? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）北京時間3月3日，英飛凌官宣收購氮化鎵初創(chuàng)公司GaN Systems，交易總值8.3億美元現(xiàn)金，約合57億元人民幣。 針對這筆交易，英飛凌首席執(zhí)行官Jochen
2023-03-06 07:57:00
1582 德州儀器（TI）（NASDAQ： TXN） 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）驅(qū)動器，進一步擴展了其業(yè)內(nèi)領先的GaN電源產(chǎn)品組合，可在激光雷達（LIDAR）以及5G射頻
2018-03-12 10:44:0010404 盡管 GAN 領域的進步令人印象深刻，但其在應用過程中仍然存在一些困難。本文梳理了 GAN 在應用過程中存在的一些難題，并提出了最新的解決方法。
2019-02-22 09:44:247698 
作者：馬坤 （郵箱：kuner0806@163.com） 隨著中國芯GaN產(chǎn)品上市，引起了大家的關(guān)注，PD產(chǎn)品更是多姿多彩；納微GaN產(chǎn)品和英諾賽科GaN產(chǎn)品有什么區(qū)別？本文我們就做一些比對；幫助
2020-05-12 01:31:0023135 
NexGen Power Systems Inc. 正在使用GaN 襯底上的同質(zhì)外延 GaN 制造垂直功率器件（垂直氮化鎵或垂直 GaN）。垂直 GaN 器件能夠以更高的頻率進行開關(guān)并在更高的電壓下工作，這將催生新一代更高效的功率器件。
2022-07-27 17:15:064231 
產(chǎn)品組合和領先的應用技術(shù)。已獲得所有必要的監(jiān)管部門審批，交易結(jié)束后，GaN Systems 已正式成為英飛凌的組成部分。
2023-10-25 11:38:30189 
貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開始備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評估板。
2020-03-16 15:04:331200 D類放大器和SMPS板均包含GaN Systems的增強型高電子遷移率晶體管 （E-HEMT）。E-HEMT采用GaN Systems的島技術(shù) （Island Technology?） 單元布局以減小器件尺寸和成本，同時提供比其他GaN器件更高的電流和更優(yōu)異的性能。
2020-07-06 14:10:191024 硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設計人員提供最佳的選擇。 ? ? Nexperia的新產(chǎn)品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于
2023-05-10 09:24:51420 
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）繼去年英飛凌收購GaN Systems之后，2024年1月，另一家汽車芯片大廠瑞薩也收購了功率GaN公司Transphorm。 ? Transphorm在2022
2024-02-26 06:30:001552 
就在前段時間，MIT和IBM的研究人員們共同開發(fā)了一個叫GAN Paint Studio的后期圖像處理工具，人們通過它能隨心所欲地編輯圖像目標的外觀，包括建筑物、植物和其他固定裝置，并且編輯過后的圖像十分逼真。
2019-09-11 11:52:11
的好處。雖然增強型GaN器件仍然比硅MOSFET更昂貴，但它們更適合于電源設計，并提供了大大提高性能和效率的設計路徑。高壓設計案例開關(guān)電源（SMPS）設計是提高效率和節(jié)約能源的答案。大多數(shù)新設計都采用
2017-05-03 10:41:53
，而Sandeep則對GaN表示：“由制造商來定義測試?！钡壪到y(tǒng)像TI一樣，GaN Systems也在模擬嚴酷條件下進行應力測試以驗證GaN產(chǎn)品并找到失效機制的價值。GaN Systems已經(jīng)找到
2020-09-23 10:46:20
）的輸入電壓較高的電流密度，使得GaN組件在不降低功率的情況下設計得更緊湊快速開關(guān)能力，支持高頻（200KHz及以上）電機運行高頻操作，限制輸出電流波動，減小濾波器元件尺寸降低開關(guān)功耗，限制功率損失，提供
2019-07-16 00:27:49
，幾代MOSFET晶體管使電源設計人員實現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實現(xiàn)的性能和密度級別。然而，近年來，這些已取得的進步開始逐漸弱化，為下一個突破性技術(shù)創(chuàng)造了空間和需求。這就是氮化鎵（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
