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摘要：玩單片機(jī)的難免要和內(nèi)存和屏幕打交道，那就不得不說一下FSMC，掌握了他基本你就知道單片機(jī)是如何與他們進(jìn)行通訊的了。本文較長因此分了兩篇文章來說明，如有不同意見請?jiān)谠u論區(qū)留言。
一、概述
STM32控制器芯片內(nèi)部有一定大小的SRAM及FLASH作為內(nèi)存和程序存儲空間，但當(dāng)程序較大，內(nèi)存和程序空間不足時，就需要在 STM32芯片的外部擴(kuò)展存儲器了。
擴(kuò)展內(nèi)存時一般使用SRAM和SDRAM存儲器，但STM32F407系列的芯片不支持?jǐn)U展 SDRAM(STM32F429系列支持)，它僅支持使用FSMC外設(shè)擴(kuò)展 SRAM，我們以SRAM為例講解如何為STM32擴(kuò)展內(nèi)存。
給STM32芯片擴(kuò)展內(nèi)存與給PC擴(kuò)展內(nèi)存的原理是一樣的，只是PC上一般以內(nèi)存條的形式擴(kuò)展，內(nèi)存條實(shí)質(zhì)是由多個內(nèi)存顆粒(即SRAM芯片)組成的通用標(biāo)準(zhǔn)模塊，而STM32直接與SRAM 芯片連接。
二、SRAM的簡介
大家都知道，當(dāng)電腦運(yùn)行比較卡的時候，我們可以通過給電腦加裝內(nèi)存條來改善電腦的性能。那么號稱微型計(jì)算機(jī)的單片機(jī)能不能像電腦一樣加裝內(nèi)存條呢？裝內(nèi)存條倒是不行，但是我們可以給單片機(jī)外加和內(nèi)存條效果一樣的SRAM來提升單片機(jī)的性能。下面以STM32F407ZGT6單片機(jī)來講解一下來擴(kuò)展外部SRAM。
原理：給STM32芯片擴(kuò)展內(nèi)存與給PC擴(kuò)展內(nèi)存的原理是一樣的，只是PC上一般以內(nèi)存條的形式擴(kuò)展，內(nèi)存條實(shí)質(zhì)是由多個內(nèi)存顆粒(即SRAM芯片)組成的通用標(biāo)準(zhǔn)模塊，而STM32直接與SRAM芯片連接。
SRAM，型號IS62WV51216，管腳圖如下：
一種 SRAM 芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖
IS62WV51216的管腳總的來說大致分為：電源線、地線、地址線、數(shù)據(jù)線、片選線、寫使能端、讀使能端和數(shù)據(jù)掩碼信號線。
數(shù)據(jù)手冊截圖，原汁原味
什么是數(shù)據(jù)掩碼信號呢UB#和LB#？
用UB#或LB#線控制數(shù)據(jù)寬度，例如，當(dāng)要訪問寬度為16位的數(shù)據(jù)時，使用行地址線指出地址，然后把UB#和LB#線都設(shè)置為低電平，那么 I/O0-I/O15線都有效，它們一起輸出該地址的16位數(shù)據(jù)(或者接收16位數(shù)據(jù)到該地址)；當(dāng)要訪問寬度為 8位的數(shù)據(jù)時，使用行地址線指出地址，然后把UB#或LB#其中一個設(shè)置為低電平，I/O會對應(yīng)輸出該地址的高8位和低8位數(shù)據(jù)，因此它們被稱為數(shù)據(jù)掩碼信號。如果不太明白接著往下看。
因?yàn)镮S62WV51216是有LB和UB引腳的，可以控制字節(jié)的有效性，所以編程操作的時候我們是可以進(jìn)行任意字節(jié)位寬的數(shù)據(jù)操作的。如果換作其他不支持字節(jié)通道訪問的芯片的話，那就需要對齊芯片的數(shù)據(jù)位寬進(jìn)行數(shù)據(jù)操作了。在網(wǎng)上查資料時看到有人問“在操作不同的數(shù)據(jù)位寬時，F(xiàn)SMC_NBL1，F(xiàn)SMC_NBL0是受什么控制輸出高低電平給UB，LB的？”，這個應(yīng)該是屬于硬件自動實(shí)現(xiàn)的，是FSMC的硬件機(jī)制。
