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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>氮化鎵材料的分析方法

氮化鎵材料的分析方法

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8英寸!第四代半導(dǎo)體再突破,我國(guó)氧化研究取得系列進(jìn)展,產(chǎn)業(yè)化再進(jìn)一步

尋求更好的方法去優(yōu)化和改善這一問(wèn)題。政策層面,我國(guó)對(duì)氧化的關(guān)注度也不斷增強(qiáng)。早在2018年,我國(guó)已啟動(dòng)了包括氧化、金剛石、氮化硼等在內(nèi)的超寬禁帶半導(dǎo)體材料的探索和研究。2022年,科技部將氧化列入
2023-03-15 11:09:59

氮化(GaN)功率集成電路集成和應(yīng)用

氮化(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
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氮化: 歷史與未來(lái)

的存在。1875年,德布瓦博德蘭(Paul-émile Lecoq de Boisbaudran)在巴黎被發(fā)現(xiàn),并以他祖國(guó)法國(guó)的拉丁語(yǔ) Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化的熔點(diǎn)只有30
2023-06-15 15:50:54

氮化GaN 來(lái)到我們身邊竟如此的快

被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料氮化GaN。早期的氮化材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域,隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求,氮化產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中,尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開(kāi)來(lái),以下是采用了氮化的快
2020-03-18 22:34:23

氮化GaN技術(shù)促進(jìn)電源管理的發(fā)展

的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年,電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源,而2005年這一比例僅為30%1。這相當(dāng)于30億千瓦時(shí)以上
2020-11-03 08:59:19

氮化GaN技術(shù)助力電源管理革新

的選擇?! ∩罡h(huán)?! 榱舜蚱瞥杀竞痛笠?guī)模采用周期,一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點(diǎn)。氮化為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機(jī)會(huì),使其在高電壓應(yīng)用中的貢獻(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25

氮化GaN接替硅支持高能效高頻電源設(shè)計(jì)方案

在所有電力電子應(yīng)用中,功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一,這主要由更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限,設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化(GaN)來(lái)提供方案。
2020-10-28 06:01:23

氮化一瓦已經(jīng)不足一元,并且順豐包郵?聯(lián)想發(fā)動(dòng)氮化價(jià)格戰(zhàn)伊始。

度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能,被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料。氮化在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測(cè)器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力,甚至為該行業(yè)帶來(lái)跨越式
2022-06-14 11:11:16

氮化充電器

現(xiàn)在越來(lái)越多充電器開(kāi)始換成氮化充電器了,氮化充電器看起來(lái)很小,但是功率一般很大,可以給手機(jī)平板,甚至筆記本電腦充電。那么氮化到底是什么,氮化充電器有哪些優(yōu)點(diǎn),下文簡(jiǎn)單做個(gè)分析。一、氮化
2021-09-14 08:35:58

氮化功率半導(dǎo)體技術(shù)解析

氮化功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26

氮化功率芯片如何在高頻下實(shí)現(xiàn)更高的效率?

氮化為單開(kāi)關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來(lái)了低電荷(低電容)、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件,以及分立氮化的典型開(kāi)關(guān)頻率(65kHz)相比,集成式氮化器件提升到的 200kHz。 氮化電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02

氮化功率芯片的優(yōu)勢(shì)

更小:GaNFast? 功率芯片,可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節(jié)約方面,它最高能節(jié)約 40% 的能量。 更快:氮化電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41

氮化發(fā)展評(píng)估

采用傳統(tǒng)的表面貼裝生產(chǎn)方法及其相關(guān)的生產(chǎn)效率。這樣,采用塑料封裝氮化進(jìn)一步助推了供應(yīng)鏈成本的下降?!漕l能量的潛力——————氮化的性能結(jié)合硅成本結(jié)構(gòu)將加速射頻領(lǐng)域的創(chuàng)新,為市場(chǎng)打開(kāi)
2017-08-15 17:47:34

氮化場(chǎng)效應(yīng)晶體管與硅功率器件比拼之包絡(luò)跟蹤,不看肯定后悔

本文展示氮化場(chǎng)效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46

氮化技術(shù)在半導(dǎo)體行業(yè)中處于什么位置?

