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A.概述
這份應用筆記所討論的內容適合于通用英晶體諧振器，而文章中的數字只適用于AT和BT下厚度切變的石英晶體。
陶瓷諧振器也有類似的情況。
B.什么是“睡覺晶體”?
在晶體行業(yè)中，“睡覺”晶體是種眾所周知的現象:
因睡覺現象而不起振的晶體，當受到外界的激勵(機械或電子)，它會重新工作。然而，過了一段時間之后(通常是指撤掉激勵之后)，晶體又會進入“睡眠”狀態(tài)——不起振。
晶體再次進入“睡眠”的時間，是無法估計或預測到的，短則幾分鐘，長則幾個月。
這一現象，可解釋為什么當晶體的用戶檢測到晶體不起振時，退回晶體商檢驗，但報告又顯小晶體是振蕩的原因。最大可能是這些“睡眠”晶體在運輸過程中受到了“沖擊”，“振動”或者是在作不良品分析時使用了“強激勵”因而將“睡眠”晶體弄致“蘇醒”。(注意:造成晶體在退貨時是壞的，而晶體商說是好的原因很多。其中“睡覺”晶體只是其中之一。)
十來年前，一般的晶體振蕩器線路大都工作在低頻和較高的工作電壓下，因而，加給晶體的激勵也比較高(比如是1OOOuW，或更高)。振蕩線路上的高激勵可使這類睡覺晶體“蘇醒”，所以，早年的“睡眠”晶體不是什么大問題。不過，盡管高激勵可使這類晶體“蘇醒”但仍需要一段的時間起動(從幾個毫秒到幾秒)，因而，有些工程師稱這類晶體為“緩慢起振”的晶體。
現今的振蕩線路對于晶體的要求更高:
低工作電壓的振蕩線路使得晶體工作在較低激勵電平，較高的工作頻率通常有更多的相移也使得晶體工作在較低激勵電平(因負載電容較小)，現今的產品需要快速起振，如:VGA顯小卡，USB和PCMICA插卡等帶熱插功能的產品，使用電池供電的裝置，如:超薄型的掌上電腦，移動通訊，無繩電話，節(jié)能型的BP機等，都通常內置省電功能，故需要晶體快速起振。
C為什么晶體會睡覺呢
產生“睡覺”晶體的根本原因是:晶體生產過程中受到了污染。
對晶體而言，污染不僅僅是一些灰塵，諸如:微量的水汽，油污和廢氣也都是污染。因此，在生產過程中如想要控制好污染其所要花費的費用是相當高的，而有些污染是很難徹底根治的。
今天，晶體行業(yè)對于“睡覺”晶體的討論仍然是一個熱門研究課題。很多晶體生產)一家也正在積極研究。但并不是所有的晶體生產廠家都知道怎樣避免生產出“睡覺”晶體，這也可能是這些廠家不愿意跟晶體用戶討論這一話題的原因。
D有“醫(yī)治”“睡覺”晶體的方法嗎?
不幸地，如果晶體有睡覺的特性，沒有任何方法可“醫(yī)治”。即使“睡覺”晶體被激活，仍然會再次進入“睡眠”狀態(tài)。這些不良晶體的“睡眠”狀態(tài)是晶體的自然而有穩(wěn)定的狀態(tài)，在一定的時間內，當外界作用力撤消之后，它又會返回到這種穩(wěn)定狀態(tài)。這也就是無法“醫(yī)治”的主要原因。
有些晶體生產廠家為了達到“高產出率”，在生產過程中對晶體使用“強激勵”(激勵電平非常高)用以最后測試前弄醒所有睡覺的晶體。這種方法卻允許將一些“睡覺”的晶體出貨給了晶體用戶，而這些晶體遲早還會再次進入“睡眠”狀態(tài)。
同樣原因，使用晶體的用戶也應準確地給出晶體在振蕩線路的激勵電平，以避免晶體生產廠家在進行測試和分選時，因用戶指定的不恰當規(guī)格而使用過高的激勵電平，即:激活那些“睡覺”晶體。比如:如果振蕩線路是工作在50uw，就不應該規(guī)定晶體的生產激勵是1 mw(照搬一些舊的技術指標)，否則，你將指導你的晶體生產廠家激活所有睡覺的晶體，而最終通過出廠測試。
請留意，對于現在的晶體及振蕩線路，1mW是一個非常高的激勵.如果你無法檢查出你線路上的實際激勵，可將該帶零件的線路板送到晶體生產廠家來為你測試。
E.怎樣檢測“睡覺”晶體呢？??
檢測“睡覺”晶體的主要困難是:一旦“睡覺”晶體被“喚醒”，它便同好的晶體一樣，然而，它再次“睡覺”的時間又無法估計(可能是幾秒、幾分、幾天、或幾個星期)。
我們可以用一個間接的方法測試“睡覺”晶體，即:測試晶體的DLD(激勵電平依賴性)。
晶體激勵電平依賴性產生的原因與“睡覺”晶體的情況相似，都是污染所致，但情況較輕微。
F．激勵電平依賴性
晶體的激勵電平依賴性是指:晶體在不同的激勵下其頻率和電阻的變化量，測試時的高低電平通常相差幾十倍左右。
理想的晶體DLD如下:
在較寬的激勵電平覆蓋范圍內(數十倍的范圍)晶體的電阻和頻率變化非常小，除非激勵電平己超出晶體結構可承受的最高值。請小心注意:當“睡覺”晶體在蘇醒時，表現出來的特性可能和理想的晶體一樣。
就算是激勵電平低于結構所容許的激勵上限，由于生產過程中各種不同污染的影響，使得非理想晶體的電阻和頻率變化較大(電阻變化幾倍，頻率變化幾十個PPm)}
請注意:
為了測試DLD特性，設置的最大激勵必須足以激活“睡覺”晶體，因此，當第一次測試之后，同一只晶體的DLD將有些變化(通常顯的比較好).并且，如果當最大測試激勵足以使晶體總是“蘇醒”的話，那么，該晶體的表現如同理想晶體一樣(可參看以上的理想晶體的DLD曲線).所以，DLD數據的重復性較低，為了準確的測試晶體的DLD，測試將是不可重復的，只能依賴第一次耐測量數據.
如果晶體的DLD特性不隨時間，也不隨外界作用而變化的話，那么，這只晶體就不是“睡覺”晶體(它可能不是一只好的DLD晶體，但它不是一只“睡覺”晶體)。而因應實際的晶體振蕩線路激勵的不同，這只晶體，可以是一只合用的(好)晶體，也可以是一只不合用的晶體:
》如果在實際振蕩線路的激勵下，這樣電阻的晶體可以穩(wěn)定地工作(包括要考慮起動速度)，那么這只晶體是好的。否則，
》如果在實際振蕩線路的激勵下
，這樣電阻的晶體不可以穩(wěn)定地工作(包括要考慮起動速度)，那么是一只不合用的晶體.
下圖為用KH1200π網絡測試儀分析一民用晶體的激勵和電阻變化的情況
G．晶體DLD的時間特性
晶體的DLD特性可能隨時間變化而變化，同時也隨外界的作)Il的變化而變化。
以下圖形將表示:
當晶體不受外界的作川時(或者說:不工作時)，晶體將逐漸回復到自身的穩(wěn)定狀態(tài):即“睡眠”狀態(tài)。
當晶體受到“較大”的外界激勵作用時，晶體將被“喚醒”而進入蘇醒狀態(tài)。
當晶體受到不算“較大”的外界作用時，晶體將處于“半睡眠”狀態(tài)。
以上縱座標無刻度，可解釋為:
在微激勵下的晶體電阻，或DLD-dRs(激勵電平于某范圍變化時串聯電阻之變化)，或DLD-dFs(激勵電平于某范圍變化時串聯頻率之變化).
