我將一個數組定義在SRAM2中，另一個數組定義在CCM中，我可以利用memcpy這個函數來將SRAM2里的數據拷貝到CCM中嗎。
因為我看總線矩陣圖，CCM的D-BUS和SRAM2并無交集，是不是也就意味著這兩塊內存互相無法進行交互呢？
2024-03-06 08:21:14
如下圖所示，GD32F4系列內部SRAM分為通用SRAM空間和TCMSRAM空間，其中通用SRAM為從0x20000000開始的空間，TCMSRAM為從0x10000000開始的64KB空間。大家
2024-02-24 09:43:16
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你好 tms570能夠直接跑在sram上嗎？
從flash加載程序1之后，程序1把程序2搬移到sram中，然后在sram中運行程序。TMS570支持這樣運行不？
2024-01-19 09:24:49
您能告訴我 PSoC? 4中SRAM陣列的數據保持電壓嗎？
我想知道在 VDD 電源電壓下降或上升時 SRAM 可以保留數據的最小電壓。
MPN： PSoC? 4100S Max/CY8C4148AZI-S555
2024-01-19 06:08:12
要求14bit的ADC就要有14bit的有效位，但即便是1mv的底噪，也把有效位吃掉了4bit。
我覺得我這樣理解問題可能有誤區(qū)，但又不太清楚問題出在哪里，或許板子的底噪根本不需要1mv這么小，就可以解決問題。
2024-01-09 07:45:19
已用這種模式成功驅動了一些psram，但是SRAM始終驅動不了。
SRAM驅動架構
XMC復用模式讀時序，其中一個HCLK=4.16ns（240Mhz）
SRAM讀時序參數
SRAM讀時序圖
XMC
2024-01-04 10:46:19
LTC6812這款芯片是否必須有控制芯片與它進行通訊才能使能它的被動均壓功能？目前做產品研發(fā)，很多被動均壓都是采用電壓檢測器，在充電過充的時候，就能自動開啟均壓，而不用控制芯片給從板下達指令。但是
2024-01-04 07:31:40
人工智能芯片通常使用 SRAM 存儲器作為緩沖器（buffers），其可靠性和速度有助于實現高性能。
2024-01-03 17:16:041432 
人工智能時代對計算芯片的算力和能效都提出了極高要求。存算一體芯片技術被認為是有望解決處理器芯片“存儲墻”瓶頸，大幅提升人工智能算力能效和算力密度的關鍵技術和重要解決方案。SRAM存算一體芯片技術由于
2024-01-02 11:02:36948 
某客戶使用 STM32G071 芯片從 standby 模式下喚醒，想要 SRAM 的數據在退出 standby模式后得以保持。根據手冊的描述，配置了相應的比特位，但是發(fā)現數據仍然保持不了。
2023-12-20 09:31:27374 
大功率LED串并聯使用,YB8620采用固定關斷時間的峰值電流控制方式，其工作頻率最高可達1MHz，可使外部電感和濾波電容體積減小，效率提高，節(jié)省PCB面積。在EN端加PWM信號，可調節(jié)LED燈的亮度
2023-12-18 15:08:43
SRAM (Static Random Access Memory)是一種高速、隨機訪問的存儲器，它以其快速的讀寫操作和不需要刷新的特點而受到廣泛使用。本文將詳細介紹SRAM的讀寫電路設計
2023-12-18 11:22:39496 西門子 EDA的內存技術專家Jongsin Yun說， SRAM 的微縮滯后于邏輯收縮，主要是由于最新技術中嚴格的設計規(guī)則。過去，我們對 SRAM 有單獨的設計規(guī)則，這使我們能夠比基于邏輯晶體管
2023-12-15 09:43:42175 各位前輩！鄙人是位電機修理員，在修電動機重繞繞組時，繞組的總有效面積可大可小嗎（在一定范圍內）它要遵循什么樣的原則和標準？？求解！！
2023-12-11 06:32:01
SRAM是采用CMOS工藝的內存。自CMOS發(fā)展早期以來，SRAM一直是開發(fā)和轉移到任何新式CMOS工藝制造的技術驅動力。
2023-12-06 11:15:31635 pcb線路板功能有哪些
2023-11-28 15:09:353399 總的來說，非接觸精密潔凈設備在芯片領域的應用廣泛且必要，能夠為芯片制造過程提供有效的除塵清潔解決方案，提高產品的良率，節(jié)省人工成本，為企業(yè)實現降本增效的目的。
2023-11-22 10:29:43140 在農業(yè)中，通常希望獲取不同土地的面積。雖然獲取這些土地的面積操作相對容易，但是卻涉及高額的費用。另外，如果對于不規(guī)則形狀的土地，測量土地面積的大小就變得相對困難。
