電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有過(guò)壓保護(hù)和阻斷場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET) 控制的5V/12V 電子熔絲(eFuse) 數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-14 11:19:42
0 M3芯片的晶體管數(shù)量根據(jù)不同的版本有所差異。具體來(lái)說(shuō)，標(biāo)準(zhǔn)版的M3芯片擁有250億個(gè)晶體管，這一數(shù)量相比前代產(chǎn)品M2有了顯著的提升，使得M3芯片在性能上有了更出色的表現(xiàn)。
2024-03-08 15:43:49
190 電力晶體管（Giant Transistor——GTR），是一種耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有時(shí)也稱為Power BJT。但其驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，驅(qū)動(dòng)功率大。
2024-03-07 17:06:38962 
串接NPN型晶體管的情況。晶體管基極要求注入電流，產(chǎn)生電流的電壓必須高于（Vo+Vbe），約為（Vo+1）。若基極串接一個(gè)電阻，則電阻輸入端電壓必須高于（Vo+1）以使電流流過(guò)。而最經(jīng)濟(jì)易行的方法
2024-03-06 20:49:11
MHz。QPA3333提供優(yōu)異的線性度和高超的回波損耗性能指標(biāo)，并且具有低噪音和最佳安全可靠性。QPA3333的直流電流能夠從外部進(jìn)行調(diào)整，通過(guò)在較寬的輸出電平范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)最理想的失幀性能和功能損耗。特征
2024-03-04 14:44:22
達(dá)林頓晶體管（Darlington Transistor）也稱為達(dá)林頓對(duì)（Darlington Pair），是由兩個(gè)或更多個(gè)雙極性晶體管（或其他類似的集成電路或分立元件）組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。通過(guò)這種結(jié)構(gòu)，第一個(gè)雙極性晶體管放大的電流可以進(jìn)一步被放大，從而提供比其中任意一個(gè)雙極性晶體管高得多的電流增益。
2024-02-27 15:50:53512 
雙極性晶體管是利用兩種離子導(dǎo)電，空穴和自由電子，但是對(duì)于一個(gè)實(shí)際存在的系統(tǒng)，其整體上是呈現(xiàn)電中性的，當(dāng)其中的電子或者空穴移動(dòng)形成電流時(shí)，與之對(duì)應(yīng)的空穴或者電子為什么不會(huì)一起隨著移動(dòng)？
這個(gè)問(wèn)題困擾
2024-02-21 21:39:24
晶體管測(cè)試儀是一種專門用于測(cè)試晶體管的電子設(shè)備，也被稱為晶體管特性圖示儀。其主要工作原理是利用測(cè)試電路對(duì)晶體管的各個(gè)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量，從而評(píng)估晶體管的質(zhì)量、性能和可靠性等方面的指標(biāo)。
2024-02-12 14:17:00496 
在普通的晶體管中，電流由電子與空穴搬運(yùn)，其“具有兩種極性”，所以被稱為雙極性晶體管。與此相比，N溝道FET是由電子來(lái)搬運(yùn)電流的，P溝道FET是由空穴來(lái)搬運(yùn)電流的，因此也稱之為單極晶體管。
2024-02-05 16:31:36667 
晶體管偏置電阻的計(jì)算主要是為了確定適當(dāng)?shù)幕鶚O電流以確保晶體管正常工作和線性放大。
2024-02-05 15:06:28313 
晶體管的偏置是指為了使晶體管正常工作，需要給晶體管的基極或發(fā)射極加上適當(dāng)?shù)碾妷?，從而?b class="flag-6" style="color: red">晶體管的工作點(diǎn)處于穩(wěn)定的狀態(tài)。
2024-02-05 15:00:43368 
晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過(guò)每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
推挽和互補(bǔ)放大電路的區(qū)別是什么？在晶體管的不同，BTJ和FET的不同？例如在NPN和PNP電路中，上級(jí)電路的輸入共同作用加在兩個(gè)基極之間？假設(shè)是高電平，為什么上面晶體管導(dǎo)通，下面晶體管不導(dǎo)通？當(dāng)下
2024-01-25 22:28:59
我在切換晶體管時(shí)遇到了一個(gè)問(wèn)題。我正在嘗試讓 LED 通過(guò)晶體管閃爍。當(dāng)我從評(píng)估板（即 MSP-EXP430G2ET）獲取電源 （3.3V） 時(shí)，該程序有效。但是當(dāng)我使用外部電源 （8.33V） 為
2024-01-22 06:00:31
