`功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
?! ?b class="flag-6" style="color: red">功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的特點(diǎn)功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)與雙極型功率相比具有如下特點(diǎn):1.場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)是電壓控制型器件(雙極型是電流控制型器件),因此在驅(qū)動(dòng)大電流時(shí)無(wú)需推動(dòng)級(jí),電路較
2011-12-19 16:52:35
;lt;font face="Verdana">功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET,功率場(chǎng)控晶體管</font><
2009-05-12 20:38:45
功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET,功率場(chǎng)控晶體管
2019-04-10 10:02:53
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)是電壓控制型器件(雙極型是電流控制型器件),因此在驅(qū)動(dòng)大電流時(shí)無(wú)需推動(dòng)級(jí),電路較簡(jiǎn)單。
2019-09-30 09:01:58
功率場(chǎng)效應(yīng)管的驅(qū)動(dòng)
2012-08-20 21:01:05
1、驅(qū)動(dòng)電路功率場(chǎng)效應(yīng)管為單極型器件,輸入阻抗高。因而開關(guān)速度快,驅(qū)動(dòng)功率小,電路簡(jiǎn)單。但其極間電容較大,因此工作速度和驅(qū)動(dòng)源的內(nèi)阻抗有關(guān),柵極驅(qū)動(dòng)電路的形式各種各樣,按驅(qū)動(dòng)電路與柵極的連接方式
2018-01-31 10:01:49
功率場(chǎng)效應(yīng)管(VMOS)是單極型電壓控制器件。具有驅(qū)動(dòng)功率小、工作速度高、無(wú)二次擊穿問題、安全工作區(qū)寬等顯著特點(diǎn),還具有電流負(fù)溫度系數(shù)、良好的電流自動(dòng)調(diào)節(jié)能力、良好的熱穩(wěn)定性和抗干擾能力等優(yōu)點(diǎn)。其
2018-01-29 11:04:58
功率晶體管(GTR)具有控制方便、開關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點(diǎn),阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?!?、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管(GTR)具有控制方便、開關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點(diǎn),阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?!⒔Y(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
現(xiàn)行有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管相同,第三位字母J代表結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,O代表絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。第二位字母代表 材料,D是P型硅,反型層是N溝道;C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結(jié)型
2021-05-13 06:13:46
二次擊穿現(xiàn)象,安全工作區(qū)域?qū)挼忍攸c(diǎn),主要分為兩種:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣棧型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。對(duì)N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管2N3370的輸出特性進(jìn)行分析。對(duì)N溝道增強(qiáng)型MOSFET2N7000的輸出特性進(jìn)行仿真
2012-08-03 21:44:34
(1)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極S、柵極G、漏極D分別對(duì)應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c,它們的作用相似,圖1-6-A所示是N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳,圖1-6-B所示是P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-03-28 11:37:20
我們常接觸到晶體三級(jí)管,對(duì)它的使用也比較熟悉,相對(duì)來(lái)說對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn),但是,由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),例輸入阻抗高,噪聲低,熱穩(wěn)定性好等,在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2018-03-17 14:19:05
,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。一、場(chǎng)效應(yīng)管的分類 場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)因有兩個(gè)PN結(jié)而得名,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(JGFET)則因柵極與其它電極完全
2011-12-19 16:30:31
我們常接觸到晶體三級(jí)管,對(duì)它的使用也比較熟悉,相對(duì)來(lái)說對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn),但是,由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),例輸入阻抗高,噪聲低,熱穩(wěn)定性好等,在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-06-18 04:21:57