2023-11-14 11:24:06291 SRAM 的數量是任何人工智能處理解決方案的關鍵要素，它的數量在很大程度上取決于您是在談論數據中心還是設備，或者是訓練還是推理。但我想不出有哪些應用程序在處理元件旁邊沒有至少大量的 SRAM，用于運行人工智能訓練或推理。
2023-11-12 10:05:05452 芯嶺技術的XL2401D是一顆2.4G合封芯片，收發(fā)一體。合封芯片可以很好的 節(jié)省PCB面積和開發(fā)成本。一顆芯片可以做到之前兩顆芯片才能做到的事情。 XL2401D內含MCU為九齊NY8A054E
2023-11-10 17:15:02297 
芯嶺技術的XL2401D是一顆2.4G合封芯片，收發(fā)一體。合封芯片可以很好的節(jié)省PCB面積和開發(fā)成本。
2023-11-10 17:13:38380 
電子發(fā)燒友網站提供《華為TD-LTE智能有源天線有效破解天面受限難題.pdf》資料免費下載
2023-11-10 14:06:19
0 芯嶺技術的XL2401D是一顆2.4G合封芯片，收發(fā)一體。合封芯片可以很好的節(jié)省PCB面積和開發(fā)成本。一顆芯片可以做到之前兩顆芯片才能做到的事情。XL2401D內含MCU為九齊NY8A054E。有九齊MCU開發(fā)經驗的話開發(fā)起來非常容易上手。
2023-11-09 15:47:41268 
以下一些方法： 1. 縮小環(huán)路面積：環(huán)路電感與電流路徑所圍成的面積成正比，因此縮小環(huán)路面積可以有效減小環(huán)路電感。在進行PCB布線時，可以采用緊湊布局，盡量減小信號線和電源線的共線長度，避免并行走線等方式來減小環(huán)路面積。
2023-11-09 09:30:151415 穿心電容與普通電容的區(qū)別？穿心電容為何能有效地濾除高頻噪聲？ 穿心電容是一種特殊的電容器件，其具有針對高頻噪聲非常有效的濾波功能。相比普通電容，穿心電容具有不同的結構和材料，這是其能夠有效地濾除高頻
2023-11-01 15:00:18750 PSRAM/SRAM與XMC硬件連接的推薦方法描述了在AT32系列100引腳封裝芯片上以XMC連接PSRAM的硬件推薦方法，達到器件容易取得及價格合理的目標。
2023-10-24 06:17:32
如何修改AT32的SRAM空間大小如何修改SRAM大??？
2023-10-20 07:39:21
AT32 部分型號有零等待閃存和非零等待閃存，程序在零等待閃存執(zhí)行速度比在非零等待閃存執(zhí)行速度快，如果有函數對執(zhí)行速度有要求，可以將該函數加載到零等待區(qū)執(zhí)行。當零等待閃存使用完后，如果還有函數對執(zhí)行速度有要求，可以將該函數加載到 SRAM 執(zhí)行，前提是SRAM 還有足夠的空間存放該函數代碼。
2023-10-20 06:10:59
解決途徑和方法，對提高芯片粘接強度和粘接可靠性具有參考價值。文章還指出了芯片粘接強度測試過程中的一些不當或注意點及其影響，并對不當的測試方法給出了改進方法，能有效地避免測試方法不當帶來的誤判。
2023-10-18 18:24:02395 
掉電后還能讀取到SRAM的數據嗎
2023-10-15 09:24:03
、輸出功率1~2W的隔離電源。
VPS6501芯片內部集成振蕩器，提供一對高精度互補信號以驅動兩個N溝道MOSFET。芯片內部按照對稱結構設計，能有效確保兩個功率MOSFET的高度對稱性，避免電路在工作過程發(fā)生偏磁。芯片內部設計有高精度的死區(qū)控制電路確保在各種工作條件下不出現共通現象。
2023-10-12 09:52:32
、輸出功率1~~3W的隔離電源。
VPS8505芯片內部集成振蕩器，提供一對高精度互補信號以驅動兩個N溝道MOSFET。芯片內部按照對稱結構設計，能有效確保兩個功率MOSFET的高度對稱性，避免電路在
2023-10-12 09:49:26
、輸出功率13W的隔離電源。
VPS8504C內部集成振蕩器，提供一對高精度互補信號以驅動兩個N溝道MOSFET。芯片內部按照對稱結構設計，能有效確保兩個功率MOSFET的高度對稱性，避免電路在工作
2023-10-12 09:43:02
相信大家日常開發(fā)過程中，一個優(yōu)秀的程序猿寫出的代碼一定要節(jié)省空間的，比如節(jié)省內存，節(jié)省磁盤等等。那么如何通過設計模式來節(jié)省內存呢？ 1、什么是享元模式？ Use sharing to support
