基于硅納米線的生物氣味傳感器是什么？硅納米線表面連接修飾OBP蛋白分子的方法有哪些？基于硅納米線的氣味識(shí)別生物傳感器的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-07-11 07:43:02
的外量子效率取決于外延材料的內(nèi)量子效率和芯片的取光效率，由于大功率白光LED采用了MOCVD外延生長(zhǎng)技術(shù)和多量子阱結(jié)構(gòu)，并在精確控制生長(zhǎng)和摻雜以及減少缺陷等方面取的突破性進(jìn)展，其外延片的內(nèi)量子效率已有很大提高
2013-06-04 23:54:10
本文討論一種新型的VLD解碼結(jié)構(gòu)，它通過并行偵測(cè)多路碼字，將Buffer中的多個(gè)可變長(zhǎng)碼一次讀出，這將極大地提高VLD的吞吐量和執(zhí)行效率。然后采用FPGA對(duì)這種并行VLD算法的結(jié)構(gòu)進(jìn)行驗(yàn)證，最終得出相應(yīng)結(jié)論。
2021-04-28 06:08:06
納米結(jié)構(gòu)的幾何形狀只要滿足特定條件，并匹配入射光的波長(zhǎng)，就能夠大幅提高光學(xué)傳感器的靈敏度。這是因?yàn)榫植?b class="flag-6" style="color: red">納米結(jié)構(gòu)可以極大地放大或減少光的電磁場(chǎng)。據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，由Christiane Becker
2018-10-15 09:51:09
怎么提高labview的運(yùn)行效率？那位給出點(diǎn)建議
2013-02-25 10:09:31
，效率高，比傳統(tǒng)的照明模塊的低功耗。LED是利用納米線3至4μm長(zhǎng)，直徑為5 nm的電子束光刻建。雖然這不是一個(gè)商業(yè)的過程，這表明它可能會(huì)產(chǎn)生約30000μm2有效發(fā)光面積該團(tuán)隊(duì)還開發(fā)了壓電納米發(fā)電機(jī)
2016-03-04 11:23:14
亞特（Anatoly Zayats）說：“各種不同種類的納米結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)都被應(yīng)用在了太陽能電池的設(shè)計(jì)上，目的是用來提高光的吸收效率?！ ∥覀兊难芯砍晒馕吨窈蟛槐卦僮屘柲茈姵毓潭ㄔ谝欢ń嵌?，不用擔(dān)心
2013-09-17 17:09:20
并采用CST進(jìn)行仿真，結(jié)果表明納米管束比單根納米管的天線效率提高了30-40dB，文中把納米管束作為電導(dǎo)率與納米管根數(shù)成正比的單根天線來研究，在理論上不夠準(zhǔn)確，而且鑒于納米管束的尺寸，采用中點(diǎn)饋電
2019-05-28 07:58:57
碳納米纖維是指具有納米尺度的碳纖維，依其結(jié)構(gòu)特性可分為納米碳管即空心碳納米纖維和實(shí)心碳納米纖維。
2019-09-20 09:02:43
:BDXX.0.2009-06-031【正文快照】：美國加州大學(xué)伯克利分校和北京大學(xué)的研究人員聯(lián)合研制出世界最小的半導(dǎo)體激光器。研究人員研制了一款高增益硫化福納米線，然后將納米線與銀金屬相隔5 nm，激光由此間隔出射。由于激光被大量?jī)?chǔ)存在這個(gè)非金屬的狹小間隔里，所以大大降低了光損耗的可能性。這項(xiàng)研究成果打破了全文下載
2010-04-24 10:11:02
如何利用表面粗化技術(shù)提高發(fā)光二極管的出光效率？
2021-04-20 06:02:27
以色列TelAviv大學(xué)的研究人員日前宣布，開發(fā)出一種稱為縮氨酸分子的氨基酸鏈，能自行組裝成微小的立方體，這些立方體可用銀填充制成納米級(jí)線。這些研究人員稱這是首次合成分離均勻的納米線，可最終促成銀
2018-12-03 10:47:43
金屬介電核殼結(jié)構(gòu)復(fù)合納米顆粒因其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)而具有許多奇異的性質(zhì),尤其表現(xiàn)在表面等離子體共振特性上。通過改變金屬納米顆粒的大小和核殼的相對(duì)尺寸,可實(shí)現(xiàn)光學(xué)共振在很
2009-03-05 10:49:43
24 金屬介電核殼結(jié)構(gòu)納米材料的應(yīng)用
金屬介電核殼復(fù)合納米材料由于其表面的等離子體共振特性,已經(jīng)在納米光子學(xué)、生物光子學(xué)、醫(yī)學(xué)
