IGBT 是應(yīng)用最廣泛的可控功率電子開關(guān)，一個200A 1200V的IGBT4芯片只有指甲大小。你能想象嗎？它可以每個周期快速關(guān)斷600安培的電流，電流密度高達(dá)300安培每平方厘米！這個耐壓1200V的IGBT芯片只有紙張的厚度，可以想象圍繞芯片的物理界面的機(jī)械應(yīng)力會有多大。
2023-11-27 09:39:42
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通過減少封裝寄生效應(yīng)來降低功耗，在更高的工作頻率上提供更高的效率
2012-05-11 11:12:57971 
重慶郵電大學(xué)光電工程學(xué)院副教授黃義介紹，目前實驗室已成功研發(fā)第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率芯片，主要應(yīng)用在汽車電子、消費電源、數(shù)據(jù)中心等方面。電量能節(jié)省10%以上，面積是硅芯片的1/5左右，開關(guān)速度提升10倍以上。目前該項目已經(jīng)到了試驗性應(yīng)用階段，未來有望在各種電源節(jié)能領(lǐng)域和大數(shù)據(jù)中心使用。
2020-11-18 09:59:154689 增加GaNSense?技術(shù)，全新GaNFast?氮化鎵功率芯片通過實時智能傳感和保護(hù)，為40億美元的手機(jī)充電器和消費市場帶來最高效率和可靠性。
2021-11-08 10:21:261988 
氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克代碼：NVTS）宣布，戴爾已采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片為其 Latitude 9000 系列高端筆記本電腦實現(xiàn)快充。
2021-12-30 15:06:091364 
下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快，駕駛距離更遠(yuǎn)的電動汽車普及提前三年來到，并減少20%道路二氧化碳排放。
2022-01-14 11:18:151152 
2022年1月18日，納微半導(dǎo)體正式宣布，其新一代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片已用于vivo公司旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手機(jī)所標(biāo)配的120W超快閃充迷你充電器中。
2022-01-19 09:29:022551 
氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼： NVTS）正式宣布其發(fā)貨數(shù)量已超過四千萬顆，終端市場故障率為零。
2022-03-28 09:27:48628 
一款多段導(dǎo)通，可完成恒功率的THD 高功率因數(shù)LED線性恒流操控芯片，SM2326E這款電源芯片芯片內(nèi)置過溫維 且在多顆芯片并聯(lián)使用時，可省去外圍的跳線電阻。芯片首要經(jīng)過調(diào)理REXT端口電阻值
2020-10-27 06:19:40
不錯的功率芯片
2012-02-02 19:48:22
中的技術(shù)優(yōu)勢和發(fā)展前景。智能車燈控制系統(tǒng)概述本文介紹了在智能車燈控制系統(tǒng)中功率芯片的應(yīng)用經(jīng)驗，與傳統(tǒng)技術(shù)進(jìn)行了對比，結(jié)合實例具體分析了其實現(xiàn)的智能診斷技術(shù)在實際產(chǎn)品應(yīng)用中的技術(shù)優(yōu)勢和發(fā)展前景?，F(xiàn)今
2018-12-06 09:45:03
NEC電子完成了驅(qū)動車前燈等車燈產(chǎn)品的功率IC的開發(fā)，并以“μPD166010 ”為名即日起開始提供樣品?！ ⌒庐a(chǎn)品是在汽車車前燈和霧燈等車燈控制單元中驅(qū)動各種燈類的功率IC，是在輸出驅(qū)動電路中
2009-02-09 13:23:48
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
當(dāng)恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.，NXP）開始使用先進(jìn)的低功率芯片設(shè)計技術(shù)時，有一件事令其大吃一驚?！澳承┣闆r下，在實現(xiàn)階段出現(xiàn)了兩倍的產(chǎn)能下降?！盢XP公司設(shè)計與技術(shù)負(fù)責(zé)人Herve Menager表示。
2019-08-21 06:14:03
