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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>功率場(chǎng)效應(yīng)管與雙極型功率晶體管之間的特性

功率場(chǎng)效應(yīng)管與雙極型功率晶體管之間的特性

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功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的結(jié)構(gòu),工作原理及應(yīng)用

?! ?b class="flag-6" style="color: red">功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的特點(diǎn)功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)與功率相比具有如下特點(diǎn):1.場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)是電壓控制器件(是電流控制器件),因此在驅(qū)動(dòng)大電流時(shí)無(wú)需推動(dòng)級(jí),電路較
2011-12-19 16:52:35

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功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET的特點(diǎn)

功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET,功率場(chǎng)控晶體管
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功率場(chǎng)效應(yīng)管有什么主要參數(shù)?

場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)是電壓控制器件(是電流控制器件),因此在驅(qū)動(dòng)大電流時(shí)無(wú)需推動(dòng)級(jí),電路較簡(jiǎn)單。
2019-09-30 09:01:58

功率場(chǎng)效應(yīng)管的驅(qū)動(dòng)

功率場(chǎng)效應(yīng)管的驅(qū)動(dòng)
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功率場(chǎng)效應(yīng)管的驅(qū)動(dòng)保護(hù)

1、驅(qū)動(dòng)電路功率場(chǎng)效應(yīng)管為單極器件,輸入阻抗高。因而開關(guān)速度快,驅(qū)動(dòng)功率小,電路簡(jiǎn)單。但其極間電容較大,因此工作速度和驅(qū)動(dòng)源的內(nèi)阻抗有關(guān),柵極驅(qū)動(dòng)電路的形式各種各樣,按驅(qū)動(dòng)電路與柵極的連接方式
2018-01-31 10:01:49

功率場(chǎng)效應(yīng)管(VMOS)的結(jié)構(gòu)原理

功率場(chǎng)效應(yīng)管(VMOS)是單極電壓控制器件。具有驅(qū)動(dòng)功率小、工作速度高、無(wú)二次擊穿問題、安全工作區(qū)寬等顯著特點(diǎn),還具有電流負(fù)溫度系數(shù)、良好的電流自動(dòng)調(diào)節(jié)能力、良好的熱穩(wěn)定性和抗干擾能力等優(yōu)點(diǎn)。其
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功率晶體管(GTR)具有控制方便、開關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點(diǎn),阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?!?、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管功率
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場(chǎng)效應(yīng)極管的型號(hào)命名方法分享

現(xiàn)行有兩種命名方法。第一種命名方法與極管相同,第三位字母J代表結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管,O代表絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。第二位字母代表 材料,D是P硅,反層是N溝道;C是N硅P溝道。例如,3DJ6D是結(jié)
2021-05-13 06:13:46

場(chǎng)效應(yīng)晶體管

二次擊穿現(xiàn)象,安全工作區(qū)域?qū)挼忍攸c(diǎn),主要分為兩種:結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣棧場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。對(duì)N溝道結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管2N3370的輸出特性進(jìn)行分析。對(duì)N溝道增強(qiáng)MOSFET2N7000的輸出特性進(jìn)行仿真
2012-08-03 21:44:34

場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶體三極管對(duì)比,誰(shuí)能更勝一籌?

(1)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源S、柵極G、漏D分別對(duì)應(yīng)于三極管的發(fā)射e、基極b、集電極c,它們的作用相似,圖1-6-A所示是N溝道MOS和NPN晶體三極管引腳,圖1-6-B所示是P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-03-28 11:37:20

場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用詳解

我們常接觸到晶體三級(jí),對(duì)它的使用也比較熟悉,相對(duì)來(lái)說對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn),但是,由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),例輸入阻抗高,噪聲低,熱穩(wěn)定性好等,在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2018-03-17 14:19:05

場(chǎng)效應(yīng)晶體管分類、結(jié)構(gòu)、測(cè)試、工作原理是什么

,現(xiàn)已成為晶體管功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。一、場(chǎng)效應(yīng)管的分類  場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)、絕緣柵兩大類。結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)因有兩個(gè)PN結(jié)而得名,絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(JGFET)則因柵極與其它電極完全
2011-12-19 16:30:31

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的使用

我們常接觸到晶體三級(jí),對(duì)它的使用也比較熟悉,相對(duì)來(lái)說對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn),但是,由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),例輸入阻抗高,噪聲低,熱穩(wěn)定性好等,在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-06-18 04:21:57

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類及作用

。場(chǎng)效應(yīng)管的工作方式有兩種:當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏電流的稱為耗盡;當(dāng)柵壓為零,漏電流也為零,必須再加一定的柵壓之后才有漏電流的稱為增強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管作用是什么1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管
2019-05-08 09:26:37

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的選用經(jīng)驗(yàn)分享

音頻放大器的差分輸入電路及調(diào)制、較大、阻抗變換、穩(wěn)流、限流、自動(dòng)保護(hù)等電路,可選用結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。音頻功率放大、開關(guān)電源、逆變器、電源轉(zhuǎn)換器、鎮(zhèn)流器、充電器、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、繼電器驅(qū)動(dòng)等電路,可選用功率
2021-05-13 07:10:20

場(chǎng)效應(yīng)晶體管相關(guān)資料下載

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管知識(shí)和使用分享!

如何搞定恒流電源電路設(shè)計(jì).doc第15章_基本放大電路.ppt基于較大功率的直流電機(jī)H橋驅(qū)動(dòng)電路方案.doc詳細(xì)講解MOSFET驅(qū)動(dòng)電路.doc場(chǎng)效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用知識(shí).doc全系列場(chǎng)效應(yīng)管
2019-08-11 22:46:35

場(chǎng)效應(yīng)管MOS如何判斷好壞相關(guān)資料推薦

溝道結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。也可以任意測(cè)量結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管任意兩個(gè)電極之間的正、反向電阻值。若測(cè)出某兩只電極之間的正、反向電阻均相等,且為幾千歐姆,則這兩個(gè)電極分別為漏D和源S,另一個(gè)電極為柵極G
2021-05-25 07:05:04

場(chǎng)效應(yīng)管極管的比較

場(chǎng)效應(yīng)管極管的比較
2012-08-20 08:46:13

場(chǎng)效應(yīng)管晶體管對(duì)比分析

載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為器件。(3)有些場(chǎng)效應(yīng)管的源和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管好。(4)場(chǎng)效應(yīng)管能在很小
2021-05-13 07:09:34

場(chǎng)效應(yīng)管晶體管的比較

。(2)場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為器件。(3)有些場(chǎng)效應(yīng)管的源和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管
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場(chǎng)效應(yīng)管晶體管的比較

場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為器件。(3)有些場(chǎng)效應(yīng)管的源和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管
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場(chǎng)效應(yīng)管晶體管的比較

場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為器件。(4)場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場(chǎng)效應(yīng)管
2018-11-05 17:16:04

場(chǎng)效應(yīng)管也是三個(gè)輸出為什么不是三極管

場(chǎng)效應(yīng)晶體管NMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。由此觀之,“”、“單極”是指晶體管中參與導(dǎo)電的載流子類型數(shù),如同通訊系統(tