什么是無觸點(diǎn)開關(guān)
無觸點(diǎn)開關(guān),是一種由微控制器和電力電子器件組成的新型開關(guān)器件,依靠改變電路阻抗值,階躍地改變負(fù)荷電流,從而完成電路的通斷。無觸點(diǎn)開關(guān)的主要特點(diǎn)是沒有可運(yùn)動的觸頭部件,導(dǎo)通和關(guān)斷時不出現(xiàn)電弧或火花,動作迅速,壽命長,可靠性高,適合防火、防爆、防潮等特殊環(huán)境使用。
無觸點(diǎn)開關(guān)的優(yōu)點(diǎn)
無觸點(diǎn)開關(guān)在電磁兼容性、可靠性、安全性等方面的優(yōu)越性是觸點(diǎn)開關(guān)無法比擬的。無觸點(diǎn)開關(guān)是用可控硅來控制的,因此它是在PN結(jié)內(nèi)部完成導(dǎo)通和截流的,不會有火花,彌補(bǔ)了觸點(diǎn)開關(guān)復(fù)合時有火花的不足,避免因電流過大出現(xiàn)火花或在高電壓電路中擊穿空氣,造成誤動作。無觸點(diǎn)開關(guān)的耐高壓性也很好,如一些大型電機(jī)在起動時,由于轉(zhuǎn)子由靜止變?yōu)檗D(zhuǎn)動的慣性非常大,造成起動電流超大(基本相當(dāng)短路電流),停機(jī)時由于慣性繼續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn),會造成非常高的電壓,無觸點(diǎn)開關(guān)便可應(yīng)用于此。
無觸點(diǎn)開關(guān)常見類型
1.以三端穩(wěn)壓器實(shí)現(xiàn)的無觸點(diǎn)開關(guān)
三端穩(wěn)壓器是設(shè)計(jì)者十分熟悉的常用廉價器件之一,圖1是利用三端穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)的開關(guān)電路。從控制端加入的信號決定是否將三端穩(wěn)壓器與地導(dǎo)通,若導(dǎo)通則輸出端上電,否則輸出端相當(dāng)于斷開。此電路十分簡單,也容易調(diào)試,且有多種電壓的穩(wěn)壓器供選用,適用于直流負(fù)載的控制。缺點(diǎn)是穩(wěn)壓器的管壓降使輸出電壓有所降低,不適合電池供電的設(shè)備。選用低壓差三端穩(wěn)壓器可有所改善。
2.基于可控硅器件的無觸點(diǎn)開關(guān)
目前有很多這類的器件供選擇,如意法半導(dǎo)體公司(ST)的ACS系列產(chǎn)品。該產(chǎn)品可以直接用來控制風(fēng)扇、洗衣機(jī)、電機(jī)泵等設(shè)備,隔離電壓可達(dá)到500V-1000V以上。圖2是其典型應(yīng)用電路。此類器件價格低廉,但只能用于交流負(fù)載的開關(guān)控制。
3.基于光耦三極管和達(dá)林頓管的無觸點(diǎn)開關(guān)
基于光電三極管的無觸點(diǎn)開關(guān)被稱為光電耦合器(photocoupler),其工作原理如圖3所示。當(dāng)輸入端加正向電壓時發(fā)光二極管(LED)點(diǎn)亮,光敏三極管會產(chǎn)生光電流從集電極供給負(fù)載;當(dāng)輸入端加反向電壓時,LED不發(fā)光,使光敏三極管處于截止?fàn)顟B(tài),相當(dāng)于負(fù)載開路。該器件的工作速度比較高,一般在微秒級或者更快。從工作原理看,這類器件主要應(yīng)用于直流負(fù)載,也可用來傳輸電流方向不變的脈動信號。該器件的工作速度比較高,一般在微秒級或者更快。