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請(qǐng)問(wèn)對(duì)于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時(shí)候該如何分析？按照我的理解，在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時(shí)，如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨(dú)立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的具有負(fù)阻特性的器件一單結(jié)晶體管，請(qǐng)問(wèn)這個(gè)單結(jié)晶體管是什么？能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶體管在基極和集電極之間并聯(lián)電容有什么作用？是為了米勒電容嗎、？但是米勒電容對(duì)三極管的開(kāi)通有害的時(shí)候，為什么還要并聯(lián)電容？電容不是越并越大，加大了等效米勒電容？
2024-01-19 22:39:57
晶體管是一種三端半導(dǎo)體器件，用于開(kāi)關(guān)或放大信號(hào)。其輸入端的小電流或電壓可用于控制非常高的輸出電壓或電流。
2024-01-19 10:07:271171 
相比較，GaN具有更加優(yōu)異的性能；包含更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)；更高的飽和電子漂移效率和更高的導(dǎo)熱系數(shù)。與GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷
2024-01-19 09:27:13
晶體管也就是俗稱三極管，其本質(zhì)是一個(gè)電流放大器，通過(guò)基射極電流控制集射極電流。
1、當(dāng)基射極電流很小可以忽略不計(jì)時(shí)，此時(shí)晶體管基本沒(méi)有對(duì)基射極電流的放大作用，此時(shí)可以認(rèn)為晶體管處在關(guān)斷狀態(tài)
2、當(dāng)基
2024-01-18 16:34:45
的正負(fù)極短接，此時(shí)的輸出電阻是不是等于源極電阻和源漏導(dǎo)通電阻？
在求解輸入輸出電阻的問(wèn)題上，為什么要將供電電源的正負(fù)極短接？這個(gè)問(wèn)題困惑已久，尤其是在含有晶體管這種分立器件或者含有運(yùn)方放的電路上。
2024-01-15 18:06:15
如何去識(shí)別IGBT絕緣柵雙極型晶體管呢？ IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了雙極型晶體管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）的特點(diǎn)。IGBT通常用于高電壓和高電流應(yīng)用，例如工業(yè)
2024-01-12 11:18:10350 對(duì)于一個(gè)含有晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管，運(yùn)放的電路，該如何求解他的輸入電阻和輸出電阻，舉例而言，在含有晶體管的電路射極跟隨器中，求解輸出電阻時(shí)，為什么要考慮基極的電阻和偏置電路的電阻，此時(shí)不應(yīng)該在基極是二極管
2024-01-10 17:17:56
與作為電流控制器件的雙極晶體管不同，場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制的。這使得FET電路的設(shè)計(jì)方式與雙極晶體管電路的設(shè)計(jì)方式大不相同。
2024-01-09 15:38:40373 晶體管是一種半導(dǎo)體器件，它具有放大和開(kāi)關(guān)功能。在電子電路中，晶體管的應(yīng)用非常廣泛，可以說(shuō)是現(xiàn)代電子設(shè)備的核心元件之一。晶體管的工作狀態(tài)主要有三種：截止?fàn)顟B(tài)、放大狀態(tài)和飽和狀態(tài)。下面我們來(lái)詳細(xì)了解一下
2024-01-03 15:08:26690 
CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。具備前所未有的輸入，能夠在DC-2.0GHz范圍之內(nèi)提供最好的的瞬時(shí)寬帶性能。與硅或砷化鎵相比較，CGHV40180具有更加優(yōu)異
2024-01-02 12:05:47
IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點(diǎn)下表現(xiàn)出近乎兩倍的性能提升。這一成就預(yù)計(jì)將帶來(lái)多項(xiàng)技術(shù)進(jìn)步，并可能為納米片晶體管取代 FinFET 鋪平道路。更令人興奮的是，它可能會(huì)導(dǎo)致更強(qiáng)大的芯片類別的開(kāi)發(fā)。
2023-12-26 10:12:55199 ，GaN具有更好的性能；包括更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)；更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。與GaAs晶體管相比，GaN HEMT還具有更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96130F使用金屬/陶瓷法蘭封裝可以實(shí)現(xiàn)
