選定方法數(shù)字晶體管的型號說明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關于數(shù)字晶體管的溫度特性關于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領域(數(shù)字晶體管的情況)關于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
選定方法①使TR達到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻:R1是±30% E-B間的電阻:R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有下面的關系式?!?b class="flag-6" style="color: red">數(shù)字晶體管
2019-04-22 05:39:52
計算機等使用的數(shù)字信號中,晶體管起著切換0和1的開關作用。IC及LSI歸根結底是晶體管的集合,其作用的基礎便是晶體管的增幅作用。4. 集電阻和晶體管于一體原來基板上的電阻和晶體管分別安裝,數(shù)字晶體管
2019-07-23 00:07:18
計算機等使用的數(shù)字信號中,晶體管起著切換0和1的開關作用。IC及LSI歸根結底是晶體管的集合,其作用的基礎便是晶體管的增幅作用。4. 集電阻和晶體管于一體原來基板上的電阻和晶體管分別安裝,數(shù)字晶體管
2019-05-05 00:52:40
NPN硅數(shù)字晶體管
2023-03-28 18:20:51
PNP -100mA -50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-24 10:05:04
PNP -100mA -50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:51
PNP-100mA -50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:43
PNP -100mA -50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-21 11:12:22
數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻器)
2023-03-28 14:32:33
PNP -100mA -50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:41
AD-DTA114E系列數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻器)
2023-03-28 12:51:45
PNP -100mA -50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:46
PNP -100mA -50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:39
PNP -100mA -50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:49
PNP數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻)
2023-03-28 12:53:16
數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻器) PNP
2023-03-28 15:13:04
PNP -100mA -50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-21 11:10:18
PNP -100mA -50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:43
數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻器)
2023-03-28 12:51:54
PNP型數(shù)字晶體管
2023-03-28 18:20:51
PNP -100mA -50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-21 11:10:17
PNP -100mA -50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:39
PNP -100mA -50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:40
數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻器)
2023-03-28 12:51:45
-500mA/-50V數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻)
2023-03-28 14:59:40
-500mA/-50V數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻)
2023-03-28 18:20:51
PNP -500mA -50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:51
500mA/50V數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻)
2023-03-21 11:10:16
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 13:03:07
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:46
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:51
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:50
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:50
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 13:03:08
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:40
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:49
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:49
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:39
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:41
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:47
數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻器)
2023-03-28 14:32:33
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:41
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:50
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:40
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 15:06:58
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:47
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:49
數(shù)字晶體管(BRT)
R1=22 KΩ,R2=22 KΩ
具有單片偏置電阻網(wǎng)絡的PNP晶體管
2023-03-22 19:10:44
數(shù)字晶體管(NPN)
2023-03-28 12:58:10
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:46
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-24 16:08:21
數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻器)
2023-03-28 12:51:54
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:39