作者：Sandeep Bahl 最近，一位客戶問我關(guān)于氮化鎵（GaN）可靠性的問題：“JEDEC（電子設備工程聯(lián)合委員會）似乎沒把應用條件納入到開關(guān)電源的范疇。我們將在最終產(chǎn)品里使用的任何GaN器件
2018-09-10 14:48:19
半導體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
D功放的音質(zhì)也將得到有效的提升。
針對目前主流的GaN Class D應用，三安集成推出了200V 20mΩ的低壓GaN功率器件，同時采用自主設計的半橋電路測試平臺對200V 20mΩ GaN
2023-06-25 15:59:21
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
應用。這可能是因為數(shù)字化控制的靈活性較好，能夠讓設計人員精確控制開關(guān)波形。也可能是數(shù)字控制可以提供克服任意GaN缺點的多個控制回路和保護電路。我認為，“GaN已為數(shù)字電源控制做好準備”的含義比我上述
2018-08-30 15:05:41
提供多個控制環(huán)路和保護電路，而這些控制環(huán)路與保護電路能夠管理所有GaN的缺陷和不足。對我而言，“GaN已經(jīng)為數(shù)字電源控制做好準備”大體涵蓋了上面提到的內(nèi)容，此外，這句話也意味著數(shù)字電源也為GaN
2018-09-06 15:31:50
1500 小時左右，而GaN 器件可達 100 萬個小時。對于家用的微波爐，由于其日常使用頻率很低，磁控管可持續(xù)工作許多年，所以GaN器件的長工作壽命這一優(yōu)點對它顯得并不顯眼。然而，GaN器件這種
2017-04-17 18:19:05
為什么
GaN可以在市場中取得主導地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術(shù)而言，
GaN這一材料技術(shù)，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值，表征高頻器件的材料適合性優(yōu)值， 硅技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1，
GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優(yōu)值為1.44?？隙ǖ卣f，
GaN是高頻器件材料技術(shù)上的突破?！ ?/div>
2019-06-26 06:14:34
描述該參考設計為客戶提供有關(guān)電源設計中 GaN 與 SI 使用情況的對比研究。該特定的設計使用 TPS40400 控制器來驅(qū)動 CSD87381（對于硅電源）和采用 EPC2111
2019-01-02 16:17:21
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
全球最大的純閃存解決方案供應商Spansion（NASDAQ：SPSN）與專注于為互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心提供節(jié)能、可拓展系統(tǒng)解決方案的創(chuàng)新者 Virident 宣布共同開發(fā)和推出新一代存儲解決方案。專為
2019-07-23 07:01:13
在德州儀器不斷推出的“技術(shù)前沿”系列博客中，一些TI全球頂尖人才正在探討目前最大的技術(shù)趨勢以及如何應對未來挑戰(zhàn)等問題。 相較于以往使用的硅晶體管，氮化鎵 (GaN) 可以讓全新的電源應用在同等的電壓
2018-09-11 14:04:25
作者： Steve Tom在德州儀器不斷推出的“技術(shù)前沿”系列博客中，一些TI全球頂尖人才正在探討目前最大的技術(shù)趨勢以及如何應對未來挑戰(zhàn)等問題。相較于以往使用的硅晶體管，氮化鎵 (GaN) 可以讓
2018-09-10 15:02:53
近日，慣性傳感器模塊制造商XSENS宣布，隨著該公司推出新款兼容RTK的慣導產(chǎn)品，新一代高性價比的慣性傳感器產(chǎn)品將具備厘米級定位能力?！ 』诔Ｒ?guī)衛(wèi)星定位信號使用RTK（實時動態(tài)定位）擴展功能
2020-07-07 09:01:12
半導體在2018年TECHNO-FRONTIER展會上展示最新的智能工業(yè)解決方案意法半導體傳感器通過阿里IoT驗證，助力設備廠商更快推出新產(chǎn)品意法半導體推出專業(yè)MEMS 開發(fā)工具 實現(xiàn)MEMS 傳感可視化開發(fā)工具 實現(xiàn)MEMS 傳感可視化`
2018-05-28 10:23:37
