如題，在重新上電之后，需要讀取ram地址，讀取時(shí)進(jìn)入異常，查閱資料后發(fā)現(xiàn)是由于重新上電，需要進(jìn)行ECC初始化，請(qǐng)問(wèn)這該如何進(jìn)行
2024-03-19 07:53:42
各位大佬，現(xiàn)在我這邊一個(gè)項(xiàng)目，代碼層面開(kāi)啟ECC監(jiān)控和中斷后，如何驗(yàn)證當(dāng)真實(shí)應(yīng)用環(huán)境下，Ram區(qū)或者Flash區(qū)某個(gè)位被打翻后，會(huì)正常觸發(fā)中斷，實(shí)現(xiàn)讀和回寫(xiě)的功能呢？
2024-03-11 06:39:48
如下圖所示，GD32F4系列內(nèi)部SRAM分為通用SRAM空間和TCMSRAM空間，其中通用SRAM為從0x20000000開(kāi)始的空間，TCMSRAM為從0x10000000開(kāi)始的64KB空間。大家
2024-02-24 09:43:16
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賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元（訪問(wèn)時(shí)間高達(dá)20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合，可提供快速的異步讀寫(xiě)訪問(wèn)速度，并在其整個(gè)工作范圍內(nèi)具有20年的數(shù)據(jù)保留。
2024-02-19 10:52:40191 
嗨英飛凌??！ 我需要在閃存中測(cè)試 TC39x 微控制器的 ECC 錯(cuò)誤檢測(cè)，有一些文檔描述了注入錯(cuò)誤的正確程序？
2024-01-31 06:27:13
有關(guān)TTL和CMOS的幾點(diǎn)問(wèn)題請(qǐng)教？
1、電源電壓，TTL供電在5V，CMOS供電范圍較寬2-15V。
2、前級(jí)輸入，TTL需要輸入電流，而CMOS不需要輸入電流。
3、輸出驅(qū)動(dòng)，TTL輸出是一個(gè)
2024-01-28 15:38:06
在用戶手冊(cè)中，Pflash 和 Dflash 都有閃存 ECC 保護(hù)，我想知道 ECC 內(nèi)存在哪里？ 它會(huì)占用 pflash 空間還是存儲(chǔ)在用戶無(wú)法訪問(wèn)的地方？
在此先謝謝！
2024-01-26 08:12:37
英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布，擴(kuò)展其集成嵌入式糾錯(cuò)碼（ECC）的抗輻射異步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）產(chǎn)品線。這款新產(chǎn)品的設(shè)計(jì)初衷是為了滿足航空和其他極端環(huán)境中的高性能計(jì)算需求。
2024-01-24 17:11:39358 我正在查看 Aurix pFlash 內(nèi)存部分是如何在微控制器級(jí)別上創(chuàng)建 ECC 寫(xiě)入錯(cuò)誤的，以及他們是如何通過(guò)故障注入技術(shù)使用它產(chǎn)生多位錯(cuò)誤的
通常 ecc 錯(cuò)誤是使用高電壓和其他方法產(chǎn)生的，但
2024-01-22 07:37:38
異步整流主要由一個(gè)高邊MOS管和一個(gè)續(xù)流二極管構(gòu)成。這種整流方式之所以被稱為異步，是因?yàn)槠淅m(xù)流過(guò)程是自然發(fā)生的，與同步整流相比，它具有不同的工作原理。 對(duì)于同步降壓電路的構(gòu)造，它相當(dāng)于一個(gè)柵極
2024-01-12 15:26:13226 
CMOS是一個(gè)簡(jiǎn)單的前道工藝，大家能說(shuō)說(shuō)具體process嗎
2024-01-12 14:55:10
賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元（訪問(wèn)時(shí)間高達(dá)20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合，可提供快速的異步讀寫(xiě)訪問(wèn)速度，并在其整個(gè)工作范圍內(nèi)具有20年的數(shù)據(jù)保留。
2024-01-09 10:54:28170 
作電動(dòng)機(jī)運(yùn)行的異步電機(jī)。因其轉(zhuǎn)子繞組電流是感應(yīng)產(chǎn)生的，又稱感應(yīng)電動(dòng)機(jī)。異步電動(dòng)機(jī)是各類電動(dòng)機(jī)中應(yīng)用最廣、需要量最大的一種。各國(guó)的以電為動(dòng)力的機(jī)械中，約有90%左右為異步電動(dòng)機(jī)，其中小型異步電動(dòng)機(jī)約占