這些參數的絕對值是不同的，但每一參數隨時間的變化情況，其曲線形狀大概相似。
由于時間和外界作)Il的關系比較復雜，因此，晶體的DLD測試是不可以重復測試的。有時還會影響其它晶體參數的測試重復性。
注意:以上所提到的“穩(wěn)定”和“不穩(wěn)定”狀態(tài)，都是晶體的某種物理狀態(tài)，當晶體處于“不穩(wěn)定”狀態(tài)時，它將趨向于它自身的“穩(wěn)定”狀態(tài)。這種情形和用晶體測量儀器打印測試報告中的“Unstable"無關
H.晶體DLD的γ比值
當我們隨機抽測晶體時，我們是否可測試到晶體目前的狀態(tài)是怎樣的?是“睡眠”，是“蘇醒”，還是“半睡，半醒”呢?又或者，有沒有某些測試方法可更有效，可靠地檢測睡覺晶體? 要回答這些問題實在不容易
以求解決問題，一些晶體工程師嘗試設計了一個方法:測試晶體于不同的激勵電平的電阻之比例，而非電阻變化的絕對值。
這種測量的方法是比較晶體的電阻比例和晶體的頻率比例，關系是:
γ12 = (第一次測試的等值串聯電阻/第二次測試的等值串聯電阻)令設定限度
γ13 = (第一次測試的等值串聯電阻/第三次測試的等值串聯電阻)令設定限度
(第一次測試的Fr一第二次測試的Fr ) 設定限度
(第一次測試的Fr一第三次測試的Fr ) 設定限度
亦有一些工程師修改了上述的方法，采用了在最大、最小激勵電平之間，多個測試點的晶體電阻和頻率的變化比。
詳情請參看國際電工委員會IEC 444-6號文件。
這類方法至今仍在晶體行業(yè)中試用，研究及討論，但至今仍米有定論到底那一種規(guī)格/方法是最終以及最好。
更復雜的是軍)Il及民)Il晶體對品質及成本的要求都不一樣，較難厘定統一標準。
KH1200兀網絡測試系統可以提供一個比較方便的)Il戶界面，給晶體工程師提供研究這些方法的手段。
I．“睡覺”晶體的定義——“睡覺”和DLD的關系
民用晶體的頻率和電阻隨激勵的變化而變化是避免不了的。有些比較小，比如小于1歐姆;有些變化則較大，比如:幾百、幾千歐姆，甚至乎在專用的晶體測量儀器上都不振蕩或是不穩(wěn)定“Unstable"。
究竟不好DLD的晶體會否“睡覺”呢?又或DLD有多差勁才會“睡覺”呢?還是，其它……？
粗略而言，“睡覺”晶體可定義為晶體有不重復的DLD特性而又在應用的振蕩線路內不能工作于:
振蕩線路正常工作時的激勵電平，或低于正常工作的激勵電平五至十倍的電平。
這個定義，在原理上是對的，但較依賴每一應用線路，故較難令所有晶體用戶明自。
遺憾的是在晶體行業(yè)，仍未有對睡覺晶體一個清楚的定義。作為晶體測量儀器的制造商，科研公司將盡力提供好的儀器助您分析問題。KH-1200兀網絡測試系統釗一對DLD問題采111了最好測量算法，以助這類問題的解決。
J．晶體的測量
基于上述對晶體DLD的不可重復特性的分析討論，在測試晶體時，應注意以下的問題:
a. DLD的測試:
為了消除測量儀器誤差帶來的影響:
不要測試DLD-dFL＞或DLD-dRL…等等。
晶體低于100 MHz時，測試DLD-d
Fr，和DLD-dRr，和
晶體高于100 MHz或以上時，測試DLD-dFs，和DLD-dRs
b. 復測以檢驗測試結果(包括所有其它參數):
當重新再次測量晶體的結果來復檢，請留意晶體在第一次測試時，可能己被激活。最好將晶體放幾天再重新測試。
C 不良品分析:
當進行不良品分析時，應注意“老化率”差的晶體其參數也會隨時間的變化而變化。但是，“老化率”不好的晶體，是不會有被外界作用而激活的現象。有些晶體可能不好的原因可能有兩種情況:一是老化性能差;一是晶體DLD性能差。
d. " Fs穩(wěn)定”，"FL不穩(wěn)定”的晶體:
有些晶體當測試FL時，"Unstable"，但是，當測試Fs或Fr時，有能夠穩(wěn)定振蕩。這類情況大都是晶體的DLD問題。當遇到這類問題，可用KH1200的DLD圖形掃描功能，便可得到這類晶體的DLD特性(注意以上的b點)。
這份應用筆記所討論的內容適合于通用英晶體諧振器，而文章中的數字只適用于AT和BT下厚度切變的石英晶體。
陶瓷諧振器也有類似的情況。
B.什么是“睡覺晶體”?