。場(chǎng)效應(yīng)管的工作方式有兩種:當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱為耗盡型;當(dāng)柵壓為零,漏極電流也為零,必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。場(chǎng)效應(yīng)晶體管作用是什么1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管
2019-05-08 09:26:37
音頻放大器的差分輸入電路及調(diào)制、較大、阻抗變換、穩(wěn)流、限流、自動(dòng)保護(hù)等電路,可選用結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。音頻功率放大、開關(guān)電源、逆變器、電源轉(zhuǎn)換器、鎮(zhèn)流器、充電器、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、繼電器驅(qū)動(dòng)等電路,可選用功率
2021-05-13 07:10:20
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18
如何搞定恒流電源電路設(shè)計(jì).doc第15章_基本放大電路.ppt基于較大功率的直流電機(jī)H橋驅(qū)動(dòng)電路方案.doc詳細(xì)講解MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路.doc場(chǎng)效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用知識(shí).doc全系列場(chǎng)效應(yīng)管
2019-08-11 22:46:35
溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。也可以任意測(cè)量結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管任意兩個(gè)電極之間的正、反向電阻值。若測(cè)出某兩只電極之間的正、反向電阻均相等,且為幾千歐姆,則這兩個(gè)電極分別為漏極D和源極S,另一個(gè)電極為柵極G
2021-05-25 07:05:04
場(chǎng)效應(yīng)管與雙極型三極管的比較
2012-08-20 08:46:13
載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。(3)有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管好。(4)場(chǎng)效應(yīng)管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。(2)場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。(3)有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管
2017-05-06 15:56:51
)場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。(3)有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管
2009-04-25 15:43:51
)場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。(4)場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場(chǎng)效應(yīng)管
2018-11-05 17:16:04
場(chǎng)效應(yīng)晶體管NMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。由此觀之,“雙極”、“單極”是指晶體管中參與導(dǎo)電的載流子類型數(shù),如同通訊系統(tǒng)的“雙工”、“單工”的區(qū)別一樣,而不是應(yīng)該是“雙結(jié)”和“單結(jié)”。轉(zhuǎn)載自電子發(fā)燒友網(wǎng)`
2012-07-11 11:42:48
在場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)照表中,收編了美國(guó)、日本及歐洲等近百家半導(dǎo)體廠家生產(chǎn)的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)次晶體管(MOSFET)、肖特基勢(shì)壘控制柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SB)、金屬半導(dǎo)體
2021-05-11 06:19:48
、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。一、場(chǎng)效應(yīng)管的分類 場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)因有兩個(gè)PN結(jié)而得名,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管
2013-03-27 16:19:17
,不消耗信號(hào)源功率,因此它的輸入電阻很高,它還具有很好的溫度特性、抗干擾能力強(qiáng)、便于集成等優(yōu)點(diǎn)。 場(chǎng)效應(yīng)管是靠一種極性的載流子導(dǎo)電,它又被稱為單極性三極管,它分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管
2012-07-11 11:36:52
:將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1k檔上,任選兩個(gè)電極,分別測(cè)出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等,且為幾千歐姆時(shí),則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S。因?yàn)閷?duì)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管而言,漏極和源極可互換,剩下
2012-07-28 14:13:50
。目前廣泛應(yīng)用的是SiO2為絕緣層的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,簡(jiǎn)稱MOSFET。以功能類型劃分,MOSFET分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種,其中耗盡型與增強(qiáng)型主要區(qū)別是在制造SiO2絕緣層
2019-07-29 06:01:16
場(chǎng)效應(yīng)管的特性是什么場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)有哪些場(chǎng)效應(yīng)管怎么選用?場(chǎng)效應(yīng)管的選用注意事項(xiàng)?
