;nbsp; (2)功耗2.3.1晶閘管的斷態(tài)特性(續(xù)）（1） p+n結(jié)的擊穿電壓雪崩擊穿電壓：碰撞電離的強弱程度通常用電離率來表示，有如下經(jīng)驗公式：式中a、b、n 均為常數(shù)。 功率半導(dǎo)體器件
2008-08-16 11:30:48
點擊: 功率半導(dǎo)體器件 &
2008-08-03 17:05:29
功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用手冊功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用手冊——彎腳及焊接應(yīng)注意的問題本文將向您介紹大家最關(guān)心的有關(guān)TSE功率半導(dǎo)體器件封裝的兩個問題：一、 怎樣彎腳才能不影響器件的可靠性？二、 怎樣確保焊接
2008-08-12 08:46:34
電力電子器件（Power Electronic Device），又稱為
功率半導(dǎo)體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大
功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上)電子器件?？梢苑譃榘肟匦推骷?/div>
2021-09-09 06:29:58
功率半導(dǎo)體基本開關(guān)原理
2011-05-03 22:07:52
`本書主要針對的是半導(dǎo)體使用客戶，并把基礎(chǔ)理論作了簡單的闡述歸納總結(jié)。本手冊站在用戶的角度上，去了解IGBT、MOSFET功率模塊以及零散或集成的二極管和晶閘管(可控硅)。詳細(xì)介紹了它們的基本數(shù)
2018-09-06 16:30:02
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
功率半導(dǎo)體的工作原理.資料來自網(wǎng)絡(luò)資源分享
2021-08-06 22:54:59
近年來，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前,我國已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體功率器件封測基地。如IDM類（吉林華微電子、華潤微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時代半導(dǎo)體
2021-07-12 07:49:57
1、半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)一個PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線并用管殼封裝起來，就構(gòu)成了半導(dǎo)體二極管，簡稱二極管。半導(dǎo)體二極管按其結(jié)構(gòu)不同可分為點接觸型和面接觸型兩類。點接觸型二極管PN結(jié)面積很小，結(jié)電容很小
2018-01-29 10:43:33
;2.1.3 本征半導(dǎo)體 2.1.4 雜質(zhì)半導(dǎo)體2.2 PN結(jié)的形成及特性 2.2.1 PN結(jié)的形成 2.2.1 PN結(jié)的形成
2009-06-22 23:12:51
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點是無運動部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點？
2021-02-24 09:24:02
、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關(guān)管、X-低頻小功率管(F1W)、T-半導(dǎo)體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應(yīng)器件、B-雪崩管、J-階躍恢復(fù)管、CS-場效應(yīng)管、BT-半導(dǎo)體特殊器件、FH-復(fù)合管
2021-05-25 07:46:36
。 (2)擴散電流:同一種載流子從濃度高處向濃度低處擴散所形成的電流為擴散電流。 4. PN結(jié)的形成 通過一定的工藝,在同一塊半導(dǎo)體基片的一邊摻雜成P型,另一邊摻雜成N型, P型和N型的交界面處會形成
2021-05-24 08:05:48
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
哪位大神可以詳細(xì)介紹一下半導(dǎo)體式光纖溫度傳感器的建模、仿真與實驗
2021-04-07 06:42:55
