半導體的特性有哪些?半導體的特性不包括哪些? 半導體是一種在電學和物理學上介于導體和絕緣體之間的材料。它的導電性能受到多種因素的影響,包括施加的電場、溫度和材料內部的雜質等因素。半導體具有多種獨特
2023-08-29 16:28:58717 半導體導電的基本特性是什么 半導體是一種電阻介于導體和絕緣體之間的材料,具有一定的導電性能。它們通常由純度高達99.9999%的單一元素或復合元素(例如硅或鍺)制成,并且可以通過控制其內部結構的缺陷
2023-08-27 15:55:23380 半導體具有哪些導電特性 半導體是一種電導率介于導體和絕緣體之間的物質。它具有一些獨特的導電特性。在本文中,我們將從以下方面介紹半導體的導電特性:半導體的能帶結構、載流子和摻雜、PN結和二極管的導電
2023-08-27 15:55:20463 有機半導體是具有半導體特性的有機材料。它們是有機化合物,導熱率和電導率范圍為10-10至100S。Cm-1,在導電金屬和絕緣體之間。它主要是一類含有TT共軛結構的小有機分子和聚合物,有機半導體可分為三種類型:有機物,聚合物和供體-受體復合物。本文詳細介紹了有機半導體,包括其優(yōu)缺點,導電機理。
2023-06-30 14:54:341798 。屆時,概倫電子將攜 領先的半導體特性測試儀FS-Pro、業(yè)界黃金標準低頻噪聲測試系統(tǒng)981X系列以及資深專家團隊打造的一站式工程服務解決方案 亮相此次盛會。 ? 半導體參數分析儀FS-Pro 一款功能全面、配置靈活的半導體器件電學特性分析測試系統(tǒng),能夠快速、準確地測試半導
2023-06-20 09:25:01238 近日某院校送修吉時利半導體特性分析儀4200-SCS,客戶反饋半導體特性分析儀自檢不過,進不了測試界面,后面燒了CH1無法開機,對儀器進行初步檢測,確定與客戶描述故障一致。本期將為大家分享本維修
2023-05-18 17:11:46239 電子器件的核心部件是晶體管,它可以控制電流的開關和大小,從而實現各種計算和信號處理功能。目前,晶體管的主要材料是硅,因為它具有良好的半導體特性,可以在微觀尺度上制造出高性能的晶體管。
2023-05-16 17:46:25581 MA4GP022GaAs PIN 二極管芯片在許多微波半導體應用中,砷化鎵 PIN 二極管提供優(yōu)于硅的性能特征。這些優(yōu)勢源于 GaAs 的固有半導體特性。其固有的高載流子遷移率導致低電阻快速開關器件
2023-03-01 12:52:42
MA4GP030GaAs PIN 二極管芯片在許多微波半導體應用中,砷化鎵 PIN 二極管提供優(yōu)于硅的性能特征。這些優(yōu)勢源于 GaAs 的固有半導體特性。其固有的高載流子遷移率導致低電阻快速開關器件
2023-03-01 12:50:51
碳化硅(SiC)由硅(原子序數14)和碳(原子序數6),形成類似于金剛石的強共價鍵,是一種堅固的六方結構化合物,具有寬禁帶半導體特性。
2023-02-22 14:58:161347 ,掌握它們的特性和參數。本章從討論半導體的導電特性和PN 結的單向導電性開始,分別介紹二極管、雙極型晶體管、絕緣柵場效應晶體管和半導體光電器件等常用的半導體元器件。喜歡的頂一頂,介紹的非常詳細哦。。。。[此貼子已經被作者于2008-5-24 11:05:21編輯過]
2008-05-24 10:29:38
氮化鎵(GaN)是一種具有半導體特性的化合物,是由氮和鎵組成的一種寬禁帶半導體材料,與碳化硅(SiC)并稱為第三代半導體材料的雙雄。GaN具有更寬的“帶隙(band-gap)”,因此與硅基電子產品相比具有許多優(yōu)勢。
2023-02-15 17:52:35643 近年來,國內功率半導體賽道逐漸火爆,為何業(yè)內普遍看好功率半導體的市場前景呢?
