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后疫情時(shí)期，MiniLED迎來(lái)快速發(fā)展的時(shí)期，而被視為未來(lái)顯示技術(shù)“終結(jié)”的MicroLED也正成為L(zhǎng)ED企業(yè)，乃至于面板廠、TV廠商們加速布局的關(guān)鍵市場(chǎng)。
高昂的成本和不配套的產(chǎn)業(yè)鏈體系一直是制約MicroLED發(fā)展的關(guān)鍵性因素，尤其是成本更是阻礙MicroLED顯示屏進(jìn)入萬(wàn)億級(jí)家庭消費(fèi)市場(chǎng)的攔路虎。
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)不成熟、紅光LED效率低，良率差也是MicroLED成本居高不下的重要原因。
“巨量轉(zhuǎn)移和紅光效率低是MicroLED發(fā)展目前面臨的兩大關(guān)鍵瓶頸?！爸袊?guó)科學(xué)院院士、南昌大學(xué)教授江風(fēng)益在日前舉行的“2020MicroLED產(chǎn)業(yè)技術(shù)峰會(huì)”上表示，目前的紅光材料使用磷化鎵，效率很低，質(zhì)地很脆，還屬于第二代半導(dǎo)體材料。
江風(fēng)益認(rèn)為，磷化鎵紅光在MiniLED尺寸小一點(diǎn)可以過(guò)得去，但進(jìn)入MicroLED，目前的磷化鎵紅光就遇到了挑戰(zhàn)。
尤其是未來(lái)MicroLED走向柔性可折疊，目前的紅光根本無(wú)法滿足。
華燦光電副總裁李鵬博士就曾表示，LED技術(shù)為了取得更好的顯示效果和分辨率，需要芯片微縮化，LED自發(fā)光顯示微縮化的核心就在于Mini/MicroLED芯片。
有業(yè)界資深人士告訴高工新型顯示，Mini/MicroLED芯片的良率問(wèn)題主要還是聚焦在紅光倒裝芯片領(lǐng)域?！凹t光倒裝LED芯片的技術(shù)難度比藍(lán)綠光的都要高，因?yàn)榧t光倒裝芯片一般需要進(jìn)行襯底轉(zhuǎn)移以及固晶焊接，而芯片在轉(zhuǎn)移以及固晶焊接的過(guò)程中，由于工藝環(huán)境以及各種不可控因素的影響，產(chǎn)品的良率和可靠性幾乎很難保證?！?/p>
要解決紅光效率及可靠性問(wèn)題，紅光芯片采用第三代半導(dǎo)體氮化鎵材料就成為一種選擇。
“MicroLEDRGB三基色用第三代半導(dǎo)體，而不是用第二代半導(dǎo)體，這在技術(shù)方面是一個(gè)發(fā)展趨勢(shì)?！苯L(fēng)益院士表示。
據(jù)了解，目前的RGBLED由兩種材料組合而成：紅光LED由磷化銦鎵（InGaP）制成，而藍(lán)光和綠光LED由氮化銦鎵（InGaN）半導(dǎo)體組成。要在Mini/MicroLED中整合兩種材料系統(tǒng)存在很大困難。
據(jù)高工新型顯示從業(yè)界了解的信息，目前紅光受限于材料與特性，可能50％的良率都未必能達(dá)到。
解決紅光的效率和可靠性問(wèn)題就成為目前業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。
包括華燦光電在內(nèi)的LED芯片企業(yè)在紅光芯片領(lǐng)域也已經(jīng)取得了一定的突破。
據(jù)李鵬博士介紹，在紅光MiniLED芯片技術(shù)方面，華燦開(kāi)發(fā)出高鍵合良率的轉(zhuǎn)移和鍵合工藝；并設(shè)計(jì)了頂傷防護(hù)層，優(yōu)化材料沉積工藝，增強(qiáng)膜質(zhì)，保證無(wú)外延頂傷風(fēng)險(xiǎn)。
據(jù)了解，目前華燦光電紅光MicroLED效率也到達(dá)了國(guó)際領(lǐng)先水平，并針對(duì)不同轉(zhuǎn)移方式，可以提供多種形式的MicroLED樣品。
在氮化鎵紅光LED方面，日前，英國(guó)MicroLED公司Plessey宣布開(kāi)發(fā)出世界上首個(gè)硅基InGaN紅光LED。
與現(xiàn)有的基于AlInGaP的紅光相比，基于InGaN的紅光具有更低的制造成本、可擴(kuò)展至更大的200mm或300mm晶圓以及更好的熱/冷系數(shù)，因此具有極大的吸引力。
“Mini/Micro-LED顯示對(duì)比現(xiàn)有的OLED、LCD，在各個(gè)方面都有優(yōu)勢(shì)。”李鵬博士認(rèn)為，Mini/MicroLED的結(jié)構(gòu)很簡(jiǎn)單，目前雖然成本很高，但隨著全產(chǎn)業(yè)鏈的努力，成本會(huì)做的非常有競(jìng)爭(zhēng)力，同時(shí)在柔性方面也會(huì)做的很好。