請教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過點接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開始受到重視。1947年鍺點接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
降低。這種摻雜半導(dǎo)體常稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。雜質(zhì)半導(dǎo)體靠導(dǎo)帶電子導(dǎo)電的稱N型半導(dǎo)體，靠價帶空穴導(dǎo)電的稱P型半導(dǎo)體。不同類型半導(dǎo)體間接觸（構(gòu)成PN結(jié)）或半導(dǎo)體與金屬接觸時，因電子（或空穴）濃度差而產(chǎn)生擴散，在
2013-01-28 14:58:38
）。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦激勵三種形式。半導(dǎo)體激光器件，一般可分為同質(zhì)結(jié)、單異質(zhì)結(jié)、雙異質(zhì)結(jié)。同質(zhì)結(jié)激光器和單異質(zhì)結(jié)激光器室溫時多為脈沖器件，而雙異質(zhì)結(jié)激光器室溫時可實現(xiàn)連續(xù)工作
2016-01-14 15:34:44
半導(dǎo)體激光器的核心是PN結(jié)一旦被擊穿或諧振腔面部分遭到破壞，則無法產(chǎn)生非平衡載流子和輻射復(fù)合，視其破壞程度而表現(xiàn)為激光器輸出降低或失效。
2019-09-26 09:00:54
半導(dǎo)體電路基礎(chǔ)前言第一章 半導(dǎo)體二極管和三極管第一節(jié) 半導(dǎo)體的基本知識第二節(jié) P-N結(jié)第三節(jié) 半導(dǎo)體二極管的特性和參數(shù)第四節(jié) 半導(dǎo)體三極管的工作原理第五節(jié) 半導(dǎo)體三極管的特性曲線和主要參數(shù)第六節(jié)
2008-07-11 13:05:29
功率半導(dǎo)體的熱管理對于元件運行的可靠性和使用壽命至關(guān)重要。本設(shè)計實例介紹的愛普科斯(EPCOS)負(fù)溫度系數(shù)(NTC)和正溫度系數(shù)(PTC)熱敏電阻系列，可以幫助客戶可靠地監(jiān)測半導(dǎo)體元件的溫度。
2020-08-19 06:50:50
國際半導(dǎo)體芯片巨頭壟斷加劇半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)三大趨勢
2021-02-04 07:26:49
半導(dǎo)體是什么？芯片又是什么？半導(dǎo)體芯片是什么？半導(dǎo)體芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由哪些部分組成的？
2021-07-29 09:18:55
` 誰來闡述一下半導(dǎo)體集成電路是什么？`
2020-03-24 17:12:08
，自由電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子;在P型半導(dǎo)體中，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。PN結(jié)的形成采用某種工藝，可以將P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體制作在同一塊硅片上。由于濃度差，會產(chǎn)生擴散運動
2020-06-27 08:54:06
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
普通的高亮度 (HB) LED 僅將約 45% 的應(yīng)用能量轉(zhuǎn)換給可見光子，其余的則產(chǎn)生熱量。 如果產(chǎn)生的這些熱量不能從 LED 充分散去，將會導(dǎo)致過熱，并可能造成災(zāi)難性故障。 即使不出現(xiàn)災(zāi)難性故障，LED 結(jié)溫升高也會造成光輸出下降、顏色發(fā)生變化和/或預(yù)期壽命顯著縮短。
2019-08-12 07:57:16
MOS 管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS 管的工作機制
2020-12-30 07:57:04
ad8346汽車級最高工作環(huán)境溫度是125度，最高結(jié)溫是多少攝氏度？
2023-12-05 07:44:20
