帶隙基準(zhǔn)電壓源的目的是產(chǎn)生一個對溫度變化保持恒定的量，由于雙極型晶體管的基極電壓VBE，其溫度系數(shù)在室溫(300 K)時大約為-2.2 mV/K
2011-11-23 09:19:32
3218 
大家有誰設(shè)計過40v的電壓基準(zhǔn)源提供點幫助吧先謝謝了在這里
2013-12-10 19:19:40
附件基準(zhǔn)電壓源 電流檢測和電流源.rar1.0 MB
2018-10-17 15:23:22
7 顯示 ADR4312.5 V 基準(zhǔn)電壓源的典型噪聲與頻率關(guān)系曲線圖。 圖 7. 帶補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的 ADR431 噪聲曲線 ADR435 補(bǔ)償其內(nèi)部運算放大器，驅(qū)動大容性負(fù)載并避免噪聲峰化，使其非常
2020-04-14 07:00:00
高分辨率、逐次逼近型 ADC 的整體精度取決于精度、穩(wěn)定性和其基準(zhǔn)電壓源的驅(qū)動能力。ADC基準(zhǔn)電壓輸入端的開關(guān)電容具有動態(tài)負(fù)載，因此基準(zhǔn)電壓源電路必須能夠處理與時間和吞吐速率相關(guān)的電流。某些ADC
2021-03-16 12:04:19
本帖最后由 laisheng 于 2016-1-25 11:14 編輯
雖然每種模擬IC類型都有必須優(yōu)化的特定參數(shù)，但這里將探討基準(zhǔn)電壓源——可產(chǎn)生穩(wěn)定、精確直流電壓的器件，該器件決定了
2016-01-25 10:58:27
概述：REF191是一款精密帶隙基準(zhǔn)電壓源芯片，它采用專利的溫度漂移曲率校正電路，激光微調(diào)高度穩(wěn)定的薄膜電阻，以實現(xiàn)非常低的溫度系數(shù)和較高的初始精度。REF191采用SOIC、TSSOP及DIP8腳封裝工藝；...
2021-04-13 06:00:16
概述：REF198是一款精密帶隙基準(zhǔn)電壓源芯片，它采用專利的溫度漂移曲率校正電路，激光微調(diào)高度穩(wěn)定的薄膜電阻，以實現(xiàn)非常低的溫度系數(shù)和較高的初始精度。REF198采用SOIC、TSSOP及DIP8腳封裝工藝；...
2021-04-14 07:34:35
帶隙基準(zhǔn)是什么？帶隙基準(zhǔn)的功能工作原理是什么？帶隙基準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)是由哪些部分組成的？
2021-06-22 08:14:04
采用1830工藝設(shè)計預(yù)設(shè)值電流I=10uA，由公式過驅(qū)動電壓0.2V，得到PMOS寬長比12.5/1由公式過驅(qū)動電壓0.2V，得到NM8寬長比2.8/1設(shè)置K=4，NM7寬長比4×2.8/1由公式
2021-12-30 08:15:23
這是帶隙基準(zhǔn)仿真波形。這款帶隙基準(zhǔn)用于RFID芯片中，當(dāng)整流出來為周期性波動電壓時，供給帶隙后，帶隙輸出也會發(fā)生周期性抖動。在單仿帶隙時，DC仿真和瞬態(tài)仿真都沒有問題，可以穩(wěn)定輸出。但是如果瞬態(tài)加
2021-06-25 07:27:47
標(biāo)準(zhǔn)的帶隙基準(zhǔn)，輸出電壓約為1.2V，10ppm左右。設(shè)計好，接入電路中，瞬態(tài)仿真，輸出電壓波形為以1.2V為直流，類似100MHz頻率的20mv峰值正弦波做周期等幅振蕩，可能的原因是什么。
2011-12-07 14:43:44
基準(zhǔn)電壓源是工藝、電源電壓、溫度變化時能夠提供穩(wěn)定輸出電壓的電路。基準(zhǔn)電壓源廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、智能傳感器、電源轉(zhuǎn)換器等電路。
基準(zhǔn)電壓源設(shè)計的要點是精度高，溫度漂移小，帶隙基準(zhǔn)電壓源利用硅的帶隙