明佳達(dá)電子優(yōu)勢供應(yīng)氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價格優(yōu)勢，實單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號1：NV6127絲?。篘V6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
適用的驅(qū)動IC：H6902是一款內(nèi)罝100V功率NMOS ，高精度的升壓型大功率LED恒流 驅(qū)動芯片。H6902內(nèi)罝高精度誤差放大器，固 定關(guān)斷時間控制電路，恒流驅(qū)動電路等，特別適合大功率、多個高亮度
2020-10-24 14:58:35
`H6902是一款內(nèi)罝100V功率NMOS升壓型大功率LED恒流驅(qū)動芯片，采用固定關(guān)斷時間的樣值電流模式控制方式。 H6902芯片內(nèi)部由誤差放大器、PWM比較器、電感峰值電流限流、固定關(guān)斷時間
2020-10-24 15:01:01
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中放大了氮化鎵的頻率、密度和效率優(yōu)勢，如主動有源鉗位反激式（ACF）、圖騰柱PFC 和 LLC（CrCM 工作模式）。隨著硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)向軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變，初級 FET 的一般損耗方程可以被最小化。更新后的簡單方程使效率在 10 倍的高頻率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計使其非常
2023-06-15 15:32:41
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
傳感器來實現(xiàn)，如何有效地管理棚室溫度，是當(dāng)前蔬菜管理的重點。本文針對由于農(nóng)作物的不同時期傳感器的空間位置不固定，布線不方便，可靠性差的問題，采用無線通信技術(shù)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。利用微功率RF芯片
2019-06-27 06:04:00
集成半橋驅(qū)動MOS管功率芯片SN-D05
2018-12-01 17:05:53
PN7726集成驅(qū)動及四個開關(guān)管的無線充電發(fā)射端功率芯片?寬電源電壓范圍：3V～12V?輸出功率20W?高達(dá)500kHz工作頻率?內(nèi)置自舉高壓PMOS管?集成5V LDO（50mA）用于MCU供電
2022-01-05 11:38:25
驪微電子提供PL3369B/C 12W恒流原邊控制功率芯片，可兼容代換DP2525F，是聚元微供應(yīng)商，可提供樣品申請及技術(shù)支持。>>
2022-03-21 16:18:47
原邊內(nèi)置MOS管功率芯片CR6245 產(chǎn)品概述CR6245是一款高性能原邊檢測控制的PWM開關(guān)，待機(jī)功耗小于 75mW。CR6245內(nèi)部采用了多模式控制的效率均衡技術(shù)，用于優(yōu)化芯片系統(tǒng)待機(jī)
2022-04-20 10:30:03
具有4路立體聲輸出的汽車用音頻功率芯片AN7560Z
2009-05-04 13:48:56
33 供應(yīng)PN7727QF-A1 無線充發(fā)射功率芯片，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng) 用料資請向驪微電子申請。>>
2022-10-06 14:32:14
電路采用TDA2822雙聲道功率芯片.電路簡單,成本較低.
2009-01-24 00:51:235986 
本文針對由于農(nóng)作物的不同時期傳感器的空間位置不固定，布線不方便，可靠性差的問題，采用無線通信技術(shù)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。利用微功率RF芯片(nRF24E1)設(shè)計了一個體積小、成本低、性能穩(wěn)
2012-05-21 10:26:501020 
SM7022 5V2A充電器電源模塊PWM控制功率芯片，SM7022是采用電流模式PWM控制方式的功率開關(guān)芯片，集成高壓啟動電路和高壓功率管，為低成本開關(guān)電源系統(tǒng)提供高性價比的解決方案。芯片VDD
2016-03-16 10:15:3752 2017-05-31 08:00:0086 本文介紹了在智能車燈控制系統(tǒng)中功率芯片的應(yīng)用經(jīng)驗，與傳統(tǒng)技術(shù)進(jìn)行了對比，結(jié)合實例具體分析了其實現(xiàn)的智能診斷技術(shù)在實際產(chǎn)品應(yīng)用中的技術(shù)優(yōu)勢和發(fā)展前景。 現(xiàn)今MCU和電力電子技術(shù)在智能車燈控制系統(tǒng)中發(fā)
