igbt和mos管怎么區(qū)分

　　igbt和mos管怎么區(qū)分

　　一說(shuō)到開(kāi)關(guān)，大家都不陌生，如我們家里的燈開(kāi)關(guān)、家用電器的開(kāi)關(guān)等，這些開(kāi)關(guān)都是可以用手控制的，按一下就開(kāi)，按一下又關(guān)。

　　然而，在電子電路中，本來(lái)各種電子元器件就很小，要再裝一個(gè)手控的開(kāi)關(guān)就會(huì)占用很大空間。另外，電子電路經(jīng)常涉及到高頻信號(hào)，也就是說(shuō)，開(kāi)關(guān)通斷的切換速度要非?？欤挚鼐透滑F(xiàn)實(shí)了，那該怎么辦呢？答案就在于開(kāi)關(guān)管！

　　所謂開(kāi)關(guān)管，其實(shí)就是各種半導(dǎo)體器件，如二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管和IGBT等，這些半導(dǎo)體器件都可用作電子開(kāi)關(guān)，控制電路的導(dǎo)通和關(guān)斷。其中場(chǎng)效應(yīng)管（本文均指MOS管）和IGBT都是全控型開(kāi)關(guān)管，換言之，IGBT和MOS管在電路中的導(dǎo)通和關(guān)斷都是可以用觸發(fā)信號(hào)控制的。那這IGBT和MOS管有沒(méi)有區(qū)別呢？顯然是有的。

　　MOS管和IGBT都是常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)管，常用在開(kāi)關(guān)電源、變頻器、電動(dòng)汽車(chē)等的電路板中。IGBT和MOS管的特性很相似，驅(qū)動(dòng)方法也基本相同，絕大多數(shù)場(chǎng)合它們都是作為電子開(kāi)關(guān)來(lái)使用。

　　從管腳來(lái)看，IGBT的3個(gè)管腳（正面）依次為柵極、集電極和發(fā)射極，MOS管的3個(gè)管腳（正面）依次為柵極、漏極和源極。從柵極管腳上可以看出，IGBT和MOS管都屬于絕緣柵型管，而IGBT的另2個(gè)管腳“集電極和發(fā)射極”顯然和三極管的管腳相同。

　　綜上，我們不難發(fā)現(xiàn)，IGBT其實(shí)就是MOS管和三級(jí)管的復(fù)合體，所以稱(chēng)為絕緣柵雙極型晶體管，又稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)三極管。IGBT充分利用了場(chǎng)效應(yīng)管和三極管的優(yōu)點(diǎn)，具有高電壓、高輸入阻抗、熱穩(wěn)定性好、電壓驅(qū)動(dòng)型、大電流等優(yōu)點(diǎn)。

　　MOS管與IGBT的特點(diǎn)

　　我們知道MOS管和IGBT管都是電壓型控制器件，它們的輸入電阻都很高，所以柵極電流都很小，其驅(qū)動(dòng)功率都小，驅(qū)動(dòng)電路可以做的很簡(jiǎn)單。不同的是對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)（MOS）管來(lái)說(shuō)，有的MOS管它的漏極D和源極S可以互換使用，在使用上比較靈活，而絕緣柵雙極晶體管IGBT從制作結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)要比MOS管復(fù)雜一些，從等效圖可以看出，它可以等效一個(gè)由PNP三極管和增強(qiáng)型NMOS管組合而成的功率晶體管，如下圖所示。

　　從使用實(shí)效上來(lái)看，IGBT在使用上有著更突出的優(yōu)點(diǎn)，比如IGBT在導(dǎo)通工作時(shí)它的導(dǎo)通電流密度大，因?yàn)閺牡刃щ娐房?，它的主電路?lèi)似三極管，工作電流為集電極電流IC，它的工作電流一般是MOS管的數(shù)十倍，因此在電磁爐主電路和變頻器主電路種常會(huì)用到IGBT管；第二個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，當(dāng)IGBT導(dǎo)通工作后，它的導(dǎo)通電阻很低，在一定的芯片面積和電壓下，IGBT的導(dǎo)通電阻只有MOS管的十分之一；因此可以通過(guò)高電壓和大電流，比如在有的變頻器上所用的IGBT可以承受上千伏的電壓和上千安培的電流。