從這個圖中我們可以看出IS62WV51216有19根地址線和16根數(shù)據(jù)線，從這些數(shù)據(jù)中我們可以分析出IS62WV51216的存儲大小為1M，那么這個1M是怎么分析出來的呢？我們得來說說IS62WV51216的存儲原理。首先，我們來談一談一般的RAM的存儲原理。
CPU編址以字節(jié)(8bit)為單位。存儲器編址：以其位寬為單位，也就是說每個存儲器地址下的數(shù)據(jù)位數(shù)為位寬。芯片有19根數(shù)據(jù)線，那么它的芯片的可尋址空間大小就是2^19=254288=512K，又因?yàn)樗臄?shù)據(jù)位寬位16（16根數(shù)據(jù)線），所以這個芯片的容量位512KB*16bit=8192Kbit=1024KByte=1MByte。
2.1 RAM的存儲原理
RAM是“Random Access Memory”的縮寫，被譯為隨機(jī)存儲器。所謂隨機(jī)存取，指的是當(dāng)存儲器中的消息被讀取或?qū)懭霑r，所需要的時間與這段信息所在的位置無關(guān)。根據(jù) RAM的存儲機(jī)制，又分為動態(tài)隨機(jī)存儲器 DRAM(Dynamic RAM)以及靜態(tài)隨機(jī)存儲器 SRAM(Static RAM)兩種。不管是DRAM還是SRAM他們都是在RAM前面加了一個頭而已。
2.2 靜態(tài)隨機(jī)存儲器SRAM
靜態(tài)隨機(jī)存儲器SRAM(Static RAM)顧名思義電路結(jié)構(gòu)不需要定時刷新充電，就能保持狀態(tài)(當(dāng)然，如果斷電了，數(shù)據(jù)還是會丟失的)，因?yàn)椴恍枰〞r刷心充電，所以SRAM的存儲單元以鎖存器來存儲數(shù)據(jù)，這種存儲器被稱為“靜態(tài)(Static)”RAM。
2.3 動態(tài)隨機(jī)存儲器DRAM
而動態(tài)隨機(jī)存儲器DRAM(Dynamic RAM)顧名思義電路結(jié)構(gòu)是需要定時刷新充電，因?yàn)樾枰〞r刷心充電所以DRAM的存儲單元以電容的電荷來表示數(shù)據(jù)，這種存儲器被稱為“動態(tài)(Dynamic)”RAM。
| SRAM的存儲單元 | ? |
| DRAM的存儲單元 |
從他們的存儲單元的結(jié)構(gòu)圖我們就知道DRAM的結(jié)構(gòu)比SRAM的結(jié)構(gòu)簡單的多，所以所以生產(chǎn)相同容量的存儲器，DRAM 的成本要更低，且集成度更高。而DRAM中的電容結(jié)構(gòu)則決定了它的存取速度不如SRAM。這種結(jié)論是不需要死記硬背的，看結(jié)構(gòu)圖就知道了。
但是我們可能還聽說過SDRAM，我們把它叫做同步動態(tài)隨機(jī)存儲器SDRAM(Synchronous DRAM)，同步顧名思義就是利用時鐘進(jìn)行同步的通訊時序，它在時鐘的上升沿表示有效數(shù)據(jù)。
2.4 SRAM的存儲模型
SRAM 存儲陣列模型
SRAM的存儲模型我們可以用矩陣來說明：