數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻器)
2023-03-28 12:51:54
NPN 100mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:50
數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻)
2023-03-21 11:10:21
500mA/50V數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻)
2023-03-28 14:59:39
500mA/50V數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻)
2023-03-28 14:59:43
500mA/50V數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻)
2023-03-28 18:20:50
500mA/50V數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻)
2023-03-28 18:20:49
NPN 500mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:39
數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻器)
2023-03-28 15:11:33
NPN 500mA 50V數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 18:20:48
共發(fā)射極(雙數(shù)字晶體管)
2023-03-28 18:20:57
數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻器)
2023-03-28 15:12:07
共發(fā)射極(雙數(shù)字晶體管)
2023-03-28 18:20:56
通用型(雙數(shù)字晶體管)
2023-03-28 18:20:57
通用型(雙數(shù)字晶體管)
2023-03-28 14:59:45
數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻器)
2023-03-28 12:51:53
電源管理(雙數(shù)字晶體管)
2023-03-28 15:02:09
NPN + PNP復合數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:45
通用(雙數(shù)字晶體管)
2023-03-28 14:59:44
通用型(雙數(shù)字晶體管)
2023-03-28 18:20:56
通用型(雙數(shù)字晶體管)
2023-03-28 18:20:57
共發(fā)射極(雙數(shù)字晶體管)
2023-03-28 18:20:57
發(fā)射極共用(雙數(shù)字晶體管)
2023-03-24 10:04:05
共發(fā)射極(雙數(shù)字晶體管)
2023-03-24 10:04:03
共發(fā)射極(雙數(shù)字晶體管)
2023-03-24 10:04:02
通用(雙數(shù)字晶體管)
2023-03-28 18:20:56
通用型(雙數(shù)字晶體管)
2023-03-25 00:47:23
NPN 100mA 50V復雜數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:46
NPN 100mA 50V復雜數(shù)字晶體管(偏置電阻內(nèi)置晶體管)
2023-03-28 14:59:44
;產(chǎn)品種類: 數(shù)字晶體管 &
2010-08-17 09:24:08
這一系列數(shù)字晶體管設計取代單一設備及其網(wǎng)絡外部電阻器的偏見。 偏置電阻晶體管(BRT)包含一個晶體管與單一的偏向網(wǎng)絡組成的兩個電阻;一系列基礎電阻器和基極發(fā)射極電阻。 BRT消除這些單個組件通過整合成一個單一的設備。 BRT的使用可以降低系統(tǒng)成本和板空間。
2017-04-05 15:04:4617 這一系列數(shù)字晶體管的目的是取代一個單一的設備和它的外部電阻偏置網(wǎng)絡。偏置電阻晶體管(BRT)包含一個單一的偏置電阻網(wǎng)絡組成的兩個單晶體管;電阻和串聯(lián)基地基地發(fā)射極電阻。BRT消除這些單獨的組件,將它們集成到一個單一的設備。使用BRT可以降低系統(tǒng)成本和電路板空間。
2017-04-05 15:17:3414 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ON Semiconductor(ti)UMC5相關產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有UMC5的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,UMC5真值表,UMC5管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-08-03 17:02:22
數(shù)字晶體管(DigitalTransistor)與普通晶體管差別不大,并沒有采用任何數(shù)字技術,僅僅內(nèi)置了一個或兩個偏壓電阻,即所謂的偏壓型晶體管(BiasResistorTransistor)。與普通晶體管相比,數(shù)字晶體管的輸入-輸出呈線性關系,而且工作狀況穩(wěn)定。
2020-02-14 12:43:4615014 數(shù)字晶體管是帶電阻的晶體管, 一些僅在基極上串聯(lián)一只電阻, 一般號稱R1 , 片段在基極與發(fā)射極期間還并聯(lián)一只電阻R2 。電阻R1有冒尖電阻, 好像標準電阻多如牛毛配制,電阻R2圖景好像R1,電阻
2022-05-11 17:46:511190 數(shù)字晶體管是帶有電阻的晶體管。 有的只在基極串聯(lián)一個電阻,一般稱為R1,有的還在基極和發(fā)射極之間并聯(lián)一個電阻R2。 電阻R1有多種電阻,類似于標準電阻系列。 電阻器 R2 類似于 R1。 電阻R1
2022-05-12 18:07:011997 2022-12-01 22:48:120 數(shù)字晶體管(Digital Transistor)是一種集成了基極電阻的雙極性晶體管,其工作原理類似于常規(guī)的晶體管,但其具有更高的集成性和更方便的使用方式。
2023-05-29 15:58:39517 為了通過微控制器板(例如Arduinos或Raspberry Pis)打開LED或操作繼電器,需要使用帶有晶體管和電阻的驅(qū)動電路(開關)。驅(qū)動電路很簡單,但是需要一個電阻來限制流過基極的電流。
2023-05-29 16:03:00849 由于數(shù)字晶體管具有靈活的輸入/輸出控制特性,它一般用于電場效應管(FET)和Insulated Gate Field Effect (IGBT)史v實現(xiàn)電路的轉(zhuǎn)換作用:它可以對丕鳳信號輸入有丕鳳的反饋;進而控制或IGBT的開關。
2023-05-29 16:09:31496 數(shù)字晶體管是帶有電阻的晶體管。 有的只在基極串聯(lián)一個電阻,一般稱為R1,有的還在基極和發(fā)射極之間并聯(lián)一個電阻R2。 電阻R1有多種電阻,類似于標準電阻系列。 電阻器 R2 類似于 R1。 電阻R1和電阻R2可以有多種匹配方式,因此數(shù)字晶體管的種類很多。
2023-05-29 16:18:48569 數(shù)字晶體管因集電極電流和連接至基極的電阻的不同而分為不同類型。數(shù)字晶體管的選擇方法和確定使用普通晶體管作為開關時連接到基極的電阻的方法相同。
2023-05-29 16:40:45282 結構上,數(shù)字晶體管有的在基極上串聯(lián)一只電阻R1,有的在基極與發(fā)射極之間并聯(lián)了一只電阻R2,大多數(shù)同時連接了R1和R2。隨著電阻R1、R2的組合搭配的變化,數(shù)字晶體管的型號遠比普通晶體管豐富多彩。
2023-05-29 16:46:57288 當您聽到“數(shù)字晶體管”這個詞時,可能會感覺它比普通晶體管更難,但實際上它是一種用于開關工作的簡單電子器件,實際試用一下就會發(fā)現(xiàn)其實既簡便又易用。
即便是在面包板上的電子制作中,使用數(shù)字晶體管也可以
2024-03-01 13:07:2273 數(shù)字晶體管是帶電阻的晶體管,有的在基極上串聯(lián)一只電阻R1,有的在基極與發(fā)射極之間還并聯(lián)一只電阻R2,電阻R1與電阻R2可按多種方式搭配。
2024-03-08 10:49:47286
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