全球領(lǐng)先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司(“華虹半導(dǎo)體”或“公司”，股份代號：1347.HK)宣布，其第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺已成功量產(chǎn)，該平臺具有導(dǎo)通電阻低、高壓種類全、光刻層數(shù)少等優(yōu)勢，對于工業(yè)控制應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品是理想的工藝選擇。
2018-10-10 15:33:17
5856 了，那么，芯片工藝從目前的7nm升級到3nm后，到底有多大提升呢？為什么提到芯片時都要介紹制程？制程到底是什么？今天宏旺半導(dǎo)體就帶大家來了解一下。10nm、7nm等到底是指什么？宏旺半導(dǎo)體提過，芯片是由
2019-12-10 14:38:41
表現(xiàn)依舊存在較大的改進(jìn)空間。從2019年底到2020年初，業(yè)內(nèi)也召開了多次與半導(dǎo)體制造業(yè)相關(guān)的行業(yè)會議，對2020年和以后的半導(dǎo)體工藝進(jìn)展速度和方向進(jìn)行了一些預(yù)判。今天本文就綜合各大會議的消息和廠商披露
2020-07-07 11:38:14
本人5年工作經(jīng)驗，主要負(fù)責(zé)半導(dǎo)體工藝及產(chǎn)品開發(fā)相關(guān)工作，工藝方面對拋光、切割比較精通，使用過NTS/DISCO/HANS等設(shè)備，熟悉設(shè)備參數(shù)設(shè)置，工藝改善等，產(chǎn)品開發(fā)方面熟悉新產(chǎn)品導(dǎo)入流程。目前本人已經(jīng)離職，尋找四川境內(nèi)相關(guān)工作，如有機會請與我聯(lián)系：***，謝謝！
2016-10-12 10:11:16
` 本帖最后由 firstchip 于 2015-1-20 10:54 編輯
北京飛特馳科技有限公司對外提供6英寸半導(dǎo)體工藝代工服務(wù)和工藝加工服務(wù)，包括：產(chǎn)品代工、短流程加工、單項工藝加工等
2015-01-07 16:15:47
工藝，助力客戶在龐大的8位MCU應(yīng)用市場提高競爭力?！ ∪A虹半導(dǎo)體的95納米5V SG eNVM工藝通過優(yōu)化單元的結(jié)構(gòu)和IP的設(shè)計，令其具有較小的面積和較低的讀取功耗（50μA/MHz），器件靜態(tài)功耗
2017-08-31 10:25:23
；*** CryptoCell技術(shù)有助于強化安全SoC設(shè)計；采用ARM Cordio? radio IP的完整無線解決方案，支持802.15.4 和Bluetooth? 5；通過ARM mbed? Cloud，云服務(wù)能夠支持物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的安全管理；ARM Artisan? IoT POP IP針對臺積電40ULP工藝實現(xiàn)優(yōu)化。
2019-10-23 08:21:13
?！盨chorn表示，“但正像我們現(xiàn)在看到的那樣，節(jié)點變化在減少，縮短硬宏生命期的目標(biāo)數(shù)量又在增加。我們希望一次工程能實現(xiàn)多次許可?！盋ortex-A9的最早采納者、ARM公司的半導(dǎo)體合作伙伴已經(jīng)用低功耗
2018-09-06 09:27:22
工藝之前會是Atom的有力競爭對手。它采用硬宏的形式，設(shè)計使用***臺積電（TSMC）的40G40nm制造工藝技術(shù)制造。Osprey硬宏分別針對功耗和性能作了優(yōu)化，而針對性能的優(yōu)化使得ARM處理器完全
2019-01-25 17:04:34
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯
半導(dǎo)體工藝
2012-08-20 09:02:05
有沒有半導(dǎo)體工藝方面的資料啊
2014-04-09 22:42:37
半導(dǎo)體發(fā)展至今，無論是從結(jié)構(gòu)和加工技術(shù)多方面都發(fā)生了很多的改進(jìn)，如同Gordon E. Moore老大哥預(yù)測的一樣，半導(dǎo)體器件的規(guī)格在不斷的縮小，芯片的集成度也在不斷提升，工藝制程從90nm
2020-12-10 06:55:40
業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
半導(dǎo)體工藝講座ObjectiveAfter taking this course, you will able to? Use common semiconductor terminology
2009-11-18 11:31:10
;font face="Verdana">半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識</font>下載</strong>
2009-10-09 08:30:51
半導(dǎo)體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點是無運動部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點？
2021-02-24 09:24:02
什么呢？一般固體材料依導(dǎo)電情形可分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體及絕緣體。半導(dǎo)體通常采用矽當(dāng)導(dǎo)體，因為化學(xué)元素的矽晶體內(nèi)，每個原子都能貢獻(xiàn)四個價電子，而矽原子內(nèi)部原子核帶有四個正電荷。相鄰原子間的電子對，構(gòu)成了原子間
2018-11-08 11:10:34
單憑顏色而判斷出大約的氧化層厚度。不過若超過1.5微米以上的厚度時，氧化層顏色便漸不明顯。(二)擴散(爐) (diffusion) 1、擴散攙雜半導(dǎo)體材料可攙雜n型或p型導(dǎo)電雜質(zhì)來調(diào)變阻值，卻不影響其
2011-08-28 11:55:49
在制造半導(dǎo)體器件時，為什么先將導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導(dǎo)體，使之導(dǎo)電性極差，然后再用擴散工藝在本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)形成N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體改善其導(dǎo)電性？
2012-07-11 20:23:15
的柵長（下圖中的線寬）。第三，單點技術(shù)突破難構(gòu)成半導(dǎo)體制造工序的最小單位的工藝技術(shù)就是單點技術(shù)，或者組件技術(shù)。集成電路制造就是在硅片上執(zhí)行一系列復(fù)雜的化學(xué)或者物理操作。復(fù)雜電路的制造工序超過500道
2020-09-02 18:02:47
一個生態(tài)系統(tǒng)，讓每家公司都能夠?qū)Ｗ⒂谒麄兊暮诵母偁?b class="flag-6" style="color: red">力，這是管理復(fù)雜性的一個好方法。這就是第三個時代所發(fā)生的事情。芯片的設(shè)計和實施由無晶圓廠半導(dǎo)體公司負(fù)責(zé)，設(shè)計基礎(chǔ)設(shè)施由 EDA 公司負(fù)責(zé)，工藝技術(shù)則
2024-03-13 16:52:37
半導(dǎo)體器件物理（胡正明）
2020-09-22 19:57:16
半導(dǎo)體器件與工藝
2012-08-20 08:39:08
半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識與晶體管工藝原理
2012-08-20 08:37:00
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
大家好！ 附件是半導(dǎo)體引線鍵合清洗工藝方案，請參考，謝謝！有問題聯(lián)系我：*** szldqxy@163.com
2010-04-22 12:27:32
請教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導(dǎo)體景氣關(guān)鍵指標(biāo)北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商接單出貨比（B/B值），8月雖站上五個月來新高達(dá)1.06，但國際半導(dǎo)體設(shè)備材料協(xié)會（SEMI）預(yù)警未來幾個月將下滑，國際一線半導(dǎo)體設(shè)備大廠營運首當(dāng)其沖。 B
2015-11-27 17:53:59
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過點接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開始受到重視。1947年鍺點接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