2023-12-13 10:10:57
之一，它對(duì)FET的工作狀態(tài)和性能有著直接影響。本文將詳細(xì)介紹場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極電流的概念、計(jì)算方法以及其在不同工作狀況下的特點(diǎn)和影響。 一、場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極電流的概念 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)由源極、漏極和柵極組成。當(dāng)FET處于工作狀態(tài)時(shí)，柵極電流即為通過(guò)柵極電極
2023-12-08 10:27:08655 晶體管的工作原理就像電子開(kāi)關(guān)，它可以打開(kāi)和關(guān)閉電流。一個(gè)簡(jiǎn)單的思考方法就是把晶體管看作沒(méi)有任何動(dòng)作部件的開(kāi)關(guān)，晶體管類似于繼電器，因?yàn)槟憧梢杂盟鼇?lái)打開(kāi)或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開(kāi)，這對(duì)于放大器的設(shè)計(jì)很有用。
2023-11-29 16:54:55182 
晶體管作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心組件之一，尤其是雙極結(jié)型晶體管（BJT），在眾多應(yīng)用中扮演著開(kāi)關(guān)的重要角色。這篇文章將深入探討如何在共射極配置下使用NPN型BJT晶體管作為開(kāi)關(guān)，并闡明其在切斷區(qū)和飽和區(qū)的工作原理。
2023-11-28 11:15:58337 
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
我在進(jìn)行AD8138ARM的熱仿真，datasheet中只有結(jié)到環(huán)境的熱阻JA的數(shù)據(jù)，我需要結(jié)到外殼的熱阻Jc的數(shù)據(jù)，還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數(shù)目是多少？
2023-11-21 06:54:43
如何避免晶體管損壞？ 晶體管是半導(dǎo)體器件的一種，應(yīng)用廣泛，可以在計(jì)算機(jī)、電視、手機(jī)等各種設(shè)備中使用。晶體管工作時(shí)非常穩(wěn)定，但是如果不注意使用、維護(hù)，很容易損壞。下面為您介紹幾種避免晶體管損壞的方法
2023-10-31 10:37:46382 晶體管和FET給人的印象是具有信號(hào)放大的功能，即當(dāng)輸入信號(hào)通過(guò)晶體管或者FET后，輸出信號(hào)被直接放大。
2023-10-21 10:23:07598 
微型自感應(yīng)晶體管恒溫器使用單個(gè)晶體管（BJT或FET）作為溫度傳感器和穩(wěn)定加熱器。這些晶體管恒溫器（如果設(shè)計(jì)良好）是一種有效、高效且廉價(jià)的方法，可以保持單個(gè)組件（傳感器、精密參考、振蕩器等）的恒定
2023-10-12 16:23:161309 
專業(yè)圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
晶體管是通常用于放大器或電控開(kāi)關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運(yùn)行的基本構(gòu)件。
2023-09-27 10:59:402330 
為什么晶體管有高低頻的特性？? 晶體管是一種半導(dǎo)體器件，起到了控制電流的作用。在電子設(shè)備中，晶體管是一種非常重要的元件，廣泛應(yīng)用于各種電路中。晶體管的特性非常復(fù)雜，包括高低頻的特性。 晶體管的高低
2023-09-20 16:43:22635 這些基于簡(jiǎn)單放大器的晶體管 3W / 8 歐姆非常小，非常易于攜帶，可在 4V 至 9V 之間的單電源下工作。它基于普通晶體管的使用，能夠提供一些低瓦數(shù)。
2023-08-29 15:31:40466 
晶體管輸出和繼電器輸出的優(yōu)缺點(diǎn) 晶體管輸出和繼電器輸出是兩種常見(jiàn)的輸出方式，它們都有它們自己的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。在不同的電路方案中，選擇適當(dāng)?shù)妮敵龇绞娇蓭椭娐?b class="flag-6" style="color: red">性能更好的實(shí)現(xiàn)。 一、晶體管輸出 晶體管輸出
2023-08-25 15:35:251857 晶體管的三種基本接法是什么 晶體管是一種半導(dǎo)體器件，是現(xiàn)代電子技術(shù)中的重要組成部分，可用于放大、開(kāi)關(guān)和穩(wěn)壓等電路。晶體管的三種基本接法是共射極、共集電極和共基極。下面將詳細(xì)介紹這三種接法
2023-08-25 15:35:173144 晶體管的工作原理介紹? 晶體管是一種電子器件，它是現(xiàn)代電子設(shè)備的基礎(chǔ)，如計(jì)算機(jī)、手機(jī)、電視等。晶體管是一個(gè)半導(dǎo)體器件，它可以放大或開(kāi)關(guān)電流信號(hào)。晶體管的工作原理是由三個(gè)不同類型的材料組成：N型半導(dǎo)體
