========================================Agilent HP 4155C 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀4155c半導(dǎo)體測(cè)試儀是Agilent下一代精密半導(dǎo)體測(cè)試儀。4155c是描述高級(jí)器件
2019-09-25 11:45:16
成國(guó)內(nèi)首條集晶體生長(zhǎng)、晶體加工、薄膜外延于
一體的氧化鎵完整產(chǎn)業(yè)線。行業(yè)分析人士表示，氧化鎵是第四
代半導(dǎo)體材料，在市場(chǎng)對(duì)性能好、損耗低、
功率密度高的
功率器件需求不斷釋放背景下，氧化鎵市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿薮?/div>
2023-03-15 11:09:59
（#TBT）版本中，我們將刊登文章，廣告和其他我們發(fā)現(xiàn)的其他內(nèi)容，展示技術(shù)的發(fā)展程度，以及我們?nèi)绾蔚竭_(dá)安森美半導(dǎo)體今天的故事。我們?cè)?978年5月22日的商業(yè)周刊中發(fā)現(xiàn)了一篇文章 - 探索下一個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)
2018-10-15 08:49:51
電力電子器件（Power Electronic Device），又稱為功率半導(dǎo)體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上)電子器件。可以分為半控型器件
2021-09-09 06:29:58
功率半導(dǎo)體基本開(kāi)關(guān)原理
2011-05-03 22:07:52
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡(jiǎn)寫(xiě)為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡(jiǎn)寫(xiě)為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
近年來(lái)，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移。目前,我國(guó)已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體功率器件封測(cè)基地。如IDM類（吉林華微電子、華潤(rùn)微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體
2021-07-12 07:49:57
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過(guò)兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時(shí)，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無(wú)運(yùn)動(dòng)部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-02-24 09:24:02
的積體電路所組成，我們的晶圓要通過(guò)氧化層成長(zhǎng)、微影技術(shù)、蝕刻、清洗、雜質(zhì)擴(kuò)散、離子植入及薄膜沉積等技術(shù)，所須制程多達(dá)二百至三百個(gè)步驟。半導(dǎo)體制程的繁雜性是為了確保每一個(gè)元器件的電性參數(shù)和性能，那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
。假如海外半導(dǎo)體代工廠不給中國(guó)大陸設(shè)計(jì)公司代工，那么中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將會(huì)受到很嚴(yán)重影響。半導(dǎo)體制造發(fā)展歷史20世紀(jì)50年代——晶體管技術(shù)自從1947年貝爾實(shí)驗(yàn)室的第一個(gè)晶體管發(fā)明以來(lái)，20世紀(jì)50年代
2020-09-02 18:02:47
優(yōu)異的功率組件出現(xiàn)，以及小尺寸貼片型橋式整流器持續(xù)發(fā)展，可望使電源適配器及快充技術(shù)更進(jìn)一步往更大功率、更快速充電、更小體積與更低的成本邁進(jìn)。
2018-10-23 16:12:16
問(wèn)題，如短溝道效應(yīng)（DIBL、遷移率退化…）、柵極漏電、泄漏功率大等諸多問(wèn)題，原先的結(jié)構(gòu)開(kāi)始力不從心，沒(méi)有辦法從現(xiàn)有的工藝制程中得到優(yōu)良的結(jié)果，于是各個(gè)專家大佬不斷的從材料、結(jié)構(gòu)、工藝這三個(gè)方面找花樣，解決問(wèn)題，為下一代的工藝制程提供方案。
2020-12-10 06:55:40
