美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V肖特基二極管系列
2012-11-22 14:09:06
1242 中國(guó)，北京，2018年1月24日訊 - Littelfuse， Inc.，作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今日宣布新推出了四個(gè)隸屬于其第2代產(chǎn)品家族的1200V碳化硅（SiC）肖特基二極管系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品家族最初于2017年5月發(fā)布。
2018-01-25 11:04:578627 極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂(lè)技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場(chǎng)較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn)，SiC
2019-10-24 14:25:15
逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率?！ ￡P(guān)斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復(fù)電流?零正向恢復(fù)電壓?高頻工作?開(kāi)關(guān)特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率?！ ?b class="flag-6" style="color: red">產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、車(chē)載電源、新能源汽車(chē)電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域?！ ?b class="flag-6" style="color: red">1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
介紹了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二極管的100KHz，10KW交錯(cuò)式硬開(kāi)關(guān)升壓型DC / DC轉(zhuǎn)換器的參考設(shè)計(jì)和性能。 SiC功率半導(dǎo)體的超低開(kāi)關(guān)損耗使得開(kāi)關(guān)頻率在硅實(shí)現(xiàn)方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24
本產(chǎn)品說(shuō)明展示了接近理論的理想因素和勢(shì)壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管，設(shè)計(jì)用于工作溫度> 225°C主要應(yīng)用于井下石油鉆井、航空航天和電動(dòng)汽車(chē)。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）組成的類(lèi)型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類(lèi)型。與Si-IGBT功率模塊相比，開(kāi)關(guān)損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱停?b class="flag-6" style="color: red">具有低的導(dǎo)通損耗?！ 〉?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管也有兩個(gè)缺點(diǎn)，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?！ ?b class="flag-6" style="color: red">二、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
反向恢復(fù)電流，其關(guān)斷過(guò)程很快，開(kāi)關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度較高，可以制作出超過(guò)1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
碳化硅肖特基二極管主要特點(diǎn)及產(chǎn)品系列 基本半導(dǎo)體B1D系列碳化硅肖特基二極管主要技術(shù)參數(shù)如下： 650V、1200V系列B1D碳化硅肖特基二極管電流范圍從2-40A，封裝涵蓋TO-220，TO-252，TO-263，TO-247及其家族群封裝，產(chǎn)品列表見(jiàn)下：原作者：基本半導(dǎo)體
2023-02-28 16:55:45
的小電流，因此碳化硅肖特基二極管的開(kāi)關(guān)損耗比硅快速恢復(fù)二極管更低。使用碳化硅肖特基二極管可以減少損耗，能快速穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)器件的正反切換，提高產(chǎn)品的效率和降低產(chǎn)品噪音，同時(shí)易于改善EMI?！ ∫韵聹y(cè)試結(jié)果
2023-02-28 16:34:16
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
更進(jìn)一步。其中UF系列的最新產(chǎn)品在1200V和650V器件上的導(dǎo)通電阻達(dá)到了同類(lèi)產(chǎn)品最低，分別小于9毫歐和7毫歐。這些器件具有低損耗體二極管效應(yīng)以及固有的抗過(guò)電壓和短路的能力，與Si-MOSFET或
2023-02-27 14:28:47
200V，但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復(fù)時(shí)間實(shí)踐，同時(shí)在正向電壓也減少，耐壓也大大超過(guò)200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢(shì)。在
2020-06-28 17:30:27
％至 97％的系統(tǒng)效率。此外，CoolSiC 肖特基二極管有助于降低導(dǎo)通和恢復(fù)損耗。相比純硅設(shè)計(jì)而言，該器件是實(shí)現(xiàn)硬換向的理想器件，損耗可降低 30%。由于具有較低的冷卻要求，該二極管還能降低系統(tǒng)成本，帶來(lái)極佳的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)。詳情見(jiàn)附件。。。。。。
2021-03-29 11:00:47
時(shí)間使它們非常適合高頻應(yīng)用，并能最大程度降低開(kāi)關(guān)損耗。 ?MBR系列均具有非常低的正向壓降和比傳統(tǒng)二極管更低的熱耗散，因此降低了熱和電傳導(dǎo)損耗。 ?它的高結(jié)溫能力提高了高環(huán)境溫度下或無(wú)法獲得充分冷卻
2016-04-11 11:53:55
` 一、肖特基二極管具有的優(yōu)勢(shì) 肖特基二極管MBR系列極快的開(kāi)關(guān)速度以及非常低的反向恢復(fù)時(shí)間使它們非常適合高頻應(yīng)用，并能最大程度降低開(kāi)關(guān)損耗。肖特基二極管與普通的PN結(jié)二極管不同。是使用N型
2018-12-27 13:54:36
?肖特基二極管具有開(kāi)關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，*高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開(kāi)關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開(kāi)關(guān)器件
