引言 ? 光刻膠又稱“光致抗蝕劑”或“光阻劑”，被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線路的加工制作，是微納制造技術(shù)的關(guān)鍵性材料。 光刻膠是光刻工藝最重要的耗材，其性能決定了加工成品的精密程度和良品率
2022-04-25 17:35:22
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光刻膠為何要謀求國(guó)產(chǎn)替代？中國(guó)國(guó)產(chǎn)光刻膠企業(yè)的市場(chǎng)發(fā)展機(jī)會(huì)和挑戰(zhàn)如何？光刻膠企業(yè)發(fā)展要具備哪些核心競(jìng)爭(zhēng)力？在南京半導(dǎo)體大會(huì)期間，徐州博康公司董事長(zhǎng)傅志偉和研發(fā)總監(jiān)潘新剛給我們帶來(lái)前沿觀點(diǎn)和獨(dú)家分析。
2022-08-29 15:02:236063 
近日，上海新陽(yáng)發(fā)布公告稱，公司自主研發(fā)的KrF（248nm）厚膜光刻膠產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)客戶認(rèn)證，并成功取得第一筆訂單，取得不錯(cuò)進(jìn)展。 ? 光刻膠用于半導(dǎo)體光刻工藝環(huán)節(jié)，是決定制造質(zhì)量的重要因素，根據(jù)曝光
2021-07-03 07:47:0023837 ，增幅11.11%。 ? 截圖自企查查 ? 光刻膠是芯片制造中光刻環(huán)節(jié)的重要材料，目前主要被日美把控，國(guó)內(nèi)在光刻膠方面投入研制的廠商主要晶瑞股份、南大光電、上海新陽(yáng)、徐州博康、北京科華等，那么華為投資的徐州博康在光刻膠方面有何優(yōu)勢(shì)，國(guó)內(nèi)廠商在光
2021-08-12 07:49:005462 電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 近日，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)帶動(dòng)了上游半導(dǎo)體材料旺盛需求，“光刻膠”的突破也成為國(guó)內(nèi)關(guān)注焦點(diǎn)。正當(dāng)日本光刻膠企業(yè)JSR、東京應(yīng)化和美國(guó)Lam Research在EUV光刻膠
2022-08-31 07:45:002788 :1倍的在硅片上直接分步重復(fù)曝光系統(tǒng)?！」庵驴刮g劑 簡(jiǎn)稱光刻膠或抗蝕劑，指光照后能改變抗蝕能力的高分子化合物。光蝕劑分為兩大類。①正性光致抗蝕劑：受光照部分發(fā)生降解反應(yīng)而能為顯影液所溶解。留下的非
2012-01-12 10:51:59
一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負(fù)性光刻，區(qū)別如下
2021-01-12 10:17:47
關(guān)于光刻工藝的原理，大家可以想象一下膠片照片的沖洗，掩膜版就相當(dāng)于膠片，而光刻機(jī)就是沖洗臺(tái)，它把掩膜版上的芯片電路一個(gè)個(gè)的復(fù)制到光刻膠薄膜上，然后通過(guò)刻蝕技術(shù)把電路“畫(huà)”在晶圓上?！ ‘?dāng)然
2020-07-07 14:22:55
MEMS、芯片封裝和微加工等領(lǐng)域。目前，直接采用 SU8光刻膠來(lái)制備深寬比高的微結(jié)構(gòu)與微零件已經(jīng)成為微加工領(lǐng)域的一項(xiàng)新技術(shù)。在微流控芯片加工中，SU-8主要用于快速模塑法加工PDMS微流控芯片。運(yùn)用
2018-07-12 11:57:08
提高，才能符合集成工藝制程的要求 [3]。以下幾點(diǎn)為光刻膠制造中的關(guān)鍵技術(shù)：配方技術(shù)、超潔凈技術(shù)、超微量分析技術(shù)及應(yīng)用檢測(cè)能力。 制程特性要求有：涂布均勻性、靈敏度、分辨率及制程寬容度。2 光刻膠的反應(yīng)
2018-08-23 11:56:31
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會(huì)發(fā)生改變。光刻膠主要用來(lái)將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負(fù)膠之分。正膠經(jīng)過(guò)曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經(jīng)過(guò)顯影后被
2019-11-07 09:00:18