這要從功率半導體的特性說起。
客觀而言,功率半導體屬于特色工藝產品,非尺寸依賴型,在制程方面不追求極致的線寬,不必
2023-02-15 15:33:491 氮化鎵(GaN:Gallium Nitride)是氮和鎵化合物,具體半導體特性,早期應用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料,具有寬帶隙、高熱導率等特點,應用在充電器可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。
2023-02-13 16:49:565715 氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導體特性,早期應用于發(fā)光二極管中,其具有寬帶隙、高熱導率等特點,寬禁帶半導體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合材料。與第一代和第二代半導體材料相比,第三代
2023-02-12 11:07:49479 許多工程師第一次使用模擬開關,往往會把模擬開關完全等同于機械開關。其實模擬開關雖然具備開關性,但和機械開關有所不同,它本身還具有半導體特性:
2023-02-06 14:48:11821 氮化鎵(GaN:Gallium Nitride)是氮和鎵化合物,具體半導體特性,早期應用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料,具有寬帶隙、高熱導率等特點,應用在充電器可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。
2023-02-06 09:46:091232 發(fā)現二極真空管里有整流特性和愛迪生效果是1884年。其實在這8年之前的1876年已發(fā)現了硒的整流作用。利用半導體特性實現整流效果的二極管的歷史十分古老。但比真空管還要古老是稍微意外吧。
2023-01-07 09:17:591439 二類超晶格的概念由IBM研究院的Sai-Halasz和Esaki 等科學家于1977年提出隨后他們對InAs/GaSb二類超晶格的能帶結構進行了理論計算,根據計算結果:InAs/GaSb 超晶格根據其周期結構厚度的不同,表現出半導體特性或半金屬特性。
2022-11-24 09:57:132303 近幾十年來,硅芯片的尺寸一直在不斷減小,正接近其物理極限。電子產業(yè)一直面臨著尋找具有本征半導體特性的納米材料的艱巨挑戰(zhàn)。
2022-10-19 16:03:281163 在基本半導體特性(帶隙、臨界電場和電子遷移率)的材料比較中,GaN 被證明是一種優(yōu)異的材料?!癝i 的帶隙略高于一個電子伏特,臨界電子場為 0.23 MV/cm,而 GaN 的電子遷移率和帶隙更寬
2022-08-03 08:04:292339 ? ? 近年來,國內功率半導體賽道逐漸火爆,為何業(yè)內普遍看好功率半導體的市場前景呢? 這要從功率半導體的特性說起。 客觀而言,功率半導體屬于特色工藝產品,非尺寸依賴型,在制程方面不追求極致的線寬
2022-07-18 16:51:091525 應對可能阻礙您的測量并引入錯誤的挑戰(zhàn)。 半導體表征應用指南中的注釋提供了一些技巧和技術,可幫助您洞察和了解直流半導體器件的性能。
2021-03-18 11:07:3412 本文檔的主要內容詳細介紹的是半導體的特性學習課件免費下載
2020-12-15 08:00:003 去的三十年里,III-V 技術(GaAs 和InP)已經逐漸擴大到這個毫米波范圍中。新近以來,由于工藝尺寸持續(xù)不斷地減小,硅技術已經加入了這個“游戲”。在本文中,按照半導體特性和器件要求,對可用于100-GHz 和100-Gb/s 應用的半導體有源器件進行了綜述。
2020-08-18 10:27:001 我們對它也不陌生,也是經常和它打交道了,一些關于CMOS的半導體特性在這里就不必啰嗦了。許多人都知道的是,正常情況下CMOS的功耗和抗干擾能力遠優(yōu)于TTL。但是鮮為人知的是,在高轉換頻率時,CMOS系列實際上卻比TTL消耗更多的功率。
2020-07-10 15:10:179744 大家知道:半導體的導電性能比導體差而比絕緣體強。實際上,半導體與導體、絕緣體的區(qū)別在不僅在于導電能力的不同,更重要的是半導體具有獨特的性能(特性)。