2021-11-16 17:02:37
，大多數(shù)硅用于高達(dá)250V的電壓，而砷化鎵、碳化硅或硅鍺被用作阻斷200至1700V電壓的半導(dǎo)體材料。硅肖特基二極管具有大約0.4V的低閾值電壓，工作電流較低時(shí)甚至低于0.1V。這遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于電壓約為1V
2017-04-19 16:33:24
Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能，零開(kāi)關(guān)損耗，提高效率，降低解決方案成本，功率密度增加，實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)頻率，減少對(duì)散熱器
2021-11-09 16:36:57
B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低器件損耗，提升系統(tǒng)效率，更適合應(yīng)用于高頻電路。降低器件損耗，提升系統(tǒng) EMI 表現(xiàn)。在新能源汽車(chē)電機(jī)控制器
2021-11-10 09:10:42
Basic Semi代理商 B1D02065E 是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能，零開(kāi)關(guān)損耗，極低反向電流 ，無(wú)反向恢復(fù)電流 ，低電容電荷， 提高效率，降低解決方案
2021-10-27 15:00:42
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開(kāi)關(guān)能力。本文檔介紹高級(jí)交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
小輕薄，小尺寸，大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二極管。特性：?極低反向電流? 無(wú)反向恢復(fù)電流? 溫度無(wú)關(guān)開(kāi)關(guān)? VF上的正溫度系數(shù)? 卓越的浪涌電流能力? 低電容電荷優(yōu)勢(shì)：?基本上
2021-11-06 09:26:20
電源系統(tǒng)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)小型與更低損耗的關(guān)鍵 | SiC肖特基勢(shì)壘二極管在功率二極管中損耗最小的SiC-SBDROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管
2019-03-27 06:20:11
阻。盡管普通二極管的“慣性”較大，但是在超過(guò)200V的工作電壓場(chǎng)合，普通的PIN二極管占主導(dǎo)地位?！ ≡从诠杌?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管，近年來(lái)開(kāi)發(fā)出來(lái)新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二極管用于一些效率很關(guān)鍵的電力
2019-01-02 13:57:40
通損耗一直是功率半導(dǎo)體行業(yè)的不懈追求。 相較于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品，基于寬禁帶碳化硅材料設(shè)計(jì)的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低器件損耗、減小產(chǎn)品
2023-02-27 16:14:19
是1000V。FR106,FR107300ns快速恢復(fù)二極管FR101-FR105150nsSR260肖特基二極管 10ns左右反向恢復(fù)時(shí)間短，特別適用于高頻電路。二、碳化硅二極管碳化硅是一種新材料，幾乎不
2023-02-15 14:24:47
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競(jìng)爭(zhēng)。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開(kāi)序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。安森美半導(dǎo)體
2018-10-29 08:51:19
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2020-07-30 07:14:58
` 低壓降肖特基二極管是正向壓降比普通肖特基二極管還要低的一種半導(dǎo)體器件，可以理解成升級(jí)版性能更優(yōu)，壓降更低，效率更高的肖特基二極管。 肖特基二極管SBT20V100也稱(chēng)為金屬半導(dǎo)體結(jié)二極管
2018-10-17 15:20:19
的整體系統(tǒng)尺寸，更小的整體成本，高溫下更高的可靠性，同時(shí)降低功率損耗。創(chuàng)能動(dòng)力可提供碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模組和集成功率模組，用于太陽(yáng)能逆變器、功率因數(shù)校正、電動(dòng)車(chē)充電樁和高效率
2023-02-22 15:27:51
和 500A，帶或不帶碳化硅肖特基續(xù)流 1200V 二極管?！ ×硪粋€(gè)例子是MiniSKiiP，這是一種無(wú)底板電源模塊，使用賽米控的SPRiNG系統(tǒng)將電源和輔助端子連接到PCB。彈簧位置由外殼設(shè)計(jì)固定
2023-02-20 16:29:54
， Rgon=Rgoff=10Ω， VGE=15V/0V， L=200uH 圖12 傳統(tǒng)IGBT及混合碳化硅分立器件開(kāi)關(guān)損耗參數(shù)對(duì)比 如圖12所示，碳化硅肖特基二極管對(duì)IGBT的損耗和二極管反向恢復(fù)損耗
2023-02-28 16:48:24
一種減慢di/dt和dv/dt的方式來(lái)解決。不幸的是，這些方法會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)損耗增加和系統(tǒng)效率降低。而在使用碳化硅MOSFET時(shí)，只需在柵極和源極之間增加一個(gè)二極管電壓鉗位即可解決這一難題?！ ≡?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅
2023-03-14 14:05:02
ROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）。2010年在日本國(guó)內(nèi)率先開(kāi)始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴(kuò)充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動(dòng)在
2018-12-04 10:26:52
得到更低柵極開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)損耗（圖1）.碳化硅MOSFET寄生體二極管具有極小的反向恢復(fù)時(shí)間trr和反向恢復(fù)電荷Qrr。如圖所示，同一額定電流900V的器件，碳化硅MOSFET 寄生二極管反向電荷只有同等
2016-08-05 14:32:43
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
了第一代和第二代產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)，采用JBS結(jié)構(gòu)，優(yōu)化了N-外延層的摻雜濃度，減薄N+襯底層，使得二極管具有更低的正向?qū)▔航礦F和結(jié)電荷QC，可以降低應(yīng)用端的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗?！ D（1）碳化硅二極管