這是我的版圖一部分，然后生成了圖案是這樣的： 感覺(jué)間距小的地方全都有殘留，間距大的地方?jīng)]有殘留；工藝參數(shù)：s9920光刻膠， evg 620‘未進(jìn)行蒸汽底漆層涂覆，前烘：100攝氏度，90s
2016-11-29 14:59:18
。如，美國(guó)的高通、博通、AMD，中國(guó)***的聯(lián)發(fā)科，大陸的華為海思、展訊等。國(guó)內(nèi)單片機(jī)芯片：核心設(shè)備單片機(jī)芯片良品率取決于晶圓廠整體水平，但加工精度完全取決于核心設(shè)備，就是前面提到的“光刻機(jī)”。光刻
2018-09-03 16:48:04
`我們國(guó)家的機(jī)器人企業(yè)跟國(guó)外的還有很大差距，比如上游核心元器件沒(méi)有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，技術(shù)含量低、建模分析能力不足等等。國(guó)內(nèi)機(jī)器人企業(yè)需要突破的地方還有很多，最需要的就是靜下心來(lái)專研產(chǎn)品和技術(shù)。多向國(guó)外學(xué)習(xí)。`
2017-07-10 15:02:32
我們國(guó)家的機(jī)器人企業(yè)跟國(guó)外的還有很大差距，比如上游核心元器件沒(méi)有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，技術(shù)含量低、建模分析能力不足等等。國(guó)內(nèi)機(jī)器人企業(yè)需要突破的地方還有很多，最需要的就是靜下心來(lái)專研產(chǎn)品和技術(shù)。多向國(guó)外學(xué)習(xí)。
2017-07-10 15:02:32
AL-CU互連導(dǎo)線側(cè)壁孔洞形成機(jī)理及改進(jìn)方法側(cè)壁孔洞缺陷是當(dāng)前Ａｌ?Ｃｕ 金屬互連導(dǎo)線工藝中的主要缺陷之一。此種缺陷會(huì)導(dǎo)致電遷移，從而降低器件的可靠性。缺陷的產(chǎn)生是由于在干法等離子光刻膠去除工藝
2009-10-06 09:50:58
EMC設(shè)計(jì)、工藝技術(shù)基本要點(diǎn)和問(wèn)題處理流程推薦給大家參考。。
2015-08-25 12:05:04
半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的標(biāo)志：NR9-PY 系列負(fù)性光刻膠，適用于lift-off工藝；具有高效粘附性，高反應(yīng)速度并耐高溫性能好。 NR71-PY 系列 負(fù)性光刻膠，適用于lift-off工藝，耐高溫性能好
2010-04-21 10:57:46
環(huán)境濕度太大，使膠與玻璃表面粘附不良。因此，得注意做好玻璃表面清潔處理和操作的環(huán)境的溫，濕度及清潔工作。2）光刻膠配制有誤或膠陳舊不純，膠的光化學(xué)反應(yīng)性能不好，使膠與ITO層成健能力差，或者膠膜不均勻
2018-11-22 16:04:49
的雜質(zhì)和油污洗凈，然后把水除去并干燥，保證下道工藝的加工質(zhì)量。C. 涂光刻膠：在ITO玻璃的導(dǎo)電層面上均勻涂上一層光刻膠，涂過(guò)光刻膠的玻璃要在一定的溫度下作預(yù)處理。D. 前烘：在一定的溫度下將涂有
2019-07-16 17:46:15
、芯片封裝和微加工等領(lǐng)域。目前，直接采用 SU- 8 光刻膠來(lái)制備深寬比高的微結(jié)構(gòu)與微零件已經(jīng)成為微加工領(lǐng)域的一項(xiàng)新技術(shù)。SU 8光刻膠光刻前清洗工藝：為了獲得更好的光刻效果，在進(jìn)行光刻膠旋涂之前，需要
2018-07-04 14:42:34
lithography是一種平板印刷技術(shù)，在平面光波回路的制作中一直發(fā)揮著重要的作用。具體過(guò)程如下：首先在二氧化硅為主要成分的芯層材料上面，淀積一層光刻膠；使用掩模版對(duì)光刻膠曝光固化，并在
2018-08-24 16:39:21
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學(xué)蝕刻過(guò)程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號(hào)：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http
2021-07-06 09:39:22
。光刻膠的圖案通過(guò)蝕刻劑轉(zhuǎn)移到晶片上。沉積：各種材料的薄膜被施加在晶片上。為此，主要使用兩種工藝，物理氣相沉積 (PVD) 和化學(xué)氣相沉積 (CVD)。制作步驟：1.從空白晶圓開(kāi)始2.自下而上構(gòu)建
2021-07-08 13:13:06