半導(dǎo)體激光器又稱激光二極管，是用半導(dǎo)體材料作為工作物質(zhì)的激光器。它具有體積小、壽命長的特點，并可采用簡單的注入電流的方式來泵浦其工作電壓和電流與集成電路兼容，因而可與之單片集成。
2020-08-11 07:35:44
，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產(chǎn)品，如計算機、移動電話或是數(shù)字錄音機當(dāng)中的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)聯(lián)。集成電路是一種微型電子器件或部件，采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管
2021-09-15 07:24:56
半導(dǎo)體溫差致冷是建立在法國物理學(xué)家Peltien帕爾帖效應(yīng)（即溫差效應(yīng)）基礎(chǔ)上的具體應(yīng)用。當(dāng)電流流經(jīng)兩種不同性質(zhì)的導(dǎo)體形成接點時，其接點會產(chǎn)生放熱和吸熱現(xiàn)象，即其兩端形成溫差而實現(xiàn)制冷和制熱。
2020-04-03 09:02:41
國際半導(dǎo)體芯片巨頭壟斷加劇半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)三大趨勢
2021-02-04 07:26:49
，自由電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子;在P型半導(dǎo)體中，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。PN結(jié)的形成采用某種工藝，可以將P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體制作在同一塊硅片上。由于濃度差，會產(chǎn)生擴散運動
2020-06-27 08:54:06
MPLAB IDIDV3.65和XC8HI，“宏擴展工具”是一個方便的工具來查看宏在項目文件中的擴展（右鍵單擊宏并選擇導(dǎo)航/視圖宏擴展）。不幸的是，我發(fā)現(xiàn)了一個問題：當(dāng)我在文件中更改宏的定義時然后宏
2020-04-14 09:57:51
上的通信協(xié)議，用于規(guī)范計算機與存儲設(shè)備的數(shù)據(jù)傳輸。NVME是為SSD而生的。在此之前SSD都用SATA接口。據(jù)宏旺半導(dǎo)體了解，SATA接口采用AHCI規(guī)范，其已經(jīng)成為制約SSD速度的瓶頸。AHCI只有1個命令
2019-11-26 11:21:07
怎樣通過ASV技術(shù)去生成準(zhǔn)確的3D深度圖？采用艾邁斯半導(dǎo)體的ASV技術(shù)有什么特點？
2021-07-09 06:25:46
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
的復(fù)雜性,而大多數(shù)半導(dǎo)體制造過程包含許多非線性且復(fù)雜的化學(xué)與物理反應(yīng)，難以建立其制造模型,加上檢測技術(shù)的缺乏,造成無法及時得知工藝過程狀態(tài)而難以對其進(jìn)行有效監(jiān)控。因此,當(dāng)半導(dǎo)體制造進(jìn)入8英寸、12英寸
2018-08-29 10:28:14
一個比較經(jīng)典的半導(dǎo)體工藝制作的課件，英文的，供交流……
2012-02-26 13:12:24
`《半導(dǎo)體制造工藝》學(xué)習(xí)筆記`
2012-08-20 19:40:32
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：半導(dǎo)體行業(yè)的濕化學(xué)分析——總覽編號：JFSJ-21-075作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html對液體和溶液進(jìn)行
2021-07-09 11:30:18
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：IC制造工藝編號：JFSJ-21-046作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：集成電路的制造主要包括以下工藝
2021-07-08 13:13:06