2021-04-20 06:49:52
兩個(gè)電極,分別測(cè)出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等,且為幾千歐姆時(shí),則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S。因?yàn)閷?duì)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管而言,漏極和源極可互換,剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬(wàn)用表
2008-06-03 14:57:05
作阻抗變換。 3、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。 4、場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。 5、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。 場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試 1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別: 場(chǎng)效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管
2021-05-13 06:55:31
材料的不同,結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來(lái)劃分,場(chǎng)效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強(qiáng)型的?! ?b class="flag-6" style="color: red">場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)
2009-04-25 15:38:10
?! 、?b class="flag-6" style="color: red">場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線 柵極電壓(UGs)對(duì)漏極電流(ID)的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性,反映這兩者之間關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。下圖1-60所示為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線。當(dāng)柵極電壓UGs取
2020-12-01 17:36:25
場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多,包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù),但一般使用時(shí)關(guān)注以下主要參數(shù):1、I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,柵極電壓U GS=0時(shí)的漏源電流
2009-04-25 15:43:12
這2圖是2個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管的手冊(cè),里面的功率看得有點(diǎn)亂,有沒有人能教下怎么看,謝謝
2019-03-10 21:09:56
場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別: 場(chǎng)效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極,源極和漏極分別對(duì)應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬(wàn)用表置于R×1k檔,用兩表筆分別測(cè)量每?jī)蓚€(gè)管腳間的正、反向電阻。當(dāng)某
2009-04-25 15:43:42
場(chǎng)效應(yīng)晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。FET應(yīng)用范圍很廣
2009-04-02 09:34:11
,場(chǎng)效應(yīng)管可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道場(chǎng)效應(yīng)管的柵極和源極間加上正電壓時(shí),其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí),電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻,稱為導(dǎo)通電阻RDS(ON)。必須清楚場(chǎng)效應(yīng)管的柵極
2020-07-10 14:51:42
Uds的增加而增加,Id由Ugs決定,相當(dāng)于雙極型晶體管的線性放大區(qū)。3.截止區(qū):很好理解,Ugs另外,當(dāng)Uds增加到一定程度,管子會(huì)被擊穿,漏極電流迅速增大,此時(shí)為擊穿區(qū),應(yīng)該避免。轉(zhuǎn)移特性即漏極電壓
2019-06-25 04:20:03
舉例而言,一個(gè)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,采用自偏置結(jié)構(gòu),即柵極和源極短接在一起源極也有一個(gè)電阻,在電源和漏極接一個(gè)負(fù)載,此時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管可以看做是一個(gè)互導(dǎo)放大器,壓控電流源,請(qǐng)問此時(shí)這種電路的輸入輸出電阻應(yīng)該怎么求
2024-01-15 18:06:15
是,最大輸出電流時(shí)產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場(chǎng)效應(yīng)管可以無(wú)需任何外接元件而直接并聯(lián),因?yàn)槠渎?b class="flag-6" style="color: red">極電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么原理,在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻?
2、場(chǎng)效應(yīng)管無(wú)需任何外接
2024-01-26 23:07:21
不會(huì)有明顯的改變。此時(shí)三極管功率基本不變,電流達(dá)到飽和,電壓降也已經(jīng)是最小值。
場(chǎng)效應(yīng)管以N增強(qiáng)型為例,其本質(zhì)是一個(gè)壓控電阻,通過控制柵源電壓控制漏源電阻,具有互導(dǎo)特性,輸出阻值的變化比上輸入電壓
2024-01-18 16:34:45