2009-03-06 09:30:01
916 LED發(fā)光效率提高方法需注意以下幾類技術(shù)：
一、透明襯底技術(shù) InGaAlP LED通常是在GaAs襯底上外延生長(zhǎng)InGaAlP發(fā)
2010-07-23 09:49:482105 LED芯片的外量子效率受到芯片結(jié)構(gòu)、熒光粉材料等多種因素的影響，其中主要原因之一就是背部金屬反射層的反射率限制了出光效率。本論文提出了一種多層介質(zhì)光的回歸反射層結(jié)構(gòu)，
2011-04-15 16:00:2722 微捷碼QCP提取器已被臺(tái)積電(TSMC)納入其季度28納米集成電路(IC)EDA質(zhì)量檢驗(yàn)報(bào)告中。這次質(zhì)量檢驗(yàn)讓設(shè)計(jì)師們對(duì)采用QCP解決臺(tái)積電28納米工藝IC日益提高的復(fù)雜性問題更有信心。
2011-07-15 08:39:06877 隨著LED在照明領(lǐng)域的逐步應(yīng)用，市場(chǎng)對(duì)白光LED光效的要求越來越高，同時(shí)價(jià)格也成為LED能否迅速得到推廣的關(guān)鍵因素，市場(chǎng)急需要高性價(jià)比的LED產(chǎn)品。GaN基垂直結(jié)構(gòu)LED具有良好的散熱能
2011-11-01 16:02:381523 近日，美國佐治亞理工學(xué)院的研究人員利用氧化鋅納米線大幅提升了氮化鎵LED將電流轉(zhuǎn)化為紫外線的效能。
2011-11-17 09:21:27565 悉尼新南威爾士大學(xué)的ARC卓越中心的量子計(jì)算和通信技術(shù)研究人員研發(fā)出了一種比人頭發(fā)還細(xì)10000倍的納米線
2012-01-07 12:03:061051 
實(shí)驗(yàn)使用熔融KOH腐蝕綠光LED外延片獲得預(yù)計(jì)的粗糙形貌,再通過常規(guī)工藝制成器件,結(jié)果給出不同表面做成器件的光強(qiáng)。實(shí)驗(yàn)證明經(jīng)過表面粗化處理的器件,外量子效率提高了約25.7%。
2012-02-22 11:00:374 美國普渡大學(xué)（Purdue University）的研究人員正著手開發(fā)一種未來制造方法，能生產(chǎn)具備潛在革命特性的微小結(jié)構(gòu)；該「納米機(jī)械工廠（nano machine shop）」專案旨在研究納米線路（nanowires）
2012-09-04 09:18:33522 通過在納米線上施加機(jī)械應(yīng)變，研究人員在其中制造了壓電電勢(shì)。該電勢(shì)被用于調(diào)整電荷的傳輸，并加強(qiáng)LED的載子注入。這種壓電電勢(shì)對(duì)于光電設(shè)備的控制被稱為壓電—光電效應(yīng)。這一
2012-11-21 15:03:47902 瑞典隆德4月22日，在一項(xiàng)針對(duì)太陽能的重大突破技術(shù)上，瑞典的先進(jìn)材料新興公司Sol Voltaics AB已經(jīng)證明其納米線技術(shù)在薄膜上取得了校準(zhǔn)和定向的成功。此項(xiàng)成就彰顯太陽能納米線制造迄今最重
2016-04-22 11:46:31662 
瑞典隆德—5月11日—瑞典先進(jìn)材料新興公司 Sol Voltaics 已完成一輪創(chuàng)紀(jì)錄的1700萬美元新的股權(quán)投資及資金挹注，以加速其納米線太陽能薄膜串聯(lián)層技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程。
2016-05-12 15:33:511045 近年來半導(dǎo)體照明飛速的發(fā)展，曾經(jīng)在大功率LED封裝的形式也逐漸發(fā)生了變化，其中有正裝，倒裝，和垂直結(jié)構(gòu)。多年來正裝一直主導(dǎo)著LED封裝的市場(chǎng)，但是隨著LED功率的做大和結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定及對(duì)出光的要求倒裝慢慢地迎頭趕上，勢(shì)不可擋。
2016-10-21 15:04:256596 芯片圖解 為了避免正裝芯片中因電極擠占發(fā)光面積從而影響發(fā)光效率，芯片研發(fā)人員設(shè)計(jì)了倒裝結(jié)構(gòu)，即把正裝芯片倒置，使發(fā)光層激發(fā)出的光直接從電極的另一面發(fā)出（襯底最終被剝?nèi)?，芯片材料是透明的），同時(shí)，針對(duì)倒裝設(shè)計(jì)出方便LED封裝廠焊線的結(jié)構(gòu)