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：III-V族半導(dǎo)體納米線結(jié)構(gòu)的光子學(xué)特性編號：JFSJ-21-075作者：炬豐科技 摘要：III-V 族半導(dǎo)體納米線 (NW) 由于其沿納米線軸對電子和光子
2021-07-09 10:20:13
哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一指定應(yīng)用？對此，業(yè)界存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-02 08:23:59
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電
2023-02-21 16:01:16
學(xué)習(xí)《模擬電路》，第一個攔路虎就是半導(dǎo)體物理，由于半導(dǎo)體物理的透徹理解牽扯到半導(dǎo)體物理、量子力學(xué)、統(tǒng)計力學(xué)等概念，而且概念過于抽象，初學(xué)者往往要被嚇跑。實際上，通過有選擇的介紹必要概念，使用生活中常見現(xiàn)象作類比等手段，詳細(xì)解釋每一個概念的含義，初學(xué)者是完全能學(xué)好半導(dǎo)體物理的。我們先來看第一個PPT：
2019-05-15 20:03:37
去年九月，安森美半導(dǎo)體宣布收購Fairchild半導(dǎo)體。上周，我們完成了前Fairchild半導(dǎo)體產(chǎn)品信息向安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站的轉(zhuǎn)移。這使訪客能瀏覽低、中、高壓電源模塊、集成電路和分立器件合并的、擴展
2018-10-31 09:17:40
和CAT24M01，數(shù)據(jù)保持期高達(dá)100年。這些串行EEPROM的工作溫度范圍為-40℃至+125℃，采用0.18微米(μm)低功耗CMOS工藝制造，無疑是降低智能電表能耗的最佳選擇。I/O擴展芯片
2019-05-15 10:57:14
的美國派更半導(dǎo)體公司（PeregrineSemiconductorCorp.）開發(fā)的。在藍(lán)寶石底板上形成單晶硅薄膜，然后再利用CMOS工藝形成電路。作為采用具有良好絕緣性的藍(lán)寶石的SOS底板，與硅底板
2016-09-15 11:28:41
，再把管腳引出來，然后固定包裝成為一個整體。它可以起到保護芯片的作用，相當(dāng)于是芯片的外殼，不僅能固定、密封芯片，還能增強其電熱性能。所以，封裝對CPU和其他大規(guī)模集成電路起著非常重要的作用。據(jù)宏旺半導(dǎo)體
2019-12-09 16:16:51
與固體電子學(xué)或凝聚態(tài)物理學(xué)碩士以上學(xué)歷。 2、熟悉半導(dǎo)體激光器工作原理、對半導(dǎo)體激光器有較深入的研究，熟悉半導(dǎo)體封裝工藝。 3、英語水平較好，能熟練查閱有關(guān)文獻(xiàn)。 4、分析問題及解決問題的能力較強，動手
2015-02-10 13:33:33
文/編譯楊碩王家農(nóng)在網(wǎng)絡(luò)無處不在、IP無處不在和無縫移動連接的總趨勢下，國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖(ITRS)項目組在他們的15年半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展預(yù)測中認(rèn)為，隨著技術(shù)和體系結(jié)構(gòu)推進(jìn)“摩爾定律”和生產(chǎn)力極限
2019-07-24 08:21:23
有所增加?！盨chorn表示，“但正像我們現(xiàn)在看到的那樣，節(jié)點變化在減少，縮短硬宏生命期的目標(biāo)數(shù)量又在增加。我們希望一次工程能實現(xiàn)多次許可?！?Cortex-A9的最早采納者、ARM公司的半導(dǎo)體
2016-05-23 10:25:23
有所增加?！盨chorn表示，“但正像我們現(xiàn)在看到的那樣，節(jié)點變化在減少，縮短硬宏生命期的目標(biāo)數(shù)量又在增加。我們希望一次工程能實現(xiàn)多次許可?！?Cortex-A9的最早采納者、ARM公司的半導(dǎo)體
2016-09-20 11:14:23
有所增加。”Schorn表示，“但正像我們現(xiàn)在看到的那樣，節(jié)點變化在減少，縮短硬宏生命期的目標(biāo)數(shù)量又在增加。我們希望一次工程能實現(xiàn)多次許可?！?Cortex-A9的最早采納者、ARM公司的半導(dǎo)體
2016-09-27 15:38:30