2024-01-09 08:36:42156 
大家好，我是痞子衡，是正經(jīng)搞技術(shù)的痞子。今天痞子衡給大家分享的是i.MXRT1170內(nèi)部RAM的ECC初始化工作可全部由ROM完成。
2024-01-04 15:39:03653 SRAM (Static Random Access Memory)是一種高速、隨機(jī)訪問(wèn)的存儲(chǔ)器，它以其快速的讀寫(xiě)操作和不需要刷新的特點(diǎn)而受到廣泛使用。本文將詳細(xì)介紹SRAM的讀寫(xiě)電路設(shè)計(jì)
2023-12-18 11:22:39496 是什么導(dǎo)致RAM中的內(nèi)存數(shù)據(jù)損壞？糾錯(cuò)碼(ECC)如何修復(fù)位翻轉(zhuǎn)？ RAM中的內(nèi)存數(shù)據(jù)損壞可能由多種原因?qū)е隆Ｆ渲幸恍┰虬姶鸥蓴_、電壓波動(dòng)、溫度變化等外部因素，還有由內(nèi)部設(shè)計(jì)和制造缺陷
2023-12-15 09:58:08764 西門(mén)子 EDA的內(nèi)存技術(shù)專家Jongsin Yun說(shuō)， SRAM 的微縮滯后于邏輯收縮，主要是由于最新技術(shù)中嚴(yán)格的設(shè)計(jì)規(guī)則。過(guò)去，我們對(duì) SRAM 有單獨(dú)的設(shè)計(jì)規(guī)則，這使我們能夠比基于邏輯晶體管
2023-12-15 09:43:42175 SRAM是采用CMOS工藝的內(nèi)存。自CMOS發(fā)展早期以來(lái)，SRAM一直是開(kāi)發(fā)和轉(zhuǎn)移到任何新式CMOS工藝制造的技術(shù)驅(qū)動(dòng)力。
2023-12-06 11:15:31635 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《CMOS和線性兼容CMOS器件的電源輸入過(guò)壓?jiǎn)栴}.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-28 10:06:30
0 在進(jìn)行模塊設(shè)計(jì)時(shí)，我們經(jīng)常需要進(jìn)行數(shù)據(jù)位寬的轉(zhuǎn)換，常見(jiàn)的兩種轉(zhuǎn)換場(chǎng)景有同步時(shí)鐘域位寬轉(zhuǎn)換和異步時(shí)鐘域位寬轉(zhuǎn)換。本文將介紹異步時(shí)鐘域位寬轉(zhuǎn)換
2023-11-23 16:41:59337 
異步 DCDC 中的自舉電容 下面，我們通過(guò)一幅圖來(lái)看一下，對(duì)于異步 DCDC 芯片，它的自舉電容的充電回路是怎么樣的，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">異步 DCDC 沒(méi)有低邊的 MOS管，它的續(xù)流是靠外部設(shè)計(jì)一個(gè)肖特基二極管
2023-11-20 16:43:58207 
什么是同步邏輯和異步邏輯？同步電路與異步電路有何區(qū)別？ 同步邏輯和異步邏輯是計(jì)算機(jī)科學(xué)中的兩種不同的邏輯設(shè)計(jì)方法。它們分別用于描述數(shù)字電路中信號(hào)的傳輸和處理方式。同步邏輯是指電路中的各個(gè)組件
2023-11-17 14:16:031003 SRAM 的數(shù)量是任何人工智能處理解決方案的關(guān)鍵要素，它的數(shù)量在很大程度上取決于您是在談?wù)摂?shù)據(jù)中心還是設(shè)備，或者是訓(xùn)練還是推理。但我想不出有哪些應(yīng)用程序在處理元件旁邊沒(méi)有至少大量的 SRAM，用于運(yùn)行人工智能訓(xùn)練或推理。
2023-11-12 10:05:05452 交流異步電機(jī)的異步是怎么來(lái)的？交流異步電動(dòng)機(jī)的工作原理 異步電機(jī)的“異步”一詞來(lái)源于電機(jī)轉(zhuǎn)速與旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的同步性不強(qiáng)。交流異步電動(dòng)機(jī)是一種將電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能的設(shè)備，廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，如工業(yè)、商業(yè)
2023-11-06 11:32:10863 什么情況下會(huì)使用異步通信
2023-11-02 08:00:12