2017-09-07 18:56:426 傳感器來實現(xiàn)，如何有效地管理棚室溫度，是當(dāng)前蔬菜管理的重點。 本文針對由于農(nóng)作物的不同時期傳感器的空間位置不固定，布線不方便，可靠性差的問題，采用無線通信技術(shù)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。利用微功率RF芯片(nRF24E1)設(shè)計了一個體
2017-11-24 01:22:38212 
數(shù)量為4.5246億股。合肥瑞成的實際經(jīng)營主體為位于荷蘭的Ampleon集團(tuán)，Ampleon系原恩智浦半導(dǎo)體公司射頻事業(yè)部，經(jīng)剝離后成立，現(xiàn)為全球領(lǐng)先的射頻功率芯片供應(yīng)商，以專業(yè)研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)和銷售高功率射頻功率芯片產(chǎn)品為主。
2017-11-24 19:29:253216 當(dāng)恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.，NXP）開始使用先進(jìn)的低功率芯片設(shè)計技術(shù)時，有一件事令其大吃一驚。某些情況下，在實現(xiàn)階段出現(xiàn)了兩倍的產(chǎn)能下降。NXP公司設(shè)計與技術(shù)
2017-11-25 16:16:341041 
伏達(dá)10W無線充電全橋功率芯片NU1007規(guī)格書，適用于符合WPC qi認(rèn)證無線充電方案設(shè)計
2018-01-10 15:43:08227 隨著智能型手機(jī)與其它行動裝置的普及，功耗逐漸成為芯片和系統(tǒng)設(shè)計的主要方向，而無人機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、機(jī)器人、穿戴裝置和其它電池供電電子產(chǎn)品的出現(xiàn)，更推動超低功率芯片的研發(fā)。
2018-01-30 11:09:452950 導(dǎo)熱絕緣片在LED大功率芯片散熱很重要，LED導(dǎo)熱絕緣片可以按芯片大小來分切貼片，根據(jù)功率可分為小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。根據(jù)客戶要求可分為單管級、數(shù)碼級、點陣級以及裝飾照明等類別。關(guān)于
2020-03-31 11:31:211102 鴻海富士康集團(tuán)進(jìn)軍半導(dǎo)體市場企圖心明顯，鴻海集團(tuán)總裁郭臺銘也證實，半導(dǎo)體一定要自己做，除了在珠海的半導(dǎo)體投資案之外，最新的投資案又曝光，將計劃在濟(jì)南市設(shè)立功率芯片制造廠。
2019-02-22 14:17:386795 LED芯片根據(jù)功率分為：小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。LED芯片根據(jù)形狀分為：一般分為方片、圓片兩種；LED芯片根據(jù)發(fā)光亮度分為：一般亮度：R（紅色GaAsP655nm
2019-03-27 16:46:4215861 富士康深耕半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的意圖已經(jīng)越來越明顯，在業(yè)界近期討論富士康擬在珠海建晶圓廠傳聞之時，富士康在濟(jì)南的高功率芯片工廠項目似乎已悄然開工。
2019-05-05 16:11:3714213 芯片在工作時，如果過熱發(fā)燙，要看是異常情況還是正常情況。有些功率芯片在接近滿載工作時的確是非常燙的，這要通過加大散熱銅皮、加裝散熱片來解決；有些非功率芯片如果燙得厲害就要考慮是不是電路異常所導(dǎo)致的。
2019-10-19 10:44:5032429 近日，贛州經(jīng)開區(qū)成功舉行名冠微電子（贛州）有限公司功率芯片項目簽約儀式，與名芯有限公司（香港）、電子科技大學(xué)廣東電子信息工程研究院正式簽訂功率芯片項目投資合同。
2019-12-03 15:59:288536 富能半導(dǎo)體高功率芯片項目總投資額60億元，規(guī)劃建設(shè)月產(chǎn)十萬片的兩個八英寸廠及一個月產(chǎn)五萬片的十二英寸廠，一期占地318畝，主要建設(shè)月產(chǎn)三萬片的八英寸硅基功率器件和月產(chǎn)一千片的六英寸碳化硅功率器件的產(chǎn)能，產(chǎn)品覆蓋消費、工業(yè)、電網(wǎng)以及新能源車的應(yīng)用。
2019-12-06 11:01:454745 近日，濟(jì)南富能半導(dǎo)體高功率芯片項目成功封頂。
2019-12-06 13:40:389444 LED芯片大小根據(jù)功率可分為小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。