的關(guān)鍵。這包括使用新的材料讓沉積過(guò)程變得更為精準(zhǔn)的創(chuàng)新技術(shù)。光刻膠涂覆晶圓隨后會(huì)被涂覆光敏材料“光刻膠”（也叫“光阻”）。光刻膠也分為兩種——“正性光刻膠”和“負(fù)性光刻膠”。正性和負(fù)性光刻膠的主要
2022-04-08 15:12:41
光刻技術(shù)中,涂有光刻膠的硅片與掩膜版直接接觸.由于光刻膠和掩膜版之間緊密接觸,因此可以得到比較高的分辨率.接觸式暴光的主要問(wèn)題是容易損傷掩膜版和光刻膠.當(dāng)掩膜版與硅片接觸和對(duì)準(zhǔn)時(shí),硅片上很小的灰塵
2012-01-12 10:56:23
和(SHOWA)配件富臨設(shè)備配件、鉆石砂輪、鉆石研磨液、光刻膠、東進(jìn)光刻膠、安智光刻膠、蝕刻液、去光阻液、固態(tài)臘、日東藍(lán)白膜、鈹銅針、鎢鋼針`高溫吸嘴等LED芯片及封裝設(shè)備相關(guān)的配件和耗材 咨詢電話
2008-08-27 10:18:39
，LIGA是X射線光刻技術(shù)的德語(yǔ)簡(jiǎn)稱，于1982年由德國(guó)卡爾斯魯厄核研究中心開(kāi)發(fā)出來(lái)。LIGA技術(shù)的工藝步驟如圖4.7所示，包括對(duì)基片上光刻膠的X射線光刻、光刻膠顯影、在光刻膠結(jié)構(gòu)上的金屬電鑄、從光刻膠結(jié)構(gòu)中
2020-05-12 17:27:14
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
噴膠機(jī)是現(xiàn)代光電子產(chǎn)業(yè)中光刻膠涂布的重要設(shè)備。可對(duì)不同尺寸和形狀的基片進(jìn)行涂膠，最大涂膠尺寸達(dá)8寸，得到厚度均勻的光刻膠層，同時(shí)可對(duì)大深寬比結(jié)構(gòu)的側(cè)壁進(jìn)行均勻涂膠；通過(guò)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)控制器進(jìn)行工藝參數(shù)的編輯和操作。
2020-03-23 09:00:57
圖形反轉(zhuǎn)工藝用于金屬層剝離的研究研究了ＡＺ?５２１４ 膠的正、負(fù)轉(zhuǎn)型和形成適用于剝離技術(shù)的倒臺(tái)面圖形的工藝技術(shù)。用掃描電鏡和臺(tái)階儀測(cè)試制作出的光刻膠斷面呈倒臺(tái)面，傾角約為６０°，膠厚１?４μｍ。得到
2009-10-06 10:05:30
如何提高多層板層壓品質(zhì)在工藝技術(shù)
2021-04-25 09:08:11
本人是菜鳥(niǎo) 需要在玻璃上光刻普通的差值電極 以前一直在硅片上面光刻 用的光刻膠是AZ5214E 正膠 同樣的工藝和參數(shù)在玻璃上附著力差了很多 懇請(qǐng)哪位高人指點(diǎn)一下PS 插值電極的距離為25微米 小女子這廂謝過(guò)了
2010-12-02 20:40:41
一．工藝流程簡(jiǎn)述： 前段工位： ITO 玻璃的投入（grading）—— 玻璃清洗與干燥（CLEANING）——涂光刻膠（PR COAT）——前烘烤（PREBREAK）——曝光（DEVELOP
2016-06-30 09:03:48
涂敷光刻膠 光刻制造過(guò)程中，往往需采用20-30道光刻工序，現(xiàn)在技術(shù)主要采有紫外線(包括遠(yuǎn)紫外線)為光源的光刻技術(shù)。光刻工序包括翻版圖形掩膜制造，硅基片表面光刻膠的涂敷、預(yù)烘、曝光、顯影、后烘、腐蝕
2019-08-16 11:11:34
技術(shù)溶解去除曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域，使掩模板上的電路圖轉(zhuǎn)移到光刻膠上，最后利用刻蝕技術(shù)將圖形轉(zhuǎn)移到硅片上?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">光刻根據(jù)所采用正膠與負(fù)膠之分，劃分為正性光刻和負(fù)性光刻兩種基本工藝。 在正性光刻中，正
2020-07-07 11:36:10
151n光刻膠曝光顯影后開(kāi)口底部都會(huì)有一撮殘留，找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52
受制于人。最近一段時(shí)間，系統(tǒng)和芯片更是頻頻傳來(lái)好消息。先說(shuō)系統(tǒng)華為鴻蒙2.0系統(tǒng)在9月10號(hào)亮相，同時(shí)余承東宣布將以捐贈(zèng)開(kāi)源基金會(huì)的形式，對(duì)華為鴻蒙系統(tǒng)進(jìn)行開(kāi)源。根據(jù)后臺(tái)數(shù)據(jù)，鴻蒙系統(tǒng)上線短短幾個(gè)小時(shí)
2020-09-18 10:26:45