有所增加?！盨chorn表示，“但正像我們現(xiàn)在看到的那樣，節(jié)點變化在減少，縮短硬宏生命期的目標(biāo)數(shù)量又在增加。我們希望一次工程能實現(xiàn)多次許可?！?Cortex-A9的最早采納者、ARM公司的半導(dǎo)體
2016-10-17 09:28:25
問個菜的問題:半導(dǎo)體(或集成電路)工藝 來個人講講 半導(dǎo)體工藝 集成電路工藝 硅工藝 CMOS工藝的概念和區(qū)別以及聯(lián)系吧。查了一下：集成電路工藝（integrated
2009-09-16 11:51:34
是集成電路（IC），也就是我們通常所說的“芯片”，它是半導(dǎo)體技術(shù)的主要產(chǎn)品。集成電路制造過程中，晶圓光刻的工藝（即所謂的流片），被稱為前工序，這是IC制造的最關(guān)鍵技術(shù)；晶圓流片后，其切割、封裝等工序
2008-09-23 15:43:09
。 “回顧歷史，”Franca指出，“多虧了EDA行業(yè)的崛起，曾經(jīng)自己開發(fā)設(shè)計工具的半導(dǎo)體公司不再這么做了；晶圓制造商也讓位于專業(yè)代工企業(yè)；曾經(jīng)設(shè)計專有處理器的廠商現(xiàn)在采用ARM或MIPS內(nèi)核
2019-05-13 07:00:04
0.5微米以上的粉塵10粒。所以Class后頭數(shù)字越小，潔凈度越佳，當(dāng)然其造價也越昂貴。半導(dǎo)體凈化車間潔凈度等級標(biāo)準(zhǔn)及要求半導(dǎo)體特性決定其制造過程必須有潔凈度要求，環(huán)境中雜質(zhì)對半導(dǎo)體的特性有著改變或破壞
2020-09-23 14:55:06
工藝流程 半導(dǎo)體純水的工藝大致分成以下幾種： 1、采用離子交換方式，其流程如下：自來水→電動閥→多介質(zhì)過濾器→活性炭過濾器→軟化水器→中間水箱→低壓泵→精密過濾器→陽樹脂床→陰樹脂床→陰陽樹脂混合床
2013-08-12 16:52:42
芯片制造-半導(dǎo)體工藝制程實用教程學(xué)習(xí)筆記[/hide]
2009-11-18 11:44:51
circuit）是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個管殼內(nèi)，成為具有所需電路功能
2020-02-18 13:23:44
`半導(dǎo)體（ semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導(dǎo)體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用
2016-11-27 22:34:51
、物理學(xué)等相關(guān)專業(yè)是否應(yīng)屆要求不限性別要求男女不限年齡要求-薪金面議詳細(xì)描述受新加坡公司委托***半導(dǎo)體工程師數(shù)名。主要包括：半導(dǎo)體制成整合，光刻，蝕刻，薄膜，擴散等工藝和設(shè)備工程師要求：本科及以上
2009-10-12 11:10:18
、物理學(xué)等相關(guān)專業(yè)是否應(yīng)屆要求不限性別要求男女不限年齡要求-薪金面議詳細(xì)描述受新加坡公司委托***半導(dǎo)體工程師數(shù)名。主要包括：半導(dǎo)體制成整合，光刻，蝕刻，薄膜，擴散等工藝和設(shè)備工程師要求：本科及以上
2009-10-12 11:15:49
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiC基GaN半導(dǎo)體技術(shù)。通過兩個例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至
2020-12-21 07:09:34
半導(dǎo)體器件物理與工藝的主要內(nèi)容：第一章 能帶與載流子濃度第二章 載流子輸運現(xiàn)象第三章 p-n結(jié)第四章 雙極型器件第五章 單極型器件第六章 微波器件第七章
2009-07-22 12:07:59
0 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ):一般而言，制作太陽能電池的最基本材料是半導(dǎo)體材料，因而本章將介紹一些半導(dǎo)體物理的基本知識，包括半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶、本征與摻雜半導(dǎo)體、pn結(jié)以
2009-11-24 17:44:4464 和艦科技自主創(chuàng)新研發(fā)的0.16 微米硅片制造工藝技術(shù)在原有比較成熟的0.18 微米工藝技術(shù)基礎(chǔ)上，將半導(dǎo)體器件及相關(guān)繞線尺寸進(jìn)行10%微縮（實際尺寸為0.162 微米），大大降低了芯