2020-04-16 17:12:541655 據(jù)悉，協(xié)昌科技成立之初專注于運動控制軟件和硬件電路的研發(fā)，即程序編寫和電路設(shè)計。經(jīng)過一段時間發(fā)展，在熟練掌握控制軟件開發(fā)和硬件電路設(shè)計的基礎(chǔ)上，協(xié)昌科技收購了凱思半導(dǎo)體，進(jìn)軍功率芯片。
2020-08-26 14:06:261436 
目前市面單顆 1W 以上的大功率LED芯片產(chǎn)品，常被使用在建筑物，洗墻燈、隧道、舞臺、礦工燈 等需要長時間點亮且維修難度高的應(yīng)用中，其中，又以工程案的要求最為嚴(yán)苛，因此，如何延長產(chǎn)品壽命以及挑選正確
2020-10-20 09:22:121584 
據(jù)重慶郵電大學(xué)光電工程學(xué)院副教授黃義表示，目前實驗室已成功研發(fā)第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率芯片，主要應(yīng)用在汽車電子、消費電源、數(shù)據(jù)中心等方面，其具備體積小、效率高、用電量少等特點。電量能節(jié)省10%以上
2020-11-17 14:37:322789 重慶郵電大學(xué)光電工程學(xué)院副教授黃義介紹，目前實驗室已成功研發(fā)第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率芯片，主要應(yīng)用在汽車電子、消費電源、數(shù)據(jù)中心等方面。電量能節(jié)省10%以上，面積是硅芯片的1/5左右，開關(guān)速度提升10倍以上。目前該項目已經(jīng)到了試驗性應(yīng)用階段，未來有望在各種電源節(jié)能領(lǐng)域和大數(shù)據(jù)中心使用。
2020-12-08 10:29:353423 據(jù)長沙晚報報道，位于湖南瀏陽經(jīng)開區(qū)（高新區(qū)）的泰科天潤項目，力爭6英寸碳化硅功率芯片產(chǎn)線春節(jié)前投產(chǎn)。 據(jù)報道，如今90%的生產(chǎn)設(shè)備已到位，大部分設(shè)備處于工藝調(diào)試階段，這里將打造一條極具市場競爭力
2021-01-06 13:42:212633 近日，媒體報道東風(fēng)汽車集團(tuán)公司旗下的智新半導(dǎo)體有限公司年產(chǎn)30萬套功率芯片模塊的生產(chǎn)線4月將投入量產(chǎn)，該產(chǎn)線產(chǎn)品有望打破海外壟斷，替代進(jìn)口。
2021-01-26 16:24:392538 嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱“斯達(dá)半導(dǎo)”）發(fā)布2021年度非公開發(fā)行A股股票預(yù)案，公司擬定增不超35億元，投建SiC芯片/功率半導(dǎo)體模塊等項目。
2021-03-04 15:07:141878 ? 納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）是全球氮化鎵功率芯片的開創(chuàng)者，成立于2014年，總部位于愛爾蘭，在深圳、杭州、上海都擁有銷售和研發(fā)中心。納微半導(dǎo)體擁有一支強(qiáng)大且不斷壯大
2021-03-10 14:33:012969 納微半導(dǎo)體向福布斯詳細(xì)介紹了納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的相關(guān)信息，并且介紹了氮化鎵功率芯片在電動汽車以及電動交通工具等方面的應(yīng)用。
2021-08-24 09:39:211267 
中為 ZWI002 氮化鎵 合封功率芯片，實戰(zhàn)應(yīng)用原理圖。設(shè)計簡單，走線美觀，生產(chǎn)直通率高。為PD快充市場填補多項空白。65W快充 1A1C 1A2C 整體設(shè)計成本優(yōu)化。
2022-01-11 09:19:2630 從全球產(chǎn)業(yè)發(fā)展轉(zhuǎn)移角度看，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是伴隨著上一輪計算機(jī)與互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)革命迅速發(fā)展起來的，整體上起源于美國，然后由于全球化帶來的國際分工，逐步向日本、韓國、中國臺灣轉(zhuǎn)移。而近年來，這一產(chǎn)業(yè)正在向國內(nèi)轉(zhuǎn)移，尤其是國產(chǎn)芯片正在崛起。工信部數(shù)據(jù)顯示，2021年我國集成電路銷售額為9591億元，同比增長21%。
2022-03-21 14:10:082687 