在晶體行業(yè)中，“睡覺”晶體是種眾所周知的現象:
因睡覺現象而不起振的晶體，當受到外界的激勵(機械或電子)，它會重新工作。然而，過了一段時間之后(通常是指撤掉激勵之后)，晶體又會進入“睡眠”狀態(tài)——不起振。
晶體再次進入“睡眠”的時間，是無法估計或預測到的，短則幾分鐘，長則幾個月。
這一現象，可解釋為什么當晶體的用戶檢測到晶體不起振時，退回晶體商檢驗，但報告又顯小晶體是振蕩的原因。最大可能是這些“睡眠”晶體在運輸過程中受到了“沖擊”，“振動”或者是在作不良品分析時使用了“強激勵”因而將“睡眠”晶體弄致“蘇醒”。(注意:造成晶體在退貨時是壞的，而晶體商說是好的原因很多。其中“睡覺”晶體只是其中之一。)
十來年前，一般的晶體振蕩器線路大都工作在低頻和較高的工作電壓下，因而，加給晶體的激勵也比較高(比如是1OOOuW，或更高)。振蕩線路上的高激勵可使這類睡覺晶體“蘇醒”，所以，早年的“睡眠”晶體不是什么大問題。不過，盡管高激勵可使這類晶體“蘇醒”但仍需要一段的時間起動(從幾個毫秒到幾秒)，因而，有些工程師稱這類晶體為“緩慢起振”的晶體。
現今的振蕩線路對于晶體的要求更高:
低工作電壓的振蕩線路使得晶體工作在較低激勵電平，較高的工作頻率通常有更多的相移也使得晶體工作在較低激勵電平(因負載電容較小)，現今的產品需要快速起振，如:VGA顯小卡，USB和PCMICA插卡等帶熱插功能的產品，使用電池供電的裝置，如:超薄型的掌上電腦，移動通訊，無繩電話，節(jié)能型的BP機等，都通常內置省電功能，故需要晶體快速起振。
C為什么晶體會睡覺呢
產生“睡覺”晶體的根本原因是:晶體生產過程中受到了污染。
對晶體而言，污染不僅僅是一些灰塵，諸如:微量的水汽，油污和廢氣也都是污染。因此，在生產過程中如想要控制好污染其所要花費的費用是相當高的，而有些污染是很難徹底根治的。
今天，晶體行業(yè)對于“睡覺”晶體的討論仍然是一個熱門研究課題。很多晶體生產)一家也正在積極研究。但并不是所有的晶體生產廠家都知道怎樣避免生產出“睡覺”晶體，這也可能是這些廠家不愿意跟晶體用戶討論這一話題的原因。
D有“醫(yī)治”“睡覺”晶體的方法嗎?
不幸地，如果晶體有睡覺的特性，沒有任何方法可“醫(yī)治”。即使“睡覺”晶體被激活，仍然會再次進入“睡眠”狀態(tài)。這些不良晶體的“睡眠”狀態(tài)是晶體的自然而有穩(wěn)定的狀態(tài)，在一定的時間內，當外界作用力撤消之后，它又會返回到這種穩(wěn)定狀態(tài)。這也就是無法“醫(yī)治”的主要原因。
有些晶體生產廠家為了達到“高產出率”，在生產過程中對晶體使用“強激勵”(激勵電平非常高)用以最后測試前弄醒所有睡覺的晶體。這種方法卻允許將一些“睡覺”的晶體出貨給了晶體用戶，而這些晶體遲早還會再次進入“睡眠”狀態(tài)。
同樣原因，使用晶體的用戶也應準確地給出晶體在振蕩線路的激勵電平，以避免晶體生產廠家在進行測試和分選時，因用戶指定的不恰當規(guī)格而使用過高的激勵電平，即:激活那些“睡覺”晶體。比如:如果振蕩線路是工作在50uw，就不應該規(guī)定晶體的生產激勵是1 mw(照搬一些舊的技術指標)，否則，你將指導你的晶體生產廠家激活所有睡覺的晶體，而最終通過出廠測試。
請留意，對于現在的晶體及振蕩線路，1mW是一個非常高的激勵.如果你無法檢查出你線路上的實際激勵，可將該帶零件的線路板送到晶體生產廠家來為你測試。
E.怎樣檢測“睡覺”晶體呢？??