達(dá)林頓管是兩個雙極性晶體管的復(fù)合。達(dá)林頓管的最大優(yōu)點(diǎn)就是實(shí)現(xiàn)電流的多級放大,如圖4所示;缺點(diǎn)是飽和管壓降較大。由于兩個晶體管共集電極,整個達(dá)林頓管的飽和電壓等于晶體管Q2的正向偏置電壓與晶體管Q1的飽和電壓之和,而正向偏置電壓比飽和電壓高得多,這樣整個達(dá)林頓管的飽和電壓就特別的高,因此達(dá)林頓管導(dǎo)通時的功耗較高。
仙童半導(dǎo)體(fairchild)的達(dá)林頓光耦合器采用隔離達(dá)林頓輸出配置,將輸入光電二極管和初級增益與輸出晶體管分隔開來,以實(shí)現(xiàn)較傳統(tǒng)達(dá)林頓光電晶體管光耦合器更低的輸出飽和電壓(0.1V)和更高的運(yùn)作速度。該公司推出5種最新產(chǎn)品,采用單及雙溝道配置,提供3.3V或5V工作電壓的低功耗特性。雙溝道HCPL0730和HCPL0731光耦合器提供5V電壓操作和SOIC8封裝,能實(shí)現(xiàn)最佳的安裝密度。單溝道FOD070L、FOD270L及雙溝道FOD073L器件的工作電壓為3.3V,比較傳統(tǒng)的5V部件,其功耗進(jìn)一步減少33%。NEC公司的芯片PS2802.1/4,PS27021,PS25021/2/4,PS25621/2等也屬于達(dá)林頓光耦合器。
4.基于MOS或IGBT的無觸點(diǎn)開關(guān)
基于MOS場效應(yīng)管的無觸點(diǎn)開關(guān)由于耦合方式不同有很多類,例如采用光電耦合方式的稱為光耦合MOS場效應(yīng)管(OCMOSFET),原理如圖5所示,虛線框內(nèi)為OCMOSFET的內(nèi)部原理圖。
電路內(nèi)部包括光生電壓單元,當(dāng)發(fā)光二極管點(diǎn)亮?xí)r,該單元給場效應(yīng)管的柵極電容充電,這樣就增大柵極與源極間的電壓,使MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通,開關(guān)閉合。當(dāng)發(fā)光二極管熄滅時,光生電壓單元不再給柵極電容充電,而且內(nèi)部放電開關(guān)自動閉合,強(qiáng)制柵極放電,因此柵源電壓迅速下降,場效應(yīng)管截止,開關(guān)斷開。OCMOSFET有兩種類型:一種是導(dǎo)通型(maketype),常態(tài)下為斷開;另一種是斷開型(breaktype),常態(tài)下為導(dǎo)通。此處所指的是導(dǎo)通型。光耦合MOS場效應(yīng)管是交直流通用的,工作速度沒有光電耦合器快,為毫秒級,它的輸出導(dǎo)通特性與輸入電流參數(shù)無關(guān)。OCMOSFET可以以弱控強(qiáng),以毫安級的輸入電流驅(qū)動安級的電流。由于場效應(yīng)管可以雙向?qū)?、?dǎo)通電阻低的特征,它主要用于中斷交流信號,如圖5所示,因此OCMOSFET又被稱為固態(tài)繼電器(SSR)。
基于MOS場效應(yīng)管的無觸點(diǎn)開關(guān)器件很多,如日本電氣公司(NEC)的PS7200系列、ToshibaTLP351系列、松下NaisAQV系列均屬于此類。通常低導(dǎo)通電阻型適用于負(fù)載電流較大的場合,例如NECPS710B1A:導(dǎo)通電阻Ron=0.1Ω(最大),負(fù)載電流IL=2.5A(最大),導(dǎo)通時間Ton=5ms。低CR積型的光MOSFET適用于需要切換高速信號的場合,如測量儀表的測試端等。所謂CR積指的是輸出級MOSFET的輸出電容與接通電阻的乘積,他是評價MOSFET特性的一個參數(shù)指標(biāo)。如NECPS7200H1A:導(dǎo)通電阻Ron=2.2Ω,CR積為9.2pF·Ω,導(dǎo)通時間Ton=0.5ms,負(fù)載電流IL=160mA。