高昂的成本和不配套的產(chǎn)業(yè)鏈體系一直是制約MicroLED發(fā)展的關(guān)鍵性因素，尤其是成本更是阻礙MicroLED顯示屏進(jìn)入萬(wàn)億級(jí)家庭消費(fèi)市場(chǎng)的攔路虎。
巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)不成熟、紅光LED效率低，良率差也是MicroLED成本居高不下的重要原因。
“巨量轉(zhuǎn)移和紅光效率低是MicroLED發(fā)展目前面臨的兩大關(guān)鍵瓶頸?！爸袊?guó)科學(xué)院院士、南昌大學(xué)教授江風(fēng)益在日前舉行的“2020MicroLED產(chǎn)業(yè)技術(shù)峰會(huì)”上表示，目前的紅光材料使用磷化鎵，效率很低，質(zhì)地很脆，還屬于第二代半導(dǎo)體材料。
江風(fēng)益認(rèn)為，磷化鎵紅光在MiniLED尺寸小一點(diǎn)可以過(guò)得去，但進(jìn)入MicroLED，目前的磷化鎵紅光就遇到了挑戰(zhàn)。
尤其是未來(lái)MicroLED走向柔性可折疊，目前的紅光根本無(wú)法滿足。
華燦光電副總裁李鵬博士就曾表示，LED技術(shù)為了取得更好的顯示效果和分辨率，需要芯片微縮化，LED自發(fā)光顯示微縮化的核心就在于Mini/MicroLED芯片。
有業(yè)界資深人士告訴高工新型顯示，Mini/MicroLED芯片的良率問(wèn)題主要還是聚焦在紅光倒裝芯片領(lǐng)域?！凹t光倒裝LED芯片的技術(shù)難度比藍(lán)綠光的都要高，因?yàn)榧t光倒裝芯片一般需要進(jìn)行襯底轉(zhuǎn)移以及固晶焊接，而芯片在轉(zhuǎn)移以及固晶焊接的過(guò)程中，由于工藝環(huán)境以及各種不可控因素的影響，產(chǎn)品的良率和可靠性幾乎很難保證。”
要解決紅光效率及可靠性問(wèn)題，紅光芯片采用第三代半導(dǎo)體氮化鎵材料就成為一種選擇。
“MicroLEDRGB三基色用第三代半導(dǎo)體，而不是用第二代半導(dǎo)體，這在技術(shù)方面是一個(gè)發(fā)展趨勢(shì)。”江風(fēng)益院士表示。
據(jù)了解，目前的RGBLED由兩種材料組合而成：紅光LED由磷化銦鎵（InGaP）制成，而藍(lán)光和綠光LED由氮化銦鎵（InGaN）半導(dǎo)體組成。要在Mini/MicroLED中整合兩種材料系統(tǒng)存在很大困難。
據(jù)高工新型顯示從業(yè)界了解的信息，目前紅光受限于材料與特性，可能50％的良率都未必能達(dá)到。
解決紅光的效率和可靠性問(wèn)題就成為目前業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。
包括華燦光電在內(nèi)的LED芯片企業(yè)在紅光芯片領(lǐng)域也已經(jīng)取得了一定的突破。
據(jù)李鵬博士介紹，在紅光MiniLED芯片技術(shù)方面，華燦開(kāi)發(fā)出高鍵合良率的轉(zhuǎn)移和鍵合工藝；并設(shè)計(jì)了頂傷防護(hù)層，優(yōu)化材料沉積工藝，增強(qiáng)膜質(zhì)，保證無(wú)外延頂傷風(fēng)險(xiǎn)。
據(jù)了解，目前華燦光電紅光MicroLED效率也到達(dá)了國(guó)際領(lǐng)先水平，并針對(duì)不同轉(zhuǎn)移方式，可以提供多種形式的MicroLED樣品。
在氮化鎵紅光LED方面，日前，英國(guó)MicroLED公司Plessey宣布開(kāi)發(fā)出世界上首個(gè)硅基InGaN紅光LED。
與現(xiàn)有的基于AlInGaP的紅光相比，基于InGaN的紅光具有更低的制造成本、可擴(kuò)展至更大的200mm或300mm晶圓以及更好的熱/冷系數(shù)，因此具有極大的吸引力。
“Mini/Micro-LED顯示對(duì)比現(xiàn)有的OLED、LCD，在各個(gè)方面都有優(yōu)勢(shì)?！崩铢i博士認(rèn)為，Mini/MicroLED的結(jié)構(gòu)很簡(jiǎn)單，目前雖然成本很高，但隨著全產(chǎn)業(yè)鏈的努力，成本會(huì)做的非常有競(jìng)爭(zhēng)力，同時(shí)在柔性方面也會(huì)做的很好。
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