2009-12-14 11:23:3625 • 《半導(dǎo)體器件物理基礎(chǔ)》曾樹榮北京大學(xué)出版社• 《半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)》[美]Robert F. Pierret 黃如、王漪等譯電子工業(yè)出版社• 《半導(dǎo)體器件物理與工藝》第二版[美
2010-10-03 14:05:030 燦芯半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布，燦芯半導(dǎo)體與ARM簽署了一份長期協(xié)議，將被授權(quán)使用ARM的IP工具包，其中包括ARM Cortex, ARM9/11和Mali系列處理器﹑以及CoreSight調(diào)試追蹤技術(shù)和與AMBA兼容
2011-03-18 10:00:19617 本手冊包括:物理常數(shù)、常用元素、雜質(zhì)及擴散源、電熱材料、工藝安全、管殼外形標(biāo)準(zhǔn)化等半導(dǎo)體器件制造工藝常用數(shù)據(jù)手冊
2011-12-15 16:03:28131 微電子學(xué)基礎(chǔ)，半導(dǎo)體物理，介紹了半導(dǎo)體材料性質(zhì)
2015-11-03 11:32:400 2016年2月5日，北京訊——ARM 宣布，從即日起全球晶圓專工領(lǐng)導(dǎo)者聯(lián)華電子（UMC）的28納米28HPCU工藝可采用ARM? Artisan? 物理IP平臺和ARM POP? IP。
2016-02-15 11:17:49896 半導(dǎo)體物理學(xué)課件，關(guān)于半導(dǎo)體方面的相關(guān)教學(xué)知識
2016-05-10 17:04:480 )工藝技術(shù)生產(chǎn)的ARM處理器。它是第一個采用ARM物理IP、在IBM基于32nm高K金屬門(HKMG)工藝的Common Platform測試芯片上構(gòu)建的32nm Cortex系列處理器核。該處理器將為
2017-12-04 12:47:01351 近日，國際領(lǐng)先的定制化芯片設(shè)計方案提供商及DDR控制器和物理層IP供應(yīng)商——燦芯半導(dǎo)體有限公司對外宣布推出基于SMIC40LL工藝的第二代DDR低功耗物理層IP，該IP與第一代的低功耗DDR PHY相比面積減少20%。
2018-03-17 10:43:397321 華虹半導(dǎo)體有限公司推出最新低本高效0.18微米數(shù)?；旌霞扒度胧絆TP/MTP工藝平臺增強版（0.18CE 工藝平臺增強版）。該增強型工藝平臺的推出，進(jìn)一步奠定了華虹半導(dǎo)體在蓬勃發(fā)展的微控制器
2018-05-15 11:45:001402 本文首先介紹了半導(dǎo)體的四大基本物理特性，其次介紹了半導(dǎo)體的三大重要特性。
2018-09-27 11:05:2233107 10月10日，華虹半導(dǎo)體有限公司（“華虹半導(dǎo)體”）宣布，其第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺已成功量產(chǎn)，該平臺具有導(dǎo)通電阻低、高壓種類全、光刻層數(shù)少等優(yōu)勢，對于工業(yè)控制應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品是理想的工藝選擇。
2018-10-10 15:58:004616 e絡(luò)盟宣布與全球半導(dǎo)體IP領(lǐng)先供應(yīng)商ARM簽署分銷協(xié)議
2019-08-04 09:26:302307 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是功率半導(dǎo)體器件物理與工藝研究的學(xué)習(xí)課件免費下載。
2021-02-03 17:02:0033 半導(dǎo)體工藝化學(xué)原理。
2021-03-19 17:07:23111 半導(dǎo)體器件物理.pdf
2021-11-05 18:13:550 韓國唯一一家純晶圓代工廠啟方半導(dǎo)體（Key Foundry）今天宣布其0.18微米高壓BCD（雙極-CMOS-DMOS）工藝已經(jīng)開始量產(chǎn)。
2022-02-28 10:31:011876 【半導(dǎo)體后端工藝：】第一篇了解半導(dǎo)體測試
2023-11-24 16:11:50485 
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