絕緣柵雙極晶體管IGBT的結(jié)構(gòu)如圖6所示。這種結(jié)構(gòu)使IGBT既有MOSFET可以獲得較大直流電流的優(yōu)點(diǎn),又具有雙極型晶體管較大電流處理能力、高阻塞電壓的優(yōu)點(diǎn)。這種器件可以連接在開關(guān)電路中,就像NPN型的雙極型晶體管,兩者顯著的區(qū)別在于IGBT不需要通過門極電流來維持導(dǎo)通。
霍爾式無觸點(diǎn)開關(guān)的工作原理
無觸點(diǎn)開關(guān)(non一eontaetswiteh)靠改變電路阻抗值的變化,階躍地改變負(fù)荷電流,而完成電路通斷的一種開關(guān)電器(見低壓電器)。無觸點(diǎn)開關(guān)的主要特點(diǎn)是沒有可運(yùn)動的觸頭部件,導(dǎo)通和關(guān)斷時不出現(xiàn)電弧或火花。無觸點(diǎn)開關(guān)分為磁放大器式無觸點(diǎn)開關(guān),電子管、離子管式無觸點(diǎn)開關(guān),半導(dǎo)體無觸點(diǎn)開關(guān)。
磁放大器式無觸點(diǎn)開關(guān)是利用磁性材料做成的。其磁放大器鐵芯上繞有交流繞組和直流繞組,改變直流繞組的直流磁化電流的大小即可改變鐵芯的磁導(dǎo)率,以使交流繞組的電抗值變化。電路中交流繞組的電抗值最大時,電路的箱出電流最小;而鐵芯飽和后,交流繞組的電抗值最小,則翰出電流最大。此兩種工作狀態(tài)對應(yīng)于電路的關(guān)斷和導(dǎo)通。由于帶鐵芯的交流繞組電抗值不可能無窮大,所以電路在高阻狀態(tài)下尚有一定的輸出電流。此種無觸點(diǎn)開關(guān)體積與重量較大,電流轉(zhuǎn)換的速度慢,已較少采用。
無觸點(diǎn)開關(guān)電路圖
電路圖一:
圖所示電路是無觸點(diǎn)開關(guān)電路,由四只2ACM型磁敏二極管組成橋式檢測電路。平時無磁場時,磁敏二極管組成的電橋無信號輸出;當(dāng)磁鐵運(yùn)行到距磁敏二極管一定位置時,在磁鐵磁場作用下,磁敏電橋輸出信號,該信號加在VT1的基極上,使其導(dǎo)通。由于R1上的壓降增高,使晶閘管VT2導(dǎo)通,繼電器K工作,其常開觸點(diǎn)K一l和K一2閉合,指示燈點(diǎn)亮,控制電路接通。
電路圖二:
如圖下圖所示,C1、VD、C2、R2、C3和穩(wěn)壓管VS等組成半波整流濾波及穩(wěn)壓電路,R4、RP、C4組成RC時間電路,與非門D、晶體管VT和雙向晶閘管V等組成無觸點(diǎn)開關(guān)電路。當(dāng)按鈕開關(guān)SB斷開時,電源經(jīng)R4、RP給C4充電,a點(diǎn)呈高電位。與非門D輸出低電位,晶體管VT截止。此時,晶閘管關(guān)斷,負(fù)載不得電。
當(dāng)按下按鈕SB時,電容C4迅速經(jīng)R3放電,a點(diǎn)呈低電位,與排門D翻轉(zhuǎn),輸出高電位,晶體管VT導(dǎo)通,同時觸發(fā)雙向晶閘管V導(dǎo)通,負(fù)載得電工作。松開按鈕SB,延時開始。電源重新經(jīng)R4、RP給C4充電,a點(diǎn)電位逐步上升,當(dāng)達(dá)到與非門D的開門電平時,D翻轉(zhuǎn),VT截止,V關(guān)斷,負(fù)載斷電,延時結(jié)束。
調(diào)節(jié)RP電阻值,可讓延時時間在5s~50min范圍變化。V應(yīng)根據(jù)電源電壓和負(fù)載容量選擇。D可選用C036兩輸入端四與非門,其中之一即可,VS的穩(wěn)壓值在6~9V之間。
該電路可實(shí)現(xiàn)交流負(fù)載在通電一定時間后自行關(guān)斷,適用于暗室曝光等設(shè)備。
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