2023-10-09 10:31:58271 
硬件面試的時候，看到應聘者簡歷上寫著，有過AMD工作或實習經歷，熟悉CPU和內存。于是我問，那請你畫一下SRAM和DRAM的基本cell出來，然后簡要說一下工作原理及特點，但是沒能說出來。
2023-10-01 14:08:002375 
如何提高SRAM的讀取速度
2023-09-28 06:28:57
散射截面積（RCS）是指與一個直徑為1.128米的完全導電球體的倍數。這個球體具有1平方米的可見表面，但對于后向散射來說，其有效面積較小。
2023-09-20 09:25:041200 
使用MM32F3270 FSMC驅動SRAM
2023-09-18 16:29:50918 
應用程序: 此示例代碼使用 M032 在 SRAM 中運行 ISR 。
BSP 版本: M031_Series_BSP_CMSIS_V3.03.000
硬件: NuMaker-M032SE
2023-08-31 09:21:19
電源等。它能有效地管理和分配電源，保證車載電子設備的正常運行。據Oppenheimer統(tǒng)計，模擬電路在汽車芯片中占比29%，其中53%為信號鏈芯片，47%為電源管理芯片。（相關公司：圣邦股份、矽力杰
2023-08-25 11:32:31
應用: EBI SRAM 上的高空空間
BSP 版本: NUC472/NUC442系列BSP CMSIS v3.03.000
硬件: nuvoton 核 NUC472 演示委員會V1.0
2023-08-23 06:35:44
讓一顆SRAM型FPGA在太空長期穩(wěn)定運行的難度，就類似練成獨孤九劍的難度。
2023-08-15 10:36:081898 
SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對SRAM型FPGA進行抗輻照加固設計非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會遇到的問題及其影響。
2023-08-11 10:32:461086 
SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對SRAM型FPGA進行抗輻照加固設計非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會遇到的問題及其影響。
2023-08-11 10:30:451264 
的可配置，允許您根據嵌入式應用程序定制硬件。這個ARM946E-S提供完整的高性能處理器解決方案在芯片復雜性和面積、芯片系統(tǒng)設計、電源方面節(jié)省了大量成本消費和上市時間
2023-08-08 07:33:30
嵌入式應用程序定制硬件。ARM946E-S提供了一個完整的高性能處理器解決方案，在芯片復雜性和面積、芯片系統(tǒng)設計、功耗和上市時間方面都有相當大的節(jié)省。
2023-08-02 17:50:31
本次操作的SRAM的型號是IS62WV51216，是高速，8M位靜態(tài)SRAM。它采用ISSI（Intergrated Silicon Solution, Inc）公司的高性能CMOS技術，按照512K個字（16）位進行組織存儲單元。
2023-07-22 14:58:561092 
數碼管溫度顯示、溫度采集、語音播報功能 為一體的工業(yè)級語音擴展芯片：NV080C-S8，能節(jié)省60%的MCU開發(fā)成本，讓復雜變得簡單； 為何說NV080D-S8，能節(jié)省60%的MCU開發(fā)成本？ NV080C-S8，采用sop8封裝形式，擁有8個I/O口擴展資源，能為產品定制更多個性
2023-07-17 17:21:44197 
IP_數據表(M-1):SRAM and TCAM
2023-07-06 20:12:090 PID調節(jié)屬于閉環(huán)控制，是過程控制中應用得相當普遍的一種控制方式。PID控制是使控制系統(tǒng)的被控物理量能夠迅速而準確地盡可能接近控制目標的一種手段。 一、如何使變頻器的PID控制功能有效 要實現閉環(huán)
2023-06-26 14:17:122660 
整流電壓控制，有效提升了芯片的瞬態(tài)響應及系統(tǒng)效率。IP6833采用QFN28（4mm*4mm）極小封裝，配合外圍精簡的應用電路，極大的節(jié)省了PCB占板面積，可以方