有些簡(jiǎn)單的異步SRAM芯片為了與CPU配合使用可能只需要一個(gè)3.3V的電源
2023-10-31 11:40:072014 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《純電動(dòng)汽車交流異步電機(jī)及整車總成控制器的開(kāi)發(fā)技術(shù)研究.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-26 10:06:440 如何修改AT32的SRAM空間大小如何修改SRAM大??？
2023-10-20 07:39:21
硬件面試的時(shí)候，看到應(yīng)聘者簡(jiǎn)歷上寫(xiě)著，有過(guò)AMD工作或?qū)嵙?xí)經(jīng)歷，熟悉CPU和內(nèi)存。于是我問(wèn)，那請(qǐng)你畫(huà)一下SRAM和DRAM的基本cell出來(lái)，然后簡(jiǎn)要說(shuō)一下工作原理及特點(diǎn)，但是沒(méi)能說(shuō)出來(lái)。
2023-10-01 14:08:002375 
Spring Boot 提供了多種方式來(lái)實(shí)現(xiàn)異步任務(wù)，這里介紹三種主要實(shí)現(xiàn)方式。 1、基于注解 @Async @Async 注解是 Spring 提供的一種輕量級(jí)異步方法實(shí)現(xiàn)方式，它可以標(biāo)記在方法
2023-09-30 10:32:00447 如何提高SRAM的讀取速度
2023-09-28 06:28:57
?操作條件：
–VDD，VDDA電壓范圍：
1.71伏至3.6伏
?數(shù)學(xué)硬件加速器
–三角函數(shù)的CORDIC
加快
–FMAC：濾波數(shù)學(xué)加速器
?記憶
–128 KB帶ECC的閃存
支持，專有代碼讀取
2023-09-27 06:55:53
ECC內(nèi)存（ErrorCorrection Code Memory）和普通內(nèi)存是計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)技術(shù)中常見(jiàn)的兩種類型的內(nèi)存。它們?cè)谠O(shè)計(jì)和功能上有一些重要區(qū)別。接下來(lái)我們將詳細(xì)解釋ECC內(nèi)存和普通內(nèi)存，并列舉它們之間的區(qū)別以及ECC內(nèi)存的糾錯(cuò)原理。
2023-09-22 16:57:381248 
使用MM32F3270 FSMC驅(qū)動(dòng)SRAM
2023-09-18 16:29:50918 
SAP ECC是ERP Central Components的縮寫(xiě)，其中文名稱為SAP 企業(yè)核心組件，是全球領(lǐng)先的軟件提供商SAP推出的產(chǎn)品，其前身是SAP R/3。包含F(xiàn)I，CO， MM, SD
2023-09-13 21:54:05380 
STM32U575AII6Q Arm?Cortex?-M33內(nèi)核微控制器，包括Arm?TrustZone?，具有2 MB閃存、786 KB SRAM和UFBGA169封裝中的嵌入式SMPS
?2.8
2023-09-08 07:37:26
本文檔介紹了 STM32H7 系列微控制器上糾錯(cuò)碼（ECC）的管理和實(shí)現(xiàn)。本應(yīng)用筆記針對(duì)保護(hù)內(nèi)部存儲(chǔ)器內(nèi)容的 ECC 機(jī)制，描述了與之相關(guān)的硬件、軟件信息。除此之外，也可使用外部存儲(chǔ)器進(jìn)行 ECC
2023-09-08 07:31:20
32位Arm Cortex-M4內(nèi)核，帶FPU? ART + CCM-SRAM + 數(shù)學(xué)加速器? 帶ECC的單存儲(chǔ)區(qū)閃存? 帶奇偶校驗(yàn)位的SRAM? +/- 1%內(nèi)部時(shí)鐘? 1.72至3.6V電源? 高達(dá) 125°C
2023-09-08 06:44:21
32位Arm Cortex-M4內(nèi)核，帶FPU? ART + CCM-SRAM + 數(shù)學(xué)加速器? 帶ECC的單存儲(chǔ)區(qū)閃存? 帶奇偶校驗(yàn)位的SRAM? +/- 1%內(nèi)部時(shí)鐘? 1.72至3.6V電源? 高達(dá) 125°C
2023-09-07 08:06:01