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN 基板的表面處理編號：JFSJ-21-077作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html關(guān)鍵詞： GaN 襯底
2021-07-07 10:26:01
氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花？看到一些媒體文章、研究論文、分析報告和企業(yè)宣傳文檔后你當然會這樣
2019-07-31 07:54:41
鎵(Ga) 是一種化學元素，原子序數(shù)為31。鎵在自然界中不存在游離態(tài)，而是鋅和鋁生產(chǎn)過程中的副產(chǎn)品。GaN 化合物由鎵原子和氮原子排列構(gòu)成，最常見的是纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)（如下圖所示）呈六
2019-08-01 07:24:28
越來越多的努力投入到開發(fā)隱形電路及其光電器件中。這個領域被稱作透明電子或者薄膜透明電子器件領域，有望產(chǎn)生許多新產(chǎn)品和新商機。僅舉幾個例子，比如它可能會引導汽車智能防風罩、智能建筑窗戶、透明平板
2020-11-27 16:30:52
什么是GaN？如何面對GaN在測試方面的挑戰(zhàn)？
2021-05-06 07:52:03
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位。『三點半說』經(jīng)多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
可達每毫米10W?！?高頻應用： 我們目前的GaN 工藝產(chǎn)品組合包括針對更高頻率的0.15 μm 或150 納米技術(shù)。0.25 μm 技術(shù)非常適合X 至Ku 頻段的應用。0.25 μm 技術(shù)還可提供高效
2017-07-28 19:38:38
圖像生成對抗生成網(wǎng)絡ganHello there! This is my story of making a GAN that would generate images of cars
2021-08-31 06:48:41
解決方案來簡化您的設計，提高功率密度和可靠性了。在GaN解決方案門戶上查看TI完整的GaN直流/直流轉(zhuǎn)換產(chǎn)品組合。 更多電源類博文更多充電類產(chǎn)品TI更多視頻培訓原文鏈接：https
2019-07-29 04:45:02
在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預測，基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時期即將到來。與應用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時又不希望增大設備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Beheshti說，“如果不能增大尺寸，那么只能提升功率密度?！?了解如何利用德州儀器的GaN產(chǎn)品系列實現(xiàn)
2019-03-01 09:52:45
您已了解GaN晶體管出色的性能，您很興奮。樣品總算來到，您將它們放入板中。您打開電源，施加負載，結(jié)果……性能并沒有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的開關(guān)問題。這些晶體管不好。真遺憾。為何出現(xiàn)這種情況？有沒有可能遺漏了什么？如何正確理解GaN？十分重要！
2019-07-30 06:21:32
作為一項相對較新的技術(shù)，氮化鎵(GaN) 采用的一些技術(shù)和思路與其他半導體技術(shù)不同。對于基于模型的GaN功率放大器(PA) 設計新人來說，在知曉了非線性GaN模型的基本概念（非線性模型如何幫助進行
2019-07-31 06:44:26
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
在基于GaN的設計中都很關(guān)鍵。監(jiān)視時間和溫度范圍內(nèi)趨勢變化的實時信息能夠為我們提供更好的GaN FET退化信息，并使我們對于更加智能器件和控制器產(chǎn)品的需求有深入的理解。 參考文獻Kollman
2019-07-12 12:56:17
需求，越來越多的功率放大器供應商已經(jīng)開始擴大產(chǎn)品范圍，將GaN產(chǎn)品納入其中。需要記住的是，無線基站中使用的功率放大器必須符合惡劣條件下的高性能、高效率、高可靠性要求。每一次網(wǎng)絡擴容都會對性能和功效提出新
2018-12-05 15:18:26
GAN的數(shù)學推導和案例應用
2020-04-13 09:34:52