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
%，降幅較3月份收窄5.58個(gè)百分點(diǎn)，回暖趨勢(shì)進(jìn)一步明朗。 分地區(qū)來(lái)看，美洲地區(qū)銷售額實(shí)現(xiàn)正增長(zhǎng)，回升最為明顯，亞太和日本地區(qū)緊隨其后，營(yíng)收與去年同期基本持平，歐洲地區(qū)受債務(wù)危機(jī)影響，增長(zhǎng)仍顯遲滯
2012-06-12 15:23:39
請(qǐng)教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導(dǎo)體技術(shù)是如何變革汽車設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的？
2021-02-22 09:07:43
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長(zhǎng)久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過(guò)點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開(kāi)始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
作者： Robert GeeMaxim Integrated核心產(chǎn)品事業(yè)部執(zhí)行業(yè)務(wù)經(jīng)理 在半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域，管理成本依然是最嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)之一，因?yàn)樽詣?dòng)化測(cè)試設(shè)備(ATE)是一項(xiàng)重大的資本支出。那么，有沒(méi)有能夠降低每片晶圓的成本，從而提升競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的方法呢？有，答案就是提高吞吐率。
2019-07-29 08:11:12
的半導(dǎo)體激光器已在錫焊中的推廣應(yīng)用。隨著半導(dǎo)體激光器價(jià)格的進(jìn)一步降低、人工成本的不斷提高及智能制造、精密制造的推進(jìn)，預(yù)計(jì)激光錫焊未來(lái)將逐步替換傳統(tǒng)的烙鐵焊接，得到廣泛的應(yīng)用。3、半導(dǎo)體激光器在軍事上
2019-04-01 00:36:01
的不斷深入發(fā)展，市場(chǎng)需求不斷轉(zhuǎn)向。半導(dǎo)體激光器應(yīng)用領(lǐng)域也不斷發(fā)生變化。從最初的小功率設(shè)備，發(fā)展到目前的大功率設(shè)備，半導(dǎo)體激光器也從一些輕型加工領(lǐng)域向重型加工領(lǐng)域轉(zhuǎn)移。早在20世紀(jì)80年代的時(shí)候
2019-05-13 05:50:35
的特殊問(wèn)題一、直流電位相互牽制問(wèn)題二、多級(jí)直流放大電路的零點(diǎn)漂移第二節(jié) 差分放大電路一、差分放大電路的工作原理二、差分放大電路的分析方法三、差分放大電路的其他幾種接法四、差分放大電路的差值特性五、進(jìn)一步
2008-07-11 13:05:29
半導(dǎo)體指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料，它在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用，如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看
2021-09-15 07:24:56
要的是，如果在純諍 的半導(dǎo)體中加入適量的微量雜質(zhì)后，可使其導(dǎo)電能力增加至數(shù)十萬(wàn)倍以上。利用 這一特性，已經(jīng)做成各種不同用途的半導(dǎo)體器件（如二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管 和晶閘管等）。溫度、光照和適量摻入雜質(zhì)
2017-07-28 10:17:42
要的是，如果在純諍 的半導(dǎo)體中加入適量的微量雜質(zhì)后，可使其導(dǎo)電能力增加至數(shù)十萬(wàn)倍以上。利用 這一特性，已經(jīng)做成各種不同用途的半導(dǎo)體器件（如二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管 和晶閘管等）。溫度、光照和適量摻入雜質(zhì)
2018-02-11 09:49:21
功率半導(dǎo)體的熱管理對(duì)于元件運(yùn)行的可靠性和使用壽命至關(guān)重要。本設(shè)計(jì)實(shí)例介紹的愛(ài)普科斯(EPCOS)負(fù)溫度系數(shù)(NTC)和正溫度系數(shù)(PTC)熱敏電阻系列，可以幫助客戶可靠地監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體元件的溫度。