從將PC適配器的尺寸減半,到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換,德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V,提供從低功率適配器到超過(guò)2 kW設(shè)計(jì)的各類(lèi)解決方案。
2019-08-01 07:38:40

氮化技術(shù)推動(dòng)電源管理不斷革新

的數(shù)十億次的查詢(xún),便可以獲得數(shù)十億千瓦時(shí)的能耗。 更有效地管理能源并占用更小空間,所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年
2019-03-14 06:45:11

氮化激光器的技術(shù)難點(diǎn)和發(fā)展過(guò)程

  激光器是20世紀(jì)四大發(fā)明之一,半導(dǎo)體激光器是采用半導(dǎo)體芯片加工工藝制備的激光器,具有體積小、成本低、壽命長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì),是應(yīng)用最多的激光器類(lèi)別。氮化激光器(LD)是重要的光電子器件,基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53

氮化電源設(shè)計(jì)從入門(mén)到精通的方法

氮化電源設(shè)計(jì)從入門(mén)到精通,這個(gè)系列直播共分為八講,本篇第六講將為您介紹EMC優(yōu)化和整改技巧,助您完成電源工程師從入門(mén)到精通的蛻變。前期回顧(點(diǎn)擊下方內(nèi)容查看上期直播):- 第一講:元器件選型
2021-12-29 06:31:58

氮化的卓越表現(xiàn):推動(dòng)主流射頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)規(guī)?;?、供應(yīng)安全和快速應(yīng)對(duì)能力

射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來(lái),橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42

氮化能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)?

GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)?氮化能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)?
2021-06-17 10:56:45

氮化芯片未來(lái)會(huì)取代硅芯片嗎?

氮化 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí),GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18

AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化)的熱管理分析

AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化)的熱管理
2023-06-19 10:05:37

CGHV96100F2氮化(GaN)高電子遷移率晶體管

`Cree的CGHV96100F2是氮化(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內(nèi)部匹配(IM)FET與其他技術(shù)相比,具有出色的功率附加效率。 氮化與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15

CMPA801B025F氮化(GaN)高電子遷移率 基于晶體管

Cree的CMPA801B025是氮化(GaN)高電子遷移率基于晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。 氮化與硅或砷化相比具有更好的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10

ETA80G25氮化合封芯片支持90-264V輸入,支持27W功率輸出

深圳市尊信電子技術(shù)有限公司專(zhuān)業(yè)開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)電子產(chǎn)品方案鈺泰,智融,賽芯微一級(jí)代理吉娜:*** 微信:mphanfan歡迎行業(yè)客戶(hù)聯(lián)系,獲取datasheet、報(bào)價(jià)、樣片等更多產(chǎn)品信息氮化技術(shù)的普及,使
2021-11-28 11:16:55

GaN功率半導(dǎo)體(氮化)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)介紹

GaN功率半導(dǎo)體(氮化)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46

GaN基微波半導(dǎo)體器件材料的特性

寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化(GaN)以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅(Si)和第二代化合物半導(dǎo)體砷化(GaAs)、磷化(GaP)、磷化銦(InP)等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00

IFWS 2018:氮化功率電子器件技術(shù)分會(huì)在深圳召開(kāi)

有限公司承辦。 本屆論壇為期3天,同期二十余場(chǎng)次會(huì)議,25日上午 “氮化材料與器件技術(shù)”分會(huì)如期召開(kāi),分會(huì)重點(diǎn)關(guān)注以氮化、氮化為代表的紫外發(fā)光材料,以碳化硅、氮化為代表的紫外探測(cè)材料,高效量子
2018-11-05 09:51:35

MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化推入主流射頻市場(chǎng)和應(yīng)用

本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯 整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化射頻功率技術(shù),瞄準(zhǔn)主流消費(fèi)
2018-02-12 15:11:38

MACOM:硅基氮化器件成本優(yōu)勢(shì)

,尤其是2010年以后,MACOM開(kāi)始通過(guò)頻繁收購(gòu)來(lái)擴(kuò)充產(chǎn)品線與進(jìn)入新市場(chǎng),如今的MACOM擁有包括氮化(GaN)、硅鍺(SiGe)、磷化銦(InP)、CMOS、砷化等技術(shù),共有40多條生產(chǎn)線
2017-09-04 15:02:41

MACOM:適用于5G的半導(dǎo)體材料硅基氮化(GaN)

多個(gè)方面都無(wú)法滿(mǎn)足要求。在基站端,由于對(duì)高功率的需求,氮化(GaN)因其在耐高溫、優(yōu)異的高頻性能以及低導(dǎo)通損耗、高電流密度的物理特性,是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器(PA)芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20

Micsig光隔離探頭實(shí)測(cè)案例——氮化GaN半橋上管測(cè)試

測(cè)試背景地點(diǎn):國(guó)外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè),深圳氮化實(shí)驗(yàn)室測(cè)試對(duì)象:氮化半橋快充測(cè)試原因:因高壓差分探頭測(cè)試半橋上管Vgs時(shí)會(huì)炸管,需要對(duì)半橋上管控制信號(hào)的具體參數(shù)進(jìn)行摸底測(cè)試測(cè)試探頭:麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23

