提高智能電表精度新方法，內(nèi)置高耐度nvSRAM

　　周遭世界充斥著各種執(zhí)行重復(fù)性作業(yè)的機(jī)器，例如智慧電表會(huì)讀取并記錄耗電數(shù)據(jù)，然后每隔幾分鐘再將讀取到的數(shù)據(jù)，上傳至區(qū)域匯整設(shè)備進(jìn)行重置，并重復(fù)之前的動(dòng)作。其他設(shè)備如可攜式醫(yī)療儀器、工廠生產(chǎn)線設(shè)備和無電刷馬達(dá)等，也都必須進(jìn)行一連串的量測(cè)動(dòng)作，并對(duì)量測(cè)數(shù)據(jù)做出反應(yīng)，然后再重新開始同樣的流程。各式各樣的工業(yè)產(chǎn)品，如在線式參數(shù)記錄器、錯(cuò)誤記錄器、引擎監(jiān)視器及電池充電器及暖氣/通風(fēng)/空調(diào)設(shè)備控制器（HVAC）等，也都會(huì)運(yùn)用到重復(fù)性事件管理元件。

　　整體效能大勝EEPROM　nvSRAM適于重復(fù)性事件應(yīng)用

　　在許多應(yīng)用中，持久性或非揮發(fā)性記憶體是處理重復(fù)性事件的必備元件。智慧電表絕不能在處理復(fù)雜作業(yè)時(shí)因電力中斷而出現(xiàn)故障，因一旦讀數(shù)流失就必須即時(shí)重新擷取，還有可能會(huì)遭遇樣本遺失、材料損毀，導(dǎo)致營運(yùn)商和使用者不滿等問題。

　　重復(fù)性事件記憶體容量通常僅須16k？2MB，并擁有低成本、低切換雜訊的序列介面，且必須以合理的速度如串列周邊介面（SPI）、內(nèi)部整合電路（I2C）進(jìn)行隨機(jī)存取與循序式讀取/寫入動(dòng)作。

　　以往最能符合需求的元件，就是序列式電子可抹除式唯讀記憶體（EEPROM），這種平價(jià)記憶體在成本、密度及讀/寫速度方面，都能符合此類應(yīng)用的需求，但卻有兩項(xiàng)缺點(diǎn)，其中之一是耐用度有限，一般最高上限僅允許十萬次儲(chǔ)存；其次是晶片/區(qū)塊抹寫時(shí)間有可能超過1秒，設(shè)計(jì)人員得花很多時(shí)間排除這些難題之后，才能享受序列式EEPROM帶來的成本優(yōu)勢(shì)。專為重復(fù)性事件系統(tǒng)量身打造的非揮發(fā)靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體（nvSRAM），運(yùn)作模式類似SRAM，能進(jìn)行高速讀取、高速寫入、隨機(jī)存取和連續(xù)爆發(fā)（Burst）模式，但卻沒有序列式EEPROM或序列式快閃元件在抹寫區(qū)塊與IC資料時(shí)作業(yè)時(shí)間冗長的問題，使用者完全不會(huì)感覺到在幕后工作的非揮發(fā)性記憶體。

　　IC一旦偵測(cè)到電源異常時(shí)，就會(huì)自動(dòng)把所有資料移到非揮發(fā)儲(chǔ)存元件，在電源中斷時(shí)儲(chǔ)存資料完全不會(huì)受損。當(dāng)電力恢復(fù)后，系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)把資料移回SRAM，系統(tǒng)會(huì)回復(fù)到電力中斷之前的狀態(tài)繼續(xù)運(yùn)作。

　　這類非揮發(fā)性記憶體的耐用度超過一百萬次儲(chǔ)存。由于這些儲(chǔ)存事件僅在出現(xiàn)電力中斷時(shí)才會(huì)發(fā)生，因此對(duì)于嵌入式與工業(yè)應(yīng)用而言，如此的耐用度實(shí)際上等同于無限。SRAM則是在正常模式下持續(xù)運(yùn)作，具備無次數(shù)上限的讀取與寫入功能。

　　此外，在這些低密度記憶體中，增加的單元電路會(huì)提供nvSRAM處理結(jié)果，而且成本很接近序列式EEPROM或序列快閃元件，考量到它對(duì)重復(fù)性事件應(yīng)用帶來的改良效益，可說是相當(dāng)劃算的選擇。