電壓低并且允許從信號(hào)源汲取更多電流時(shí),應(yīng)使用晶體管。(2)場(chǎng)效應(yīng)管利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,故稱為單極器件,晶體管既有多數(shù)載流子又有少數(shù)載流子導(dǎo)電,它被稱為雙極器件。(3)部分場(chǎng)效應(yīng)管的源漏極可以互換
2021-12-09 16:26:24
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)...
2022-02-16 06:48:11
)的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。BIPOLAR是指使用了雙極性元件,將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-05-06 05:00:17
的不同,結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來(lái)劃分,場(chǎng)效應(yīng)管又可分紅耗盡型與加強(qiáng)型。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,也有加強(qiáng)型的。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和加強(qiáng)型;P溝耗盡型和加強(qiáng)型四大類。見下圖。
2018-10-29 22:20:31
分為增強(qiáng)型和耗盡型,這兩種電子元器件工作原理略有不同,增強(qiáng)型管在柵極(G)加上正向電壓時(shí)漏極(D)和源極(S)才能導(dǎo)通,而耗盡型即使柵極(G)沒加正電壓,漏極(D)和源極(S)也是導(dǎo)通的。其實(shí)到這場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-04-15 12:04:44
,使Gate和Drain之間的場(chǎng)被建立,從而觸發(fā)這種場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)?! OSFET的主要用途: MOSFET在工業(yè)中有廣泛的應(yīng)用,主要用在邏輯電路,放大電路,功率電路等方面。普遍
2023-03-08 14:13:33
縮小每個(gè)晶體管面積以獲得相同的體積,從而在相同的總尺寸中產(chǎn)生更多的晶體管?! D1.平面場(chǎng)效應(yīng)管 在平面設(shè)計(jì)中,澆口僅控制一個(gè)方向。在 3D 設(shè)計(jì)中,門纏繞在鰭片周圍,提供兩個(gè)或三個(gè)方向的控制(圖
2023-02-24 15:20:59
晶體管的開關(guān)?! 〉诙糠?N型場(chǎng)效應(yīng)管的主要用途 N型場(chǎng)效應(yīng)管在一些工業(yè)設(shè)備和電子裝置中廣泛被用來(lái)控制信號(hào)的開關(guān)和功率的傳遞,可應(yīng)用于功率的放大器,適用于數(shù)字電路以及機(jī)械設(shè)備的控制等等?! 型
2023-03-08 14:21:22
晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身,因此在電壓放大器(電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍)、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用?! ”娝苤?,傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上,其工作
2021-05-13 06:33:26
晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身,因此在電壓放大器(電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍)、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。 眾所周知,傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上,其工作電流
2021-05-13 06:40:51
`內(nèi)容簡(jiǎn)介《射頻微波功率場(chǎng)效應(yīng)管的建模與特征》首先回顧了一般商用微波射頻晶體管的種類和基本構(gòu)造,介紹了高功率場(chǎng)效應(yīng)管的集約模型的構(gòu)成;描述了功率管一般電氣參數(shù)的測(cè)量方法,著重討論對(duì)功率管的封裝法蘭
2017-09-07 18:09:11
`內(nèi)容簡(jiǎn)介《射頻微波功率場(chǎng)效應(yīng)管的建模與特征》首先回顧了一般商用微波射頻晶體管的種類和基本構(gòu)造,介紹了高功率場(chǎng)效應(yīng)管的集約模型的構(gòu)成;描述了功率管一般電氣參數(shù)的測(cè)量方法,著重討論對(duì)功率管的封裝法蘭
2018-01-15 17:57:06
)場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。(3)有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管
2018-03-25 20:55:04
,和場(chǎng)效應(yīng)晶體管一樣,具有放大作用和開關(guān)特性的,是電子設(shè)備中的核心器件之- -,應(yīng)用十分廣泛。三極管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管雖然特性,外形相同,但是工作原理卻大不-樣,普通三極管是電流控制器件,二場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓
2019-04-09 11:37:36
管的UGS一ID曲線,可明白看出IDSS和UP的意義。(3)開啟電壓開啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管中,使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。(4)跨導(dǎo)跨導(dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對(duì)漏極電流ID的控制
2019-04-04 10:59:27
件,它是繼三極管之后的新一代放大元件,場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為耗盡型效應(yīng)晶體管和增強(qiáng)型效應(yīng)晶體管,同時(shí)又有N溝道和P溝耗盡型之分。場(chǎng)效應(yīng)管一般用于開關(guān)作用,有開關(guān)用以及有功率用。特別是電機(jī)、開關(guān)電源等,應(yīng)用場(chǎng)
2023-02-13 15:43:28
和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者,只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下應(yīng)優(yōu)先選用場(chǎng)效晶體應(yīng)管。三、三極管與場(chǎng)效應(yīng)晶體管區(qū)別特征:1、三極管之所以又被稱為雙極型管子,是因?yàn)楣茏釉诠ぷ鲿r(shí)內(nèi)部由空穴和自由電子兩種載流子參與