2017-09-29 17:18:4372 透明手機(jī)技術(shù)發(fā)展出現(xiàn)重大突破。斯坦福大學(xué)（Stanford University）近來全力發(fā)展以硅為基礎(chǔ)的納米線（Nanowire）技術(shù)；納米線極為纖細(xì)，超越人眼可偵測(cè)范圍，不僅能儲(chǔ)存大量電能，催生
2017-12-07 12:20:01284 日本東京大學(xué)教授加藤泰浩（Yasuhiro Kato） 和其研究團(tuán)隊(duì)成功從南鳥島外海里的稀土金屬提取出釔（Yttrium） 和鈰（cerium）來用作LED發(fā)光材料。
2017-12-29 14:24:405262 上海微系統(tǒng)所首次提出了微納光纖耦合的SNSPD器件
結(jié)構(gòu)。該
結(jié)構(gòu)將SNSPD器件置于微納光纖的倏逝場(chǎng)內(nèi)，從而實(shí)現(xiàn)
納米線對(duì)微納光纖中傳輸?shù)墓庾游铡?/div>
2018-01-02 13:36:2312834 金納米線作為一維納米材料的主要組成，由于其良好的化學(xué)穩(wěn)定性和高電導(dǎo)率，較高的表面活性以及優(yōu)良的生物親和性，使其在納米結(jié)構(gòu)器件和生物傳感器等方面具有廣闊的應(yīng)用前景。本文采用分子動(dòng)力學(xué)方法，以一維金納米線為研究對(duì)象，主要研究了單晶金納米線和孿晶結(jié)構(gòu)納米線拉伸力學(xué)行為和微觀形變機(jī)理。
2018-02-11 10:59:320 超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器有望為我國下一代量子衛(wèi)星、深空激光通信等空間應(yīng)用提供高性能單光子探測(cè)器解決方案。
2018-03-05 10:46:228805 從而可以調(diào)控量子點(diǎn)的激發(fā)。利用該方法可以實(shí)現(xiàn)對(duì)相距幾十納米的兩個(gè)量子點(diǎn)的選擇性激發(fā)，實(shí)驗(yàn)中通過對(duì)相距100 nm的兩個(gè)量子點(diǎn)的選擇性激發(fā)演示了該技術(shù)的可行性。通過將結(jié)構(gòu)照明顯微成像技術(shù)與金屬納米線上的表面等離激元干涉場(chǎng)相結(jié)合，利用模擬計(jì)算實(shí)現(xiàn)了對(duì)多個(gè)量子點(diǎn)的超分辨光學(xué)成像，分辨率約為96 nm。
2018-05-10 10:02:075288 
本文首先介紹了LED發(fā)光原理，其次介紹了LED發(fā)光效率相關(guān)概念及影響因素，最后介紹了提高LED的發(fā)光效率的方法。
2018-06-04 09:36:3224596 
文中還描述了這種接觸式印刷方法，包括如何從對(duì)齊的納米線獲得這種電子層，以及使用整體納米線組合來開發(fā)組件。相較于基于單納米線的組件，統(tǒng)計(jì)上來看，納米線組合的尺寸變化更少得多，因此，基于多納米線的組件在大面積上較具有可接受的響應(yīng)均勻度。
2018-08-23 10:34:153489 在所有的新材料技術(shù)中，納米材料是近年來研究最深，應(yīng)用速度最快的新型材料。其中納米線是被定義為一種具有在橫向上被限制在100納米以下（縱向沒有限制）的一維結(jié)構(gòu)材料，這種尺度上，納米線具有量子力學(xué)效應(yīng)，因此也被稱作“量子線”。
2018-10-14 10:57:002138 據(jù)悉，LG將使用銀納米線觸控面板生產(chǎn)智能家用電器，以區(qū)別于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品，而配備了該新觸控技術(shù)的LG產(chǎn)品預(yù)計(jì)將于2019年上市。
2018-12-16 09:54:401376 最近，科研人員發(fā)現(xiàn)血液流經(jīng)納米粒子會(huì)在其表面產(chǎn)生剪切力，能誘導(dǎo)楊氏模量低的納米粒子發(fā)生形變，抑制對(duì)蛋白的非特異性吸附，避免細(xì)胞對(duì)納米材料的吞噬產(chǎn)生的副作用，顯著提高納米材料的生物相容性，相關(guān)成果發(fā)表在J. Am. Chem. Soc. 2018, 140, 14211上。
2018-11-26 11:45:583230 年到2008年GaN基LED外量子效率發(fā)展變化圖。從圖上中可以看到提高LED的發(fā)光效率可以從兩個(gè)方面考慮：（1）提高內(nèi)量子效率（2）提高光提取效率。