氮化鎵作為下一代半導(dǎo)體技術(shù)，其運行速度比傳統(tǒng)硅功率芯片快 20 倍。納微半導(dǎo)體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術(shù)，集成了氮化鎵功率場效應(yīng)管（GaN Power［FET］）、驅(qū)動、控制和保護(hù)模塊在單個SMT表面貼裝工藝封裝中。
2022-03-29 13:45:131626 氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級以提高效率和功率密度，將加速進(jìn)入更多類型的快充市場。
2022-05-05 10:32:561497 美國加利福尼亞州埃爾塞貢多，2022 年 5 月10日：氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克代碼：NVTS）正式發(fā)布 NV6169，這是一款采用 GaNSense?技術(shù)的650/800 V 大功率GaNFast?芯片，可滿足高功率應(yīng)用。
2022-05-11 11:24:311706 納微半導(dǎo)體于2022年9月正式發(fā)布新一采用GaNSense技術(shù)的 NV624x GaNFast半橋功率芯片，作為全新一代產(chǎn)品，其集成了兩個GaN FETs 和驅(qū)動器，以及控制、電平轉(zhuǎn)換、傳感和保護(hù)功能 ，其適用于手機(jī)移動、消費和工業(yè)市場中100-300W應(yīng)用。
2022-09-09 14:44:531480 無壓燒結(jié)銀成為 DA5聯(lián)盟選擇功率芯片連接材料的優(yōu)選方案之一
2023-01-02 16:08:18381 
電源管理芯片的檢測2如果外圍電源都正常但是電源管理芯片電壓不正?？梢韵葯z查場效應(yīng)管G極的電壓如注重阻值不一樣，基本可以確認(rèn)電源管理芯片是有問題的。功率 IC 是由功率半導(dǎo)體與驅(qū)動電路、電源管理芯片等集成而來的模塊，主要應(yīng)用在小電流和低電壓的環(huán)境。根據(jù)可控性分類，
2023-02-06 10:01:501799 目前納微在半橋氮化鎵功率芯片方向上的專利已授權(quán)76件，除去世界知識產(chǎn)權(quán)局WO的8件PCT專利之外，其授權(quán)率高達(dá)約80%，目前僅有3件專利處于失效狀態(tài)。
2023-02-06 14:36:21399 增加GaNSense?技術(shù)，全新GaNFast?氮化鎵功率芯片通過實時智能傳感和保護(hù)，為40億美元的手機(jī)充電器和消費市場帶來最
高效率和可靠性
11月8日，北京–氮化鎵（GaN）功率芯片的行業(yè)
2023-02-22 13:48:053 下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快，駕駛距離更遠(yuǎn)的電動汽車普及提前三年來到，并減少20%道路二氧化碳排放 2022年1月14日，北京—— 氮化鎵 (GaN) 功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 Navitas
2023-02-22 13:49:511 功率芯片一般是指一種集成了功率放大器或開關(guān)等功率驅(qū)動電路的集成電路，其主要作用是為外部負(fù)載提供高功率信號。通常，功率芯片會采用高電壓、大電流的工作方式，用于驅(qū)動一些需要較高功率的負(fù)載，如音響、電機(jī)等。
2023-02-27 15:54:122953 功率芯片主要用于將電信號轉(zhuǎn)換成為較高功率的電信號，以控制各種負(fù)載，例如驅(qū)動電機(jī)、燈泡、喇叭、加熱器等。功率芯片通常包括功率放大器、電源管理芯片、電流傳感器等功能模塊，具有高功率、高效率、高可靠性、低噪音等特點，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車、通信、醫(yī)療等領(lǐng)域。
2023-02-27 15:56:422664 功率芯片的制程與普通的半導(dǎo)體芯片有些不同，因為功率芯片需要承受更大的電流和電壓，因此在制程上需要更加注重功率芯片的耐壓性、耐熱性、導(dǎo)電性等特性。
2023-02-27 15:59:051429 ? 集成的GaNFast氮化鎵功率芯片讓充電更快、更高效、更便捷。 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）宣布旗下
2023-02-28 17:57:13823 芯片作為現(xiàn)代智能化時代的基礎(chǔ)，對于國家的科技水平以及未來的發(fā)展是至關(guān)重要的，現(xiàn)在的手機(jī)、電腦、智能電器等產(chǎn)品都要使用芯片，而國產(chǎn)芯片也越來越普遍化，種類也越來越豐富多樣，其中國產(chǎn)芯片之模擬芯片和功率
2023-03-10 17:50:382513 自氮化鎵進(jìn)軍快充市場以來，不過短短幾年時間，其憑借著極高的電能轉(zhuǎn)換效率和優(yōu)秀的高頻特性，使得采用氮化鎵功率芯片的充電器， 能在體積和重量只有傳統(tǒng)硅器件充電器的一半的前提下，提升3倍的充電速度， 迅速