2023-09-08 17:56:48
本帖最后由 萆嶶锝承鍩じ☆ve 于 2018-4-8 18:13 編輯
電壓基準(zhǔn)芯片的分類 根據(jù)內(nèi)部基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生結(jié)構(gòu)不同，電壓基準(zhǔn)分為：帶隙電壓基準(zhǔn)和穩(wěn)壓管電壓基準(zhǔn)兩類。穩(wěn)壓管電壓基準(zhǔn)的基準(zhǔn)
2018-04-08 17:19:22
你知道么，LT1461 和 LT1790 微功率低壓降帶隙電壓基準(zhǔn)的過人之處不僅在于溫度系數(shù) (TC) 和準(zhǔn)確度，還在于長期漂移和遲滯（因為溫度的周期性變化而引起的輸出電壓漂移）。有時被其他制造商所
2019-08-02 06:36:09
操作理論 AD1580使用帶隙概念來產(chǎn)生一個穩(wěn)定的、低溫度系數(shù)的電壓基準(zhǔn)，適用于高精度數(shù)據(jù)采集組件和系統(tǒng)。該器件利用了硅晶體管基極發(fā)射極電壓在正向偏置工作區(qū)的基本物理特性。所有此類晶體管的溫度系數(shù)
2020-07-15 10:06:46
AD5676R是自帶內(nèi)部基準(zhǔn)電壓源的。但是我使用時，18腳沒有基準(zhǔn)電壓源輸出，造成Vout都沒有輸出。
看了評估版原理圖后，在AD5676R的18腳外接+2.5V基準(zhǔn)源后，則8路Vout才正常輸出了。
請問這是什么原因？電路連接： Vdd=+5V，Vlogic=3.3V。
2023-12-06 08:24:55
請教大家, N76E616 內(nèi)部帶隙電壓的存儲參數(shù)如何讀取?
2023-06-25 11:04:36
1. 看了V1.04的芯片手冊,但是沒看到 芯片內(nèi)部帶隙電壓的出廠校準(zhǔn)值 的存儲地址, 請問如何讀出帶隙電壓值？
2. 我將芯片內(nèi)存存儲器都用作APROM區(qū)，請問我將最后1K區(qū)域當(dāng)做EEPROM來存儲參數(shù)，要如何操作？ 這個內(nèi)部APROM區(qū)域大概可以重復(fù)寫入多少次內(nèi)？
2023-06-27 06:20:00
最近diy制作一個USB電源電流表，使用的N76E003單片機(jī)，液晶屏顯示部分程序，也弄好了，就差adc采樣了，想利用內(nèi)部帶隙電壓計算外部電壓值，不知道怎么計算，讀取UID最后兩個字，值為1663
2023-06-16 07:32:22
穩(wěn)壓器、射頻電路、高精度A／D和D／A轉(zhuǎn)換器等多種集成電路中。隨著大規(guī)模集成電路的日益復(fù)雜和精密，亦對帶隙基準(zhǔn)電壓的溫度穩(wěn)定性提出了更高的要求。傳統(tǒng)的帶系基準(zhǔn)電壓源只能產(chǎn)生固定的近似1．2 V的電壓
2019-07-12 07:36:42
基準(zhǔn)電壓源有很多形式并提供不同的特性，但歸根結(jié)底，精度和穩(wěn)定性是基準(zhǔn)電壓源最重要的特性，因為其主要作用是提供一個已知輸出電壓。相對于該已知值的變化是誤差。為什么需要基準(zhǔn)電壓源？
2019-07-30 07:40:43
什么是基準(zhǔn)電壓源？看到了論壇有電壓源的貼子，想問下什么是基準(zhǔn)電壓源？求大蝦指教啊
2011-12-27 13:48:15
傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)源有哪些基本原理？什么樣的基準(zhǔn)源電壓才能滿足普通應(yīng)用要求？
2021-04-07 06:52:08
如圖所示,
問題1中文數(shù)據(jù)手冊第一頁框圖中的Band Gap REF是指芯片的4.096V內(nèi)置基準(zhǔn)參考原嗎？