2020-06-09 17:37:0033 本文檔的主要內容詳細介紹的是半導體的特性詳細說明包括了:一、對溫度反應靈敏,二、對光照反應靈敏,三、摻入雜質后會改善導電性。
2020-04-07 08:00:002 分:環(huán)境條件要求 雜質會對半導體的特性有著改變或破壞其性能的作用,所以在半導體器件生產過程中對一切雜質與生產環(huán)境都有著極其嚴格的控制要求,對雜質的控制涉及到多種類,如金屬離子會破壞半導體器件的導電性能、塵埃粒子破壞半
2020-03-10 10:40:071524 LED半導體的特性決定其受環(huán)境影響較大。譬如溫度變化升高,LED的電流增加,電壓的增加,LED的電流也會增加。
2019-10-31 17:21:071502 LED半導體的特性決定其受環(huán)境影響較大,譬如溫度升高,LED的電流會增加;電壓的增加,LED的電流也會增加。長期超過額定電流工作,會大大縮短LED的使用壽命。而LED恒流就是在溫度和電壓等環(huán)境因素變化時,確保其工作電流不變。
2019-10-22 16:37:11888 本文檔的主要內容詳細介紹的是半導體的特性和半導體二極管的詳細資料說明包括了:半導體的特性,半導體二極管,雙極型三極管(BJT),場效應三極管
2019-09-16 08:00:0018 正是由于帶隙,使得半導體具備開關電流的能力,以實現給定的電子功能;畢竟,晶體管僅僅是嵌入在硅基襯底上的微型開關。更高的能量帶隙賦予了WBG材料優(yōu)于硅的半導體特性。 相較于硅器件,WBG器件可以在較小
2019-08-28 12:31:068179 IV特性曲線通常用作工具確定和理解組件或設備的基本參數,并且還可以用于在電子電路中對其行為進行數學建模。但與大多數電子設備一樣,有無數個IV特征曲線代表各種輸入或參數,因此我們可以在同一圖表上顯示一系列曲線或一組曲線來表示各種值。
2019-06-26 10:09:3138783 SiC優(yōu)越的半導體特性,未來將可為眾多的元件所采用。
2019-06-25 11:14:562802 本文檔的主要內容詳細介紹的是模擬電路教程之半導體器件的詳細資料說明包括了:1.半導體的特性,2.半導體二極管,3.雙極型三極管(BJT),4.場效應三極管。
2019-06-21 08:00:0013 單晶硅具有兩種同晶,結晶和無定形。晶體硅進一步分為單晶硅和多晶硅,兩者都具有金剛石晶格。該晶體硬且脆,具有金屬光澤,并且是導電的,但導電性不如金屬,并且隨溫度增加,并且具有半導體特性。
2019-04-11 13:53:31173104 如典型的寬禁帶SiC器件,NTHL080N120SC1和NVHL080N120SC1結合高功率密度及高能效工作。由于器件的更小占位,可顯著降低運行成本和整體系統(tǒng)尺寸。典型的寬禁帶半導體特性,尤其是
2019-04-03 15:46:094123 探測器的I-V特性可以為讀出電路設計提供重要依據,為此在光電測試平臺采用keithley 4200-SCS半導體特性測試儀測試探測器特性。探測器陣列為2×8元,單元探測器面積為80×80μm.測試過程中作為公共電極的襯底電位固定,掃描單元探測器一端的電壓。
2018-11-20 09:03:004318 本文檔的主要內容詳細介紹的是半導體制造技術之半導體的材料特性詳細資料免費下載
2018-11-08 11:05:3075 本文首先介紹了半導體的四大基本物理特性,其次介紹了半導體的三大重要特性。
2018-09-27 11:05:2232068 本文首先闡述了半導體導電特性,其次介紹了本征半導體的導電特性,最后介紹了雜質半導體的導電特性。
2018-09-25 17:50:2327066 最新研究發(fā)現金屬鉑制成只有2納米厚的超薄膜時,可以擁有類似硅等半導體的特性。
2018-08-13 16:55:323253 胡永杰表示:“這種材料可以大大提高芯片的性能,減少從小型產品到最先進的計算機數據中心等各類電子設備的能源需求。它優(yōu)良的
半導體特性和經過證明的導熱能力,決定了這種材料具有很好的應用潛力,目前的芯片制造工藝就可以大規(guī)模使用它。它可以取代當前最先進的計算機
半導體材料,并徹底改變電子行業(yè)?!?/div>