2020-08-19 06:50:50
文章目錄外接半導(dǎo)體管的擴(kuò)流方法外接PNP擴(kuò)流外接NPN擴(kuò)流線性穩(wěn)壓并聯(lián)擴(kuò)流外接半導(dǎo)體管的擴(kuò)流方法外接半導(dǎo)體的擴(kuò)流方法可以使用半導(dǎo)體三極管或者場(chǎng)效應(yīng)管，其實(shí)質(zhì)是使用外接的大功率半導(dǎo)體管分流，并利用線性
2021-10-29 06:17:50
國(guó)際半導(dǎo)體芯片巨頭壟斷加劇半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)三大趨勢(shì)
2021-02-04 07:26:49
半導(dǎo)體是什么？芯片又是什么？半導(dǎo)體芯片是什么？半導(dǎo)體芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由哪些部分組成的？
2021-07-29 09:18:55
半導(dǎo)體芯片行業(yè)的運(yùn)作模式
2020-12-29 07:46:38
已經(jīng)成為大量電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的基礎(chǔ)，目前正在汽車中使用100Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率。下一代1Gbps汽車以太網(wǎng)已經(jīng)為下一代IVN設(shè)計(jì)，將在未來(lái)2-3年內(nèi)推向市場(chǎng)。根據(jù)Strategy
2018-10-17 15:07:16
一個(gè)半導(dǎo)體（semiconductor）閘流管通常具有3個(gè)電極：一個(gè)陽(yáng)極，一個(gè)陰極和一個(gè)門(mén)（控制電極）。
2019-10-31 09:02:25
` 誰(shuí)來(lái)闡述一下半導(dǎo)體集成電路是什么？`
2020-03-24 17:12:08
醫(yī)療設(shè)備和一起的激光器源其他領(lǐng)域。如激光打標(biāo)和軍事 成都華贏光電技術(shù)有限公司代理德國(guó)PHOTONTEC公司生產(chǎn)的大功率半導(dǎo)體激光器詳細(xì)資料請(qǐng)與我們聯(lián)系：成都華贏光電技術(shù)有限公司電話：028-65692335傳真：028-66501714網(wǎng)站：www.hawin-laser.com
2009-12-08 09:34:25
性能的急劇惡化乃至失效。統(tǒng)計(jì)表明，半導(dǎo)體激光器突然失效，有一半以上的幾率是由于浪涌擊穿。因而如何保護(hù)半導(dǎo)體激光器，延長(zhǎng)半導(dǎo)體激光器的使用壽命是研制大功率半導(dǎo)體激光器驅(qū)動(dòng)電源保護(hù)電路的重要問(wèn)題。主要應(yīng)考
2011-07-16 09:12:38
近年來(lái)，隨著大功率半導(dǎo)體激光器技術(shù)的快速發(fā)展，大功率半導(dǎo)體激光器在材料加工、激光照明、激光醫(yī)療等民用領(lǐng)域，以及激光制導(dǎo)、激光夜視、激光武器等軍事領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。這不僅促進(jìn)了大功率半導(dǎo)體激光器驅(qū)動(dòng)
2018-08-13 15:39:59
大功率半導(dǎo)體激光電源 輸出功率涵蓋10W至500W，具有更高的電光轉(zhuǎn)換效率半導(dǎo)體直接輸出激光器介紹直接半導(dǎo)體激光器輸出功率涵蓋10W至500W，具有更高的電光轉(zhuǎn)換效率，輸出功率穩(wěn)定。200W以下
2021-12-29 07:24:31
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
MOS 管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS 管的工作機(jī)制
2020-12-30 07:57:04
市場(chǎng)的銷售份額將進(jìn)一步提升，在下半年有望迎來(lái)較為快速的增長(zhǎng)。2023年行業(yè)將迎全新發(fā)展良機(jī)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)依托于豐富人口紅利、龐大市場(chǎng)需求、穩(wěn)定經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)及產(chǎn)業(yè)扶持政策等眾多有利條件快速發(fā)展。據(jù)數(shù)據(jù)顯示，從
2023-03-17 11:08:33
那些還不是很明白PN結(jié)是啥東西的童鞋可以看看，以下純屬個(gè)人愚見(jiàn)，還望高手多多指正，新手在此獻(xiàn)丑了^-^ 純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體就是本征半導(dǎo)體，晶體結(jié)構(gòu)好像是高三學(xué)的，所謂的晶體通俗點(diǎn)講就是有一
