主控板的SDRAM地址范圍從0xoc000000到0xodffi珊空間分配與用途如表3.3所示。
表3-3SDRAM功能空間分配表
3.3硬件電路的詳細(xì)設(shè)計(jì)
3.3.1S3C44BOX簡(jiǎn)介
32位RISC處理器S3C44BOX采用ARM7TDMI內(nèi)核,提供全面的、通用的片上外設(shè),大大減小了系統(tǒng)電路中除處理器以外的元器件配置,從而最小化系統(tǒng)成本,本系統(tǒng)關(guān)注的特性如下:
?。?)2.5VRISC體系結(jié)構(gòu)和ARM7TDMI內(nèi)核處理器強(qiáng)大指令系統(tǒng),支持Thumb代碼,提高代碼密度;支持JTAG片上集成ICE解決方案。
?。?)支持大/小端方式;支持8個(gè)存儲(chǔ)器BANK。其中7個(gè)具有固定的BANK起始地址和可編程大小,1個(gè)具有可編程BANK起始地址和BANK大??;
其中6個(gè)支持ROM/SRAM訪問BANK,2個(gè)RohⅣS融呦RAM訪問
BANK;所有的存儲(chǔ)器BANK具有可編程的訪問操作周期。
?。?)內(nèi)部集成可編程選擇使用的8KB高速緩存cache,未用的cache可用作0/4/8kByte的SRAM空間。采用保持主存儲(chǔ)器與cache內(nèi)容一致性的“寫穿式”策略。
?。?)片內(nèi)的鎖相環(huán)使MCU工作時(shí)鐘最大達(dá)75MHz
(5)30個(gè)中斷源,采用向量化的IRQ中斷模式以減少中斷的延遲,并支持
FIQ為緊急的中斷請(qǐng)求進(jìn)行服務(wù)。
(6)2通道通用DMA控制器,2通道接口DMA控制器,不需要CPU干預(yù),支持存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器,存儲(chǔ)器到10,Io到存儲(chǔ)器,Io到IO的DMA數(shù)據(jù)傳輸。并支持ontheny模式。
S3C44BOX還有很多其他的應(yīng)用資源,在此不贅述。在本系統(tǒng)設(shè)計(jì)中僅使用了l通道通用DMA控制器,1通道的串口UART。內(nèi)部的看門狗定時(shí)器及內(nèi)部的8KSRAM,以及PC,PG口,在總線選擇上使用16bit總線,并使系統(tǒng)工作在小端工作模式。
3.3.2電源電路
電源電路設(shè)計(jì)主要的考慮因素有:電源的種類、上電次序、數(shù)字,模擬混合電源處理方法、空間、輸入電壓、輸出電壓、輸出電流等,在本系統(tǒng)主控板中需要使用5V、3.3V、2.5V穩(wěn)壓數(shù)字直流電源。其中CPU分別需要3.3V和2.5V分別給片上Io口和CPU內(nèi)核供電,而LED顯示屏接口電路部分需要5V電源
供電。需要注意的是:CPU內(nèi)核和Io口應(yīng)按照內(nèi)核先于IO口上電,后于Io口掉電的規(guī)則,但盡可能同時(shí)供電,二者的時(shí)差不能太長(zhǎng),否則可能毀壞芯片剛。為簡(jiǎn)化電源電路設(shè)計(jì),使用5V直流開關(guān)電源輸入,通過3.3V和2.5V的線性穩(wěn)壓電源芯片[251得到3.3v和2.5V的直流穩(wěn)壓電源。電路如圖3.5所示.
圖3-5電源電路原理圖
3.3.3晶振復(fù)位電路
由于本系統(tǒng)中串口使用9600波特率,使用的系統(tǒng)時(shí)鐘最好是9600的整數(shù)倍,故選用3.6864MHz的晶振并配置S3C44BOX內(nèi)部的PLL六倍頻后得到22.1184MHz的系統(tǒng)時(shí)鐘,S3C44BOX內(nèi)部的PLL電路兼有倍頻和信號(hào)放大功能.為節(jié)省控制板成本,使用無(wú)源晶振,需要注意的是:
?。?)上電后時(shí)鐘源的選用取決OM[3:21弓1腳的邏輯電平狀態(tài),如表3-4所示。
?。?)3C44BOX的PLLCAP引腳需要接一個(gè)680pF的補(bǔ)償電容。
?。?)S3C44BOX的EXTCLK引腳需要通過4.7ko的限流電阻接3.3v的高電平,表明不使用EXTCLK引腳提供時(shí)鐘[20-1,電路如圖3-6所示.
圖3-6晶振電路原理圖
表3-4時(shí)鐘源選擇OM[3:2]配置表
圖3.7所示的是一個(gè)簡(jiǎn)單實(shí)用的上電復(fù)位電路。在系統(tǒng)中,復(fù)位電路主要完成系統(tǒng)的上電復(fù)位和系統(tǒng)在運(yùn)行時(shí)用戶強(qiáng)制按鍵復(fù)位功能。復(fù)位電路由簡(jiǎn)單的Rc電路構(gòu)成,經(jīng)使用證明,其復(fù)位邏輯是可靠的。
圖3-7復(fù)位電路原理圖
該復(fù)位電路的工作原理如下:在系統(tǒng)上電時(shí),通過電阻R42向電容C55充電,當(dāng)C55兩端的電壓未達(dá)到高電平的門限電壓時(shí),NOTGATE端輸出為低電平,系統(tǒng)處于復(fù)位狀態(tài);當(dāng)C55兩端的電壓達(dá)到高電平的門限電壓時(shí),NOTGATE端輸出為高電平,系統(tǒng)進(jìn)入正常工作狀態(tài)。當(dāng)用戶按下按鈕S2時(shí),C55兩端的電荷通過D10和R42被泄放掉,NOTGATE端輸出為低電平,系統(tǒng)進(jìn)入復(fù)位狀態(tài),再重復(fù)以上的充電過程,系統(tǒng)進(jìn)入正常工作狀態(tài)。NOTGATE通過兩級(jí)非門電路用于按鈕去抖動(dòng)和波形整形;通過調(diào)整R42和C55的參數(shù),可調(diào)整復(fù)位狀態(tài)的時(shí)間,值得注意的是要使上電后S3C44BOX的nRESET要持續(xù)4個(gè)時(shí)鐘的低電平,即當(dāng)系統(tǒng)時(shí)鐘為22.1184MHz時(shí)為200ns。但是,在上電后,系統(tǒng)的晶振往往需要100ms~200ms的時(shí)間穩(wěn)定腳l所以上電后C55正極應(yīng)保持足夠長(zhǎng)的低電平的時(shí)間。復(fù)位時(shí)間主要由R和C確定,C55正極電壓礦=3.30一e-t/7),f=RC。設(shè)0.8V為低電平的上限,選R42為100kQ,C55為10uF,可得t*277ms,從而滿足復(fù)位要求。
評(píng)論
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