2023-03-28 13:58:021193 
TC358774XBG/TC358775XBG功能規(guī)范定義DSISM到LVDS低功率芯片（或更縮寫，TC358775XBG芯片）。TC358775XBG是的后續(xù)芯片TC358764XBG
2023-06-13 17:31:121 摘要：為解決智能手機(jī)使用的大功率芯片中非均勻分布熱點的散熱問題，本文采用手機(jī)芯片作為熱源，利用軟件使手機(jī)滿載工作以模擬實際的高溫場景，采用具有各向異性導(dǎo)熱系數(shù)的導(dǎo)熱層和用于小型散熱系統(tǒng)的熱沉以提高
2022-10-27 11:44:54497 
無壓燒結(jié)銀成為DA5聯(lián)盟選擇功率芯片連接材料的優(yōu)選方案之一DA5聯(lián)盟即：德國羅伯特·博世（汽車電子業(yè)務(wù)部）、美國飛思卡爾半導(dǎo)體、德國英飛凌科技、荷蘭恩智浦半導(dǎo)體及意法合資的意法半導(dǎo)體宣布，已就
2023-01-03 11:27:28349 
此前，湖南湘江新區(qū)湖南三安一期工程裝幀，基板，外延，芯片車間全線大量生產(chǎn)，生產(chǎn)能力和收率穩(wěn)定上升。得益于新能源汽車市場的爆發(fā)，2022年湖南三安汽車規(guī)格及工業(yè)級硅電石半導(dǎo)體出貨量突破1億個。
2023-06-30 09:44:47459 英飛凌汽車部門總經(jīng)理Peter Schiefer表示：“作為汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域的全球領(lǐng)軍人物，英飛凌為干凈、安全的乘車券提供改變格局的解決方案。今天，igbt和二極管通過電力動力系統(tǒng)的有效電力轉(zhuǎn)換，對電動汽車產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)換起到了重要的作用。
2023-07-14 10:50:02385 摘要:文中采用Au80Sn20共晶焊料對GaAs功率芯片與MoCu基板進(jìn)行焊接，分析了焊接溫度、摩擦次數(shù)等工藝參數(shù)對共晶焊接的影響，給出了GaAs芯片共晶焊的工藝參數(shù)控制要求，通過掃描電鏡
2023-07-15 14:01:421276 
據(jù)資料顯示，協(xié)昌科技主要從事運動控制產(chǎn)品、電力芯片的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。近年來，協(xié)昌科技逐步建立了上下游電力芯片和下游運動控制產(chǎn)品的共同發(fā)展工作體系。根據(jù)對外銷售的產(chǎn)品形態(tài)，協(xié)昌科技的主要產(chǎn)品具體可分為晶圓、封裝成品、動作控制器、動作控制模塊四種。
2023-08-21 11:57:34545 資料顯示，協(xié)昌科技自成立以來專注于功率芯片的設(shè)計開發(fā)及其下游運動控制器的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。目前公司建有運動控制系統(tǒng)、功率芯片設(shè)計、集成電路封測、表面貼裝技術(shù)四大研發(fā)中心，通過江蘇省專精特新“小巨人”、江蘇省企業(yè)技術(shù)中心等認(rèn)定，擁有有效知識產(chǎn)權(quán)300余件。
2023-08-22 15:47:46408 納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設(shè)計套件（PDK），以實現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動器，邏輯和保護(hù)功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
2023-09-01 14:46:04409 
柵極電壓。上升過程，P阱中電子流向溝道，空穴流出P阱，在流經(jīng)P阱電阻及P型歐姆接觸電阻時，P阱瞬態(tài)電位上升，等效閾值電壓升高;
漏極電壓下降過程，P阱空間電荷區(qū)變窄，空穴流入P阱的空間電荷區(qū)，在流經(jīng)P阱電阻及P型歐姆接觸電阻時，P阱瞬態(tài)電位下降，有效閾值電壓降低。
2023-10-08 10:59:28365 
不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)換和功率放大的半導(dǎo)體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實現(xiàn)高效率和高功率密度的電力應(yīng)用。
