氮化鎵十大龍頭企業(yè)

　　氮化鎵十大龍頭企業(yè)

　　今天我們一起學(xué)習(xí)一下關(guān)于氮化鎵龍頭企業(yè)到達有哪些呢？首先氮化鎵，分子式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。

　　下面我們一起了解一下關(guān)于氮化鎵龍頭企業(yè)有哪些？

　　1.三安光電（600703）

　　化合物半導(dǎo)體代工，已完成部分GaN的產(chǎn)線布局，是氮化鎵的龍頭。三安光電主要從事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料、微波通訊集成電路與功率器件、光通訊元器件等的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，產(chǎn)品性能指標(biāo)居國際先進水平。

　　2.聞泰科技（600745）

　　其安世入股的Transphorm獲得了車規(guī)級認(rèn)證，車載GaN已經(jīng)量產(chǎn)，全球最優(yōu)質(zhì)的氮化鎵供應(yīng)商之一。公司主營通訊和半導(dǎo)體兩大業(yè)務(wù)板塊，目前已經(jīng)形成從芯片設(shè)計、晶圓制造、半導(dǎo)體封裝測試到產(chǎn)業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、通訊終端、筆記本電腦、IoT、汽車電子產(chǎn)品研發(fā)制造于一體的龐大產(chǎn)業(yè)布局。通訊業(yè)務(wù)板塊包括手機、平板、筆電、IoT、汽車電子等領(lǐng)域。

　　3.耐威科技（300456）

　　公司目前的第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)主要是指GaN（氮化鎵）材料的生長與器件的設(shè)計，公司已成功研制8英寸硅基氮化鎵外延晶圓，且正在持續(xù)研發(fā)氮化鎵器件。北京耐威科技股份有限公司以傳感技術(shù)為核心，緊密圍繞物聯(lián)網(wǎng)、特種電子兩大產(chǎn)業(yè)鏈，一方面大力發(fā)展MEMS、導(dǎo)航、航空電子三大核心業(yè)務(wù)，一方面積極布局無人系統(tǒng)、第三代半導(dǎo)體材料和器件等潛力業(yè)務(wù)，致力于成為具備高競爭門檻的一流民營科技企業(yè)集團。公司主要產(chǎn)品及業(yè)務(wù)包括MEMS芯片的工藝開發(fā)及晶圓制造、導(dǎo)航系統(tǒng)及器件、航空電子系統(tǒng)等，應(yīng)用領(lǐng)域包括通信、生物醫(yī)療、工業(yè)科學(xué)、消費電子、航空航天、智能交通等。公司業(yè)務(wù)遍及全球，客戶包括特種電子用戶以及全球DNA/RNA測序儀巨頭、新型超聲設(shè)備巨頭、網(wǎng)絡(luò)通信和應(yīng)用巨頭以及工業(yè)和消費細分行業(yè)的領(lǐng)先企業(yè)。

　　4.南大光電（300346）

　　公司的高純磷烷、砷烷研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目已經(jīng)列入國家科技重大專項。高純磷烷和高純砷烷都是LED、超大規(guī)模集成電路、砷化鎵太陽能電池的重要原材料。MO源是MOCVD技術(shù)生長化合物半導(dǎo)體超薄型膜材料的支撐材料?；衔锇雽?dǎo)體主要用于制造高亮度發(fā)光管、高遷移率晶體管、半導(dǎo)體激光器、太陽能電池等器件，在紅外探測、超高速計算機等方面的應(yīng)用也有著光明的前景。

　　5.海陸重工（002255）

　　旗下江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公有專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)以氮化鎵（ GaN）為代表的復(fù)合半導(dǎo)體高性能晶圓，并用其做成功率器件。蘇州海陸重工股份有限公司位于江蘇省張家港市開發(fā)區(qū)，是國內(nèi)一流的節(jié)能環(huán)保設(shè)備的專業(yè)設(shè)計制造企業(yè)，目前并已初步形成鍋爐產(chǎn)品、大型壓力容器、核電設(shè)備、低溫產(chǎn)品、環(huán)保工程共同發(fā)展的業(yè)務(wù)格局。

　　6.海特高新（002023）

　　海威華芯布局氮化鎵功率器件代工，技術(shù)達到國際先進水平

　　7.富滿電子（300671）

　　充電器主控芯片，與oppo合作研發(fā)過GaN的充電器

　　8.云南鍺業(yè)（002428）

　　子公司云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司目前已建成砷化鎵單晶及晶體產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線，目前GaAs單晶片產(chǎn)能為80萬片/年（折合4英寸），2019年上半年產(chǎn)量

　　9.有研新材（600206）

　　公司為國內(nèi)靶材等半導(dǎo)體材料的龍頭企業(yè)之一，也是國內(nèi)水平砷化鎵最大的供應(yīng)商，旗下有研光電擁有如萬片/年的GaAs襯底產(chǎn)能。

　　10.乾照光電（300102）

　　是國內(nèi)最大的能夠批量生產(chǎn)砷化鎵太陽能電池外延片的企業(yè)，研發(fā)并生產(chǎn)世界最尖端的高性能砷化鎵太陽能電池，填補了該領(lǐng)域的國內(nèi)空白。

　　氮化鎵材料應(yīng)用

　　新型電子器件

　　GaN材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE技術(shù)在GaN材料應(yīng)用中的進展和關(guān)鍵薄膜生長技術(shù)的突破，成功地生長出了GaN多種異質(zhì)結(jié)構(gòu)。用GaN材料制備出了金屬場效應(yīng)晶體管（MESFET）、異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管（HFET）、調(diào)制摻雜場效應(yīng)晶體管（MODFET）等新型器件。調(diào)制摻雜的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)具有高的電子遷移率（2000cm2/v·s）、高的飽和速度（1×107cm/s）、較低的介電常數(shù)，是制作微波器件的優(yōu)先材料；GaN較寬的禁帶寬度（3.4eV） 及藍寶石等材料作襯底，散熱性能好，有利于器件在大功率條件下工作。