2023-08-25 15:35:141795 晶體管的三種工作狀態(tài)是什么 晶體管，又稱為晶體管放大器，是一種電子器件，它可以放大電流或?qū)﹄娏鬟M(jìn)行開(kāi)關(guān)控制。晶體管作為現(xiàn)代電子設(shè)備的重要組成部分，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)、電子游戲機(jī)、音頻和視頻
2023-08-25 15:29:424364 晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備中至關(guān)重要的組件，而芯片則是晶體管的集成。晶體管是一種用于控制電流的電子器件，它是由半導(dǎo)體材料制成的。晶體管的發(fā)明和發(fā)展對(duì)現(xiàn)代科技的進(jìn)步起到了重要的推動(dòng)作用。
2023-08-04 09:45:301076 區(qū)域組成：柵極、源極和漏極。與雙極晶體管不同，FET 是電壓控制器件。柵極處的電壓控制電流從晶體管的源極流向漏極。場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有非常高的輸入阻抗，從幾兆歐 (MΩ) 到更大的電阻值。
這種高輸入阻抗
2023-08-02 12:26:53
該2通道混音器電路基于2n3904晶體管，該晶體管形成2個(gè)前置放大器。2通道混音器電路的第一個(gè)前置放大器具有高增益，可用于麥克風(fēng)輸入，第二個(gè)前置放大器可用于控制音頻電平的輸入。
這種雙通道
2023-08-01 17:19:21
在半導(dǎo)體行業(yè)的最初幾十年里，新的工藝節(jié)點(diǎn)只需縮小晶體管的物理尺寸并將更多晶體管塞到芯片上即可實(shí)現(xiàn)性能、功耗和面積增益，這稱為經(jīng)典縮放。集成電路工作得更好，因?yàn)殡娦盘?hào)在每個(gè)晶體管之間傳播的距離更短。
2023-07-16 15:47:43413 “晶體管”現(xiàn)在可以分為多種類型，每種類型具有不同的功能和結(jié)構(gòu)，例如FET、MOS FET、CMOS等也是廣義上的晶體管。當(dāng)然，它仍然是有源的，主要用于電壓/信號(hào)放大和開(kāi)關(guān)控制。在本文中，工程師將解釋這種雙極晶體管是什么，以及它的原理、機(jī)制和特點(diǎn)。
2023-07-07 10:14:492344 達(dá)林頓晶體管是一種眾所周知且流行的連接，使用一對(duì)雙極晶體管結(jié)型晶體管（BJT），設(shè)計(jì)用于像統(tǒng)一的“超β”晶體管一樣工作。下圖顯示了連接的詳細(xì)信息。
2023-06-29 10:06:49747 
潤(rùn)新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 產(chǎn)品特點(diǎn)： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34686 如圖所示的迷你鎖存電路使用幾個(gè)晶體管，在需要鎖存繼電器以響應(yīng)瞬時(shí)觸發(fā)的應(yīng)用中非常有用。在這里，當(dāng)在輸入端施加瞬時(shí)正觸發(fā)時(shí)，晶體管與繼電器一起補(bǔ)充和傳導(dǎo)。同時(shí)，反饋電壓通過(guò)R3到達(dá)T1的基極，即使
2023-06-10 17:50:001378 
微波晶體管按功能分類可分為微波低噪聲晶體管和微波大功率晶體管，低噪聲晶體管和大功率晶體管被用于設(shè)計(jì)低噪聲放大器和功率放大器。
2023-06-09 10:59:271639 
功能。 晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流，與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)不同，晶體管利用電信號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合，所以開(kāi)關(guān)速度可以非常快，實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。 晶體管是一種半導(dǎo)體器件，晶體管是
2023-05-30 15:32:362178 我正在尋找摩托羅拉收音機(jī) VHF 射頻末級(jí)中使用的這些舊射頻晶體管的數(shù)據(jù)表，有人可以幫我嗎？
2023-05-30 07:40:02
數(shù)字晶體管因集電極電流和連接至基極的電阻的不同而分為不同類型。數(shù)字晶體管的選擇方法和確定使用普通晶體管作為開(kāi)關(guān)時(shí)連接到基極的電阻的方法相同。
2023-05-29 16:40:45281 由于數(shù)字晶體管具有靈活的輸入/輸出控制特性，它一般用于電場(chǎng)效應(yīng)管（FET）和Insulated Gate Field Effect （IGBT）史v實(shí)現(xiàn)電路的轉(zhuǎn)換作用：它可以對(duì)丕鳳信號(hào)輸入有丕鳳的反饋;進(jìn)而控制或IGBT的開(kāi)關(guān)。
2023-05-29 16:09:31496 