PMT-2離線光刻膠微粒子計(jì)數(shù)器是一款新型液體顆粒監(jiān)測(cè)儀器。采用激光光散或光阻原理的顆粒檢測(cè)傳感器，可以對(duì)超純水、自來(lái)水、飲用水、去離子水、礦泉水、蒸餾水、無(wú)機(jī)化學(xué)品、有機(jī)化學(xué)品、有機(jī)溶劑、清洗劑
2022-12-14 10:44:24
PMT-2在線光刻膠液體粒子計(jì)數(shù)器，采用英國(guó)普洛帝核心技術(shù)創(chuàng)新型的第八代雙激光窄光顆粒檢測(cè)傳感器，雙精準(zhǔn)流量控制-精密計(jì)量柱塞泵和超精密流量電磁控制系統(tǒng)，可以對(duì)清洗劑、半導(dǎo)體、超純水
2023-01-03 15:54:49
光刻膠（光敏膠）進(jìn)行光刻，將圖形信息轉(zhuǎn)移到基片上，從而實(shí)現(xiàn)微細(xì)結(jié)構(gòu)的制造。光刻機(jī)的工作原理是利用光學(xué)系統(tǒng)將光線聚焦到光刻膠上，通過(guò)掩膜版（也稱為光刻掩膜）上的圖形
2023-07-07 11:46:07
我國(guó)導(dǎo)航電子地圖核心技術(shù)仍受制于人
在導(dǎo)航電子地圖方面，中國(guó)擁有電子地圖生產(chǎn)資質(zhì)的企業(yè)有十一家，但真正能夠提供導(dǎo)航電子地圖的只有六家左右。電子地
2010-03-25 17:50:30642 光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來(lái)以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來(lái)完成的,也就是說(shuō),首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 國(guó)外在LED封裝方面的研發(fā)力量不僅僅是集中在結(jié)構(gòu)上面，而且對(duì)封裝材料也有大力的研究。而中國(guó)主要集中在LED封裝結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)上，當(dāng)要用到某種更好的材料時(shí)，容易受制于人。
2012-11-20 15:59:16834 在手機(jī)芯片產(chǎn)業(yè)，“核芯”技術(shù)受制于人是中國(guó)的軟肋，現(xiàn)在國(guó)產(chǎn)芯片初步站穩(wěn)，將打響“攻芯戰(zhàn)”，國(guó)產(chǎn)手機(jī)芯片制造正在嘗試擺脫困境，在這兩大領(lǐng)域?qū)⒖赡嬉u，甚至達(dá)到領(lǐng)跑階段。
2018-02-08 11:45:481885 ”級(jí)別的“神器”我國(guó)能趕超歐美嗎？特別是最近某科技媒體稱，“是什么卡了我們的脖子—— 這些“細(xì)節(jié)”讓中國(guó)難望頂級(jí)光刻機(jī)項(xiàng)背”，筆者根據(jù)公開(kāi)資料解析我國(guó)光刻機(jī)最新進(jìn)展。所謂光刻機(jī)，原理實(shí)際上跟照相機(jī)差不多
2018-07-29 11:16:005485 國(guó)外工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的利弊值得仔細(xì)權(quán)衡，因?yàn)橐粋€(gè)不留神，工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)很有可能會(huì)成為下一個(gè)受制于人的“中國(guó)芯片”。
2018-08-29 11:11:584095 在國(guó)家政策與市場(chǎng)的雙重驅(qū)動(dòng)下，近年來(lái)，國(guó)內(nèi)企業(yè)逐步向面板、半導(dǎo)體光刻膠發(fā)力……
2019-04-23 16:15:3612869 
在制與反制的對(duì)抗中，核心技術(shù)和綜合實(shí)力才是不敗之道。殘酷的中美貿(mào)易戰(zhàn)，由于缺乏芯片等核心技術(shù)，國(guó)內(nèi)眾多高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)受到制約，從中興到華為，再到?？低?，一系列的“斷供“都在不斷的提醒國(guó)內(nèi)企業(yè)，絕不能讓核心技術(shù)受制于人。
2019-05-23 16:36:571412 
近日，沃衍資本攜手江蘇盛世投資、紫荊資本、深圳市投控通產(chǎn)新材料創(chuàng)業(yè)投資企業(yè)、四川潤(rùn)資、北京高盟新材料等投資機(jī)構(gòu)完成了對(duì)國(guó)內(nèi)光刻膠領(lǐng)頭企業(yè)—北京科華微電子材料有限公司1.7億元的投資。