SRAM內(nèi)部包含的存儲陣列，可以把它理解成一張表格，數(shù)據(jù)就填在這張表格上。和表格查找一樣，指定一個行地址和列地址，就可以精確地找到目標(biāo)單元格，這是SRAM芯片尋址的基本原理。這樣的每個單元格被稱為存儲單元，而這樣的表則被稱為存儲矩陣。地址譯碼器把N根地址線轉(zhuǎn)換成2的N次方根信號線，每根信號線對應(yīng)一行或一列存儲單元，通過地址線找到具體的存儲單元，實(shí)現(xiàn)尋址。如果存儲陣列比較大，地址線會分成行和列地址，或者行、列分時復(fù)用同一地址總線，訪問數(shù)據(jù)尋址時先用地址線傳輸行地址再傳輸列地址。
但是呢？你會發(fā)現(xiàn)，這個原理好像不太適用于IS62WV51216，為什么呢？
其實(shí)不然，因?yàn)槲覀兪褂玫腟RAM比較小(IS62WV51216容量是1MB)，IS62WV51216沒有列地址線。它只有19根行地址線，那么，我們就可以這么來解釋：IS62WV51216有16根數(shù)據(jù)線，也就是說它的數(shù)據(jù)寬度為16位，一個行地址也就對應(yīng)16位，即一個行地址對應(yīng) 2字節(jié)空間。
好，那現(xiàn)在來計(jì)算一下IS62WV51216有多少個行地址。2的19次方等于512K，在512K的基礎(chǔ)之上在乘我們之前計(jì)算的2字節(jié)，不正好是1024K，也就是1M嗎？1M后面的單位是B，即Byte，而不是Bit哦。這樣的話你就會發(fā)現(xiàn)IS62WV51216這個名字中本身就包含了大量的信息：IS62WV51216共有512K個行地址，數(shù)據(jù)寬度為16位，再加以計(jì)算就可以得到它的存儲大小為1M啦，有趣吧！另外，該芯片支持兩種不同的高速訪問時間，分別為45ns和55ns，該時間表示進(jìn)行一次數(shù)據(jù)讀寫的最短時間要求，本文選擇55ns的模式。
2.5 通信方式
異步通訊，無須時鐘，無須刷新，與STM32F407單片機(jī)通過FSMC接口相連。
SRAM的讀寫流程
| 數(shù)據(jù)手冊上的SRAM 的讀時序 | ? |
| 翻譯過來的SRAM 的讀時序 |
| 數(shù)據(jù)手冊上的SRAM 的寫時序 | ? |
| 翻譯過來的SRAM 的寫時序 |
讀寫時序的流程很類似，下面我們統(tǒng)一解說：
(1) 主機(jī)使用地址信號線發(fā)出要訪問的存儲器目標(biāo)地址；
(2) 控制片選信號 CS1#及 CS2#使能存儲器芯片；
(3) 若是要進(jìn)行讀操作，則控制讀使能信號OE#表示要讀數(shù)據(jù)，若進(jìn)行寫操作則控制寫使能信號 WE#表示要寫數(shù)據(jù)；
(4) 使用掩碼信號LB#與UB#指示要訪問目標(biāo)地址的高、低字節(jié)部分；
(5) 若是讀取過程，存儲器會通過數(shù)據(jù)線向主機(jī)輸出目標(biāo)數(shù)據(jù)，若是寫入過程，主要使用數(shù)據(jù)線向存儲器傳輸目標(biāo)數(shù)據(jù)。
在讀寫時序中，有幾個比較重要的時間參數(shù)，在使用 STM32 控制的時候需要參考。
IS62WV51216BLL-55ns型號SRAM的時間參數(shù)
三、FSMC簡介
FSMC的本質(zhì)就是內(nèi)核想要訪問存儲器，但是內(nèi)核不能生成硬件時序，F(xiàn)SMC外設(shè)就幫忙做了這個硬件時序這個事情。有了這個外設(shè)我們操作外部SRAM就不需要自己在那里寫讀寫時序了，F(xiàn)SMC就幫我們解決了。怎么解決的？它有各種寄存器結(jié)構(gòu)體啊，直接按照要求配置就可以了。
STM32F407或STM32F417系列芯片都帶有FSMC接口，F(xiàn)SMC，即靈活的靜態(tài)存儲控制器，能夠與同步或異步存儲器和16位PC存儲器卡連接，STM32F4的FSMC 接口支持包括SRAM、NAND FLASH、NOR FLASH和 PSRAM 等存儲器。