您好，有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件，因為當我在ADS的原理圖窗口中搜索它時，它只顯示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一個功率放大器模擬，我需要一個GaN器件。請?zhí)岢瞿愕慕ㄗh
2019-01-17 15:55:31
功率晶體管(如GaN和碳化硅(SiC))有望在高壓和高開關(guān)頻率條件下提供高功率效率，從而遠遠超過硅MOSFET產(chǎn)品?！ ?b class="flag-6" style="color: red">GaN可以為您做什么 根據(jù)應用的不同，高效率的高頻開關(guān)可以將功率模塊的尺寸縮小
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應用中，功率密度是關(guān)鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
是否有關(guān)于 NXP GaN 放大器長期記憶的任何詳細信息。數(shù)據(jù)表說“專為低復雜性線性系統(tǒng)設計”。長期記憶是否不再是當前幾代 GaN 器件的關(guān)注點？這是整個產(chǎn)品堆棧嗎？
2023-04-17 06:12:19
的高可靠性，EPC 公司已經(jīng)宣布了其新的 EPC7019 eGaN 抗輻射功率晶體管器件。EGaN 晶體管采用鈍化模具形式，圖像由 EPC 提供新產(chǎn)品利用 GaN 白光柵材料實現(xiàn)高電子遷移率和低溫系數(shù)。該
2022-06-15 11:43:25
受益于集成器件保護，直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
%的產(chǎn)品輸出功率集中在10W～100W之間，最大功率達到1500W（工作頻率在1.0-1.1GHz，由Qorvo生產(chǎn)），采用的技術(shù)主要是GaN/SiC GaN路線。此外，部分企業(yè)提供GaN射頻模組產(chǎn)品，目前
2019-04-13 22:28:48
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
。本文中，我們將為您介紹需要了解的非線性GaN 模型的基礎知識。什么是非線性GaN 模型？對許多工程師來說，設計PA 的第一步是閱讀晶體管產(chǎn)品的數(shù)據(jù)手冊并查看S 參數(shù)。S 參數(shù)文件很有用，但有關(guān)器件大信號
2018-08-04 14:55:07
The MathWorks推出新產(chǎn)品Simulink PLC Coder
The MathWorks 近日發(fā)布了新產(chǎn)品Simulink PLC Coder，可為可編程邏輯控制器 (PLC) 和可編程自動化控制器 (PAC) 設備生成 IE
2010-03-22 12:10:39586 
Jupiter Systems日前宣布推出新的先進產(chǎn)品Warp/Blend Node。此次最新推出Warp/Blend Node是對早前Jupiter已經(jīng)在華推出的獲獎的PixelNet分布式顯示墻系統(tǒng)的一個補充
2011-04-18 10:48:39914 TI正在設計基于GaN原理的綜合質(zhì)量保證計劃和相關(guān)的應用測試來提供可靠的GaN解決方案。氮化鎵（GaN）的材料屬性可使電源開關(guān)具有令人興奮且具有突破性的全新特性—功率GaN。高電子遷移晶體管（HEMT）。
2016-04-25 14:16:152683 松下在GaN基板產(chǎn)品和Si基板產(chǎn)品方面試制了2.1mm×2.0mm測試芯片做了比較。Si基板產(chǎn)品的導通電阻為150mΩ，GaN基板產(chǎn)品的導通電阻為100mΩ。Qoss方面，Si基板產(chǎn)品為18.3nC
2016-12-12 10:15:212348 
Qorvo 是全球領先的GaN RF 供應商，自1999 年起就一直在推動GaN 研究和創(chuàng)新，提供經(jīng)過檢驗的GaN電路可靠性和緊湊型、高效率產(chǎn)品。
2018-05-18 10:32:001943 Empower RF Systems公司近期推出了一款單波段固態(tài)氮化鎵（GaN）系統(tǒng)放大器。
2018-10-15 10:01:384130 借助ADI設計工具，您將能輕松而準確地找到最適合設計的產(chǎn)品。 這些工具可簡化您的設計和產(chǎn)品選型過程，并提供仿真結(jié)果以揭示實際性能。
2019-07-17 06:16:001880 近日，有外媒報道稱，蘋果或許會在今年推出的iPhone 12上使用Type-C接口，以支持更高速率的快速充電。另外，蘋果還會推出一款GaN（氮化鎵）充電器，并提供最高65W的充電速率。