2019-04-08 13:46:25
場(chǎng)效應(yīng)管性能當(dāng)面不是已經(jīng)超過了三極管了么,三極管會(huì)不會(huì)被淘汰?為什么總是討論三極管問題?我是初學(xué)者,剛學(xué)了場(chǎng)效應(yīng)管,嘿嘿,
2015-11-04 12:54:44
件,它是繼三極管之后的新一代放大元件,場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為耗盡型效應(yīng)晶體管和增強(qiáng)型效應(yīng)晶體管,同時(shí)又有N溝道和P溝耗盡型之分。場(chǎng)效應(yīng)管一般用于開關(guān)作用,有開關(guān)用以及有功率用。特別是電機(jī)、開關(guān)電源等,應(yīng)用場(chǎng)
2023-02-08 17:22:23
1三極管基本特性晶體管分為三極管和場(chǎng)效應(yīng)管,三極管電路的學(xué)習(xí)更具普遍性,場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用我們放到后面電源管理的章節(jié)介紹。晶體管都可分為N型和P型,具體到三極管就是NPN三極管和PNP三極管。我們主要
2021-12-30 07:30:30
類型挑選好場(chǎng)效應(yīng)晶體管電子元件的第一步是取決選用N溝道或是P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。在典型的功率使用中,當(dāng)1個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管接地,而負(fù)載接入到干線電壓上時(shí),該場(chǎng)效應(yīng)晶體管就組成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中,應(yīng)選
2019-09-01 08:00:00
``中山回收場(chǎng)效應(yīng)管 中山場(chǎng)效應(yīng)管回收136-3166-5055銘盛電子科技長(zhǎng)期收購(gòu)IC,二,三極管,大小功率管,場(chǎng)效應(yīng)管,,三端穩(wěn)壓,整流橋,光耦,繼電器,變壓器,連接器,鉭電容,電感,磁珠,電容
2020-07-25 16:29:37
二極管三極管與晶閘管場(chǎng)效應(yīng)管解析
2021-02-24 09:22:34
類型。3.2 晶體管的種類及其特點(diǎn)》巨型晶體管GTR是一種高電壓、高電流的雙極結(jié)型晶體管(BJT),因此有時(shí)被稱為功率BJT。特點(diǎn):電壓高,電流大,開關(guān)特性好,驅(qū)動(dòng)功率高,但驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜;GTR和普通雙極結(jié)型
2023-02-03 09:36:05
?! ∮?jì)算鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管寬度 (W) 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的通道(鰭片)是垂直的。該設(shè)備需要牢記特定尺寸。喚起馬克斯·普朗克的“量子”,F(xiàn)inFET表現(xiàn)出一種稱為寬度量化的特性:其寬度是其高度的倍數(shù)。隨機(jī)
2023-02-24 15:25:29
的使用中也是必不可少的。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的種類很多,根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管;絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管又稱為金屬氧化物導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,或簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)管. 1、如何防止絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管
2016-01-26 10:19:09
VT稱為增強(qiáng)型MOS管的開啟電壓?! 螛O型晶體管特點(diǎn) 輸入電阻高,可達(dá)107~1015Ω,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(IGFET)可高達(dá)1015Ω?! ≡肼暤停瑹岱€(wěn)定性好,工藝簡(jiǎn)單,易集成,器件特性便于
2020-06-24 16:00:16
很多應(yīng)用中,甚至可以直接貼換三極管。1概述場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有...
2021-07-14 06:38:07
情況下,在HF~VHF頻段設(shè)計(jì)的寬帶射頻功放,采用場(chǎng)效應(yīng)管(FET)設(shè)計(jì)要比使用常規(guī)功率晶體管設(shè)計(jì)方便簡(jiǎn)單,正是基于場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗比較高,且輸入阻抗相對(duì)頻率的變化不會(huì)有太大的偏差,易于阻抗匹配
2019-06-19 06:30:29
1200AC:脈沖恒流源50uS~300uSD:Vce測(cè)量精度2mVE:Vce測(cè)量范圍0~8VF:電腦圖形顯示界面G:被測(cè)量器件智能保護(hù)二:應(yīng)用范圍A:大功率IGBT(雙極型晶體管)B:大功率場(chǎng)效應(yīng)管
2015-03-11 13:51:32
1. 場(chǎng)效應(yīng)晶體管開關(guān)電路學(xué)習(xí)過模擬電路的人都知道三極管是流控流器件,也就是由基極電流控制集電極與發(fā)射極之間的電流;而場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控流器件,也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間電流
2019-03-29 12:02:16
IGBT是由哪些部分組成的?絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)?如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢?
2021-11-02 06:01:06
如何快速定性判斷場(chǎng)效應(yīng)管、三極管的好壞?怎么判斷結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電極?有什么注意事項(xiàng)?如何判別晶體三極管管腳?
2021-05-10 06:36:25
如何挑選出好的場(chǎng)效應(yīng)晶體管?晶體三極管選用技巧有哪些?