檢測“睡覺”晶體的主要困難是:一旦“睡覺”晶體被“喚醒”，它便同好的晶體一樣，然而，它再次“睡覺”的時間又無法估計(可能是幾秒、幾分、幾天、或幾個星期)。
我們可以用一個間接的方法測試“睡覺”晶體，即:測試晶體的DLD(激勵電平依賴性)。
晶體激勵電平依賴性產生的原因與“睡覺”晶體的情況相似，都是污染所致，但情況較輕微。
F．激勵電平依賴性
晶體的激勵電平依賴性是指:晶體在不同的激勵下其頻率和電阻的變化量，測試時的高低電平通常相差幾十倍左右。
理想的晶體DLD如下:
在較寬的激勵電平覆蓋范圍內(數十倍的范圍)晶體的電阻和頻率變化非常小，除非激勵電平己超出晶體結構可承受的最高值。請小心注意:當“睡覺”晶體在蘇醒時，表現出來的特性可能和理想的晶體一樣。
就算是激勵電平低于結構所容許的激勵上限，由于生產過程中各種不同污染的影響，使得非理想晶體的電阻和頻率變化較大(電阻變化幾倍，頻率變化幾十個PPm)}
請注意:
為了測試DLD特性，設置的最大激勵必須足以激活“睡覺”晶體，因此，當第一次測試之后，同一只晶體的DLD將有些變化(通常顯的比較好).并且，如果當最大測試激勵足以使晶體總是“蘇醒”的話，那么，該晶體的表現如同理想晶體一樣(可參看以上的理想晶體的DLD曲線).所以，DLD數據的重復性較低，為了準確的測試晶體的DLD，測試將是不可重復的，只能依賴第一次耐測量數據.
如果晶體的DLD特性不隨時間，也不隨外界作用而變化的話，那么，這只晶體就不是“睡覺”晶體(它可能不是一只好的DLD晶體，但它不是一只“睡覺”晶體)。而因應實際的晶體振蕩線路激勵的不同，這只晶體，可以是一只合用的(好)晶體，也可以是一只不合用的晶體:
》如果在實際振蕩線路的激勵下，這樣電阻的晶體可以穩(wěn)定地工作(包括要考慮起動速度)，那么這只晶體是好的。否則，
》如果在實際振蕩線路的激勵下
，這樣電阻的晶體不可以穩(wěn)定地工作(包括要考慮起動速度)，那么是一只不合用的晶體.
下圖為用KH1200π網絡測試儀分析一民用晶體的激勵和電阻變化的情況
G．晶體DLD的時間特性
晶體的DLD特性可能隨時間變化而變化，同時也隨外界的作)Il的變化而變化。
以下圖形將表示:
當晶體不受外界的作川時(或者說:不工作時)，晶體將逐漸回復到自身的穩(wěn)定狀態(tài):即“睡眠”狀態(tài)。
當晶體受到“較大”的外界激勵作用時，晶體將被“喚醒”而進入蘇醒狀態(tài)。
當晶體受到不算“較大”的外界作用時，晶體將處于“半睡眠”狀態(tài)。
以上縱座標無刻度，可解釋為:
在微激勵下的晶體電阻，或DLD-dRs(激勵電平于某范圍變化時串聯電阻之變化)，或DLD-dFs(激勵電平于某范圍變化時串聯頻率之變化).
