恩智浦半導(dǎo)體發(fā)布雙通道Power-SO8 MOSFET LFPAK56D產(chǎn)品

恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)（納斯達(dá)克代碼：NXPI）近日發(fā)布了LFPAK56D產(chǎn)品組合——多款雙通道Power-SO8 MOSFET，專(zhuān)為燃油噴射、ABS和穩(wěn)定性控制等汽車(chē)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。恩智浦LFPAK56D系列產(chǎn)品完全符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，具有一流的性能和可靠性；同時(shí)，與通常需要使用兩個(gè)器件的DPAK解決方案相比，節(jié)省了77%的占位面積。LFPAK56D系列產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)，即將上市。

LFPAK56D在單一封裝內(nèi)集成了兩個(gè)完全獨(dú)立的MOSFET，旨在滿足苛刻的汽車(chē)工業(yè)要求。該產(chǎn)品具有業(yè)界最寬的RDSon數(shù)值，橫跨5個(gè)電壓等級(jí)，具有市面上最佳的性能、電流處理能力和可靠性。該全新的雙通道Power-SO8 MOSFET系列產(chǎn)品為客戶挑選最契合應(yīng)用和模塊需求的器件提供了完全的靈活性與最大限度的自由，同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了更高的功率密度。

在設(shè)計(jì)中采用LFPAK56D可簡(jiǎn)化PCB的裝配和檢測(cè)并縮小模塊尺寸，以達(dá)到降低成本的目的。較小的模塊尺寸還意味著可以大幅減輕重量，這對(duì)致力于減少二氧化碳排放的制造商來(lái)說(shuō)非常有吸引力。

LFPAK56基于恩智浦的專(zhuān)業(yè)技術(shù)而設(shè)計(jì)，是市場(chǎng)上完全符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的第一款Power-SO8封裝產(chǎn)品；現(xiàn)在，恩智浦推出LFPAK56D，它同樣是一款雙通道Power-SO8 MOSFET產(chǎn)品，采用可靠的“銅夾片”粘合技術(shù)。這種銅夾片技術(shù)讓封裝具有低封裝電阻、電感以及最大額定ID值高的優(yōu)勢(shì)。

恩智浦汽車(chē)MOSFET業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)部經(jīng)理Steve Sellick表示：“我們相信LFPAK56D將為汽車(chē)MOSFET樹(shù)立全新的行業(yè)標(biāo)桿；通過(guò)開(kāi)發(fā)體積更小、更緊湊的產(chǎn)品，OEM可大幅提升效率，并節(jié)省大量成本。我們符合汽車(chē)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的Power-SO8 MOSFET系列擁有業(yè)界最齊全的產(chǎn)品組合，在設(shè)計(jì)安全關(guān)鍵的汽車(chē)應(yīng)用時(shí)可為我們的客戶提供最大的選擇范圍?！?/p>

主要特性：

·雙通道Power-SO8 MOSFET

·與對(duì)應(yīng)的DPAK解決方案相比節(jié)省了77%的占位面積

·銅夾片技術(shù)——無(wú)焊線

·最大額定ID值高

·低封裝電阻和電感

·低熱阻

·耐受瞬時(shí)強(qiáng)電流

·符合汽車(chē)AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，最高溫度175℃