**注意：FSMC不能驅(qū)動如SDRAM 這種動態(tài)的存儲器，而在STM32F429系列的控制器中，它具有FMC外設(shè)，支持控制 SDRAM 存儲器**。其他我們不用管，從上面我們可以總結(jié)的是，STM32雇傭FSMC這個管家來管理我們的IS62WV51216。來來來，我們來看看FSMC的廬山真面目：
FSMC 的框圖如圖所示：
FSMC時鐘來源
FSMC—STM32F4XX參考手冊
FSMC—STM32F4XX參考手冊
蒙了吧！又是這么多信號線，不要怕，我們還是來總結(jié)歸納下。我們FSMC控制SRAM為例來說明：通過查看STM32F407xx參考手冊。
外部存儲器接口信號—STM32F4xx參考手冊
上圖打碼的地方是PSRAM偽靜態(tài)隨機(jī)存儲器的引腳，不需要理會，只需要看SRAM的部分即可。
你會發(fā)現(xiàn)居然和SRAM中的線居然高度統(tǒng)一（那是當(dāng)然喏，我們就是講的FSMC嘛?。?/p>
1、FSMC_NBL[1]、FSMC_NBL[0]分別對應(yīng)于LBn、UBn，有什么用呢？提供數(shù)據(jù)掩碼信號。貝體是怎么回事昵？還記得前面提到的行地址線嗎？
一根行地址線對應(yīng)16位的數(shù)據(jù)，我們可以把16位的數(shù)據(jù)分為高字節(jié)和低字節(jié)。當(dāng)要訪問寬度為16位的數(shù)據(jù)時，使用行地址線指出地址，然后把UBn(n表示低電平有效)和LBn線都設(shè)置為低電平(FSMC_NBL0和 FSMC_NBL為低電平)，那么I/O0-I/O15線(FSMC_D0到 FSMC_D15)都有效，它們一起輸出該地址的16位數(shù)據(jù)(或者接收16位數(shù)據(jù)到該地址)；當(dāng)要訪問寬度為8位的數(shù)據(jù)時，使用行地址線指出地址，然后把UBn(FSMC_NBL0)設(shè)置為低電平，I/O0-I/O15(FSMC_D8到 FSMC_D15)會對應(yīng)輸出該地址的高8位，l/O0-I/O7的信號無效(或者把LBn(FSMC_NBL1)設(shè)置為低電平，I/O0-/O7(FSMC_D0到SMCD7)會對應(yīng)輸出該地址的低8位，I/O8-/I/O15的信號無效。這樣是不是有部分信號沒有用呢？好像被掩蓋了。因此它們被稱為數(shù)據(jù)掩碼信號。
要注意的是FSMC_NBL[1]、FSMC_NBL[0]分別對應(yīng)于LBn、UBn，這兩個引腳的電平不是我們用程序控制的，如果用程序控制就太麻煩了，這兩個引腳應(yīng)該是FSMC的內(nèi)部硬件機(jī)制完成的，不需要我們?nèi)藶椴僮鳌?/p>
2、FSMC_NE[1：4]是個很有趣的東西，它決定了FSMC可以控制多個存儲器。這里就要提及FSMC的地址映射啦！
FSMC存儲區(qū)域—STM32F4XX參考手冊
首先，有一點(diǎn)我們必須明白，對于32位的STM32單片機(jī)來說，它能夠管理的地址大小為4GB，而STM32將4GB的地址空間中的0X60000到0X9FFFF共1GB的空間分給外部內(nèi)存，所以這1GB的空間就成了我們的小天地，供我們自由玩耍。
STM32F407數(shù)據(jù)手冊英文版—MemoryMap
野火407手冊
STM32F417數(shù)據(jù)手冊—中文版
然后強(qiáng)勢的FSMC就接管了這1GB的空間，F(xiàn)SMC將圖中的1GB大小的外部RAM存儲區(qū)域分成了4個Bank區(qū)域，每個Bank對應(yīng)于STM32內(nèi)部尋址空間的不同地址范圍。
那么為什么要分為不同的Bank區(qū)域呢？