2023-06-25 14:59:565 氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統(tǒng)的硅技術相比，不僅性能優(yōu)異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉換方面，已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
正確使用儀器能有效的節(jié)省時間成本，提高工作效率，正如磨刀不如砍柴工。
2023-06-13 14:50:26
幾乎每個網站都面臨風險，無論是簡單的博客論壇、投資平臺、小型的獨立電商網站還是動態(tài)電子商務平臺。
為什么有人會入侵這些網站？
黑客如何來入侵這些網站？
如何才能有效保護我的網站不被攻擊？
2023-06-13 09:36:21790 
速度-面積互換原則是貫穿FPGA設計的重要原則：速度是指工程穩(wěn)定運行所能達到的最高時鐘頻率，通常決定了FPGA內部寄存器的運行時序；面積是指工程運行所消耗的資源數量，通常包括觸發(fā)器
2023-06-09 09:36:37798 
一般來說，面積是一個設計所消耗的目標器件的硬件資源數量或者ASIC芯片的面積。
2023-06-05 15:46:05778 
我在網上讀到 LDMOS 晶體管需要具有高電阻才能有效，他們提到 MegaOhms，我在 gs 上的讀數是 1.9 KOhms，在 ds 上是 137KOhms，mosfet 在板上。假設您了解什么是 MRFE6VS25N 的電阻。
2023-06-05 09:02:14
（Flexible Memory Controller）模塊，將SRAM地址范圍映射到外部地址線上，然后通過外部總線訪問SRAM，實現對該區(qū)域的訪問。需要注意的是，還需要在代碼中正確配置FMC控制器和外部存儲器的類型、時序等參數，才能保證數據的正確讀寫。
2023-06-01 18:18:45382 賽普拉斯CY7C1041GN是一款高性能CMOS異步快速快速SRAM，由256K字16位組成。通過斷言芯片使能（CE）和寫入使能（WE）輸入LOW來執(zhí)行數據寫入，同時在I/O0到I/O15上提供數據，在A0到A17引腳上提供地址。
2023-05-31 17:18:55388 隨著新一代5G網絡、IoT物聯網技術和AI人工智能技術的迅猛發(fā)展，小型化已成為筆電服務器、智能穿戴、智能家居等各種電子產品最重要的發(fā)展趨勢之一。中微愛芯可提供采用XSON、QFN、SOT等小封裝的邏輯芯片，可最大程度地減少外部元器件尺寸，節(jié)省PCB的寶貴空間。
2023-05-31 09:34:23642 
: *** [makefile:266: main.elf] 錯誤 1
在查看數據表后，我已經將 sram 區(qū)域從默認的 28KB 擴展到 34KB。如果我將另一個 1KB 擴展到 35KB，我會
2023-05-19 08:31:12
。
參考手冊上說寄存器CHIPCTL SRAMU_RETE=0，SRAM_U在軟復位后保存，SRAMU_RETE默認值為1。請問這個SRAMU_RETE這個位在軟復位后如何保持當前值。
2023-05-17 09:00:10
TI德州儀器ADS1281是一款非常高性能的單芯片模數轉換器（ADC），專為能源勘探和地震監(jiān)測環(huán)境的苛刻需求而設計。單芯片設計可節(jié)省板面積，以改善高密度應用。
2023-05-12 16:38:07481 我們正在使用 iMXRT1176。我們的要求是使用片上SRAM和QSPI flash。
我們在 SDK 中使用 sd_jpeg 示例并且它運行完美。
給出了兩個 icf 文件：
1) 內存
2023-05-05 06:38:08
接地就是讓已經納入防雷系統(tǒng)的閃電能量泄放入大地，良好的接地才能有效地降低引下線上的電壓,避免發(fā)生反擊。
2023-05-04 11:50:07662 如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶手冊
2023-04-27 20:25:406 EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應用中。串行訪問的靜態(tài)隨機存取存儲器采用先進的CMOS技術進行設計和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 
用FPGA往SRAM芯片中寫數據重復寫多次才能寫是怎么回事呢？
2023-04-23 11:46:44
