雷卯推出更適合5G應(yīng)用的可回掃ESD

2019年是全球的5G元年，相比4G線路程控設(shè)備，BBU ONU 基站等，5G信號(hào)的傳輸速度更快，IC的敏感度更高，在電磁兼容的靜電防護(hù)需求就提升到了一個(gè)更高的高度。

可回掃ESD以往在普通IC種發(fā)揮不了很大的應(yīng)用區(qū)別，但目前在華為等電信設(shè)備商的測(cè)試需求中，專門強(qiáng)調(diào)了防靜電ESD的回掃特性（snap back）。

那什么是靜電器件的回掃特性呢？

1. 普通ESD和回掃ESD曲線對(duì)比

可以對(duì)比下以下2張圖片。

圖一普通ESD的特性曲線

圖二 Snapback 回掃特性曲線ESD 曲線

圖三回掃ESD的特性參數(shù)

從以上圖片的區(qū)別看出，回掃ESD最大的特點(diǎn)是在Vt 觸發(fā)電壓之后，芯片會(huì)在瞬間降低ESD兩端的鉗位電壓，這個(gè)電壓Vh范圍在工作電壓和觸發(fā)電壓之間，然后在隨著電流的增大，而電壓逐步增加。

2. 為什么要用回掃ESD？

要知道將ESD做到回掃功能，在設(shè)計(jì)上是需要增加很多工作和芯片面積的，功能的需求來自于目前應(yīng)用更廣的智能設(shè)備（Smart devices）。

眾所周知，ESD器件的保護(hù)功能是產(chǎn)品在ESD或EOS發(fā)生時(shí)，瞬間導(dǎo)通本體，電流流過倒到GND，然后同時(shí)降Vc鉗位，保證Vc小于后端IC的安全電壓閾值。

那么問題來了，目前IC的開發(fā)精度越來越高，做到IC的功能越來越強(qiáng)，體積越來越小，并且追求功耗，所以我們會(huì)發(fā)先IC的工作電壓和失效電壓間隔很小，而IC本體的靜電能力還會(huì)被拋棄到只保護(hù)自己在生產(chǎn)運(yùn)輸過程的安全ESD電壓200V左右。

這就讓本高高在上的回掃ESD發(fā)揮功能的時(shí)候到了，回掃ESD的特性就是在同樣Ipp電流的情況下，Vc鉗位電壓比常規(guī)的ESD器件低30%以上，極大的保證了被保護(hù)IC乃至整個(gè)電路的安全。

3. 回掃ESD的規(guī)格參數(shù)

USLC3311D3 參數(shù)

Leiditech USLC3311D3為目前批量出貨的回掃ESD，主要用于網(wǎng)口、或3.3V的高速IC 靜電保護(hù)。

1. ESD選型的幾個(gè)誤區(qū)

a) 電容越小越好嗎？

錯(cuò)，適合的才是最好的，每種IC都有通信速率，不要非追求最低電容，電容大產(chǎn)品功率難做大，而且成本價(jià)格會(huì)高很多，批量產(chǎn)品一定根據(jù)通信速率選擇合適的，雷卯有通信接口推薦ESD表格，可以根據(jù)通信協(xié)議選擇最適合的，保證了性能和成本。

b) 功率越大越好嗎？

錯(cuò)，普通ESD可以說功率越大約好，但現(xiàn)在回掃ESD批量出貨后，會(huì)發(fā)先回掃ESD功率都不大，為什么？

功率W=IPP*VC 我們特意將VC降低，保證IC安全，所以功率降低了，但產(chǎn)品性能和價(jià)格卻比同樣IPP，VC大的產(chǎn)品都高多了。