　　光電器件

　　GaN材料系列是一種理想的短波長發(fā)光器件材料，GaN及其合金的帶隙覆蓋了從紅色到紫外的光譜范圍。自從1991年日本研制出同質(zhì)結(jié)GaN藍色 LED之后，InGaN/AlGaN雙異質(zhì)結(jié)超亮度藍色LED、InGaN單量子阱GaNLED相繼問世。目前，Zcd和6cd單量子阱GaN藍色和綠色 LED已進入大批量生產(chǎn)階段，從而填補了市場上藍色LED多年的空白。以發(fā)光效率為標(biāo)志的LED發(fā)展歷程見圖3。藍色發(fā)光器件在高密度光盤的信息存取、全光顯示、激光打印機等領(lǐng)域有著巨大的應(yīng)用市場。隨著對Ⅲ族氮化物材料和器件研究與開發(fā)工作的不斷深入，GaInN超高度藍光、綠光LED技術(shù)已經(jīng)實現(xiàn)商品化，現(xiàn)在世界各大公司和研究機構(gòu)都紛紛投入巨資加入到開發(fā)藍光LED的競爭行列。

　　1993年，Nichia公司首先研制成發(fā)光亮度超過lcd的高亮度GaInN/AlGaN異質(zhì)結(jié)藍光LED，使用摻Zn的GaInN作為有源層，外量子效率達到2.7%，峰值波長450nm，并實現(xiàn)產(chǎn)品的商品化。1995年，該公司又推出了光輸出功率為2.0mW，亮度為6cd商品化GaN綠光 LED產(chǎn)品，其峰值波長為525nm，半峰寬為40nm。最近，該公司利用其藍光LED和磷光技術(shù)，又推出了白光固體發(fā)光器件產(chǎn)品，其色溫為6500K，效率達7.5流明/W。除Nichia公司以外，HP、Cree等公司相繼推出了各自的高亮度藍光LED產(chǎn)品。高亮度LED的市場預(yù)計將從1998年的 3.86億美元躍升為2003年的10億美元。高亮度LED的應(yīng)用主要包括汽車照明，交通信號和室外路標(biāo)，平板金色顯示，高密度DVD存儲，藍綠光對潛通信等。

　　在成功開發(fā)Ⅲ族氮化物藍光LED之后，研究的重點開始轉(zhuǎn)向Ⅲ族氮化物藍光LED器件的開發(fā)。藍光LED在光控測和信息的高密度光存儲等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。目前Nichia公司在GaN藍光LED領(lǐng)域居世界領(lǐng)先地位，其GaN藍光LED室溫下2mW連續(xù)工作的壽命突破10000小時。HP公司以藍寶石為襯底，研制成功光脊波導(dǎo)折射率導(dǎo)引GaInN/AlGaN多量子阱藍光LED。CreeResearch公司首家報道了SiC上制作的CWRT藍光激光器，該激光器彩霞的是橫向器件結(jié)構(gòu)。富士通繼Nichia，CreeResearch和索尼等公司之后，宣布研制成了InGaN藍光激光器，該激光器可在室溫下CW應(yīng)用，其結(jié)構(gòu)是在SiC襯底上生長的，并且采用了垂直傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)（P型和n型接觸分別制作在晶片的頂面和背面），這是首次報道的垂直器件結(jié)構(gòu)的CW藍光激光器。

　　在探測器方面，已研制出GaN紫外探測器，波長為369nm，其響應(yīng)速度與Si探測器不相上下。但這方面的研究還處于起步階段。GaN探測器將在火焰探測、導(dǎo)彈預(yù)警等方面有重要應(yīng)用。

　　應(yīng)用前景

　　對于GaN材料，長期以來由于襯底單晶沒有解決，異質(zhì)外延缺陷密度相當(dāng)高，但是器件水平已可實用化。1994年日亞化學(xué)所制成1200mcd的 LED，1995年又制成Zcd藍光（450nmLED），綠光12cd（520nmLED）;日本1998年制定一個采用寬禁帶氮化物材料開發(fā)LED的 7年規(guī)劃，其目標(biāo)是到2005年研制密封在熒光管內(nèi)、并能發(fā)出白色光的高能量紫外光LED，這種白色LED的功耗僅為白熾燈的1/8，是熒光燈的1/2， 其壽命是傳統(tǒng)熒光燈的50倍～100倍。這證明GaN材料的研制工作已取相當(dāng)成功，并進入了實用化階段。InGaN系合金的生成，InGaN/AlGaN 雙質(zhì)結(jié)LED，InGaN單量子阱LED，InGaN多量子阱LED等相繼開發(fā)成功。InGaNSQWLED6cd高亮度純綠茶色、2cd高亮度藍色 LED已制作出來，今后，與AlGaP、AlGaAs系紅色LED組合形成亮亮度全色顯示就可實現(xiàn)。這樣三原色混成的白色光光源也打開新的應(yīng)用領(lǐng)域，以高可靠、長壽命LED為特征的時代就會到來。日光燈和電燈泡都將會被LED所替代。LED將成為主導(dǎo)產(chǎn)品，GaN晶體管也將隨材料生長和器件工藝的發(fā)展而迅猛發(fā)展，成為新一代高溫度頻大功率器件。
責(zé)任編輯：YYX