2019-01-29 14:30:3110363 美國賓州州立大學(xué)（Pennsylvania State University，簡(jiǎn)稱“Penn State”）的研究員發(fā)現(xiàn)通過仿制螢火蟲的發(fā)光結(jié)構(gòu)能夠提高LED的發(fā)光效率。
2019-02-24 11:03:512206 美國羅徹斯特理工學(xué)院（Rochester Institute of Technology）的研究者新設(shè)計(jì)出一種垂直集成氮化鎵LED結(jié)構(gòu)，有助于提高Micro LED顯示器的效率。
2019-03-13 15:58:001763 美國羅徹斯特理工學(xué)院（Rochester Institute of Technology）的研究者新設(shè)計(jì)出一種垂直集成氮化鎵LED結(jié)構(gòu)，有助于提高Micro LED顯示器的效率。
2019-03-15 11:22:413990 美國國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究所（NIST）科學(xué)家成功開發(fā)出納米線UV LED，由于采用了特殊類型的外殼，其發(fā)光強(qiáng)度是基于更簡(jiǎn)單外殼的同類LED產(chǎn)生的光強(qiáng)度的五倍。
2019-04-01 16:03:054092 ，到目前為止該方案仍然難以大規(guī)模實(shí)際應(yīng)用。為了解決這一問題，通過合成獨(dú)特形貌的電極是從根本上提高光催化分解水效率的一種有效方法，這主要基于其結(jié)構(gòu)上（大小和形狀）的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。納米線作為一種典型的納米結(jié)構(gòu)，已經(jīng)在各種半導(dǎo)體中成功制備出來，用以提高其光電化學(xué)性能。
2019-05-23 14:39:466693 
該技術(shù)首次實(shí)現(xiàn)了“無漏電流”GaN橋接納米線，研制出的GaN納米線氣體傳感器將推動(dòng)傳感芯片的發(fā)展。
2019-06-03 14:35:553807 磷化銦襯底上的InAs和InAsSb納米線可形成適用于焦平面陣列的室溫SWIR或MWIR光電二極管。
2019-08-05 16:23:203396 實(shí)驗(yàn)是為了改進(jìn)昂貴的商用芯片?？茖W(xué)家采用透射電鏡可以檢測(cè)納米粒子，能夠詳細(xì)研究單個(gè)銀納米線。這讓透射電鏡設(shè)計(jì)和制造樣品芯片，能夠無比準(zhǔn)確的空間分辨率表征和操縱納米材料。
2019-10-01 17:16:002687 于是，美國勞倫斯·利弗莫爾國家實(shí)驗(yàn)室（LLNL）的研究人員開始研究有序的金屬納米線網(wǎng)格。它能夠提供高透射率（由于納米線的直徑較小），高導(dǎo)電率（由于網(wǎng)格中的觸點(diǎn)較多），并使用了更普通的元素。這項(xiàng)研究發(fā)表在《軟物質(zhì)（Soft Matter）》期刊上。
2019-12-11 14:14:193023 常規(guī)LED燈存在著亮度不足等缺憾，而導(dǎo)致普及率不夠。功率型LED燈卻有著亮度足使用壽命長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì)，但是功率型LED卻有著封裝等技術(shù)困難，下面賢集網(wǎng)小編與大家分享影響功率型LED封裝取光效率的因素
2020-01-18 11:31:005527 昆士蘭科技大學(xué)的研究人員提出了一種鉆石納米線束的新設(shè)計(jì)，這可能為一種新的機(jī)械儲(chǔ)能形式鋪平道路。
2020-05-07 22:57:452928 上海微系統(tǒng)所研究人員利用分子束外延技術(shù)，成功制備出大面積、高密度且高長(zhǎng)寬比的Ge納米線，并利用其作為模板，通過二次沉積法獲得了Sn組分可達(dá)~10%的GeSn/Ge雙層納米線結(jié)構(gòu)。
2020-06-01 14:23:561969 
）上的深紫外LED（DUV LED）的計(jì)算模型。研究發(fā)現(xiàn)：NPSS能夠提高DUV LED中橫向傳播的TM極性光的光提取效率，但會(huì)抑制偏向垂直傳播的TE極性光的光提取效率（如圖1所示）。造成這種現(xiàn)象的原因是，當(dāng)DUV LED中采用NPSS結(jié)構(gòu)時(shí)，NPSS會(huì)把部分橫向傳播的光散
2021-02-23 11:01:28464 
在高清RGB顯示屏芯片領(lǐng)域，正裝、倒裝和垂直結(jié)構(gòu)“三足鼎立”，其中以普通藍(lán)寶石正裝和倒裝結(jié)構(gòu)較為常見，垂直結(jié)構(gòu)通常是指經(jīng)過襯底剝離的薄膜LED芯片，襯底剝離后邦定新的基板或者可以不邦定基板，做成垂直