2023-02-28 17:13:35
MDD肖特基二極管具有的優(yōu)勢(shì)：肖特基二極管MBR系列極快的開(kāi)關(guān)速度以及非常低的反向恢復(fù)時(shí)間使它們非常適合高頻應(yīng)用，并能最大程度降低開(kāi)關(guān)損耗。肖特基二極管均具有非常低的正向壓降和比傳統(tǒng)二極管更低的熱
2020-08-28 17:12:29
電場(chǎng)而具有高擊穿電壓。例如，商用硅肖特基二極管的電壓小于300V，而第一個(gè)商用SiC肖特基二極管的擊穿電壓已達(dá)到600V。3）碳化硅具有較高的導(dǎo)熱性。4）SiC器件可以在更高的溫度下工作，而Si器件
2023-02-07 15:59:32
二極管都一樣。例如，大多數(shù)硅用于高達(dá)250V的電壓，而砷化鎵、碳化硅或硅鍺被用作阻斷200至1700V電壓的半導(dǎo)體材料。硅肖特基二極管具有大約0.4V的低閾值電壓，工作電流較低時(shí)甚至低于0.1V。這遠(yuǎn)遠(yuǎn)
2018-10-19 15:25:32
`<p>淺析肖特基二極管市場(chǎng)目前的發(fā)展形態(tài) 1、不同版本 然而，并非所有的肖特基二極管都一樣。例如，大多數(shù)硅用于高達(dá)250V的電壓，而砷化鎵、碳化硅或硅鍺被用作阻斷
2018-11-06 13:48:58
) 碳化硅MOSFET具有極低的體二極管反向恢復(fù)時(shí)間(trr)及反向恢復(fù)電荷(Qrr)從而降低二極管開(kāi)關(guān)損耗及操聲,便于實(shí)現(xiàn)LLC諧振寬范圍工作。同一額定電流器件，碳化硅MOSFET 寄生二極管反向電荷
2016-08-25 14:39:53
MOSFET更好的在系統(tǒng)中應(yīng)用，需要給碳化硅MOSFET匹配合適的驅(qū)動(dòng)?！ 〗酉聛?lái)介紹基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET及驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品 基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低
2023-02-27 16:03:36
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員開(kāi)辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗，并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對(duì)其開(kāi)關(guān)特性的仔細(xì)分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
，同時(shí)在正向電壓也減少，耐壓也大大超過(guò)200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢(shì)。在開(kāi)關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)
2023-02-20 15:15:50
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進(jìn)行開(kāi)關(guān)，通過(guò)降低電阻和開(kāi)關(guān)損耗來(lái)提高效率
2022-11-02 12:02:05
可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與SiC MOSFET配對(duì)，在一起購(gòu)買(mǎi)時(shí)可實(shí)現(xiàn)更高效率和更低組件價(jià)格的強(qiáng)大組合。CSD01060E優(yōu)點(diǎn)? 用單極整流器代
2022-05-27 20:10:54
可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與SiC MOSFET配對(duì)，在一起購(gòu)買(mǎi)時(shí)可實(shí)現(xiàn)更高效率和更低組件價(jià)格的強(qiáng)大組合。C3D03060F優(yōu)點(diǎn)? 用單極整流器代
2022-05-28 12:10:17
可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與SiC MOSFET配對(duì)，在一起購(gòu)買(mǎi)時(shí)可實(shí)現(xiàn)更高效率和更低組件價(jià)格的強(qiáng)大組合。C3D04060E好處? 用單極整流器代
2022-05-28 12:23:31
可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與SiC MOSFET配對(duì)，在一起購(gòu)買(mǎi)時(shí)可實(shí)現(xiàn)更高效率和更低組件價(jià)格的強(qiáng)大組合。C3D04060F好處? 用單極整流器代
2022-05-28 15:37:47
可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與SiC MOSFET配對(duì)，在一起購(gòu)買(mǎi)時(shí)可實(shí)現(xiàn)更高效率和更低組件價(jià)格的強(qiáng)大組合。C3D04060A好處? 用單極整流器代
2022-05-28 15:55:46
可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與SiC MOSFET配對(duì)，在一起購(gòu)買(mǎi)時(shí)可實(shí)現(xiàn)更高效率和更低組件價(jià)格的強(qiáng)大組合。C3D06060G好處? 用單極整流器代
2022-05-28 16:04:58
可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與SiC MOSFET配對(duì)，在一起購(gòu)買(mǎi)時(shí)可實(shí)現(xiàn)更高效率和更低組件價(jià)格的強(qiáng)大組合。C3D06060F好處? 用單極整流器代
2022-05-28 16:12:24
可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與SiC MOSFET配對(duì)，在一起購(gòu)買(mǎi)時(shí)可實(shí)現(xiàn)更高效率和更低組件價(jià)格的強(qiáng)大組合。C3D06060A好處? 用單極整流器代
2022-05-28 16:18:33
可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與SiC MOSFET配對(duì)，在一起購(gòu)買(mǎi)時(shí)可實(shí)現(xiàn)更高效率和更低組件價(jià)格的強(qiáng)大組合。C3D08060G好處? 用單極整流器代
2022-05-28 16:25:05
可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與SiC MOSFET配對(duì)，在一起購(gòu)買(mǎi)時(shí)可實(shí)現(xiàn)更高效率和更低組件價(jià)格的強(qiáng)大組合。C3D08060A好處? 用單極整流器代
2022-05-28 16:54:16
可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與SiC MOSFET配對(duì)，在一起購(gòu)買(mǎi)時(shí)可實(shí)現(xiàn)更高效率和更低組件價(jià)格的強(qiáng)大組合。C3D10060A好處? 用單極整流器代