2018-07-26 09:22:003410 半導體一般由鍺和硅兩種材料構成,而由于我們生活的環(huán)境的溫度不是絕對零度,所有會有本征激發(fā)(電子脫離質子的吸引力而轉變成為自由電子 如下圖),這就是溫度可以改變半導體的特性。那么我就要引入能級了。本征
2018-06-17 09:47:0025478 的雜質濃度一般不高,因而表現出的磁性通常比較弱,所以被稱為稀磁半導體。因為其磁性與半導體特性共存的特點,可以同時利用電子的自旋屬性和電荷屬性,逐漸成為科學界的研究熱點。 近年來,人們對稀磁半導體的研究已經有了一定的進展。自從2000年Dietl1預測出寬禁帶的GaN和Zn0基
2018-02-10 11:08:230 半導體器件目前已經廣泛的運用到日常生活當中,本文以半導體為中心,詳細說明半導體分類、作用與價值、特性以及半導體的發(fā)展前景。
2017-12-15 17:48:3451679 電子專業(yè)單片機相關知識學習教材資料——半導體的特性
2016-08-22 16:18:033 吉時利儀器公司(NYSE:KEI),宣布為其功能強大的4200-SCS半導體特性分析系統(tǒng)新增一套C-V測量功能 4200-CVU。 4200-CVU能以測量模塊的形式插入 4200-SCS的任意可用儀器插槽中,能在10KHz到10MHz的頻
2012-04-23 09:15:071007 雖然吉時利4200半導體特性分析系統(tǒng)中的4200-CVU電容選件不能直接測量電感,但是用戶可以簡單地通過測量得到的參數:阻抗(Z)、相位角(或)和測試頻率(f)提取電感值。這個應用
2011-12-22 11:33:3053 本書在簡述半導體基本特性及半導體表面特性的基礎上,介紹了雙極型晶體管的工作原理和直流、頻率、開關功率特性以及MOS場效應晶體管的結構、原理、交直流特性
2011-12-15 17:20:1964 半體體材料 作為電子材料的代表, 在生產實踐的客觀需求刺激下, 科技工作者已經發(fā)現了數以計的具有半導體特性的材料, 并正在卓有成效在研究、開發(fā)和利用各種具有特殊性能的材料。
2011-11-01 17:32:0655 電荷泵測量方法廣泛應用于MOSFET元件的介面態(tài)密度測量。隨著高介電常數(高)閘極材料的發(fā)展,已證明電荷泵對高薄閘極薄膜中電荷陷阱現象的測量極為有效。
2011-09-30 10:39:521860 NI擴展其PXI平臺的功能,通過新發(fā)布的每個引腳參數測量單元模塊(PPMU)和源測量單元模塊(SMU)用于半導體的特性描述和生產測試
2011-09-09 09:28:331179 目 錄 第一章 半導體的基礎知識 1-1半導體的一些基本概念 1-1-1什么是半導體?4 1-1-2 半導體的基本特性. .4 1-1-3 半導體的分類...4 1-1-4 N型半導體和P型半導體
2011-03-14 16:49:38586 半導體管特性圖示儀的使用和晶體管參數測量
一、實驗目的
1、了解半導體特性圖示儀的基本原理
2、學習使用半導體特性圖示儀測量晶體管的
2010-10-29 17:09:1231 半導體的導電特性
自然界的各種物質就其導電性能來說,可以分為導體、絕緣體和半導體三大類?! ?b style="color: red">半導體的導電能力介于導體
2010-08-26 17:03:376739 晶體管工作原理是什么?
利用半導體的特性,每個管子工作原理個不同,你可以找機電方面的書看
下
2010-03-01 10:59:4334449 半導體的特性
半導體的導電性能比導體差而比絕緣體強。實際上,半導體與導體、絕緣體的區(qū)別在不僅在于導電能力的不同,更重要的是半導體具有獨特的
2009-04-07 14:26:101474 半導體管特性圖示儀的使用和晶體管參數測量一、實驗目的1、了解半導體特性圖示儀的基本原理2、學習使用半導體特性圖示儀測量晶體管的特性曲線和參
2009-03-09 09:12:098795 熱敏電阻器的分類與參數
熱敏電阻是敏感元件的一類,其電阻值會隨著熱敏電阻本體溫度的變化呈現出階躍性的變化,具有半導體特性. &nbs
2007-12-22 10:22:373209
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