FET是Field effect transistor的縮寫，稱為場(chǎng)效應(yīng)管。它是晶體管的一種，也被稱為單極晶體管。另一種晶體管是我們常說(shuō)的雙極晶體管。它們的工作原理完全不同。
2023-05-25 17:27:362960 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電場(chǎng)效應(yīng)的三極管。與普通的三極管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管的控制電流非常小，因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)。
2023-05-17 15:15:374158 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種利用控制輸入電路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出電路電流的半導(dǎo)體器件，并以此命名。因?yàn)樗灰揽堪雽?dǎo)體中的多數(shù)載流子來(lái)導(dǎo)電，所以又稱為單極晶體管。場(chǎng)效應(yīng)晶體管英文是Field Effect Transistor，縮寫為FET。
2023-05-16 15:02:23693 晶體管是什么器件 晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。 1947年12月16日,威廉·肖克利
2023-05-16 11:12:59832 晶體管是什么 晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。 1947年12月16日,威廉·肖克利
2023-05-16 11:06:201131 嗨，
我正在嘗試使用 2N7000 晶體管切換一些 12v 設(shè)備。整個(gè)電路工作正常，但我的 ESP 變得非常熱（超過(guò) 50 C）。目前我在 GPIO 和 GND 之間只有下拉電阻。但是，我認(rèn)為熱量
2023-04-28 06:59:43
單結(jié)晶體管隨著電容的充電放電是如何形成自激振蕩脈沖的？
2023-04-26 15:07:51
差分放大電路輸入共模信號(hào)時(shí)
為什么說(shuō)RE對(duì)每個(gè)晶體管的共模信號(hào)有2RE的負(fù)反饋效果
這里說(shuō)的每個(gè)晶體管的共模信號(hào)是指什么信號(hào) 是指輸入信號(hào) 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負(fù)的反饋
2023-04-25 16:15:31
雙極結(jié)晶體管電路輸入振幅變大為什么會(huì)導(dǎo)致失真呢？是什么原因呢？
2023-04-21 16:13:13
我正在尋找零件號(hào)“PCAL6408ABSHP”中有關(guān)工藝節(jié)點(diǎn)和晶體管數(shù)量的信息。NXP 網(wǎng)站上是否有一個(gè)位置可以找到 NXP 部件號(hào)的此類信息？
2023-04-19 09:27:44
西門子S7-200電源怎么看是繼電器輸出還是晶體管輸出呢？
2023-04-18 10:08:03
西門子CPUSR30可以增加晶體管擴(kuò)展模塊控制步進(jìn)電機(jī)嗎？
2023-04-17 14:13:13
這是一個(gè)非常簡(jiǎn)單的三晶體管音頻放大器電路，可以為8Ohm揚(yáng)聲器提供250mW的功率?；パa(bǔ)晶體管BC337和BC227（Q3和Q2）用作輸出對(duì)。晶體管Q1（BC 547）充當(dāng)前置放大器。POT R5
2023-04-02 14:57:122533 
這是基于音頻前置放大器的電路，具有非常低的噪聲。該電路使用一個(gè)FET和一個(gè)BJT。要放大的音頻信號(hào)使用電容C1和電阻R3耦合到FET Q1的基極。晶體管Q2的基極耦合到FET Q1的漏極。晶體管Q2
2023-04-02 14:56:17683 
采用晶體管互補(bǔ)對(duì)稱輸出時(shí)，兩管基極之間有電容相連，為什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
請(qǐng)問(wèn)BJT工藝的線性穩(wěn)壓源為什么多是PNP型晶體管呢？
2023-03-31 11:56:49
有沒(méi)有負(fù)觸發(fā)導(dǎo)通正的晶體管呢？哪位大神知道請(qǐng)賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
我在設(shè)計(jì) PCB 時(shí)犯了一個(gè)錯(cuò)誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了?！罢！狈绞绞怯?1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個(gè)晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號(hào)與此圖像相關(guān)：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉(zhuǎn)，但我想知道我是否可以正確使用一個(gè)。
2023-03-28 06:37:56
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