2019-06-29 10:37:4628113 從經(jīng)開(kāi)區(qū)企業(yè)北京欣奕華科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“欣奕華”）了解到，經(jīng)過(guò)多年的行業(yè)累積和技術(shù)迭代，欣奕華在平板顯示用負(fù)性光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了量產(chǎn)，預(yù)計(jì)今年將有1000噸的光刻膠交付用戶，約占國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的8%。
2019-10-28 16:38:493788 在國(guó)際半導(dǎo)體領(lǐng)域，我國(guó)雖已成為半導(dǎo)體生產(chǎn)大國(guó)，但整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈仍比較落后。特別是由于國(guó)內(nèi)光刻膠廠布局較晚，半導(dǎo)體光刻膠技術(shù)相較于海外先進(jìn)技術(shù)差距較大，國(guó)產(chǎn)化不足5%。在這種條件下，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體廠商積極開(kāi)展研究，如晶瑞股份的KrF光刻膠，南大光電的ArF光刻膠均取得較好的研究效果。
2020-03-06 15:40:564211 來(lái)源：浙商證券研究院 光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對(duì)光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹(shù)脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過(guò)光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影
2020-09-15 14:00:1417012 技術(shù)水平與國(guó)際先進(jìn)水平仍存在較大差距，自給率僅10%，主要集中于技術(shù)含量相對(duì)較低的PCB領(lǐng)域，6英寸硅片的g/i線光刻膠的自給率約為20%，8英寸硅片的KrF光刻膠的自給率不足5%，12寸硅片的ArF光刻膠目前尚沒(méi)有國(guó)內(nèi)企業(yè)可以大規(guī)模生產(chǎn)。 基于此，新材料在線特推出【2020年光
2020-10-10 17:40:252978 光刻膠是由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑三種主要成份組成的、對(duì)光敏感的混合液體。利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上的圖形轉(zhuǎn)移介質(zhì)，其中曝光是通過(guò)紫外光
2022-12-06 14:53:541289 多年來(lái)，光刻膠的研發(fā)都被列入我國(guó)高新技術(shù)計(jì)劃、重大科技項(xiàng)目。今年9月28日，國(guó)家發(fā)展改革委、科技部、工業(yè)和信息化部以及財(cái)政部聯(lián)合印發(fā)的《關(guān)于擴(kuò)大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)投資培育壯大新增長(zhǎng)點(diǎn)增長(zhǎng)極的指導(dǎo)意見(jiàn)
2020-10-22 15:20:153287 光刻膠是微納加工過(guò)程中非常關(guān)鍵的材料。有專家表示，中國(guó)要制造芯片，光有光刻機(jī)還不夠，還得打破國(guó)外對(duì)“光刻膠”的壟斷。
2020-12-08 10:53:564205 稱，“ArF 光刻膠產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”是寧波南大光電承接國(guó)家“02 專項(xiàng)”的一個(gè)重點(diǎn)攻關(guān)項(xiàng)目。本次產(chǎn)品的認(rèn)證通過(guò)，標(biāo)志著“ArF 光刻膠產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目取得了關(guān)鍵性的突破，成為國(guó)內(nèi)通過(guò)產(chǎn)品驗(yàn)證的第一只國(guó)產(chǎn) ArF 光刻膠。? 此舉意味著國(guó)產(chǎn)193nm ArF 光刻膠產(chǎn)
2020-12-25 18:24:096335 光刻是集成電路工藝中的關(guān)鍵性技術(shù)。在硅片表面涂上光刻膠薄層，經(jīng)過(guò)光照、顯影，在光刻膠上留下掩模版的圖形。