pn結(jié)的正向壓降。如圖2（b）所示。對于許多功率半導(dǎo)體器件，由于它在導(dǎo)通工作時都可近似地等效為一個正偏的pin結(jié)，因此作為耐壓層或者漂移區(qū)的i層的厚度就應(yīng)該與載流子的擴散長度相當(dāng)（所以要選取適當(dāng)長一些
2013-05-20 10:00:38
那些還不是很明白PN結(jié)是啥東西的童鞋可以看看，以下純屬個人愚見，還望高手多多指正，新手在此獻(xiàn)丑了^-^ 純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體就是本征半導(dǎo)體，晶體結(jié)構(gòu)好像是高三學(xué)的，所謂的晶體通俗點講就是有一定
2011-03-26 20:36:16
在研究雷達(dá)探測整流器時，發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng)，1958年美國通用電氣（GE）公司研發(fā)出世界上第一個工業(yè)用普通晶閘管，標(biāo)志著電力電子技術(shù)的誕生。從此功率半導(dǎo)體器件的研制及應(yīng)用得到了飛速發(fā)展，并快速成長為
2019-02-26 17:04:37
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
1，半導(dǎo)體基礎(chǔ)2，PN節(jié)二極管3，BJT和其他結(jié)型器件4，場效應(yīng)器件
2020-11-27 10:09:56
直接影響轉(zhuǎn)換器的體積、功率密度和成本?！ ∪欢?，所使用的半導(dǎo)體開關(guān)遠(yuǎn)非理想，并且由于開關(guān)轉(zhuǎn)換期間電壓和電流之間的重疊而存在開關(guān)損耗。這些損耗對轉(zhuǎn)換器工作頻率造成了實際限制。諧振拓?fù)淇梢酝ㄟ^插入額外的電抗
2023-02-21 16:01:16
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些關(guān)鍵特性？低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些應(yīng)用優(yōu)勢？
2021-06-26 06:14:32
功率半導(dǎo)體器件在工業(yè)、消費、軍事等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用，具有很高的戰(zhàn)略地位。功率半導(dǎo)體產(chǎn)品可以分為功率器件、電源管理 IC 和功率模組三大類。圖：功率半導(dǎo)體產(chǎn)品分類來源：國金證券研究所隨著下游電氣化
2022-11-11 11:50:23
變速驅(qū)動的需求是什么兼顧性能、成本的高壓功率半導(dǎo)體驅(qū)動IC應(yīng)用
2021-04-21 07:06:40
升級到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
請問怎么確定可控硅的結(jié)溫？？？超過結(jié)溫時會有哪些危害？
2014-05-24 11:35:10
類型包括硅鍺雙極互補金屬氧化物半導(dǎo)體（BiCMOS）和硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（SiGe HBTs）。DTRA關(guān)注的其他設(shè)備類型還包括45納米絕緣硅（SOI）芯片、氮化鎵異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管（GaAn HFET）功率半導(dǎo)體和其他抗輻射微電子和光子器件，用于當(dāng)前和未來軍事系統(tǒng)，如衛(wèi)星和導(dǎo)彈。
2012-12-04 19:52:12
，40W時總功率損耗降低40%，讓家電設(shè)備可以達(dá)到更高的能效級別?！ ≡诘?b class="flag-6" style="color: red">功率壓縮機驅(qū)動電路內(nèi)，意法半導(dǎo)體最新超結(jié)MOSFET與IGBT技術(shù)能效比較 圖3: 仿真測試結(jié)果：逆變器功率損耗比較，Tamb
2018-11-20 10:52:44
德國PHOTONTEC公司生產(chǎn)的大功率半導(dǎo)體激光器PHOTONTEC能為您解決在泵浦、激光醫(yī)療、激光加工等應(yīng)用領(lǐng)域的需求。PHOTONTEC公司能為您提供量身定制的解決方案
2009-12-08 09:34:25
近年來，隨著大功率半導(dǎo)體激光器技術(shù)的快速發(fā)展，大功率半導(dǎo)體激光器在材料加工、激光照明、激光醫(yī)療等民用領(lǐng)域，以及激光制導(dǎo)、激光夜視、激光武器等軍事領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。這不僅促進(jìn)了大功率半導(dǎo)體激光器驅(qū)動