2011-03-26 20:36:16
經(jīng)歷了：全盛于六七十年代的傳統(tǒng)晶閘管、近二十年發(fā)展起來(lái)的功率MOSFET及其相關(guān)器件，以及由前兩類器件發(fā)展起來(lái)的特大功率半導(dǎo)體器件，它們分別代表了不同時(shí)期功率半導(dǎo)體器件的技術(shù)發(fā)展進(jìn)程。概括來(lái)說(shuō)，功率
2019-02-26 17:04:37
市場(chǎng)的銷售份額將進(jìn)一步提升，在下半年有望迎來(lái)較為快速的增長(zhǎng)。2023年行業(yè)將迎全新發(fā)展良機(jī)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)依托于豐富人口紅利、龐大市場(chǎng)需求、穩(wěn)定經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)及產(chǎn)業(yè)扶持政策等眾多有利條件快速發(fā)展。據(jù)數(shù)據(jù)顯示，從
2023-03-17 11:13:35
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率，但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)有哪些關(guān)鍵特性？低阻抗功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)有哪些應(yīng)用優(yōu)勢(shì)？
2021-06-26 06:14:32
先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
程度不斷增加，功率半導(dǎo)體需求提升，器件應(yīng)用范圍不斷拓展。2021 年-2025 年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將從 258.2 億元增至 342.5 億美元，對(duì)應(yīng)復(fù) 合增速 10.6%；其中，模塊增速快，2025
2022-11-11 11:50:23
想問(wèn)一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺(tái)有沒(méi)有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
該資料是一漫畫(huà)的形式講解半導(dǎo)體，畫(huà)風(fēng)不錯(cuò)，個(gè)人感覺(jué)可以在一定程度上解決單純學(xué)半導(dǎo)體給我們帶來(lái)的枯燥感，增加學(xué)習(xí)興趣，自然學(xué)習(xí)效率就會(huì)提升。有興趣的可以下載看看。注：由于文件有點(diǎn)大，分成了4部分，需要全部下載后才能解壓。
2019-07-09 11:17:13
占有率達(dá)到8.87%，位居行業(yè)第二。作為一家專業(yè)從事半導(dǎo)體分立器件研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)，晶導(dǎo)微擁有國(guó)際領(lǐng)先的GPP芯片生產(chǎn)工藝和先進(jìn)的SMD封裝技術(shù)，形成了從分立器件芯片和框架的研發(fā)設(shè)計(jì)、制造
2023-04-14 13:46:39
比亞迪半導(dǎo)體獨(dú)立上市的工作正式拉開(kāi)序幕。比亞迪公司希望通過(guò)本次分拆，進(jìn)一步提升比亞迪半導(dǎo)體的投融資能力以及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力將進(jìn)一步增強(qiáng)，有利于上市公司突出主業(yè)、增強(qiáng)獨(dú)立性，有助于提升比亞迪整體盈利水平。比亞迪
2021-05-14 20:17:31
介紹了一種以小型PLC為控制核心的大功率半導(dǎo)體激光治療儀。該治療儀采用單管激光器光纖耦合技術(shù)設(shè)計(jì)了波長(zhǎng)為808rim、輸出功率30W 的激光器模塊，采用恒流充電技術(shù)設(shè)計(jì)了高效激光器驅(qū)動(dòng)電路，整機(jī)具有散熱好、低功耗和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。
2023-09-19 08:23:52
想用半導(dǎo)體制冷片制作小冰箱，需要用到大功率電源，半導(dǎo)體制冷片，還有散熱系統(tǒng)，單片機(jī)控制系統(tǒng)，能調(diào)溫度，還能顯示溫度，具體的思路已經(jīng)有了，想問(wèn)問(wèn)你們有沒(méi)好點(diǎn)的意見(jiàn)，能盡量提高點(diǎn)效率還有溫度調(diào)節(jié)的精度
2020-08-27 08:07:58
本人用半導(dǎo)體致冷塊、取暖器外殼、貫流電扇、音響功放大功率管的鋁散熱器、水箱、電源等組裝成半導(dǎo)體空調(diào)。它無(wú)氟、無(wú)磨損、無(wú)噪音、無(wú)泄漏、且可用蓄電池低壓電直接供電。