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MegaRAID SAS 9286 cv-8ecc RAID控制器快速安裝指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-24 09:42:460 。 以下是本周新品情報(bào)，請(qǐng)及時(shí)查收： 高要求的汽車應(yīng)用 Microchip ECC204安全認(rèn)證 貿(mào)澤電子即日起開(kāi)售Microchip Technology 的 ECC204安全認(rèn)證IC 。ECC204安全認(rèn)證IC是一種加密認(rèn)證器件，為私鑰、證書(shū)、對(duì)稱密鑰或用戶數(shù)據(jù)提供受保護(hù)的存儲(chǔ)空
2023-08-23 08:15:07269 
應(yīng)用: EBI SRAM 上的高空空間
BSP 版本: NUC472/NUC442系列BSP CMSIS v3.03.000
硬件: nuvoton 核 NUC472 演示委員會(huì)V1.0
2023-08-23 06:35:44
讓一顆SRAM型FPGA在太空長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行的難度，就類似練成獨(dú)孤九劍的難度。
2023-08-15 10:36:081898 
請(qǐng)簡(jiǎn)述同步復(fù)位與異步復(fù)位的區(qū)別，說(shuō)明兩種復(fù)位方式的優(yōu)缺點(diǎn)，并解釋“異步復(fù)位，同步釋放”。
2023-08-14 11:49:353407 SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對(duì)SRAM型FPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會(huì)遇到的問(wèn)題及其影響。
2023-08-11 10:32:461086 
SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對(duì)SRAM型FPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會(huì)遇到的問(wèn)題及其影響。
2023-08-11 10:30:451264 
ECC(Error Correcting Code)，糾錯(cuò)編碼，是一種能實(shí)現(xiàn)錯(cuò)誤檢測(cè)和糾正的技術(shù)。
2023-08-09 07:36:49
如題，在重新上電之后，需要讀取ram地址，讀取時(shí)進(jìn)入異常，查閱資料后發(fā)現(xiàn)是由于重新上電，需要進(jìn)行ECC初始化，請(qǐng)問(wèn)這該如何進(jìn)行？
2023-08-07 10:05:34
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《STM32H7系列內(nèi)部存儲(chǔ)器保護(hù)的糾錯(cuò)碼(ECC)管理.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-01 16:39:420 大佬們，我想在異步調(diào)用的VI中插入探針，查看數(shù)據(jù)，應(yīng)該怎么操作，LabVIEW如何調(diào)試異步調(diào)用的VI呀？網(wǎng)上都沒(méi)查到啥結(jié)果。
2023-07-28 11:19:44
本次操作的SRAM的型號(hào)是IS62WV51216，是高速，8M位靜態(tài)SRAM。它采用ISSI（Intergrated Silicon Solution, Inc）公司的高性能CMOS技術(shù)，按照512K個(gè)字（16）位進(jìn)行組織存儲(chǔ)單元。
2023-07-22 14:58:561092 
IP_數(shù)據(jù)表(M-1):SRAM and TCAM
2023-07-06 20:12:090 使用NUC970 官網(wǎng)自帶的mtd層nuc970_nand.c 驅(qū)動(dòng)，硬件BCH ECC 已正確開(kāi)啟，如何制造一個(gè)nandflash 層ECC錯(cuò)誤，并觸發(fā)數(shù)據(jù)糾錯(cuò)，有什么辦法？ 有沒(méi)有誰(shuí)做過(guò)類似測(cè)試的。
2023-06-27 15:09:52
針對(duì)異步復(fù)位、同步釋放，一直沒(méi)搞明白在使用同步化以后的復(fù)位信號(hào)時(shí)，到底是使用同步復(fù)位還是異步復(fù)位？
2023-06-21 09:59:15645 
這里介紹兩種方式改善帶有ECC的奇數(shù)負(fù)載的DDR2信號(hào)質(zhì)量。一種不需要改變拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，另一種需要對(duì)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)整。