問題2.中文數(shù)據(jù)手冊第4頁，內(nèi)部基準(zhǔn)電壓源參數(shù)描述中，REFIN輸出電壓2.3V怎么理解？為什么是該電壓值，而不是4.096V呢。根據(jù)注釋6內(nèi)容“內(nèi)部帶隙基準(zhǔn)電壓源的輸出”。
2023-12-04 08:26:10
看了關(guān)于能帶隙基準(zhǔn)源的的介紹，其原理是利用了正溫度系數(shù)的電壓產(chǎn)生器和具有負(fù)溫度系數(shù)的電壓，從而得到具有零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)電壓。
第一張圖是基本原理圖，用左邊電流控制右邊電流，但是書上說左右兩個晶體管
2024-01-27 11:56:26
使用具有1.2外部帶隙基準(zhǔn)的TC7116模數(shù)轉(zhuǎn)換器的典型應(yīng)用（VIN- 與通用相連）
2019-07-26 08:35:49
具有低漂移滿量程調(diào)整的LT1021BCH-5 CMOS DAC參考的典型應(yīng)用。 LT1021是一款精密基準(zhǔn)電壓源，具有超低漂移和低噪聲特性，極佳的長期穩(wěn)定性以及對輸入電壓變化的幾乎完全抗擾度。參考輸出的源電流和吸收電流均高達(dá)10mA
2020-04-02 10:00:45
M0518 ADC的內(nèi)部帶隙電壓是指什么？
2018-10-16 09:53:21
大家好，我有一個問題，配置PIC18F85 J94ADC。在第22.3.2頁中，從PIC18F97 J95家庭數(shù)據(jù)表中得知，內(nèi)部帶隙基準(zhǔn)電壓可用于ADC正基準(zhǔn)電壓。然而，在寄存器描述中沒有提到這樣
2019-01-29 06:04:01
基準(zhǔn);LDO穩(wěn)壓器;溫度系數(shù);電源抑制比;運算放大器 CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源不但能夠提供系統(tǒng)要求的基準(zhǔn)電壓或電流，而且具有功耗很小、高集成度和設(shè)計簡便等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于模擬集成電路和混合集成電路中。帶隙
2018-10-09 14:42:54
帶曲率補(bǔ)償?shù)?b class="flag-6" style="color: red">帶隙基準(zhǔn)源的原理是什么？它與傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)源相比有何不同？
2021-04-09 06:35:43
如果我們可以確定帶隙電壓和對應(yīng)的ADC原始數(shù)據(jù)那么我們就可以通過比例運算知道VCC，因為滿量程對應(yīng)的就是VCC，也就是0x0FFF對應(yīng)VCC
即VCC:0xFFF=帶隙電壓：帶隙電壓ADC
2023-06-25 08:18:31
如何去選擇基準(zhǔn)電壓源？為什么參數(shù)差的基準(zhǔn)反而可能更好？
2021-05-08 07:39:12
最近在做帶隙基準(zhǔn)源，用到AMP鉗位電壓，使倆點電壓一致，拉雜為沒講用到的AMP要有什么要求？但看到資料的電路基本都是單級AMP，想問下大大們，這個AMP鉗位電壓原理就是虛短虛斷么？（如果是要求增益應(yīng)該很大?。€有那些要求？第一次發(fā)帖，小弟先謝了。
2022-06-15 10:26:32
帶隙基準(zhǔn)源原理是什么？雙極帶隙基準(zhǔn)電路的實際電路結(jié)構(gòu)是怎樣構(gòu)成的？怎樣對雙極帶隙基準(zhǔn)電路進(jìn)行仿真測試？
2021-04-21 06:20:19
帶隙基準(zhǔn)電壓源工作原理是什么？一種低溫漂輸出可調(diào)帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計
2021-05-08 06:38:57
1，通過MS51FB9AE帶隙電壓（Band-gap）能反推出電源電壓，2，MS51FB9AE帶隙電壓（Band-gap）比較低，1.17V ~ 1.27內(nèi)3，如果我要偵測比較低的電壓（如50mV
