應(yīng)用場合，溫度傳感器可以分為多種類型。下面將詳細介紹常見的幾種溫度傳感器的原理和應(yīng)用場合： 熱電偶傳感器（Thermocouple
2024-01-10 18:13:45583 ，STM32F103的Flash存儲器可以模擬EEPROM的功能，在本文中我們將詳細介紹如何使用STM32F103的Flash存儲器來實現(xiàn)EEPROM。 概述 EEPROM（Electrically
2024-01-09 11:21:36372 不同頻率晶振的應(yīng)用場合 晶振是一種利用晶體諧振特性產(chǎn)生穩(wěn)定頻率的振蕩器。不同頻率的晶振在現(xiàn)代科技中有著廣泛的應(yīng)用。本文將詳盡、詳實、細致地介紹不同頻率晶振的應(yīng)用場合。 1. 計算機與通信領(lǐng)域
2023-12-15 14:14:22233 如何選擇傳輸層協(xié)議？TCP和UDP的優(yōu)缺點和適用場合? 傳輸層協(xié)議是計算機網(wǎng)絡(luò)中的重要組成部分，它負責在主機之間傳輸數(shù)據(jù)。常見的傳輸層協(xié)議有TCP和UDP。選擇合適的傳輸層協(xié)議對于網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的性能
2023-12-11 11:42:56397 EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）和Flash Memory（閃存）是兩種常見的非易失性存儲器（NVM）技術(shù)，它們
2023-12-07 16:10:20516 您好：
關(guān)于AD9739A-FMC-EBZ-revc評估板，打開AD9739A-SPI的上位機軟件，軟件已經(jīng)識別評估板，但是軟件右方大多數(shù)寄存器返回值為FF，如下圖所示，請問怎么回事。利用ADF4350的上位機倒是可以成功配置ADF4350（頻譜儀觀察了4350輸出的時鐘信號）。
2023-12-07 06:02:14
Flash與EEPROM一次操作的數(shù)據(jù)大小不同。雖然MCU內(nèi)部的Flash和EEPROM一樣，可以實現(xiàn)按字節(jié)的讀寫，但是在寫入的時候，是必須要先按扇區(qū)擦除的，這里也可以說相當于是一次操作的數(shù)據(jù)大小不同。
2023-12-01 17:52:48305 
片式磁珠和片式電感的應(yīng)用場合? 片式磁珠和片式電感是現(xiàn)代微電子器件中常見的元器件，它們具有體積小、重量輕、功效高等特點，廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品、通信設(shè)備、醫(yī)療器械等領(lǐng)域。本文將從以下幾個方面詳細介紹片式
2023-11-30 15:07:52200 kk模組的具體應(yīng)用場合
2023-11-18 18:11:01309 
請教大神 電機熱保護 TH，TF以及KTY和PT100幾種方式以及應(yīng)用場合有啥不同？謝謝！
2023-11-07 07:07:38
可以肯定的是，這位主管知道他在說什么。此前，他曾在芯片制造商AMD從事銷售工作十多年。他目前的雇主 Tenstorrent 由AMD首席執(zhí)行官吉姆·凱勒 ( Jim Keller)領(lǐng)導(dǎo)，這位硬件傳奇人物開發(fā)了為iPhone 4 和 iPad 2 提供動力的蘋果A4 和 A5 處理器，并在 2016 年至 2018 年期間負責監(jiān)督特斯拉的Autopilot 硬件項目。
2023-11-03 17:31:051567 交流伺服系統(tǒng)的分類及應(yīng)用場合交流伺服系統(tǒng)按照電機類型的不同可以分為兩種：異步伺服系統(tǒng)和同步伺服系統(tǒng)。根據(jù)控制器的不同，交流伺服系統(tǒng)又可以分為模擬伺服系統(tǒng)和數(shù)字伺服系統(tǒng)。異步伺服系統(tǒng)：異步伺服系統(tǒng)
2023-11-03 08:07:41521 
單片機常有Flash，而不常有EEPROM原因
2023-10-24 15:38:36333 
如何查看MDK編譯后程序所占用的Flash和SRAM資源的大??？
另外在.s啟動文件中堆和棧的大小又該如何分配？
2023-10-24 07:25:10
在工業(yè)應(yīng)用中經(jīng)常使用EEPROM來存儲數(shù)據(jù)，為降低成本、節(jié)省PCB空間，外部EEPROM可以用片內(nèi)Flash加上特定的軟件算法代替。
2023-10-23 17:40:301009 
FLASH模擬EEPROM入門指南使用AT32 的片上FLASH 模擬EEPROM 功能。