我正在使用 S32k358 uC，我想禁用內存區(qū)域的數據緩存。在框圖中，我看到樹形 SRAM 塊 SRAM0、SRAM1、SRAM2。是否可以禁用 SRAM2 的數據緩存并保留 SRAM 0 和 SRAM1 的數據緩存？
2023-04-23 08:01:09
它們時，SRAM 溢出再次發(fā)生。與 CAN 模塊無關。如果我嘗試更改 RTC、FLEXCOM 或任何其他模數，我會得到同樣的錯誤。在第一次設置后，在項目上安裝某些驅動程序時也會發(fā)生同樣的情況。也許這是 MCUXPRESSO 中的錯誤？有人得到了類似的東西，我能幫忙嗎？
2023-04-20 09:06:04
，并且 CE# 設置時間不能為 0。 有沒有辦法正確連接這些芯片？此外，我正在查看許多 SRAM 芯片，它們都需要地址在芯片啟用變低時有效。這就提出了 iMX RT1024 波形是否有效以及與 SRAM 的正確通信應該是什么樣子的問題。
2023-04-17 07:52:33
雖然dc也有report_area -hier命令來報告各級模塊的面積，本python方案看似有點造輪子，但還是有一定的便利性。一、不受網表類型的限制，綜合網表、DFT網表、APR都可以。二、可以
2023-04-16 09:25:43584 芯片：MIMXRT1176DVMAA芯片上有幾個SRAM。但是當SRAM_ITC_cm7用完時它不會使用下一個SRAM。我如何在不使用“__attribute__”的情況下使用所有8個SRAM，而是
2023-04-14 08:01:47
LTC?3675 是一款節(jié)省空間的單芯片電源解決方案，適用于采用單節(jié)鋰離子電池運行的多電源軌應用。其 4mm × 7mm QFN 包含兩個 500mA 降壓穩(wěn)壓器、兩個 1A 降壓穩(wěn)壓器、一個 1A
2023-04-13 10:34:33621 
機器學習和人工智能有什么區(qū)別？當今唯一可用的軟件選項是 ML 系統(tǒng)。在十年左右的時間里，當計算能力和算法開發(fā)達到可以顯著影響結果的地步時，我們將見證第一個真正的人工智能。是人工智能軟件嗎？軟件構成
2023-04-12 08:21:03
我非常需要有關 SRAM - SEMC 中異步模式工作邏輯的信息。我無法從 RM 獲得所需的相關信息。你能請口頭定義或文件嗎？只有下面的圖片能夠給我一些見解。 我只是想決定在我的場景中是應該使用 SYNC 還是 ASYNC 模式。我需要更多信息才能做到這一點。
2023-04-07 13:28:31
SRAM可以分為低速、中速、高速。===========================================================16位寬的SRAM//16BITSRAM指針
2023-04-06 15:13:03554 
前兩期，我們分別對OTP和MTP，RAM和ROM進行了比較。這一次，我們來談談Memory Compiler，以及通過它生成的Register file和SRAM。
2023-03-31 10:56:378516 今天就帶你詳細了解一下到底什么是SRAM，在了解SRAM之前，有必要先說明一下RAM：RAM主要的作用就是存儲代碼和數據供CPU在需要的時候調用。
2023-03-30 14:11:51587 
控制器在 IMXRT 中使用和實現 SRAM？問題 3：能否請您與我分享 SEMC 控制器使用 SRAM 的示例代碼？
2023-03-30 07:11:18
嗨恩智浦專家，我知道 MIMXRT1xxx 能夠在 ITCM 中運行 hello_world 但是 MIMXRT595 中沒有 ITCM 只有 SRAM。MIMXRT595-EVK是否可以在SRAM中運行hello_world zephyr示例？
2023-03-30 06:38:30
將 u-boot 代碼復制到 SRAM。但我知道我必須在鏈接器中啟用 __RAM_INIT 標志才能初始化 ECC。如果不是，則在我將u-boot代碼復制到SRAM時出現異常。那是正常癥狀嗎？3) 啟動時
2023-03-27 09:15:16
FAULT 處理程序應從 SRAM 執(zhí)行。（硬故障處理程序應啟動全芯片 復位）從深度睡眠中喚醒似乎與硬故障處理程序在閃存中而不是在 SRAM 中一起工作，但對于其他一些掉電模式來說可能有所不同？
2023-03-27 06:22:28
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工商網監(jiān)
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