2020-02-21 17:30:273427 采用dsPIC? DSC快速跟蹤電源系統(tǒng)開發(fā)的4 kW PFC GaN評估板，并提供全球技術(shù)支持。
2020-04-08 10:37:18822 GaN Systems GS-EVB-AUD-xx1-GS平臺可作為D類放大器板（GS-EVB-AUD-AMP1-GS）單獨銷售，也可以與開關(guān)電源（SMPS）板（GS-EVB-AUD-BUNDLE1-GS）捆綁銷售。
2020-08-24 16:23:212630 GaN（氮化鎵）功率晶體管的全球領導者GaN Systems今天宣布，其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:46682 不久之前，Cadence 正式推出了創(chuàng)新產(chǎn)品 Cerebrus，一款完全基于機器學習的革命性智能芯片設計工具，可以擴展數(shù)字芯片設計流程并實現(xiàn)自動化。 大家對使用傳統(tǒng) EDA 工具的設計流程已經(jīng)
2021-09-02 15:33:464541 氮化鎵（GaN）功率半導體的全球領導者GaN Systems 公司今天宣布，其合作伙伴的生態(tài)系統(tǒng)不斷壯大，通過加速全球可持續(xù)發(fā)展和清潔技術(shù)革命，應對凈零排放挑戰(zhàn)，中和二氧化碳（CO2）和其他溫室氣體的排放。
2021-12-21 13:54:03564 GaN 晶體管是新電源應用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項目。在本教程中，我們將使用 GaN Systems 的 GaN GS61008T 進行實驗。
2022-08-05 08:04:55881 
納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品，包含GaN驅(qū)動NSD2621與集成化的Power Stage產(chǎn)品NSG65N15K，均可廣泛適用于快充、儲能、服務器電源等多種GaN應用場景。
2023-02-01 09:44:321250 6月16日，蜂巢能源稱，他們首次發(fā)布了戶儲領域的核心創(chuàng)新產(chǎn)品——超薄戶儲逆變器。值得一提的是，該產(chǎn)品搭載了GaN技術(shù)。
2023-06-18 16:41:55550 。Nexperia（安世半導體）在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型 E-mode 器件，從 GaN FET 到其他硅基功率器件， Nexperia（安世半導體）豐富的產(chǎn)品組合能為設計人員提供最佳的選擇。
2023-08-10 13:55:54500 重點摘要 GaN Systems第四代氮化鎵平臺 (Gen 4 GaN Platform) 幫助全球客戶在能源效率及尺寸微縮上突破瓶頸。 以業(yè)界領先的質(zhì)量因子 (figures of merit
2023-09-28 09:28:32253 全球氮化鎵功率半導體領導廠商GaN Systems 今推出全新第四代氮化鎵平臺 (Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標竿，更提供顯著的性能表現(xiàn)優(yōu)化及業(yè)界領先的質(zhì)量因子 (figures of merit)。
2023-10-08 17:22:52262 英飛凌科技集團今天宣布，對GaN Systems Inc.的收購已經(jīng)完成。這家總部位于渥太華的公司提供廣泛的氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換解決方案和尖端應用專業(yè)知識。已獲得所有必要的監(jiān)管批準，截至
2023-10-25 14:51:13479 德國慕尼黑和加拿大渥太華訊——英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems，以下同）。
2023-10-25 18:24:47325 渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領先的應用技術(shù)。已獲得所有必要的監(jiān)管部門審批，交易結(jié)束后，GaN Systems 已正式成為英飛凌的組成部分。 目前，英飛凌共有 450 名氮化鎵技術(shù)專家和超過 350 個氮化鎵技術(shù)專利族。英飛凌表示，公司和 G
2023-10-26 08:43:52206 基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術(shù)和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:17312 
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