2022-05-28 17:04:18
可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與SiC MOSFET配對(duì)，在一起購(gòu)買(mǎi)時(shí)可實(shí)現(xiàn)更高效率和更低組件價(jià)格的強(qiáng)大組合。C3D16060D好處? 用單極整流器代
2022-05-29 10:28:06
可靠。將 Wolfspeed 碳化硅二極管與SiC MOSFET配對(duì)，在一起購(gòu)買(mǎi)時(shí)可實(shí)現(xiàn)更高效率和更低組件價(jià)格的強(qiáng)大組合。C3D20060D好處? 用單極整流器代
2022-05-29 10:32:40
C6D06065G為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢(shì)肖特基勢(shì)壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案
2022-05-29 19:36:12
C3D06065E為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢(shì)肖特基勢(shì)壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案
2022-05-29 19:45:27
C4D02120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-02 18:25:12
C4D02120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-02 18:29:57
C4D05120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-02 18:35:42
C4D05120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-02 18:40:17
C4D08120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-02 18:44:47
C4D08120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-02 18:48:49
E4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-02 18:54:09
C4D10120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 14:24:29
C4D10120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 18:14:54
C4D10120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 18:21:10
C4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 18:25:26
C4D15120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 18:30:26
C4D15120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 18:37:08
C4D15120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 18:43:35
E4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 18:49:31
E4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 18:54:14
C4D20120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 19:01:56
C4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 19:07:00
C4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 19:12:16
E4D20120G是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 19:18:42
C4D30120H是1200V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢(shì)肖特基勢(shì)壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)還達(dá)到更高的頻率和功率密度
2022-06-03 19:29:09
C4D30120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 19:34:40
C4D40120H是1200V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢(shì)肖特基勢(shì)壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)還達(dá)到更高的頻率和功率密度
2022-06-03 19:40:19
C4D40120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計(jì)，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 19:46:36
相比硅二極管，GEN2碳化硅肖特基二極管可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗，并大幅提高電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。
2018-07-06 15:11:354532 的重要補(bǔ)充，也是Littelfuse公司已發(fā)布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強(qiáng)有力補(bǔ)充。最終用戶將受益于更加緊湊節(jié)能的系統(tǒng)以及潛在更低的總體擁有成本。
2018-10-23 11:34:375600 碳化硅肖特基二極管（SiCSBD）是一種單極型器件，采用結(jié)勢(shì)壘
肖特基二極管結(jié)構(gòu)（JBS），因此相比于傳統(tǒng)的硅快恢復(fù)
二極管（SiFRD），
碳化硅肖特基二極管具有理想的反向恢復(fù)特性?？梢杂行Ы档头聪蚵╇?/div>
2020-11-17 15:55:056028 二次側(cè)整流二極管通常使用FRD（快速恢復(fù)二極管）和SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）等，本文提到的基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D30120HC基本沒(méi)有開(kāi)關(guān)損耗，而且VF具有正向溫度系數(shù)，有利于提高車(chē)載充電機(jī)實(shí)際的效率。
2022-07-26 14:43:34928 碳化硅的RDS（ON）較低，因而開(kāi)關(guān)損耗也較低，通常比硅低100倍?；?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅的肖特基二極管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限，成為新能源及電力電子的首選器件。
2023-05-18 12:46:40277 
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