2023-10-19 06:10:52
使用MCU Flash模擬EEPROM
2023-10-18 18:01:17383 jlink的主要使用場景，有沒有可以替代的非硬件方案？
2023-10-07 09:00:45
FSMC是STM32F1提供的一個靜態(tài)存儲控制器，是MCU用來擴展存儲器，可用來驅(qū)動SRAM、Nor Flash、NAND Flash。這里先簡單講解下這三種存儲器的應(yīng)用場合。
2023-09-27 14:33:491009 
GHz WLAN IEEE 802.11 b/g/n MAC/基帶/無線電和藍牙 5.2。 此外，它還集成了一個功率放大器（PA），可滿足大多數(shù)手持系統(tǒng)的輸出功率要求；一個低噪聲放大器（LNA
2023-09-23 09:08:01592 
被編程和電擦除，而且大多數(shù)的EEPROM可以被編程和電擦除，大多數(shù)串行EEPROM允許逐字節(jié)程序或擦除操作。與EEPROM相比，閃存具有更高的密度，這允許在芯片上實現(xiàn)
2023-09-22 08:19:23676 
被編程和電擦除，而且大多數(shù)的EEPROM可以被編程和電擦除，大多數(shù)串行EEPROM允許逐字節(jié)程序或擦除操作。與EEPROM相比，閃存具有更高的密度，這允許在芯片上實現(xiàn)更大的內(nèi)存陣列（扇區(qū)）。通過對每個單元施加時間控制的電壓來執(zhí)行閃存擦除和寫入周期。典型的Fl
2023-09-21 09:15:04783 在MCU的使用中，經(jīng)常遇到需要存儲參數(shù)或掉電保持數(shù)據(jù)等功能。其中，Flash和EEPROM是常見的非易失性存儲器
2023-09-21 09:14:39812 用途的優(yōu)化軟件包可以放松編程知識。為了有效地使用它們，仍有兩個方面需要解決。
有幾本關(guān)于優(yōu)化主題的優(yōu)秀書籍，其中有幾本是最近發(fā)行的。它們中的大多數(shù)都深入地涵蓋了這一主題，這是必要的，因為數(shù)學(xué)模型是非
2023-09-21 07:07:10
存儲區(qū)特性 內(nèi)置高達128K字節(jié)支持ECC的Flash 內(nèi)置高達 4K字節(jié)支持ECC的數(shù)據(jù)EEPROM Flash擦除次數(shù)10K次 存儲區(qū)包括主Flash / 數(shù)據(jù)EEPROM / 信息塊 訪問時間
2023-09-13 08:13:14
引言：串行Nor Flash是一類使用比較多的存儲器件，在特殊應(yīng)用場景中具有不可替代的地位，本節(jié)是數(shù)字存儲器件系列第一節(jié)，介紹串行Nor Flash的結(jié)構(gòu)和參數(shù)特性。
2023-09-05 10:09:341666 
本文檔中記錄的勘誤表分為三個嚴重級別：第一類行為無法解決，并且嚴格限制產(chǎn)品在所有或大多數(shù)應(yīng)用程序中的使用，導(dǎo)致設(shè)備不可用。
第二類行為違反指定的行為，可能會限制或嚴重損害指定功能的預(yù)期用途，但不
2023-09-05 06:41:34
應(yīng)用程序: 此示例代碼使用 M032 在 SRAM 中運行 ISR 。
BSP 版本: M031_Series_BSP_CMSIS_V3.03.000
硬件: NuMaker-M032SE
2023-08-31 09:21:19
本文檔中記錄的勘誤表分為三個嚴重級別：第一類行為無法解決，并且嚴格限制產(chǎn)品在所有或大多數(shù)應(yīng)用程序中的使用，導(dǎo)致設(shè)備不可用。
第二類行為違反指定的行為，可能會限制或嚴重損害指定功能的預(yù)期用途，但不
2023-08-22 08:25:29
本文檔中記錄的勘誤表分為三個嚴重級別：
無法解決的第一類行為，嚴重限制產(chǎn)品在所有或大多數(shù)應(yīng)用程序中的使用，使設(shè)備無法使用。
第二類行為違反指定的行為，可能會限制或嚴重損害指定功能的預(yù)期用途，但不
2023-08-22 06:19:17
();
SYS_Init()；
SYS_LockReg();
/***********************************
利用data flash模擬EEPROM
2023-08-21 06:52:57
所以，在大多數(shù)場合中，用“開關(guān)量”來控制一個物理量，就顯得比較簡單粗暴了。有時候，是無法保持穩(wěn)定的。因為單片機、傳感器不是無限快的，采集、控制需要時間。
2023-08-11 16:29:14332 