2022-05-11 14:31:55
電源電壓變化時，帶隙基準(zhǔn)的輸出發(fā)生跳變，怎么減小帶隙基準(zhǔn)的過沖？謝謝
2021-06-24 06:46:07
問題。設(shè)計了兩款電路：一款是高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源電路；另一款為采用頻率抖動技術(shù)的RC振蕩器電路?；靥咎榭措[藏下載地址：[hide][/hide]
2022-07-04 14:58:24
精密基準(zhǔn)電壓源芯片中的“初始電壓精度”是什么意思？例如ADR06的初始精度：±0.1%
2023-11-23 06:13:31
噪聲貢獻(xiàn)。圖7顯示ADR431 2.5 V基準(zhǔn)電壓源的典型噪聲與頻率關(guān)系曲線圖?！ D7. 帶補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的ADR431噪聲曲線 ADR435補(bǔ)償其內(nèi)部運算放大器，驅(qū)動大容性負(fù)載并避免噪聲峰化，使其
2018-09-27 10:57:26
電路的總噪聲貢獻(xiàn)。圖7顯示ADR431 2.5 V基準(zhǔn)電壓源的典型噪聲與頻率關(guān)系曲線圖。 圖7. 帶補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的ADR431噪聲曲線 ADR435補(bǔ)償其內(nèi)部運算放大器，驅(qū)動大容性負(fù)載并避免噪聲峰化
2018-09-27 10:29:41
最近diy制作一個USB電源電流表，使用的N76E003單片機(jī)，液晶屏顯示部分程序，也弄好了，就差adc采樣了，想利用內(nèi)部帶隙電壓計算外部電壓值，不知道怎么計算，讀取UID最后兩個字，值為1663
2023-08-30 06:43:07
什么是帶隙電壓？
2020-12-23 07:27:58
如何實現(xiàn)低電壓帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計？傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)電壓源的工作原理是什么？低電源帶隙基準(zhǔn)電壓源的工作原理是什么？
2021-04-20 06:12:32
如何讀取實際N76E003帶隙電壓？
2020-12-22 06:30:34
各位大神，請問有沒有做過cadence的CMOS帶隙基準(zhǔn)電路設(shè)計，或者CMOS四運算放大器設(shè)計（LM324），求各位幫幫忙，我快山窮水盡了
2020-05-17 23:32:07
提高電源管理芯片精度和抗電磁干擾性能，結(jié)合降低電源待機(jī)功耗問題，設(shè)計了兩款電路：一款為高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源電路。該電路能夠為開關(guān)電源芯片提供高精度高穩(wěn)定的基準(zhǔn)電壓，設(shè)計電壓值為1.25V.仿真
2020-07-23 15:04:30
選擇最佳的電壓基準(zhǔn)源
2012-08-14 15:02:51
公司用LM4040C25做模擬電壓采集基準(zhǔn)源（電壓采集電路如下），在按DO-160G做CS/RS時，在200-300MHz時，電壓采集值跳動比較厲害（試驗時已測基準(zhǔn)電源確實跳動了）。能不能換一個基準(zhǔn)源，但換一個電壓基準(zhǔn)源，會不會產(chǎn)生同樣的問題，請問大俠們有什么解決方案？
2016-12-15 14:37:00
本文通過結(jié)合LDO與Brokaw基準(zhǔn)核心，設(shè)計出了高PSR的帶隙基準(zhǔn)，此帶隙基準(zhǔn)輸出的1.186 V電壓的低頻PSR為-145 dB，最高PSR為-36 dB，溫漂可以達(dá)到7.5 ppm，適用于