2021-04-28 06:21:40
FLASH和觸發(fā)引腳以簡(jiǎn)化外部LED光源的控制，和更多易于同步的多個(gè)傳感器用于立體攝像機(jī)。片上溫度傳感器和統(tǒng)計(jì)引擎進(jìn)一步增強(qiáng)攝像機(jī)系統(tǒng)的診斷和控制能力。AR0135還提供并行和串行(通過(guò)4通道HiSPi
2018-11-08 15:29:59
全球功率分立器件市場(chǎng)排名第二，這是相當(dāng)重要的。完成收購(gòu)后，安森美半導(dǎo)體能從單個(gè)源頭提供更多方案，以解決整個(gè)電壓范圍的更多應(yīng)用，如汽車功能電子化、電機(jī)控制、移動(dòng)電源及數(shù)據(jù)管理等等。到Electronica
2018-10-23 09:14:38
360，結(jié)合了安森美半導(dǎo)體的領(lǐng)先成像能力和Q Tech的制造能力。參考設(shè)計(jì)本身采用12顆安森美半導(dǎo)體數(shù)碼相機(jī)（DSC）類1英寸1000萬(wàn)像素 CMOS圖像傳感器AR1011，以同類最佳的定制的LCE
2018-10-24 09:00:10
去年九月，安森美半導(dǎo)體宣布收購(gòu)Fairchild半導(dǎo)體。上周，我們完成了前Fairchild半導(dǎo)體產(chǎn)品信息向安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站的轉(zhuǎn)移。這使訪客能瀏覽低、中、高壓電源模塊、集成電路和分立器件合并的、擴(kuò)展
2018-10-31 09:17:40
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
關(guān)鍵問(wèn)題。為了應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，快捷半導(dǎo)體公司開(kāi)發(fā)出智能功率級(jí)模塊 (SPS:Smart Power Stage) 系列— 下一代超緊湊型整合式 MOSFET 外加驅(qū)動(dòng)器功率級(jí)解決方案。該系列利用快捷半導(dǎo)體
2013-12-09 10:06:45
下一代智能產(chǎn)品“吃得少，干得多”意法半導(dǎo)體(ST)最新的STM32 ARM? Cortex?-M0微控制器大幅提升集成度和用戶體驗(yàn)意法半導(dǎo)體STM32F4基本型產(chǎn)品線提升功能集成度和設(shè)計(jì)靈活性，新增STM32F413/423兩個(gè)產(chǎn)品線
2018-03-19 12:53:59
中國(guó)，2018年10月10日——意法半導(dǎo)體推出了STLINK-V3下一代STM8 和STM32微控制器代碼燒寫(xiě)及調(diào)試探針，進(jìn)一步改進(jìn)代碼燒寫(xiě)及調(diào)試靈活性，提高效率。STLINK-V3支持大容量存儲(chǔ)
2018-10-11 13:53:03
獵頭公司為知名外企招聘Account Manager，針對(duì)通信/半導(dǎo)體行業(yè).要求本科或以上學(xué)歷，3-10年工作經(jīng)驗(yàn)。 工作地點(diǎn)：北京/上海 如果您或您的朋友合適并感興趣，請(qǐng)發(fā)送最新簡(jiǎn)歷給我may@mjsearch.cn，合適的話我們會(huì)在第一時(shí)間電話聯(lián)系您，進(jìn)一步下相互了解。
2013-08-29 12:48:29
和日本的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈聚焦在中上游，智力密集度更高，相對(duì)來(lái)說(shuō)人工密集度低一些，抗疫情能力強(qiáng)一些。但是依舊不能忽視疫情爆發(fā)帶來(lái)的風(fēng)險(xiǎn)，如果進(jìn)一步加劇，產(chǎn)業(yè)鏈將受到?jīng)_擊。
2020-02-27 10:45:14
Conversion；EPC)、GaNSystems與Transphorm等公司。各大功率半導(dǎo)體業(yè)者的不同GaN功率晶體管專利（來(lái)源：Yole）然而，這一市場(chǎng)也存在整并壓力，這一點(diǎn)從英飛凌收購(gòu)IR、英飛凌
2015-09-15 17:11:46
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
的應(yīng)用提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。目前，隨著ALD(原子層淀積)技術(shù)的逐漸成熟，化合物半導(dǎo)體HMET結(jié)構(gòu)以及MOSFET結(jié)構(gòu)的器件質(zhì)量以及可靠性得到了極大的提升，進(jìn)一步提高了化合物半導(dǎo)體材料在高頻高壓應(yīng)用領(lǐng)域
2019-06-13 04:20:24
電力半導(dǎo)體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