2018-08-13 15:39:59
大功率半導(dǎo)體激光電源 輸出功率涵蓋10W至500W，具有更高的電光轉(zhuǎn)換效率半導(dǎo)體直接輸出激光器介紹直接半導(dǎo)體激光器輸出功率涵蓋10W至500W，具有更高的電光轉(zhuǎn)換效率，輸出功率穩(wěn)定。200W以下
2021-12-29 07:24:31
測量和校核開關(guān)電源、電機驅(qū)動以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個不可或缺的過程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
想用半導(dǎo)體制冷片制作小冰箱，需要用到大功率電源，半導(dǎo)體制冷片，還有散熱系統(tǒng)，單片機控制系統(tǒng)，能調(diào)溫度，還能顯示溫度，具體的思路已經(jīng)有了，想問問你們有沒好點的意見，能盡量提高點效率還有溫度調(diào)節(jié)的精度
2020-08-27 08:07:58
我如何計算VIPER37HD / LD的結(jié)溫 以及頻率（60k，115k hz）如何影響結(jié)溫？
2019-08-05 10:50:11
進(jìn)行檢查。這工具包括一些提示，強調(diào)一些選擇會如何影響您的設(shè)計。結(jié)果表顯示了各推薦器件的評估板和設(shè)計資源的供貨情況。最后，安森美半導(dǎo)體現(xiàn)在提供Power Supply WebDesigner?仿真分析套件-前
2018-10-31 09:17:40
最新的電源模塊，結(jié)合高能效與強固的物理和電氣設(shè)計，用于要求嚴(yán)苛的工業(yè)應(yīng)用。展出的電動工具演示將向觀眾演示安森美半導(dǎo)體的電源模塊如何幫助實現(xiàn)緊湊、高能效的設(shè)計，以支持較長的電池使用壽命。功率模塊是電源轉(zhuǎn)換
2018-10-30 09:06:50
，掌握它們的特性和參數(shù)。本章從討論半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性和PN 結(jié)的單向?qū)щ娦蚤_始，分別介紹二極管、雙極型晶體管、絕緣柵場效應(yīng)晶體管和半導(dǎo)體光電器件等常用的半導(dǎo)體元器件。喜歡的頂一頂，介紹的非常詳細(xì)哦。。。。[此貼子已經(jīng)被作者于2008-5-24 11:05:21編輯過]
2008-05-24 10:29:38
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
關(guān)鍵問題。為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，快捷半導(dǎo)體公司開發(fā)出智能功率級模塊 (SPS:Smart Power Stage) 系列— 下一代超緊湊型整合式 MOSFET 外加驅(qū)動器功率級解決方案。該系列利用快捷半導(dǎo)體
2013-12-09 10:06:45
,新型,半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),能源消耗,物質(zhì)資料,新能源,新挑戰(zhàn),礦物燃料【DOI】：CNKI:SUN:DLDI.0.2010-01-008【正文快照】：.新估計衰明.到2050年我們所搖要的能源可能會達(dá)到現(xiàn)有
2010-05-04 08:06:22
最新功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用技術(shù) 259頁
2012-08-20 19:46:39
整流器公司(InternationalRectifier；IR)等大型廠商的競爭或并購壓力。Yole估計，2015年GaN在功率半導(dǎo)體應(yīng)用的全球市場規(guī)模約為1千萬美元。但從2016-2020年之間，這一
2015-09-15 17:11:46
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
測量功率器件的結(jié)溫常用二種方法
2021-03-17 07:00:20
電力半導(dǎo)體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
`半導(dǎo)體分立器件選用15項原則1.半導(dǎo)體分立器件選擇時應(yīng)注意其失效模式的影響，其失效模式主要有開路、短路、參數(shù)漂移和退化。 2.半導(dǎo)體分立器件選用時應(yīng)考慮負(fù)載的影響，對電感性負(fù)載應(yīng)采取吸收反電動勢