2021-06-18 06:50:42
`從型號(hào)區(qū)分 場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)如IRF......... 三極管型號(hào)如國(guó)產(chǎn):3DD,國(guó)外:2S......... 場(chǎng)效應(yīng)管有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管,第三位字母J代表結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,O
2012-07-11 11:41:15
常用場(chǎng)效應(yīng)管及晶體管參數(shù)常用場(chǎng)效應(yīng)管及晶體管參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) (1)直流參數(shù) 飽和漏極電流IDSS 它可定義為:當(dāng)柵、源極之間的電壓等于零,而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時(shí),對(duì)應(yīng)的漏極電流
2008-08-12 08:39:59
場(chǎng)效應(yīng)管的G極和S極是絕緣的,其阻抗達(dá)數(shù)十兆歐姆,理論上驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管只需要電壓不需要電流,也就是零功率驅(qū)動(dòng),但許多電路尤其是要驅(qū)動(dòng)功率較大的場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),在G極前面卻有一個(gè)用PNP型和NPN型三極管
2019-05-22 08:29:46
明原先假定是正確的。再次測(cè)量的阻值均很小,說明是正向電阻,屬于P溝道場(chǎng)效應(yīng)管,黑表筆所接觸的也是柵極G。若不出現(xiàn)上述情況,可以互換紅黑表筆,按上述方法進(jìn)測(cè)試,直至判別柵極爲(wèi)止。普通結(jié)型效應(yīng)晶體管的源極
2019-03-21 16:48:50
本文展示氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
`海飛樂技術(shù)現(xiàn)貨替換IXFP14N85XM場(chǎng)效應(yīng)管MOS管驅(qū)動(dòng)跟雙極性晶體管相比,一般認(rèn)為使MOS管導(dǎo)通不需要電流,只要GS電壓高于一定的值,就可以了。這個(gè)很容易做到,但是,我們還需要速度。在MOS
2020-03-20 17:14:07
和工作原理電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管種類和結(jié)構(gòu)有許多種,按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道,同時(shí)又有耗盡型和增強(qiáng)型之分。在電力電子裝置中,主要應(yīng)用N溝道增強(qiáng)型。電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)電機(jī)理與小功率絕緣柵MOS管相同,但結(jié)構(gòu)有
2020-03-20 17:09:10
`晶體三極管簡(jiǎn)稱三極管,和場(chǎng)效應(yīng)晶體管一樣,具有放大作用和開關(guān)特性的,是電子設(shè)備中的核心器件之一,應(yīng)用十分廣泛。三極管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管雖然特性,外形相同,但是工作原理卻大不一樣,普通三極管是電流控制器
2019-03-27 11:36:30
的種類繁多,根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為結(jié)型場(chǎng)效晶體應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管;絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管又稱為金屬氧化物導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。1、防止絕緣柵型場(chǎng)效晶體應(yīng)管擊穿由于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管
2019-03-26 11:53:04
1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類型。
為使N溝道場(chǎng)效應(yīng)管能夠正常工作,應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓,以保證耗盡層承受反向電壓;在漏源之間加正向電壓,以形成漏極電流。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
IGBT 是一種功率開關(guān)晶體管,它結(jié)合了 mosfet 和 bjt 的優(yōu)點(diǎn),用于電源和電機(jī)控制電路絕緣柵極雙極性晶體管也簡(jiǎn)稱為 IGBT,是傳統(tǒng)雙極性晶體管晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的交叉,使其成為理想
2022-04-29 10:55:25
功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET,功率場(chǎng)控晶體管
功率場(chǎng)效應(yīng)管又叫功率場(chǎng)控晶體管。一.
2009-05-12 20:36:421457 功率場(chǎng)效應(yīng)管的原理、特點(diǎn)及參數(shù)
功率場(chǎng)效應(yīng)管又叫功率場(chǎng)控晶體管。
一.功率場(chǎng)效應(yīng)管
2009-10-06 22:55:144643 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(VF)又稱VMOS場(chǎng)效應(yīng)管。在實(shí)際應(yīng)用中,它有著比晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)管更好的特性。
2019-10-11 10:51:0926486 除了RDS(ON)之外,在MOS管的選擇過程中還有幾個(gè)MOS管參數(shù)也對(duì)電源設(shè)計(jì)人員非常重要。許多情況下,設(shè)計(jì)人員應(yīng)該密切關(guān)注數(shù)據(jù)手冊(cè)上的安全工作區(qū)(SOA)曲
2021-01-07 16:56:473430
評(píng)論
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