電源管理半導(dǎo)體的新進(jìn)展1979年電力電子學(xué)會(huì)在我國(guó)成立，此后，人們開(kāi)始把用于大功率方向的器件稱為電力半導(dǎo)體。由于微電子學(xué)把相關(guān)的器件稱為微電子器件，從而也有了電力電子器件之稱。電力半導(dǎo)體和電力
2009-12-11 15:47:08
92%的開(kāi)關(guān)損耗，還能讓設(shè)備的冷卻機(jī)構(gòu)進(jìn)一步簡(jiǎn)化，設(shè)備體積小型化，大大減少散熱用金屬材料的消耗。半導(dǎo)體LED照明領(lǐng)域碳化硅（SiC）在大功率LED方面具有非常大的優(yōu)勢(shì)，采用碳化硅（SiC）陶瓷基板
2021-01-12 11:48:45
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料?！ ≡诠怆娮印⒏邷?b class="flag-6" style="color: red">大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
的材料物理特性，為
進(jìn)一步提升電力電子器件的性能提供了更大的空間。下圖是Si、GaN、SiC以及GaAs材料基本物理性質(zhì)、以及多坐標(biāo)對(duì)比。如果你看不懂沒(méi)關(guān)系，這只是給大家分享
一點(diǎn)直觀的數(shù)據(jù)?？戳松厦?/div>
2017-05-15 17:09:48
進(jìn)一步展現(xiàn)了AS3460主動(dòng)降噪（ANC）器件的卓越性能，能夠出色地管理主動(dòng)降噪和聽(tīng)覺(jué)增強(qiáng)，實(shí)現(xiàn)更好的聲音通透度。”
2020-11-23 15:52:05
材料的代表，寬禁帶材料SiC和GaN相對(duì)于前兩代半導(dǎo)體材料具有可見(jiàn)光波段的發(fā)光特性、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更好的大功率特性、更加抗高溫和高輻射等優(yōu)勢(shì)，可以應(yīng)用于光電器件、微波通信器件和電力電子器件。經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展
2017-02-22 14:59:09
蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司成立于2008年3月，投資4500萬(wàn)元。主要從事半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售；同時(shí)代理半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、FPD領(lǐng)域其它國(guó)外設(shè)備，負(fù)責(zé)
2015-04-02 17:26:21
請(qǐng)問(wèn)一下半導(dǎo)體到底靠什么導(dǎo)電？
2021-06-08 07:16:05
半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2019-06-27 06:18:41
發(fā)展起來(lái)的一種新型半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用，
2021-09-15 06:45:56
大功率半導(dǎo)體激光器封
2011-01-07 17:02:18
0 半導(dǎo)體照明最大量的應(yīng)用將是普通照明領(lǐng)域。半導(dǎo)體燈用于普通照明一般要有比較大的功率。雖然就目前的技術(shù)狀態(tài)來(lái)看，商品化發(fā)光二極管的成本和光效還不太適合用于大功率的普通
2011-09-16 15:27:0453 飛兆半導(dǎo)體公司和英飛凌科技宣布進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對(duì)稱結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET封裝。
2012-02-09 09:18:22
807 當(dāng)前，材料的發(fā)展引領(lǐng)了產(chǎn)品性能的提升，碳化硅和氮化鎵的發(fā)展也就推動(dòng)了在變頻器和轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)上用到的功率半導(dǎo)體的發(fā)展，下面我們就下一代的功率半導(dǎo)體發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行分析。
2012-12-03 09:09:052088 近期，中美貿(mào)易摩擦在一定程度上暴露了中國(guó)在半導(dǎo)體核心設(shè)備上存在短板，未來(lái)國(guó)家對(duì)本土半導(dǎo)體及半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)的戰(zhàn)略扶持有望進(jìn)一步加強(qiáng)。