NV6115氮化MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器絲印1342AMDCD

`明佳達(dá)優(yōu)勢(shì)供應(yīng)NV6115氮化MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器絲印1342AMDCD。產(chǎn)品信息1、NV6115氮化MOS絲?。篘V6115芯片介紹:NV6115氮化MOS,是針對(duì)
2021-01-08 17:02:10

QPD1004氮化晶體管

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2018-07-25 10:06:15

aN2 Pro氮化充電器的選購(gòu)過(guò)程和使用

由于換了三星手機(jī),之前的充電器都不支持快充了,一直想找一款手機(jī)電腦都能用的快充充電器,「倍思GaN2 Pro氮化充電器」就是這樣一款能滿(mǎn)足我的充電器,這篇文章就來(lái)說(shuō)下這款充電器的選購(gòu)過(guò)程
2021-09-14 08:28:31

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》氮化發(fā)展技術(shù)

書(shū)籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:氮化發(fā)展技術(shù)編號(hào):JFSJ-21-041作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20

【技術(shù)干貨】氮化IC如何改變電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)

功率模塊(APM)、加熱和冷卻單元等。表1:突破性半導(dǎo)體材料的最佳應(yīng)用氮化的魅力在于其固有的超越硅的幾個(gè)屬性。氮化提供更低的開(kāi)關(guān)損耗;更快的速度,類(lèi)似RF的開(kāi)關(guān)速度;增加的功率密度;更好的熱預(yù)算
2018-07-19 16:30:38

為什么氮化(GaN)很重要?

% 化學(xué)物及能源損耗,此外還能,再加上節(jié)省超過(guò) 50% 的包裝材料,那氮化的環(huán)保優(yōu)勢(shì),將遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于傳統(tǒng)慢速比低速硅材料
2023-06-15 15:47:44

為什么氮化比硅更好?

氮化(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離出來(lái)所需要的能量,氮化的禁帶寬度為 3.4ev,是硅的 3 倍多,所以說(shuō)氮化擁有寬禁帶特性(WBG)。 硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16

為何碳化硅比氮化更早用于耐高壓應(yīng)用呢?

目前,以碳化硅(SiC)、氮化(GaN)等“WBG(Wide Band Gap,寬禁帶,以下簡(jiǎn)稱(chēng)為:WBG)”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體,其研究開(kāi)發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22

什么是氮化功率芯片?

氮化(GaN)功率芯片,將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化芯片上,能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化功率芯片,能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56

什么是氮化功率芯片?

通過(guò)SMT封裝,GaNFast? 氮化功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16

什么是氮化技術(shù)

兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計(jì),帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起,我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22

什么是氮化(GaN)?

氮化南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年,無(wú)論是吊打碳化硅,還是PK砷化。氮化憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì),確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03

什么是氮化(GaN)?

氮化,由(原子序數(shù) 31)和氮(原子序數(shù) 7)結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化的禁帶寬度為 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16

什么阻礙氮化器件的發(fā)展

=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化技術(shù)是5G的絕配,基站功放使用氮化。氮化(GaN)、砷化(GaAs)和磷化銦(InP)是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化(GaN)

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11

供應(yīng)氮化功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268

明佳達(dá)電子優(yōu)勢(shì)供應(yīng)氮化功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268,只做原裝,價(jià)格優(yōu)勢(shì),實(shí)單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號(hào)1:NV6127絲印:NV6127屬性:氮化功率芯片封裝:QFN芯片
2021-01-13 17:46:43

光隔離探頭應(yīng)用場(chǎng)景之—— 助力氮化(GaN)原廠FAE解決客戶(hù)問(wèn)題

客戶(hù)測(cè)試后再進(jìn)行下一步溝通。作為光隔離探頭的提供方,麥科信工程師對(duì)測(cè)試過(guò)程提供了技術(shù)支持。測(cè)試背景:3C消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品,其電源采用氮化(GaN)半橋方案。測(cè)試目的:氮化半橋上下管的Vgs及Vds,分析
2023-02-01 14:52:03

基于氮化IC的150W高效率高功率密度適配器設(shè)計(jì)

高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化)
2023-06-19 08:36:25

如何學(xué)習(xí)氮化電源設(shè)計(jì)從入門(mén)到精通?