引言：串行Nor Flash是一類使用比較多的存儲器件，在特殊應(yīng)用場景中具有不可替代的地位，本節(jié)是數(shù)字存儲器件系列第一節(jié)，介紹串行Nor Flash的結(jié)構(gòu)和參數(shù)特性。
2023-08-11 15:44:221074 
最開始參加工作的時候，經(jīng)常聽到有需求說XX參數(shù)存到EEPROM，XX事件保存在FLASH中，當時只是覺得這兩個東西都是可以用來存數(shù)據(jù)，應(yīng)該大差不差。那真是這樣么？這篇就來說說EEPROM和FLASH的那些事。
2023-08-10 11:15:03598 
大多數(shù)場合都是熱敏電阻進行測溫，但其實二極管也能測溫，正如之前我的發(fā)的，但具體怎么進行測溫呢？
2023-08-02 11:19:581439 
以前做項目，有時用Flash，有時用EEPROM，搞得我有點懵逼。
2023-07-27 12:24:241067 
大多數(shù)5G隨身WiFi商家，所吹捧的宣傳點，基本和網(wǎng)速快慢及穩(wěn)定性完全不相關(guān)。我們以電商平臺上，隨機4款5G隨身WiFi產(chǎn)品詳情為例。
2023-07-19 15:29:55765 
在本文中，單片機開發(fā)工程師將FLASH和EEPROM兩者之間的關(guān)系以及背景進行了比較。
2023-07-10 10:57:582933 非易失性存儲元件有很多種，如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH，前兩者已經(jīng)基本被淘汰了，因此我僅關(guān)注后兩者
2023-06-29 09:06:051887 
();
SYS_Init()；
SYS_LockReg();
/***********************************
利用data flash模擬EEPROM
2023-06-28 07:26:33
Function: N76E003 APROM program DATAFLASH as EEPROM way
2023-06-25 08:21:22
本應(yīng)用筆記描述了一種通過使用 APM32 器件的片上閃存模擬 EEPROM 機制來替代 EEPROM 的軟件解決方案。
2023-06-21 15:25:59
0 代碼行中的先后順序，FLASH的保存地址操作但還是不行。
總的代碼量在25KB，MM32F002flash空間為32KB。
#include \"hal_conf.h\"
2023-06-16 10:56:43
1. IAR 調(diào)試NUC505時，感覺代碼是在 SRAM中運行，那么IAR如何將代碼下載到片內(nèi)的 SPI Flash中？
2. ICP 可以將 代碼下載到片內(nèi)的 SPI Flash中?
3. 將
2023-06-16 08:18:54
data flash當eeprom用時keil配置好data flash，編譯的文件使用keil 在線下載能保存數(shù)據(jù)，但是使用燒錄工具下載時掉電后數(shù)據(jù)不能保存
1、如何設(shè)置data flash
2023-06-13 07:48:11
();
SYS_Init()；
SYS_LockReg();
/***********************************
利用data flash模擬EEPROM
2023-06-13 07:00:08
高精度電壓源是一種能夠提供恒定、穩(wěn)定電壓輸出的設(shè)備，被廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域。高精度電壓源是現(xiàn)代電力、通信、控制等領(lǐng)域中重要的測試儀器之一，其主要功能是提供穩(wěn)定可靠的直流或交流電源，并具有高精度和高分辨率的特點。在實際應(yīng)用中，高精度電壓源的應(yīng)用場合非常廣泛，以下將對其主要應(yīng)用場合進行詳細介紹。
2023-06-12 09:15:55516 
PCB多層電路板為什么大多數(shù)是偶數(shù)層
PCB線路板有單面、雙面和多層的，其中多層板的層數(shù)不限，目前已經(jīng)有超過100層的PCB，而常見的多層PCB是四層和六層板。那為何PCB多層板為什么都是偶數(shù)層
2023-06-05 14:37:25
************************************************* *************************************
* 詳細說明：
* 這個例子的目的是展示如何保存數(shù)據(jù)在 SRAM 存儲器中通過
2023-06-05 09:47:48
_sdram_xip -DBOARD=hpm6750evkmini ..