2021-05-05 17:28:002083 首次在極細(xì)的InAs納米線上原位外延生長(zhǎng)出超導(dǎo)鋁薄膜，并觀察到硬超導(dǎo)能隙和雙電子庫侖阻塞等現(xiàn)象。通過調(diào)節(jié)納米線的直徑，為未來研究馬約拉納零能模打開了一個(gè)新的實(shí)驗(yàn)維度。
2022-04-11 13:17:43905 研究人員對(duì)硅納米線Bio-FET進(jìn)行了制造和表征，如圖1a和圖2所示，該器件由硅納米線FET器件和PDMS微流體層構(gòu)成，尺寸為15mm × 26mm，具有用于通過外部注射泵加載外泌體樣品的入口和出口（圖2a）。
2022-06-08 09:28:191349 新發(fā)布的正陽極是OneD電池科學(xué)開發(fā)的突破性技術(shù)。它是生產(chǎn)硅納米線的技術(shù)組合，硅納米線是纖維狀結(jié)構(gòu)，熔合到EV電池陽極中使用的石墨顆粒上。該技術(shù)通過融合大量非常小的硅納米線來增強(qiáng)商業(yè)石墨。隨著
2022-10-18 15:07:46492 基于此，在本文中，研究了一種基于硅納米線陣列/石墨烯異質(zhì)結(jié)的高靈敏度近紅外光探測(cè)器，并對(duì)其電性能與光學(xué)特性進(jìn)行了研究。
2022-11-24 11:20:561110 和互連的3D網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)以及良好的紫外靈敏度，經(jīng)常被應(yīng)用于提高基于SAW的紫外檢測(cè)能力。然而，ZnO納米線通常是親水性的，因此，環(huán)境參數(shù)（例如濕度）的變化將顯著影響基于SAW的紫外傳感器的檢測(cè)精度和靈敏度。
2022-11-29 15:19:46747 與塊狀材料相比，納米線中的電子狀態(tài)確實(shí)有所不同。由于納米線的量子效應(yīng)，納米線的電子將占據(jù)離散的帶，而不是連續(xù)的狀態(tài)。即使每個(gè)電子都受到量子限制——因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">納米線內(nèi)的勢(shì)阱彼此靠近——它們也可以通過電子在勢(shì)阱之間穿隧連接起來。
2022-12-19 10:58:20636 納米線是一種很長(zhǎng)很細(xì)的納米材料。在技術(shù)術(shù)語中，這意味著它們具有高縱橫比?？紤]到這是一個(gè)與傳統(tǒng)電線相似的幾何形狀，它們?cè)陔娮雍?b class="flag-6" style="color: red">納米電子設(shè)備中具有很大的潛力。
2022-12-19 10:56:443456 為什么納米線對(duì)電子產(chǎn)品來說可能是一件大事
2022-12-30 09:40:06389 據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，澳大利亞國立大學(xué)（Australian National University）的研究人員開發(fā)出了一種由納米線陣列制成的氣體傳感器，憑借小尺寸很容易集成到硅芯片中。
2023-01-29 11:24:53163 PEACOQ探測(cè)器是由厚度僅為7.5納米的納米線制成的，或比人的頭發(fā)薄約1萬倍。在非常冷的溫度下操作它--大約1開爾文，或-458°F--使納米線變得超導(dǎo)，這意味著它們沒有電阻。
2023-01-31 09:36:09371 碳化硅納米線，SiC納米線（SiC nanowires），SiC短纖維（SiC fiber），SiC晶須（SiC whiskers）的主要應(yīng)用方向，檢測(cè)XRD圖譜SiC納米線是一種徑向上尺寸低于
2023-02-20 15:52:540 SiC納米線是一種徑向上尺寸低于100nm，長(zhǎng)度方向上遠(yuǎn)高于徑向尺寸的單晶纖維。SiC納米線生產(chǎn)技術(shù)一直都是全球研究的中
心及難點(diǎn)。SiC納米線在全球產(chǎn)量不高，一般為實(shí)驗(yàn)室水平生產(chǎn)（每次產(chǎn)量約幾十微克）。
2023-02-21 09:24:050 氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料，具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機(jī)械性質(zhì)，因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子和光學(xué)性質(zhì)，也是氮化鎵納米線的主要材料來源。