材料特性對(duì)比展開(kāi),通過(guò)泰克儀器測(cè)試英飛凌GaN器件來(lái)進(jìn)行氮化特性的測(cè)量與分析。方案配置:示波器MSO5+光隔離探頭TIVH08+電壓及電流探頭+電源和IGBT town 軟件第二步:電路設(shè)計(jì)和PCB
2020-11-18 06:30:50

如何完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化電源?

如何帶工程師完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化電源,包括元器件選型、電路設(shè)計(jì)和PCB布線、電路測(cè)試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評(píng)估和分析
2021-06-17 06:06:23

如何實(shí)現(xiàn)氮化的可靠運(yùn)行

我經(jīng)常感到奇怪,我們的行業(yè)為什么不在加快氮化 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒(méi)人能獨(dú)善其身。每年,我們都看到市場(chǎng)預(yù)測(cè)的前景不太令人滿(mǎn)意。但通過(guò)共同努力,我們就能
2022-11-16 06:43:23

如何實(shí)現(xiàn)小米氮化充電器

如何實(shí)現(xiàn)小米氮化充電器是一個(gè)c to c 的一個(gè)充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個(gè)口不可以充電,它是用來(lái)轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類(lèi)了,可以外接顯示器,拓展塢之類(lèi)的。要用氮化
2021-09-14 06:06:21

如何用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化氮化性能

導(dǎo)讀:將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開(kāi)關(guān)性能,并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而,當(dāng)
2022-11-16 06:23:29

如何設(shè)計(jì)GaN氮化 PD充電器產(chǎn)品?

如何設(shè)計(jì)GaN氮化 PD充電器產(chǎn)品?
2021-06-15 06:30:55

實(shí)現(xiàn)更小、更輕、更平穩(wěn)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的氮化器件

的性能已接近理論極限[1-2],而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求日益增加。氮化(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性,可以滿(mǎn)足這些需求。 氮化器件具備卓越的開(kāi)關(guān)性能,有助消除死區(qū)時(shí)間且增加PWM頻率,從而
2023-06-25 13:58:54

將低壓氮化應(yīng)用在了手機(jī)內(nèi)部電路

帶半導(dǎo)體,相比常規(guī)的硅材料,開(kāi)關(guān)速度更快,具有更高的耐壓。在降低電阻的同時(shí),還能提供更高的過(guò)電壓保護(hù)能力,防止過(guò)壓造成的損壞。OPPO使用一顆氮化開(kāi)關(guān)管取代兩顆串聯(lián)的硅MOS,氮化低阻抗優(yōu)勢(shì)可以
2023-02-21 16:13:41

展嶸電子助力布局氮化適配器方案攜手智融SW351X次級(jí)協(xié)議45W69W87W成熟方案保駕護(hù)航

氮化完整方案有深圳市展嶸電子有限公司提供,包括45W、69W單口、多口全協(xié)議輸出適配器,更有87W適配器+移動(dòng)電源超級(jí)快充二合一方案??傆幸豢钸m合您。目前包括小米、OPPO、realme、三星
2021-04-16 09:33:21

微波射頻能量:工業(yè)加熱和干燥用氮化

這樣的領(lǐng)導(dǎo)者正在將氮化和固態(tài)半導(dǎo)體技術(shù)與這些過(guò)程相結(jié)合,以更低的成本進(jìn)行廣泛使用,從而改變行業(yè)的基礎(chǔ)狀況。采油與傳統(tǒng)的干燥和加熱方法相比,射頻能量使用更少的能量,而且高精度可使每瓦都得到有效利用。從
2018-01-18 10:56:28

想要實(shí)現(xiàn)高效氮化設(shè)計(jì)有哪些步驟?

和功率因數(shù)校正 (PFC) 配置?! 『?jiǎn)單的電路提供了將硅控制器用于GaN器件的過(guò)渡能力。對(duì)于單個(gè)氮化器件,隔離式負(fù) V一般事務(wù)(關(guān)閉)EZDrive?電路是一種低成本、簡(jiǎn)單的方法,可以使用12V驅(qū)動(dòng)器
2023-02-21 16:30:09

拆解報(bào)告:橙果65W 2C1A氮化充電器

前言 橙果電子是一家專(zhuān)業(yè)的電源適配器,快充電源和氮化充電器的制造商,公司具有標(biāo)準(zhǔn)無(wú)塵生產(chǎn)車(chē)間,為客戶(hù)進(jìn)行一站式服務(wù)。充電頭網(wǎng)拿到了橙果電子推出的一款2C1A氮化充電器,總輸出功率為65W,單口
2023-06-16 14:05:50

支持瓦特到千瓦級(jí)應(yīng)用的氮化技術(shù)介紹

兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計(jì),帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起,我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2022-11-10 06:36:09

