華邦推出新功能的QspiNAND Flash，專為Qualcomm 9205 LTE 調(diào)制解調(diào)器設(shè)計

2020年6月23日中國，蘇州 – 全球半導(dǎo)體儲存解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子，宣布推出擁有新功能的 QspiNAND Flash，是專為 Qualcomm? 9205 LTE 調(diào)制解調(diào)器而設(shè)計的。

華邦推出業(yè)界首創(chuàng)的 1.8V 512Mb （64MB） QspiNAND Flash，為新型行動網(wǎng)絡(luò) NB-IoT 模塊的設(shè)計人員提供正確的儲存容量。

“到了2020年，物聯(lián)網(wǎng)的規(guī)模將成長到500億個連網(wǎng)裝置，未來幾年 Quad SPI-NAND 的采用率可能會增加4到5倍，” WebFeet Research 總裁 Alan Niebel 說道，“華邦的 1.8V QspiNAND Flash 相當(dāng)適合汽車及 IoT 產(chǎn)業(yè)使用。NB-IoT 已經(jīng)蓄勢待發(fā)，在全新的連網(wǎng)世界中茁壯成長，2023年之前出貨量可望達(dá)到全球 6.85億個裝置”。

華邦電子美國分公司閃存事業(yè)群營銷部總監(jiān) Syed S. Hussain 表示：“華邦一直致力于創(chuàng)新及產(chǎn)品差異化，我們很自豪Qualcomm 9205 LTE主控芯片采用了華邦設(shè)計的QspiNAND Flash KGD 解決方案。我們會持續(xù)與 Qualcomm密切合作開發(fā)內(nèi)存組件，打造適合 IoT 應(yīng)用的次世代 LTE 調(diào)制解調(diào)器解決方案”。

華邦立足于傳統(tǒng) QSPI-NOR Flash，并進(jìn)軍 QSPI-NAND Flash 領(lǐng)域，客戶可根據(jù)自身需求，自由選擇編碼儲存組件，以最低成本擴充規(guī)模。使用相同的 6 針腳信號及 QSPI 指令集提供 SLC NAND Flash 的大容量存儲，并采用 104MHz 讀取速度的全新Continuous Read 功能，效能毫不減損。

Qualcomm Europe Inc. 產(chǎn)品管理副總裁 Vieri Vanghi 表示：“Qualcomm已對華邦的 QspiNAND Flash 進(jìn)行各種測試及驗證，目前以堆棧 KGD 解決方案形式運用于 Qualcomm 9205 LTE 調(diào)制解調(diào)器，讓 OEM 客戶能打造出外型極為精巧的系統(tǒng)。我們很榮幸能與華邦維持長久的合作關(guān)系，期望雙方能繼續(xù)共同提供頂尖的 IoT 技術(shù)解決方案”。

W25N QspiNAND Flash 系列裝置采用節(jié)省空間的 8 針腳封裝，以往的 SLC NAND Flash 無法做到這一點。W25N512GW 為 512Mb 內(nèi)存，數(shù)組分為 32，768 個可編程頁面，每頁面為 2，112 字節(jié)。W25N512GW 提供全新的 Continuous Read 模式，可利用單一讀取指令高效存取整個內(nèi)存數(shù)組，是編碼映像 （code shadowing） 應(yīng)用的理想選擇。

104MHz 的頻率速度，可在使用快速讀取 Dual/Quad I/O 指令時，達(dá)到相當(dāng)于 416MHz （104MHz x 4） 速度的 Quad I/O 效能。芯片內(nèi)建不良區(qū)塊管理功能，讓 NAND Flash 更容易管理。

為滿足全球?qū)Υ笕萘拷鉀Q方案持續(xù)成長的需求，華邦 QspiNAND Flash 在臺灣臺中的 12 寸晶圓廠進(jìn)行制造。華邦正在擴展產(chǎn)能，以確保支持汽車與 IoT 產(chǎn)業(yè)因全新業(yè)務(wù)帶來的增長。

“SpiFlash 系列在加入 QspiNAND Flash 產(chǎn)品線后，有利于現(xiàn)有的 QSPI-NOR Flash 及 Parallel NAND Flash 轉(zhuǎn)換為 QspiNAND Flash，”華邦閃存技術(shù)總監(jiān) J.W. Park 說道，“華邦與客戶工程團(tuán)隊合作開發(fā)的這款全新 512Mb QspiNAND Flash，在符合成本效益的設(shè)計原則下，可以提供同樣優(yōu)異的效能”。

1.8V QspiNAND Flash 特色如下：

低功率且涵蓋不同使用場景的工作溫度

– 1.75V ~ 1.95V 供電

– 工作電流 25mA、待機電流 10μA、深度省電 （Deep Power Down） 電流1μA

– -40°C 至 +85°C 工作溫度 （工規(guī)級）

– -40°C 至 +105°C 工作溫度 （工規(guī)進(jìn)階級與車規(guī)級）

獨特的內(nèi)存架構(gòu)

– 啟用 ECC 時的頁面讀取時間：60μs

– 頁面寫入時間：250μs （標(biāo)準(zhǔn)值）

– 區(qū)塊抹除時間：2ms （標(biāo)準(zhǔn)值）

– 快速編程/抹除的效能

– 支持 OTP 內(nèi)存區(qū)域

高效能高可靠性的 QspiNAND Flash

– QSPI 實作采用 46nm 制程技術(shù)

– 數(shù)據(jù)保存 10 年以上

– 支持最高每秒 52MB 的數(shù)據(jù)傳輸率

節(jié)省空間的封裝

– WSON8 6x8mm

– WSON8 5x6mm

– TFBGA24 6x8mm

– KGD （良裸晶粒）

W25N512GW 目前已上市。