2018-05-28 16:31:001709 為進(jìn)一步助推中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展，中國(guó)（成都）半導(dǎo)體生態(tài)合作峰會(huì)將從全球視野角度出發(fā)，立足中國(guó)西部，關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和技術(shù)趨勢(shì)，聚焦產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系健康均衡發(fā)展。
2018-07-03 11:50:076384 項(xiàng)目針對(duì)面向制造業(yè)的大功率半導(dǎo)體激光器發(fā)展中所面臨的迫切需求及關(guān)鍵挑戰(zhàn)，重點(diǎn)研究國(guó)產(chǎn)大功率半導(dǎo)體激光芯片，開(kāi)展雙微通道散熱、熱沉、大功率多光束合成、光纖耦合、光束整形等關(guān)鍵技術(shù)及半導(dǎo)體激光器失效機(jī)制等研究。
2018-08-29 10:07:038829 據(jù)IC Insights最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2018年，半導(dǎo)體并購(gòu)金額為232億美元，遠(yuǎn)低于2015年創(chuàng)紀(jì)錄的1073億美元。他們指出，在2015年和2016年，發(fā)生在半導(dǎo)體行業(yè)的收購(gòu)和兼并事件創(chuàng)下
2019-01-22 15:26:032832 
半導(dǎo)體界人士認(rèn)為，三星展開(kāi)并購(gòu)的可能性很大。三星是全球第一大存儲(chǔ)器半導(dǎo)體公司，但時(shí)下存儲(chǔ)器半導(dǎo)體需求不振，價(jià)格下跌，迫使三星尋求非存儲(chǔ)器半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展機(jī)會(huì)，而并購(gòu)則是最直接的手段。之前傳聞三星有意收購(gòu)格羅方德，進(jìn)一步擴(kuò)大半導(dǎo)體代工的規(guī)模。
2019-03-08 08:59:02631 作者陳紹婷、蔣麗媛 半導(dǎo)體激光器一般具有質(zhì)量輕、調(diào)制效率高、體積小等特點(diǎn)，在民用、軍用、醫(yī)療等領(lǐng)域應(yīng)用比較廣泛。大功率半導(dǎo)體激光器的研究從20世紀(jì)80年代開(kāi)始，從未停止，隨著半導(dǎo)體技術(shù)與激光技術(shù)
2020-10-27 16:24:447516 隨著半導(dǎo)體芯片技術(shù)和光學(xué)技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體激光器的輸出功率不斷提高，光束質(zhì)量得到明顯改善，在工業(yè)領(lǐng)域也獲得了更多應(yīng)用。目前，工業(yè)用大功率半導(dǎo)體激光器的輸出功率和光束質(zhì)量均已超過(guò)了燈泵浦YAG激光器，并已接近半導(dǎo)體泵浦YAG激光器。
2020-12-25 13:14:111115 一種大功率半導(dǎo)體器件,出現(xiàn)于70年代。它的出現(xiàn)使半導(dǎo)體器件由弱電領(lǐng)域擴(kuò)展到強(qiáng)電領(lǐng)域。特點(diǎn)體積小、重量輕、無(wú)噪聲、壽命長(zhǎng)、容量大(正向平均電流達(dá)千安、正向耐壓達(dá)數(shù)千伏)。
2021-01-15 16:55:4617 大功率半導(dǎo)體激光器及其應(yīng)用資料免費(fèi)下載。
2021-05-25 16:03:5236 大功率半導(dǎo)體激光器恒流源的設(shè)計(jì)分享。
2021-05-25 16:07:2398 由于對(duì)SiC功率半導(dǎo)體的強(qiáng)勁需求和對(duì)GaN功率半導(dǎo)體的強(qiáng)勁需求，2022年下一代功率半導(dǎo)體將比上年增長(zhǎng)2.2倍。預(yù)計(jì)未來(lái)市場(chǎng)將繼續(xù)高速擴(kuò)張，2023年達(dá)到2354億日元（約合人民幣121億元），比2022年增長(zhǎng)34.5%，2035年擴(kuò)大到54485億日元（約合人民幣2807億元），增長(zhǎng)31.1倍。
2023-04-13 16:10:46444 功率半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)過(guò) 60 余年發(fā)展，器件阻斷能力和通態(tài)損耗的折衷關(guān)系已逐漸逼近硅基材料物理極限，因此寬禁帶材料與器件越來(lái)越受到重視，尤其是以碳化硅（SiC）和氮化鎵 (GaN) 為代表的第 3 代半導(dǎo)體材料為大功率半導(dǎo)體技術(shù)及器件帶來(lái)了新的發(fā)展機(jī)遇。
2023-05-09 14:27:552723 
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