2023-06-15 17:39:34474 
我們這一篇來(lái)講講Micrium全家桶的uC-CRC。該代碼庫(kù)提供了CRC算法進(jìn)行錯(cuò)誤檢測(cè)EDC,使用HAMMING算法實(shí)現(xiàn)ECC錯(cuò)誤糾正。ECC算法在NAND的TFL中使用。
2023-06-08 11:04:43823 
************************************************* *************************************
* 詳細(xì)說(shuō)明：
* 這個(gè)例子的目的是展示如何保存數(shù)據(jù)在 SRAM 存儲(chǔ)器中通過(guò)
2023-06-05 09:47:48
賽普拉斯CY7C1041GN是一款高性能CMOS異步快速快速SRAM，由256K字16位組成。通過(guò)斷言芯片使能（CE）和寫(xiě)入使能（WE）輸入LOW來(lái)執(zhí)行數(shù)據(jù)寫(xiě)入，同時(shí)在I/O0到I/O15上提供數(shù)據(jù)，在A0到A17引腳上提供地址。
2023-05-31 17:18:55388 ECC82 JJ電子管規(guī)格
2023-05-29 14:43:323 異步電機(jī)為什么叫異步電機(jī) 異步電動(dòng)機(jī)又稱感應(yīng)電動(dòng)機(jī)，是由氣隙旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)與轉(zhuǎn)子繞組感應(yīng)電流相互作用產(chǎn)生電磁轉(zhuǎn)矩，從而實(shí)現(xiàn)機(jī)電能量轉(zhuǎn)換為機(jī)械能量的一種交流電機(jī)。 三相異步電機(jī)主要用作電動(dòng)機(jī)，拖動(dòng)各種生產(chǎn)
2023-05-25 16:54:41835 今天給大俠帶來(lái)如何區(qū)分同步復(fù)位和異步復(fù)位？，話不多說(shuō)，上貨。
如何區(qū)分同步復(fù)位和異步復(fù)位？可以理解為同步復(fù)位是作用于狀態(tài)，然后通過(guò)狀態(tài)來(lái)驅(qū)動(dòng)電路復(fù)位的嗎（這樣理解的話，復(fù)位鍵作為激勵(lì)拉高到響應(yīng)
2023-05-22 17:33:12
上個(gè)月，我在您的幫助下實(shí)現(xiàn)了閃存 ECC 錯(cuò)誤注入代碼。
我對(duì)附加代碼中的奇偶校驗(yàn)生成有疑問(wèn)
2023-05-17 08:20:37
2027年后未升級(jí)的SAP ECC產(chǎn)品將停止標(biāo)準(zhǔn)維護(hù)服務(wù)。因此為了延續(xù)體驗(yàn)系統(tǒng)新功能及技術(shù)維護(hù)，越來(lái)越多SAP ECC的大型企業(yè)將升級(jí)問(wèn)題提上日程。隨著數(shù)字化智能時(shí)代到來(lái)，向智能管理轉(zhuǎn)型升級(jí)，也成為
2023-05-09 09:38:43309 我目前正在嘗試將 ECC 公鑰導(dǎo)入 HSE FW。
OpenSSL 已生成擴(kuò)展名為“.pem”的私鑰和公鑰。
所以我的問(wèn)題是，如何將這個(gè) pem 文件轉(zhuǎn)換成可用于密鑰導(dǎo)入的文件。
2023-05-04 06:13:41
如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶手冊(cè)
2023-04-27 20:25:406 EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴(kuò)SRAM可以通過(guò)使用SPI的接口來(lái)將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問(wèn)的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 
我正在使用 S32k358 uC，我想禁用內(nèi)存區(qū)域的數(shù)據(jù)緩存。在框圖中，我看到樹(shù)形 SRAM 塊 SRAM0、SRAM1、SRAM2。是否可以禁用 SRAM2 的數(shù)據(jù)緩存并保留 SRAM 0 和 SRAM1 的數(shù)據(jù)緩存？
2023-04-23 08:01:09
IMXRT1064 外部 SRAM - 同步和異步模式的 CLK 使用差異
2023-04-21 08:31:29
S32K146 ECC初始化器，為什么不初始化堆?？臻g？
2023-04-20 12:55:22
