RAM——單口、雙口、簡單雙口、真雙口的區(qū)別

單口 RAM（Single RAM）、雙口 RAM（Dual RAM）、簡單雙口 RAM（Simple-Dual?RAM）、真雙口 RAM（True-Dual RAM）有什么不同？

對于?分布式 RAM，支持簡單雙口 RAM 和雙口 RAM，不能配置成真雙口 RAM。

問題在于：Xilinx 給出的 DRAM（分布式 RAM）支持雙口，我把雙口認為包含真雙口了，不對。

先總結(jié)一下，如有不對，歡迎私信聯(lián)系批評指正。

對于 BRAM（Block RAM，塊 RAM）

在 BRAM Controller 控制器下，支持單口 RAM、真雙口 RAM、單口 ROM 和雙口 ROM；

在不使用 AXI 的控制器情況下，支持單口 RAM、簡單雙口 RAM、真雙口 RAM，單口 ROM 和雙口 ROM。

單口RAM：

1 個時鐘，1 個讀寫地址（要么讀用，要么寫用），可以讀也可以寫，但是不能同時讀寫；

簡單雙口 RAM：

2 個端口，有相互獨立的時鐘，一個口專門負責(zé)寫，一個口專門負責(zé)讀；

真雙口 RAM：

和簡單雙口的區(qū)別：

簡單雙口是一個口專門讀，一個口專門寫；

真雙口是 2 個口都可以讀寫；

真雙口可以看成是 2 個單口拼起來的，且 2 個單口共享存儲器。

單口 ROM 和 雙口 ROM

雙口 ROM 可以看成是 2 個單口拼起來的，且 2 個單口共享存儲區(qū)。

對于 DRAM（Distribute RAM，分布式 RAM）

ROM

給地址，出對應(yīng)地址的數(shù)據(jù)，沒有時鐘

RAM：支持單口、簡單雙口、雙口。

（注意！這里的雙口和真雙口不同，DRAM 不支持真雙口 RAM）

單口 RAM：讀寫共用地址 a[5:0]，寫數(shù)據(jù)時 we 拉高，不能同時讀寫；

簡單雙口 RAM：1 個讀地址，1 個寫地址，1 個輸入，1 個輸出；

雙口 RAM：1 個通道共享讀寫（等同于單口），1 個通道只讀，2 個輸出，

spo 數(shù)據(jù)對應(yīng) a 地址，dpo 數(shù)據(jù)對應(yīng) dpra 地址；

a[5:0]，讀寫共用的地址，當 we = 1 時表示寫地址，將 d[15:0] 寫入 RAM，當 we = 0 時，將 a[5:0] 地址的數(shù)據(jù)從 spo[15:0] 上輸出；

dpra[5:0] 只用于讀的地址，讀出 dpra[5:0] 上的數(shù)據(jù)，從 dpo[15:0] 輸出。

當進行讀取時，簡單雙口一次讀取 1 個數(shù)據(jù)，雙口可以同時讀取出 2 個數(shù)據(jù)。

四口 RAM：1 個通道共享讀寫，3 個通道只讀；

單口：

WE = 1 寫入，使用的實際上是 WA[6:1] 地址，寫入發(fā)生在時鐘的上升沿，時序邏輯；

WE = 0 讀出，使用的是 A[6:1] 地址，地址線上有地址，數(shù)據(jù)立刻讀出，組合邏輯輸出；

單口情況下，A 和 WA 連在一起，共享讀寫地址線；

雙端口：

?一個用于同步寫入和異步讀取的端口

第一個函數(shù)發(fā)生器與共享讀寫端口地址相連

?一個用于異步讀取的端口

第二函數(shù)發(fā)生器具有連接到第二個讀端口地址的A輸入，并且 WA 輸入與第一讀/寫端口地址共享

如下圖所示為雙口 DRAM 的讀寫仿真：

（1）在 WE = 0 時，兩個口均為讀出口，A 口的地址線 ADDR[3:0] 的地址為 0，在 SPO[7:0] 上讀出數(shù)據(jù) 17，B 口的地址線 DPRA[3:0] 為 0，在 DPO[7:0] 上讀出數(shù)據(jù) 17；

（2）在 WE = 1 時，A 口為寫入口，B 口是只讀口，此時仍為讀出口，A 口向地址 0 寫入數(shù)據(jù) D[7:0] = 34，B 口仍為讀，讀出 0 地址的數(shù)據(jù) 34；

簡單雙端口

?一個用于同步寫入的端口（沒有來自寫入端口的數(shù)據(jù)輸出/讀取端口）

?一個用于異步讀取的端口

參考：

[1] Xilinx ug474_7Series_CLB

[2] Xilinx pg063-dist-mem-gen

[3] Xilinx pg058-blk-mem-gen

審核編輯 ：李倩

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