因?yàn)椴煌腂ank可以來管理不同的外部存儲設(shè)備，比如NOR_Flash及SRAM存儲器只能使用Bank1的地址，NAND_Flash存儲器只能使用Bank2和Bank3的地址等。
細(xì)心的你肯定還會發(fā)現(xiàn)，每個Bank中居然還有4x64MB這種文宇，這是什么意思呢？
FSMC存儲區(qū)域—STM32F4XX參考手冊
Bank內(nèi)部的256MB空間又被分成4個小塊，每塊64M，各自有相應(yīng)的控制引腳用于連接片選信號。FSMC_NE[4:1]信號線就分別對應(yīng)圖中的 FSMC bank1 NOR/PSRAM4到FSMC bank1 NOR/PSRAM1。當(dāng)STM32訪問0×6800000—0x6BFFF址空間時，會訪問到Bank1的第3小塊區(qū)域：FSMC bank1 NOR/PSRAM3，相應(yīng)的FSMC_NE3信號線會輸出控制信號(即片選信號)，如果這個時候FSMC_NE3處剛好接上IS62WV51216的CS端，那么IS62WV51216就可以任由我們擺布啦。因此，對于你使IS62WV51216來說，一定要注意你的CS端是接的FSMC的哪個FSMC_NE端，這決定你在程序訪問哪個地址范圍。
STM32F4 的 FSMC 存儲塊 1（Bank1）被分為 4 個區(qū)，每個區(qū)管理64M 字節(jié)空間，每個區(qū)都有獨(dú)立的寄存器對所連接的存儲器進(jìn)行配置。Bank1 的 256M 字節(jié)空間由28根地址線(HADDR[27:0])尋址。
為什么是28根地址線？因?yàn)?^28=268435456B=262144KB=256MB，正好管理這Bank1的256M 字節(jié)空間。
當(dāng)Bank1接的是16位寬度存儲器的時候：HADDR[25:1]→FSMC_A[24:0]。當(dāng)Bank1接的是8位寬度存儲器的時候：HADDR[25:0]→ FSMC_A[25:0]。不論外部接8位/16位寬設(shè)備，F(xiàn)SMC_A0永遠(yuǎn)接在外部設(shè)備地址A[0]。
這里感覺很不好理解，簡單地分析如下：
對于16位SRAM，F(xiàn)SMC地址線要向右移一位（非常重要）。
以0x6800 0000這個地址為例，它分解成二進(jìn)制是0110 1000 0000 0000 0000 0000 0000 0000，由于一個BANK是64M的地址空間，而2^25=64M，故0x6800 0000的位[25:0]是FSMC向外部SRAM傳遞的真實(shí)地址，對于0x6800 0000，F(xiàn)SMC向外部SRAM發(fā)的地址是位[25:0],即00 0000 0000 0000 0000 0000 0000，這很好理解。
同理，對于0x6800 0002，F(xiàn)SMC向外部SRAM發(fā)送的地址是00 00000000 0000 0000 0000 0010。若FSMC不自動右移一位，這個地址明顯發(fā)錯了，因?yàn)槠谕x取的SRAM地址為0x0000 0001中的數(shù)據(jù)。
為了解決這一問題，當(dāng)在初始化FSMC時，若選擇外部SRAM為16位，則FSMC在向外部SRAM發(fā)地址時，會自動右移一位，例如剛才的0x6800 0002，F(xiàn)SMC在向外部發(fā)SRAM地址時，00 0000 0000 0000 0000 0000 0010會自動右移一位，變成00 0000 00000000 0000 0000 0001，即0x0000 0001，該地址正好是期望的外部SRAM地址。接著，外部SRAM從地址為0x0000 0001中取出16位數(shù)據(jù)傳送給FSMC，由FSMC將這個16位數(shù)據(jù)保存在以映射地址0x6800 0002起始的兩個8位存儲單元中。
