- 使用帶有雙組閃存的MCU優(yōu)點

　　本節(jié)顯示了Flash B部分主要文件調(diào)用擦除和單字節(jié)寫入例程的典型實施方案。宏定義允許為兩種目的使用相同的例程，因為這兩種操作非常相似。下面是一種推薦的寫入/擦除Flash例程的部署方法。

　　#pragma CODE_SEG FLASH_A

　　unsigned char FlashB_Command(unsigned int FlashAddress, unsigned char FlashData, unsigned char Command)

　　{

　　/* Write Data into Flash*/

　　(*(volatile unsigned char *)(FlashAddress)) = FlashData;

　　/* Write Command */

　　FCMD = Command;

　　/* Launch command by setting FSTAT.FCBEF to 1 */

　　FSTAT = 0x80;

　　/* Wait at least 4 cycles to read the Error Flags */

　　_asm NOP;

　　_asm NOP;

　　_asm NOP;

　　_asm NOP;

　　/* Check if Flash Access Error or Protection Violation Error are Set */

　　if (FSTAT & (FSTAT_FACCERR_MASK|FSTAT_FPVIOL_MASK))

　　{

　　/* If so, finish the function returning FLASH_ERROR to indicate error */

　　FlashClearErrorFlags();

　　return (FLASH_ERROR);

　　}

　　/* Return FLASH_OK to indicate that the function executed Ok */

　　return (FLASH_OK);

　　}

　　#pragma CODE_SEG DEFAULT

　　所有寄存器和位名稱對應(yīng)于飛思卡爾S08系列MCU中現(xiàn)有的名稱。

　　結(jié)論

　　飛思卡爾雙組Flash是一個簡單的想法，通過增強性能、避免CPU拖延情況、在代碼執(zhí)行過程中保持中斷服務(wù)例程、不需要把例程復(fù)制到RAM，簡化了應(yīng)用設(shè)計。有了這些功能，可以更容易地設(shè)計和部署在代碼執(zhí)行過程中需要寫入或擦除Flash存儲器的最終應(yīng)用。

　　引導(dǎo)程序或EEPROM仿真等應(yīng)用通過考慮正確的存儲器分配并消除一些限制(如在Flash例程執(zhí)行過程中停止通信外設(shè))，利用該功能，從而提高效率。