$ make flash
三、在 SDRAM 中調(diào)試
1）先編譯
$ cd hello_world/build
$ cmake
2023-05-26 07:39:23
我寫了一些實用函數(shù)來管理 ESP 上 EEPROM 中的數(shù)據(jù)。我現(xiàn)在將它重組為一個庫，以便我可以在其他項目中方便地使用它。我想把它貼在github上。我看到有一個區(qū)域“ESP8266 社區(qū)論壇”是放置它的好地方。
我可以在該區(qū)域創(chuàng)建項目嗎？如果是這樣，如何？
2023-05-22 10:21:37
flash的擦除次數(shù)是nor的數(shù)倍。而且nand flash可以標記壞塊，從而使軟件跳過壞塊。nor flash 一旦損壞便無法再用。
因為nor flash可以進行字節(jié)尋址，所以程序可以在nor
2023-05-19 15:59:37
請注意，在些特定應(yīng)用場合， 人們使用這此相同的元器件進行了許業(yè)其他的組合。大多數(shù)已通過實踐證明實用性不強，但在這里有兩個拓撲值得一提。
2023-05-17 09:16:25304 
PY32F030單片機的存儲器方面同樣表現(xiàn)出色。16 ~ 64Kbytes flash 存儲器 2 ~ 8Kbytes SRAM ，足以滿足大多數(shù)應(yīng)用的需求。
2023-05-16 15:16:441385 
我想在工作中將ESP庫安裝到arduino IDE中。我有代理限制，我無法通過 IDE 中的庫管理器下載它。
但我可以下載任何我想要的東西。只有大多數(shù)程序有限制。
我不想將它下載回家并進行便攜式安裝。
2023-05-08 07:44:14
在大多數(shù)情況下，我無法讓 LPSPI 在 RT1024 上正常工作。
2023-05-06 06:06:13
我們正在使用 iMXRT1176。我們的要求是使用片上SRAM和QSPI flash。
我們在 SDK 中使用 sd_jpeg 示例并且它運行完美。
給出了兩個 icf 文件：
1) 內(nèi)存
2023-05-05 06:38:08
什么是“閃存驅(qū)動程序”“閃存驅(qū)動程序（實際閃存算法）是執(zhí)行閃存功能的硬件相關(guān)代碼。在大多數(shù)情況下，不可能從閃存編程閃存。因此閃存驅(qū)動程序被下載并執(zhí)行到 RAM 中以允許對應(yīng)用程序進行編程。將閃存算法
2023-04-14 08:46:14
你好 我們面臨以下問題，程序未從 Flash 中執(zhí)行，在鏈接器腳本中更改什么以解決此問題 arm-none-eabi-gcc -nostdlib -Xlinker -Map="
2023-04-11 06:04:20
。根據(jù)閃存的類型，閃存的使用壽命會縮短，大多數(shù)閃存產(chǎn)品在磨損開始惡化存儲完整性之前，能夠承受大約10000至1000000次擦除/寫入循環(huán)。就大小和成本而言，閃存具有比EEPROM更小的存儲單元尺寸，并且實現(xiàn)成本更低。原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:42:42
嗨恩智浦專家，我知道 MIMXRT1xxx 能夠在 ITCM 中運行 hello_world 但是 MIMXRT595 中沒有 ITCM 只有 SRAM。MIMXRT595-EVK是否可以在SRAM中運行hello_world zephyr示例？
2023-03-30 06:38:30
我將 MCUXpresso v11.6 FreeRTOS 項目中的向量表重新定位到 0x8000（通過 MCU 設(shè)置），以便稍后添加引導(dǎo)加載程序。然而，我現(xiàn)在無法調(diào)試這個項目——它抱怨它無法在
2023-03-30 06:28:42
的信息。我發(fā)現(xiàn)同樣不支持電機控制塊中的大多數(shù)電機控制塊，例如 CTU、FlexPWM、eTimer 塊。是否有任何新版本的 mbdt 可以使用這些塊？
2023-03-29 09:02:48
的 EEPROM 數(shù)據(jù)？我試過可用的代碼，但我無法在 D 閃存中寫入數(shù)據(jù)。請幫助我。我在用著，IDE：S32 ARM 設(shè)計工作室版本：2.2
2023-03-28 08:28:20
升壓輸入電壓的電源解決方案。此外，大多數(shù)系統(tǒng)需要在多個輸出電壓軌之間進行特定的上電排序，以確保一致和可靠的系統(tǒng)初始化。
2023-03-27 11:50:33446 
知道在哪里可以找到 LPCXpresso54S018 的 EEPROM 讀/寫示例？通常存儲代碼的 BOARD_FLASH 是否被視為 EEPROM 或其他？
2023-03-24 08:34:23
，但對于直接調(diào)用，我發(fā)現(xiàn)其中一個調(diào)用似乎被跳過了。 當我一次單步執(zhí)行一條指令時，我可以看到鏈接器創(chuàng)建的中間代碼。就像我說的，在大多數(shù)情況下它們都有效，但我注意到其中一個不會分支到單板。以下是說明
2023-03-23 07:29:06
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論