我嘗試對(duì)Flash ECC機(jī)制做一個(gè)啟動(dòng)測(cè)試，使用的是FDFD。而且，當(dāng)我注入錯(cuò)誤時(shí)，F(xiàn)ERSTAT 已設(shè)置但沒(méi)有硬故障結(jié)果。我的代碼是這樣的：/* 啟用 Flash 雙位故障檢測(cè)中斷
2023-04-14 07:59:11
我非常需要有關(guān) SRAM - SEMC 中異步模式工作邏輯的信息。我無(wú)法從 RM 獲得所需的相關(guān)信息。你能請(qǐng)口頭定義或文件嗎？只有下面的圖片能夠給我一些見(jiàn)解。 我只是想決定在我的場(chǎng)景中是應(yīng)該使用 SYNC 還是 ASYNC 模式。我需要更多信息才能做到這一點(diǎn)。
2023-04-07 13:28:31
SRAM可以分為低速、中速、高速。===========================================================16位寬的SRAM//16BITSRAM指針
2023-04-06 15:13:03554 
512K x 8高速異步CMOS靜態(tài)RAM
2023-04-06 11:14:01
我想知道 Ecc 錯(cuò)誤的 NCF[1] 報(bào)告。RM是這樣解釋的，我認(rèn)為EDC總線墊片會(huì)出現(xiàn)Ecc錯(cuò)誤。 NCF[2] 報(bào)告 RAM Ecc，NCF[3] 報(bào)告閃存 Ecc。正確的？我認(rèn)為 NCF[1] 正在報(bào)告有關(guān)某些內(nèi)存扇區(qū)的 Ecc 錯(cuò)誤。但我不完全知道。
2023-04-04 07:32:08
ECC錯(cuò)誤的ERM通道號(hào)是多少？
2023-04-04 06:48:43
前兩期，我們分別對(duì)OTP和MTP，RAM和ROM進(jìn)行了比較。這一次，我們來(lái)談?wù)凪emory Compiler，以及通過(guò)它生成的Register file和SRAM。
2023-03-31 10:56:378515 讀取數(shù)據(jù)時(shí)出現(xiàn)ecc error，不知Ecc是如何工作的，知道Ecc error。 有知道的請(qǐng)?jiān)敿?xì)解釋一下。
2023-03-31 08:36:42
ECC 是根據(jù)內(nèi)存數(shù)據(jù)和內(nèi)存位置地址的總和計(jì)算得出的。但是，只有數(shù)據(jù)與 ECC 一起寫(xiě)入內(nèi)存（不包括地址）。這是否意味著，如果內(nèi)存 = 3，地址 = 0x000000011.寫(xiě)接口- 在
2023-03-31 07:28:57
我注意到在S32K116的啟動(dòng)文件中有一個(gè)ECC RAM initial。(startup_S32K116.S)我認(rèn)為這與 AN12522 有關(guān)。我的問(wèn)題，初始化似乎只應(yīng)用了 SRAM_U。(0x2000_0000 到 0x2000_3800)是否沒(méi)有必要初始化SRAM_L因?yàn)樗皇?b class="flag-6" style="color: red">ECC保護(hù)？
2023-03-31 06:05:14
今天就帶你詳細(xì)了解一下到底什么是SRAM，在了解SRAM之前，有必要先說(shuō)明一下RAM：RAM主要的作用就是存儲(chǔ)代碼和數(shù)據(jù)供CPU在需要的時(shí)候調(diào)用。
2023-03-30 14:11:51587 
異步電機(jī)控制筆記 本筆記討論異步電機(jī)的控制算法。先對(duì)異步電機(jī)在ABC坐標(biāo)系以及DQ0坐標(biāo)系下的電壓方程與磁鏈方程進(jìn)行推導(dǎo)，然后對(duì)常用的旋轉(zhuǎn)坐標(biāo)系下的異步電機(jī)模型進(jìn)行了分析。 為了實(shí)現(xiàn)異步電機(jī)的矢量
2023-03-29 11:40:502 ECC55DRSI
2023-03-28 13:55:31
親愛(ài)的社區(qū)，我有幾個(gè)關(guān)于 SRAM ECC 的問(wèn)題。1) SRAM 上的ECC 是否默認(rèn)啟用？哪些代碼使 SRAM 上的 ECC 啟用？2) 我試圖從 M7 內(nèi)核啟動(dòng) A53 內(nèi)核，所以我必須
2023-03-27 09:15:16
有沒(méi)有辦法設(shè)置中斷或以其他方式計(jì)算緩存中 ECC 檢測(cè)/更正的次數(shù)？使用 flexram 對(duì) RAM 進(jìn)行操作很簡(jiǎn)單，但我找不到監(jiān)控緩存 ECC 的方法。
2023-03-27 08:24:02
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