這些參數的絕對值是不同的，但每一參數隨時間的變化情況，其曲線形狀大概相似。
由于時間和外界作)Il的關系比較復雜，因此，晶體的DLD測試是不可以重復測試的。有時還會影響其它晶體參數的測試重復性。
注意:以上所提到的“穩(wěn)定”和“不穩(wěn)定”狀態(tài)，都是晶體的某種物理狀態(tài)，當晶體處于“不穩(wěn)定”狀態(tài)時，它將趨向于它自身的“穩(wěn)定”狀態(tài)。這種情形和用晶體測量儀器打印測試報告中的“Unstable"無關
H.晶體DLD的γ比值
當我們隨機抽測晶體時，我們是否可測試到晶體目前的狀態(tài)是怎樣的?是“睡眠”，是“蘇醒”，還是“半睡，半醒”呢?又或者，有沒有某些測試方法可更有效，可靠地檢測睡覺晶體? 要回答這些問題實在不容易
以求解決問題，一些晶體工程師嘗試設計了一個方法:測試晶體于不同的激勵電平的電阻之比例，而非電阻變化的絕對值。
這種測量的方法是比較晶體的電阻比例和晶體的頻率比例，關系是:
γ12 = (第一次測試的等值串聯電阻/第二次測試的等值串聯電阻)令設定限度
γ13 = (第一次測試的等值串聯電阻/第三次測試的等值串聯電阻)令設定限度
(第一次測試的Fr一第二次測試的Fr ) 設定限度
(第一次測試的Fr一第三次測試的Fr ) 設定限度
亦有一些工程師修改了上述的方法，采用了在最大、最小激勵電平之間，多個測試點的晶體電阻和頻率的變化比。
詳情請參看國際電工委員會IEC 444-6號文件。
這類方法至今仍在晶體行業(yè)中試用，研究及討論，但至今仍米有定論到底那一種規(guī)格/方法是最終以及最好。
更復雜的是軍)Il及民)Il晶體對品質及成本的要求都不一樣，較難厘定統一標準。
KH1200兀網絡測試系統可以提供一個比較方便的)Il戶界面，給晶體工程師提供研究這些方法的手段。
I．“睡覺”晶體的定義——“睡覺”和DLD的關系
民用晶體的頻率和電阻隨激勵的變化而變化是避免不了的。有些比較小，比如小于1歐姆;有些變化則較大，比如:幾百、幾千歐姆，甚至乎在專用的晶體測量儀器上都不振蕩或是不穩(wěn)定“Unstable"。
究竟不好DLD的晶體會否“睡覺”呢?又或DLD有多差勁才會“睡覺”呢?還是，其它……？
粗略而言，“睡覺”晶體可定義為晶體有不重復的DLD特性而又在應用的振蕩線路內不能工作于:
振蕩線路正常工作時的激勵電平，或低于正常工作的激勵電平五至十倍的電平。
這個定義，在原理上是對的，但較依賴每一應用線路，故較難令所有晶體用戶明自。
遺憾的是在晶體行業(yè)，仍未有對睡覺晶體一個清楚的定義。作為晶體測量儀器的制造商，科研公司將盡力提供好的儀器助您分析問題。KH-1200兀網絡測試系統釗一對DLD問題采111了最好測量算法，以助這類問題的解決。
J．晶體的測量
基于上述對晶體DLD的不可重復特性的分析討論，在測試晶體時，應注意以下的問題:
a. DLD的測試:
為了消除測量儀器誤差帶來的影響:
不要測試DLD-dFL＞或DLD-dRL…等等。
晶體低于100 MHz時，測試DLD-d
Fr，和DLD-dRr，和
晶體高于100 MHz或以上時，測試DLD-dFs，和DLD-dRs
b. 復測以檢驗測試結果(包括所有其它參數):
當重新再次測量晶體的結果來復檢，請留意晶體在第一次測試時，可能己被激活。最好將晶體放幾天再重新測試。
C 不良品分析:
當進行不良品分析時，應注意“老化率”差的晶體其參數也會隨時間的變化而變化。但是，“老化率”不好的晶體，是不會有被外界作用而激活的現象。有些晶體可能不好的原因可能有兩種情況:一是老化性能差;一是晶體DLD性能差。
d. " Fs穩(wěn)定”，"FL不穩(wěn)定”的晶體:
有些晶體當測試FL時，"Unstable"，但是，當測試Fs或Fr時，有能夠穩(wěn)定振蕩。這類情況大都是晶體的DLD問題。當遇到這類問題，可用KH1200的DLD圖形掃描功能，便可得到這類晶體的DLD特性(注意以上的b點)。
工商網監(jiān)
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