2018-10-10 16:52:05
，溫度穩(wěn)定性和精度之間關(guān)系到整個電路的精確度和性能?！ ‘?dāng)今設(shè)計的基準(zhǔn)電壓源大多數(shù)采用BJT帶隙基準(zhǔn)電壓源結(jié)構(gòu)，以及利用MOS晶體管的亞閾特性產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓源；然而，隨著深亞微米CMOS工藝的發(fā)展，尺寸按
2018-11-30 16:38:24
），沒有加電容，就參照上面的電路設(shè)計了。讓我們再進(jìn)一步的看一下REF50XX系列bandgap基準(zhǔn)源的內(nèi)部，如下圖，芯片內(nèi)部有一個1.2V的帶隙基準(zhǔn)，和一個用于設(shè)置精確輸出電壓的放大器。這兩個就是基準(zhǔn)
2019-06-11 06:59:08
高級基準(zhǔn)電壓Vbandgap IC設(shè)計:在本文中，主要討論在CMOS 技術(shù)中基準(zhǔn)產(chǎn)生的設(shè)計著重于公認(rèn)的“帶隙”技術(shù)，即是與電壓，溫度變化無關(guān)的基準(zhǔn)電壓。[關(guān)鍵詞]電壓基準(zhǔn)，電流基
2009-11-01 14:35:44
34 本文提出了一種結(jié)構(gòu)簡單高電源抑制比的CMOS 帶隙基準(zhǔn)電壓源，供電電源3.3V。采用CSMC 0.5um CMOS 工藝。Spectre 仿真結(jié)果表明，基準(zhǔn)輸出電壓在溫度為-40～+80℃時，溫度系數(shù)為45.53×10-6/
2010-01-11 14:20:4327 LTC6655是一款完整的精密帶隙基準(zhǔn)電壓源系列，提供出色的噪聲和漂移性能。此低噪聲和漂移特性非常適合儀器儀表和測試設(shè)備要求的高分辨率測量。此外，LTC6655的額定溫度范圍為–40°C至125°C
2023-06-25 10:41:49
ADR364分別是2.048 V、2.500 V、3.000 V、4.096 V、5.000 V和3.300 V精密帶隙基準(zhǔn)電壓源，具有低功耗和高精度，采用緊湊的TSOT封裝。ADR360
2023-06-25 14:47:50
ADR365分別是2.048 V、2.500 V、3.000 V、4.096 V、5.000 V和3.300 V精密帶隙基準(zhǔn)電壓源，具有低功耗和高精度，采用緊湊的TSOT封裝。ADR360
2023-06-25 14:50:33
ADR291和ADR292均為低噪聲、微功耗、精密基準(zhǔn)電壓源，采用XFET?基準(zhǔn)電壓源電路。與傳統(tǒng)的帶隙和嵌入式齊納二極管基準(zhǔn)電壓源相比，全新的XFET架構(gòu)在性能方面有明顯改進(jìn)。具體包括：工作電流
2023-06-26 15:29:55
ADR291和ADR292均為低噪聲、微功耗、精密基準(zhǔn)電壓源，采用XFET?基準(zhǔn)電壓源電路。與傳統(tǒng)的帶隙和嵌入式齊納二極管基準(zhǔn)電壓源相比，全新的XFET架構(gòu)在性能方面有明顯改進(jìn)。具體包括
2023-06-26 15:33:05
AD680是一款帶隙基準(zhǔn)電壓源，可以利用4.5 V至36 V的輸入提供2.5 V輸出。它采用的架構(gòu)使之能以極低的靜態(tài)電流工作，同時實現(xiàn)出色的直流特性和噪聲性能。通過對高度穩(wěn)定的薄膜電阻調(diào)整，可獲得
2023-06-26 17:46:09
其它10 V基準(zhǔn)電壓源。它采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳排列，因此許多系統(tǒng)都可以利用AD587迅速完成升級。基準(zhǔn)電壓源設(shè)計采用嵌入式齊納方法，使噪聲和漂移均低于帶隙基準(zhǔn)電壓源。
2023-06-26 17:55:20