地址映射如下：
這樣的話，當(dāng)16位數(shù)據(jù)寬度時，地址的問題解決了，還有一個問題，是往高字節(jié)寫入還是低字節(jié)寫入呢？
這也就是NBL0和NBL1的作用了，如果你要進(jìn)行字節(jié)操作 ：如stm32發(fā)送地址0x0001讀取一個字節(jié)。右移一位對應(yīng)的是sram地址0x0000處的16位數(shù)據(jù)， FSMC會根據(jù)A0（最后一根地址線）來控制NBL0和NBL1。當(dāng)A0 = 1時，讀取高字節(jié)數(shù)據(jù)（僅NBL1有效）；A0 = 0時，讀取低字節(jié)數(shù)據(jù)僅NBL0有效），當(dāng)進(jìn)行16位讀寫時，NBL0和NBL1都有效。
經(jīng)過了上面的分析，再來重新觀察數(shù)據(jù)的寫入過程：
當(dāng)?shù)刂窞?x6800 ?0000，會訪問到SRAM的第0個16位地址，而此時A0 = 0（低字節(jié)有效），實(shí)際會訪問的是16位 0地址的低字節(jié)；當(dāng)?shù)刂窞?x6800 ?0001時，A0 = 1，訪問16位 0地址的高字節(jié)。依次。
因此，想讓地址線的最后一位產(chǎn)生0或1，應(yīng)該在前一位做出改變（stm32會自動右移）：
我們的SRAM芯片使用的是Bank1 的第三個區(qū)，即使用FSMC_NE3來連接外部設(shè)備的時候，即對應(yīng)了HADDR[27:26]=10（這是內(nèi)部硬件配置，不需要我們管），我們要做的就是配置對應(yīng)第3區(qū)的寄存器組，來適應(yīng)外部設(shè)備即可。
STM32F4的FSMC各Bank配置寄存器如下表
STM32的FSMC存儲塊1支持的異步突發(fā)訪問模式包括：模式1、模式A~D等多種時序模型，驅(qū)動SRAM時一般使用模式1或者模式A，這里我們使用模式A來驅(qū)動SRAM用，其他模式說明詳見：STM32中文參考手冊-FSMC章節(jié)。
FSMC外設(shè)支持輸出多種不同的時序以便于控制不同的存儲器，它具有 ABCD 四種模式，下面我們僅針對控制 SRAM 使用的模式 A進(jìn)行講解。
模式A讀時序
模式A寫時序
對于NOR FLASH/PSRAM(包括SRAM)控制器（存儲塊1），通過FSMC_BCRX、FSMC_BTRX和FSMCBWTRx寄存器設(shè)置（其中x=1～4，對應(yīng)4個區(qū)）。由于我們硬件是把blank的第三個區(qū)給外部SRAM使用，所以對于SRAM芯片的片選引腳為FSMC_NE3。所以就要配置FSMC_BCR3、FSMC_BTR3和FSMCBWTR3這3個寄存器。正點(diǎn)原子F407板子的SRAM的片選引腳是FSMC_NE3，LCD顯存芯片的片選引腳是FSMC_NE4。
原子的F407的SRAM是blank NE3 LCD是blank NE3
| 野火的F407的SRAM blank NE4 | ? |
| 野火F407的LCD blank NE3 |
四、SRAM的FSMC寄存器配置
4.1 SRAM/NOR-Flash片選控制寄存器
EXTMOD：擴(kuò)展模式使能位，控制是否允許讀寫不同的時序，需設(shè)置為1。
WREN：寫使能位。我們需要向SRAM寫數(shù)據(jù)，故該位必須設(shè)置為1。
MWID[1：0]：存儲器數(shù)據(jù)總線寬度。00，表示8位數(shù)據(jù)模式；01表示16位數(shù)據(jù)模式；10和11保留。我們的SRAM是16位數(shù)據(jù)線，所以設(shè)置WMID[1：0]=01。