2021-04-09 14:27:1964 5月27日，半導(dǎo)體光刻膠概念股開(kāi)盤(pán)即走強(qiáng)，截至收盤(pán)，A股光刻膠板塊漲幅達(dá)6.48%。其中晶瑞股份、廣信材料直線拉升大漲20%封漲停，容大感光大漲13.28%，揚(yáng)帆新材大漲11.37%，南大光電
2021-05-28 10:34:152652 在半導(dǎo)體制造方面，國(guó)內(nèi)廠商需要突破的不只是光刻機(jī)等核心設(shè)備，光刻膠也是重要的一環(huán)。而南大光電研發(fā)的高端ArF光刻機(jī)，已經(jīng)獲得了國(guó)內(nèi)某企業(yè)的認(rèn)證，可用于55nm工藝制造。 南大光電發(fā)布公告稱，控股
2021-06-26 16:32:372225 光刻膠是光刻機(jī)研發(fā)的重要材料，換句話說(shuō)光刻機(jī)就是利用特殊光線將集成電路映射到硅片的表面，如果想要硅片的表面不留下痕跡，就需要網(wǎng)硅片上涂一層光刻膠。
2022-02-05 16:11:0011450 待加工基片上。其被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線路的加工制作，是微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性材料。 一言以蔽之，光刻膠是光刻工藝最重要的耗材，其性能決定了加工成品的精密程度和良品率，而光刻工藝又是精密電子元器件制造
2022-01-20 21:02:461268 
摘要 新的全濕剝離工藝在去除高度注入的光刻膠時(shí)不需要干等離子體灰化工藝，同時(shí)保持低缺陷水平和至少相當(dāng)于記錄工藝的高產(chǎn)量性能?；一襟E的消除減少了不希望的基板損壞和材料損失，改善了周期時(shí)間，釋放
2022-03-01 14:39:431401 
什么是光刻？光刻是將掩模上的幾何形狀轉(zhuǎn)移到硅片表面的過(guò)程。光刻工藝中涉及的步驟是晶圓清洗；阻擋層的形成；光刻膠應(yīng)用；軟烤；掩模對(duì)準(zhǔn)；曝光和顯影；和硬烤。
2022-03-15 11:38:02872 
?OPTOLITH模塊可對(duì)成像(imaging)，光刻膠曝光(exposure)，光刻膠烘烤（bake）和光刻膠顯影（development）等工藝進(jìn)行精確定義
2022-03-15 14:16:474091 本文提出了一種新型的雙層光阻劑方法來(lái)減少負(fù)光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑，選擇負(fù)光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對(duì)浮渣平均數(shù)量的影響。實(shí)驗(yàn)表明，低粘度正光刻膠AZ703
2022-03-24 16:04:23777 
本發(fā)明涉及一種去除光刻膠的方法，更詳細(xì)地說(shuō)，是一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法，該方法適合于在半導(dǎo)體裝置的制造過(guò)程中進(jìn)行吹掃以去除光刻膠。在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中，將殘留在晶片上的光刻膠，在H2O
2022-04-13 13:56:42927 
本文的目標(biāo)是討論一種新技術(shù)，它可以在保持競(jìng)爭(zhēng)力的首席運(yùn)營(yíng)官的同時(shí)改善權(quán)衡。 將開(kāi)發(fā)濕化學(xué)抗蝕劑去除溶液的能力與對(duì)工藝和工具要求的理解相結(jié)合，導(dǎo)致了用于光刻膠去除的單晶片清洗技術(shù)的發(fā)展。 該技術(shù)針對(duì)
2022-05-07 15:11:11676 
本文章介紹了我們?nèi)A林科納一種光刻膠剝離用組合物，該組合物不僅對(duì)離子注入工藝后或離子注入工藝和高溫加熱工藝后硬化或變質(zhì)為聚合物的光刻膠具有良好的去除力，而且使膜質(zhì)腐蝕性最小化。半導(dǎo)體工藝中離子注入工藝
2022-07-01 15:16:081508 
灰化，簡(jiǎn)單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳?xì)溆袡C(jī)物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過(guò)泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。