其它5 V基準(zhǔn)電壓源。它采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳排列，因此許多系統(tǒng)都可以利用AD586迅速完成升級。基準(zhǔn)電壓源設(shè)計采用嵌入式齊納方法，使噪聲和漂移均低于帶隙基準(zhǔn)電壓源。該
2023-06-27 09:15:51
本文提出了一種結(jié)構(gòu)簡單高電源抑制比的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源，供電電源3.3V。采用CSMC 0.5um CMOS工藝。Spectre仿真結(jié)果表明，基準(zhǔn)輸出電壓在溫度為-40～+80℃時，溫度系數(shù)為45.53×10-6/℃
2010-07-14 16:14:3641 基于工作在亞閾值區(qū)的MOS器件，運用CMOS電流模基準(zhǔn)對CATA和PTAT電流求和的思想，提出一種具有低溫漂系數(shù)、高電源抑制比（PSRR）的CMOS電壓基準(zhǔn)源，該電路可同時提供多個輸出基準(zhǔn)電
2010-12-30 10:25:5326 低電壓高精度CMOS基準(zhǔn)電流源設(shè)計
2011-01-24 15:10:1795 基準(zhǔn)電壓源是集成電路系統(tǒng)中一個非常重要的構(gòu)成單元。結(jié)合近年來的設(shè)計經(jīng)驗,首先給出了帶隙基準(zhǔn)源曲率產(chǎn)生的主要原因,而后介紹了在高性能CMOS 帶隙基準(zhǔn)電壓源中所廣泛采用的幾種
2011-05-25 14:52:4434 基準(zhǔn)電壓源是集成電路系統(tǒng)中一個非常重要的構(gòu)成單元。結(jié)合近年來的設(shè)計經(jīng)驗,首先給出了帶隙基準(zhǔn)源曲率產(chǎn)生的主要原因,而后介紹了在高性能CMOS 帶隙基準(zhǔn)電壓源中所廣泛采用的幾種
2011-09-27 14:30:5258 在傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)電壓源電路結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，通過在運放中引入增益提高級，實現(xiàn)了一種用于音頻-A/D轉(zhuǎn)換器的CMOS帶隙電壓基準(zhǔn)源。在一階溫度補(bǔ)償下實現(xiàn)了較高的電源抑制比（PSRR）和較
2012-10-10 14:49:5043 介紹一種基于CSMC0.5 m工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電路。本文在原有Banba帶隙基準(zhǔn)電路的基礎(chǔ)上，通過采用共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)和引入負(fù)反饋環(huán)路的方法，大大提高了整體電路的
2013-05-27 16:29:0871 2015-08-24 19:29:3320 低溫漂系數(shù)共源共柵CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源_鄧玉斌
2017-01-08 10:24:075 本文為大家介紹一個cmos無運放帶隙基準(zhǔn)源電路。
2018-01-11 16:52:5014756 
本文根據(jù)基準(zhǔn)源的精度必須好于DAC設(shè)計精度指標(biāo)。利用負(fù)反饋和基本電流鏡等原理，合理設(shè)計電路的情況下得到了穩(wěn)定的PTAT電流，并根據(jù)帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計原理得到一個高精度和快速啟動的CMOS帶隙基準(zhǔn)
2018-03-05 10:45:238126 
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