MTYP[1：0]：存儲器類型。00表示SRAM、ROM；01表示PSRAM；10表示NOR FLASH；11保留。我們使用SRAM，所以需要設(shè)置MTYP[1：0]=00。
MBKEN：存儲塊使能位。需設(shè)置為1。
STM32F4XX中文參考手冊
4.2 SRAM/NOR-Flash片選時序寄存器
ACCMOD[1：0]：訪問模式。00：模式A；01：模式B；10：模式C；11：模式D。
DATAST[7：0]：數(shù)據(jù)保持時間，等于：DATAST個HCLK時鐘周期，DATAST最大為255。對STM32F1，一個HCLK=13.8ns（1/72M），設(shè)置為15；對STM32F4，一個HCLK=6ns（1/168M），設(shè)置為60。
ADDSET[3：0]：地址建立時間。表示：ADDSET個HCLK周期，ADDSET最大為15。STM32F1的FSMC性能存在問題，即便設(shè)置為0，RD也有190ns的高電平，我們這里設(shè)置為1。而對STM32F4，則設(shè)置為15。
4.3 SRAM/NOR-Flash寫入時序寄存器
ACCMOD[1：0]：訪問模式。00：模式A；01：模式B；10：模式C；11：模式D。
DATASTI7：01：數(shù)據(jù)保持時間，等于：DATAST個HCLK時鐘周期，DATAST最大為255。對ILI9341來說，其實(shí)就是WR低電平持續(xù)時間，為15ns，不過ILI9320等則需要50ns?？紤]兼容性，對STM32F1，一個HCLK=13.8ns（1/72M），設(shè)置為3；對STM32F4，一個HCLK=6ns（1/168M），設(shè)置為9。
ADDSET[3：0]：地址建立時間。表示：ADDSET個HCLK周期，ADDSET最大為15。對lL19341來說，這里相當(dāng)于WR高電平持續(xù)時間，為15ns。同樣考慮兼容IL19320，對STM32F1，這里即便設(shè)置為1，WR也有100ns的高電平，我們這里設(shè)置為1。而對STM32F4，則設(shè)置為8。
在MDK的寄存器定義里面，并沒有定義FSMC_BCRx、FSMC_BTRx、FSMC_BWTRx等這個單獨(dú)的寄存器，而是將他們進(jìn)行了一些組合。
FSMC_BCRx和FSMC_BTRx，組合成BTCR[8]寄存器組，他們的對應(yīng)關(guān)系如下：
BTCR[0] 對應(yīng) FSMC_BCR1，BTCR[1] 對應(yīng) FSMC_BTR1BTCR[2] 對應(yīng) FSMC_BCR2，BTCR[3] 對應(yīng) FSMC_BTR2BTCR[4] 對應(yīng) FSMC_BCR3，BTCR[5] 對應(yīng) FSMC_BTR3BTCR[6] 對應(yīng) FSMC_BCR4，BTCR[7] 對應(yīng) FSMC_BTR4
FSMC_BWTRx則組合成BWTR[7]，他們的對應(yīng)關(guān)系如下：
BWTR[0]對應(yīng) FSMC_BWTR1，BWTR[2]對應(yīng) FSMC_BWTR2，BWTR[4]對應(yīng) FSMC_BWTR3，BWTR[6]對應(yīng) FSMC_BWTR4，BWTR[1]、BWTR[3]和 BWTR[5]保留，沒有用到。
本篇到此結(jié)束，下一篇將講解FSMC的先關(guān)代碼，并使用STM32CubeMX進(jìn)行配置。
審核編輯：劉清
工商網(wǎng)監(jiān)
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