2022-07-21 11:20:175187 南大光電最新消息顯示，國(guó)產(chǎn)193nm（ArF）光刻膠研發(fā)成功，這家公司成為通過(guò)國(guó)家“02專項(xiàng)”驗(yàn)收的ArF光刻膠項(xiàng)目實(shí)施主體；徐州博康宣布，該公司已開(kāi)發(fā)出數(shù)十種高端光刻膠產(chǎn)品系列，包括
2022-08-31 09:47:141326 光刻膠的組成：樹(shù)脂（resin/polymer），光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機(jī)械與化學(xué)性質(zhì)（如粘附性、膠膜厚度、熱穩(wěn)定性等）；感光劑，感光劑對(duì)光能發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)；溶劑（Solvent
2022-10-21 16:40:0416981 半導(dǎo)體光刻膠用光敏材料仍屬于“卡脖子”產(chǎn)品，海外進(jìn)口依賴較重，不同品質(zhì)之間價(jià) 格差異大。以國(guó)內(nèi) PAG 對(duì)應(yīng)的化學(xué)放大型光刻膠（主要是 KrF、ArF 光刻膠）來(lái)看，樹(shù)脂在 光刻膠中的固含量
2022-11-18 10:07:432815 來(lái)源：欣奕華材料 據(jù)欣奕華材料官微消息，近日，國(guó)內(nèi)光刻膠龍頭企業(yè)阜陽(yáng)欣奕華材料科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“阜陽(yáng)欣奕華”）完成超5億元人民幣 D 輪融資。 據(jù)悉，本輪融資由盛景嘉成母基金
2023-06-13 16:40:00602 在產(chǎn)品技術(shù)方面，182/210大硅片開(kāi)始量產(chǎn)，N型電池加速商業(yè)化應(yīng)用進(jìn)程。我國(guó)光伏企業(yè)在PERC、TOPCon、HJT和IBC等高效電池生產(chǎn)技術(shù)上先后取得突破，不斷刷新電池效率的世界紀(jì)錄。
2023-06-20 15:06:101380 
光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項(xiàng)重要指標(biāo)。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？
2023-11-13 18:14:11715 
KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進(jìn)行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術(shù)已廣 泛應(yīng)用于0.13μm工藝的生產(chǎn)中,主要應(yīng)用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產(chǎn)中。
2023-11-29 10:28:50350 
勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關(guān)重要的參數(shù)，那么我們?cè)趧蚰z時(shí)，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質(zhì)？
2023-12-15 09:35:56588 
光刻膠主要下游應(yīng)用包括：顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導(dǎo)體制造等，其中顯示屏是光刻膠最大的下游應(yīng)用，占比30%。光刻膠在半導(dǎo)體制造應(yīng)用占比24%，是第三達(dá)應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-01-03 18:12:21501 
光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料，可以通過(guò)光刻機(jī)上的模板或掩模來(lái)進(jìn)行曝光。
2024-03-04 17:19:18792 與正光刻膠相比，電子束負(fù)光刻膠會(huì)形成相反的圖案?；诰酆衔锏呢?fù)型光刻膠會(huì)在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過(guò)程中溶解，而曝光的光刻膠則保留下來(lái)，從而形成負(fù)像。
2024-03-20 11:36:50544 
光刻膠按照種類可以分為正性的、負(fù)性的。正膠受到紫外光照射的部分在顯影時(shí)被去除，負(fù)膠受到紫外光曝光的地方在顯影后被留下。
2024-04-24 11:37:05292 
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