2023-10-16 14:52:44544 隨著科技的不斷發(fā)展，無線通信、射頻設(shè)備和微波應(yīng)用等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅?b class="flag-6" style="color: red">功率放大器的需求不斷增加。為滿足這些需求，半導(dǎo)體行業(yè)一直在不斷尋求創(chuàng)新和進(jìn)步。其中，氮化鎵功率芯片已經(jīng)成為一項引領(lǐng)潮流的技術(shù)，為高頻、高功率應(yīng)用提供了全新的解決方案。
2023-10-18 09:13:14560 
功率芯片通過封裝實現(xiàn)與外部電路的連接，其性能的發(fā)揮則依賴著封裝的支持，在大功率場合下通常功率芯片會被封裝為功率模塊進(jìn)行使用。芯片互連（interconnection）指芯片上表面的電氣連接，在傳統(tǒng)模塊中一般為鋁鍵合線。
2023-10-24 10:52:091791 
驪微電子是芯朋微一級代理商，供應(yīng)PN7726無線充智能功率芯片，提供pn7726芯片資料，更多產(chǎn)品手冊、及應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2022-01-05 10:21:1618 供應(yīng)PN7727SP-A1 20W無線充發(fā)射功率芯片內(nèi)置LDO，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng) 用料資請向驪微電子申請。>>
2022-10-06 17:32:391 10月30日，中瑞宏芯半導(dǎo)體宣布，公司于近日完成近億元人民幣的產(chǎn)投融資，由光伏微逆領(lǐng)頭公司禾邁股份和頭部汽車電子供應(yīng)商納芯微聯(lián)合投資。
2023-11-02 16:27:47337 從三星S22到S23，下一代GaNFast?技術(shù)持續(xù)在超便攜、超快充的手機(jī)市場中取代傳統(tǒng)硅功率芯片
2023-11-03 14:04:49865 從三星S22到S23，下一代GaNFast技術(shù)持續(xù)在超便攜、超快充的手機(jī)市場中取代傳統(tǒng)硅功率芯片 加利福尼亞托倫斯2023年10月31日訊?—?納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布再度
2023-11-03 14:06:31609 日本東芝（Toshiba）集團(tuán)與芯片制造商羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)（Rohm）近日宣布將共同生產(chǎn)功率芯片，總投資額達(dá)3883億日元（約人民幣191億元），這一舉措旨在通過擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，提高成本競爭力，迎合電動車和產(chǎn)業(yè)機(jī)器等領(lǐng)域?qū)?b class="flag-6" style="color: red">功率芯片不斷增長的需求。
2023-12-12 10:07:27281 、頻率等參數(shù)的轉(zhuǎn)換以后才能供設(shè)備使用。而電能的轉(zhuǎn)換本質(zhì)是利用功率芯片的開關(guān)作用，實現(xiàn)弱電對強(qiáng)電的控制，對電能（功率）進(jìn)行處理。
2023-12-13 10:32:191037 
近日，據(jù)路透社消息，東芝和羅姆表示，他們將投資 3883 億日元（27 億美元）聯(lián)合生產(chǎn)功率芯片。
2023-12-14 09:30:47413 ，對器件通電狀態(tài)下的溫度場進(jìn)行計算，討論空洞對于熱阻的影響。有限元仿真結(jié)果表明，隨著芯片粘接層空洞越大，器件熱阻隨之增大，在低空洞率下，熱阻增加緩慢，高空洞率下，熱阻增加更明顯；總空洞率一致時，不同位置空洞對應(yīng)器件熱阻的關(guān)
2024-02-02 16:02:54109 
作為中國電力投資集團(tuán)核技術(shù)應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的重點項目，核力創(chuàng)芯始創(chuàng)于2021年3月，負(fù)責(zé)研發(fā)并建立我國首條功率芯片質(zhì)子輻照生產(chǎn)線。該公司致力于通過質(zhì)子輻照技術(shù)為IGBT、FRD二極管等功率芯片實現(xiàn)氫離子注入工藝，從而大幅提升其效能。
2024-01-17 13:58:43301 該項目坐落在浙江嘉興市南湖區(qū)，總投資高達(dá)1.3億人民幣，旨在建立專門的生產(chǎn)工廠以研發(fā)與批量生產(chǎn)全套高壓特色工藝功率芯片；此外，項目還設(shè)有先進(jìn)的潔凈生產(chǎn)空間、完備的輔助設(shè)施如動力站、氣站以及倉庫等。
2024-02-01 15:36:20382
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