2016-01-22 10:19:45
出于可靠性原因，處理大功率的集成電路越來越需要達(dá)到熱管理要求。所有半導(dǎo)體都針對結(jié)溫(TJ)規(guī)定了安全上限，通常為150°C(有時為175°C)。與最大電源電壓一樣，最大結(jié)溫是一種最差情況限制，不得
2019-08-09 06:35:57
。功率二極管包括結(jié)勢壘肖特基（JBS）二極管、PiN二極管和超結(jié)二極管；功率開關(guān)管主要包括金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)開關(guān)管（MOSFET）、結(jié)型場效應(yīng)開關(guān)管（JFET）、雙極型開關(guān)管（BJT）、絕緣柵雙極
2020-06-28 17:30:27
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
。 背景通常，芯片的結(jié)溫(Junction Temperature)（Tj）每上升10℃，器件的壽命就會大約減為一半，故障率也會大約增大２倍。Si 半導(dǎo)體在Tj 超過了175℃時就有可能損壞。由此，使用時
2019-09-20 09:05:08
上一個輸錯了型號，AD8436BRQZ 的datasheet里沒有最大結(jié)溫
2023-12-05 06:37:12
：輸入功率；LED 結(jié)和環(huán)境溫度之間的熱阻以及環(huán)境溫度。 輸入功率決定產(chǎn)生多少熱量，而熱阻和環(huán)境條件決定如何有效地散熱。兩個重要導(dǎo)熱路徑的熱阻會影響結(jié)溫。 一是封裝底部的熱觸點和 LED 結(jié)之間的熱阻
2017-04-10 14:03:41
集成嵌入式功率半導(dǎo)體在電動車窗中有何應(yīng)用？
2021-05-14 06:11:55
利用仿真來估計功率半導(dǎo)體的結(jié)溫關(guān)鍵詞：仿真半導(dǎo)體結(jié)溫摘要：本文設(shè)計了一個利用仿真來估計功率半導(dǎo)體的結(jié)溫的方法設(shè)計師在減輕熱問題時常常需要做出很多折衷，
2010-02-05 22:16:45
34 介紹了各種經(jīng)典功率譜估計方法，不僅從理論上對各種方法的譜估計質(zhì)量進(jìn)行了分析比較，而且通過Matlab實驗仿真驗證了理論分析的正確性。著重對使用比較廣泛的Welch法進(jìn)行了深入的研究，給出了窗函數(shù)選擇
2021-01-15 16:29:159 半導(dǎo)體激光器驅(qū)動源功率器件的建模與仿真講解。
2021-05-27 15:33:1947 功率半導(dǎo)體是能夠支持高電壓、大電流的半導(dǎo)體。具有不同于一般半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)，在使用高電壓、大電流時也不會損壞。另外，由于使用大功率容易發(fā)熱產(chǎn)生高溫，因而成為故障發(fā)生的原因。 因此，我們正努力減少功率半導(dǎo)體本身因發(fā)熱而導(dǎo)致的功率損失，進(jìn)而有效地將其產(chǎn)生的熱量釋放到外部。
2023-02-03 09:36:23
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功率半導(dǎo)體包括兩部分：功率器件和功率IC，功率器件是功率半導(dǎo)體分立器件的分支，而功率IC則是將功率半導(dǎo)體分立器件與各種功能的外圍電路集成而得來。
2023-02-06 14:27:212490 
功率半導(dǎo)體，作為現(xiàn)代電子領(lǐng)域的關(guān)鍵組成部分，扮演著將電能轉(zhuǎn)化、控制和分配到各種設(shè)備的重要角色。專門設(shè)計用于處理高功率電信號和控制電力流動的半導(dǎo)體器件，與低功率應(yīng)用中使用的小信號半導(dǎo)體不同，功率半導(dǎo)體經(jīng)過優(yōu)化可以處理高電壓、高電流和高溫。
2023-11-06 15:10:27491 
功率半導(dǎo)體是電力電子技術(shù)的關(guān)鍵組件，主要用作電路和系統(tǒng)中的開關(guān)或整流器。如今，功率半導(dǎo)體幾乎廣泛應(yīng)用于人類活動的各個行業(yè)。我們的家電包括功率半導(dǎo)體，電動汽車包括功率半導(dǎo)體，飛機和宇宙飛船包括功率半導(dǎo)體。
2023-11-07 10:54:05459 
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