有關(guān)氮化半導(dǎo)體的常見(jiàn)錯(cuò)誤觀念

認(rèn)證和用于航天航空應(yīng)用。 EPC憑借“測(cè)試器件至失效”的方法對(duì)其氮化器件進(jìn)行可靠性測(cè)試,而且測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于JEDEC的標(biāo)準(zhǔn),從而提高一代又一代的氮化器件的穩(wěn)健性。該方法找出器件內(nèi)在故障機(jī)制,用于
2023-06-25 14:17:47

求助,請(qǐng)問(wèn)半橋上管氮化這樣的開(kāi)爾文連接正確嗎?

請(qǐng)問(wèn)半橋上管氮化這樣的開(kāi)爾文連接正確嗎?
2024-01-11 07:23:47

硅基氮化與LDMOS相比有什么優(yōu)勢(shì)?

射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái),橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34

硅基氮化在大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

日前,在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢(shì)專(zhuān)場(chǎng)中,晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢(qián)博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告,與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55

第三代半導(dǎo)體材料氮化/GaN 未來(lái)發(fā)展及技術(shù)應(yīng)用

重要作用。下圖展示的是鍺化硅和氮化的毫米波5G基站MIMO天線方案,左側(cè)展示的是鍺化硅基MIMO天線,它有1024個(gè)元件,裸片面積是4096平方毫米,輻射功率是65dbm,與之形成鮮明對(duì)比的,是右側(cè)氮化
2019-04-13 22:28:48

納微集成氮化電源解決方案和應(yīng)用

納微集成氮化電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07

請(qǐng)問(wèn)氮化GaN是什么?

氮化GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56

請(qǐng)問(wèn)candence Spice能做氮化器件建模嗎?

candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎?然后提取參數(shù)想基于candence model editor進(jìn)行氮化器件的建模,有可能實(shí)現(xiàn)嗎?求教ICCAP軟件呢?
2019-11-29 16:04:02

誰(shuí)發(fā)明了氮化功率芯片?

雖然低電壓氮化功率芯片的學(xué)術(shù)研究,始于 2009 年左右的香港科技大學(xué),但強(qiáng)大的高壓氮化功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn),則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08

迄今為止最堅(jiān)固耐用的晶體管—氮化器件

,因此我們能夠借用各種各樣的既有商業(yè)光刻和加工技術(shù)。借助這些方法,精確定義幾十納米的晶體管尺寸和產(chǎn)生各種各樣的器件拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)變得相對(duì)簡(jiǎn)單。其他寬帶隙的半導(dǎo)體材料不具備這種難以置信的有用特性,甚至氮化也不
2023-02-27 15:46:36

高壓氮化的未來(lái)分析

就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案,相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26

高壓氮化的未來(lái)是怎么樣的

就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案,相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50

氮化測(cè)試

氮化
jf_00834201發(fā)布于 2023-07-13 22:03:24

半導(dǎo)體的未來(lái)超級(jí)英雄:氮化和碳化硅的奇幻之旅

半導(dǎo)體氮化
北京中科同志科技股份有限公司發(fā)布于 2023-08-29 09:37:38

#氮化 #英飛凌 8.3億美元!英飛凌完成收購(gòu)氮化系統(tǒng)公司 (GaN Systems)

半導(dǎo)體氮化
深圳市浮思特科技有限公司發(fā)布于 2023-10-25 16:11:22

氮化鎵納米線和氮化材料的關(guān)系

氮化鎵納米線是一種基于氮化材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料,具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機(jī)械性質(zhì),因此受到了廣泛關(guān)注。氮化材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的電子和光學(xué)性質(zhì),也是氮化鎵納米線的主要材料來(lái)源。
2023-02-25 17:25:15738

氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是什么晶體類(lèi)型

和所使用的材料。 氮化鎵的提取過(guò)程: 氮化鎵的提取過(guò)程主要包括兩個(gè)步驟:金屬鎵的提取和氮化反應(yīng)。 金屬鎵的提取 金屬鎵是氮化鎵的基本組成元素之一。為了提取金屬鎵,我們通常采用化學(xué)反應(yīng)的方法。常用的方法是將氮化鎵芯片在高
2023-11-24 11:15:20720

氮化鎵是什么結(jié)構(gòu)的材料

氮化鎵(GaN)是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,其結(jié)構(gòu)具有許多獨(dú)特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域。 結(jié)構(gòu): 氮化鎵是由鎵(Ga)和氮(N)元素組成的化合物
2024-01-10 10:18:33571

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