2023-02-25 17:25:15739 據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，馬薩諸塞大學(xué)阿默斯特分校（UMass Amherst）的科學(xué)家近日?qǐng)?bào)道了一種新型納米線，其比人類頭發(fā)絲細(xì)10000倍，可以利用普通的細(xì)菌廉價(jià)地生長(zhǎng)而成
2023-03-08 10:02:37647 根據(jù)工作機(jī)理，單光子探測(cè)器主要有光電倍增管（PMT）、單光子雪崩二極管（SPAD）、超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器（SNSPD）等類型。其中，SNSPD因其具有探測(cè)效率高、時(shí)間精度高、探測(cè)速度快和暗計(jì)數(shù)率低等特點(diǎn)，并且通過探測(cè)器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)后具備光子數(shù)分辨的能力
2023-05-10 09:37:09797 
傳感新品 【中科院北京納米能源與系統(tǒng)研究所：用于摩擦納米發(fā)電機(jī)和自供能傳感器的表面工程銀納米線透明導(dǎo)電薄膜】 摩擦納米發(fā)電機(jī)由于能夠高效的將低頻/高熵機(jī)械能轉(zhuǎn)化為電能，受到廣泛的關(guān)注。因此進(jìn)一步提高
2023-05-11 10:14:09629 
研究人員首先對(duì)銀納米顆粒/銅納米線進(jìn)行了合成，并對(duì)制備的銅納米線和化學(xué)沉積后負(fù)載不同尺寸銀納米顆粒的銅納米線進(jìn)行了形貌和結(jié)構(gòu)表征（圖1）。隨后，利用制備的銀納米顆粒/銅納米線材料制備獲得銀納米顆粒/銅納米線電極，用于后續(xù)無酶葡萄糖傳感性能的研究。
2023-05-12 15:19:28631 
led電源自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)如何提高測(cè)試效率？ LED電源自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)是一種用于測(cè)試LED電源的設(shè)備，其作用是通過自動(dòng)化的方式對(duì)LED電源進(jìn)行各項(xiàng)功能和性能的測(cè)試。使用LED電源自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)可以提高測(cè)試
2023-11-09 09:12:04494 近日，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)所尤立星、李浩團(tuán)隊(duì)與武愛民團(tuán)隊(duì)合作，利用內(nèi)嵌2D光子晶體結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了極低占空比超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器，在保證高吸收效率的同時(shí)成倍提高了探測(cè)速度。
2023-12-06 09:39:37226 
超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器(SNSPDs)是一種高效的光子檢測(cè)設(shè)備，利用超導(dǎo)材料的特性來探測(cè)單個(gè)光子，在科學(xué)研究和技術(shù)應(yīng)用中受到廣泛關(guān)注。
2023-12-12 11:05:23238 
在納米尺度上打印金屬可創(chuàng)建具有有趣功能的獨(dú)特結(jié)構(gòu)，對(duì)電子設(shè)備、太陽能轉(zhuǎn)換、傳感器和其他系統(tǒng)的發(fā)展至關(guān)重要。
2024-01-22 14:43:47311 臺(tái)階儀具備亞埃級(jí)垂直分辨率，可實(shí)現(xiàn)納米級(jí)別測(cè)量和分析。在納米加工領(lǐng)域，臺(tái)階儀能評(píng)估材料表面形貌和結(jié)構(gòu)，優(yōu)化納米加工過程。其線性可變差動(dòng)電容傳感器具有高分辨率，可測(cè)量蝕刻、濺射等多種工藝。臺(tái)階儀的應(yīng)用不僅能解決納米材料表面形貌難題，還提高加工效率和材料工程研究水平。
2024-02-19 13:49:24193 
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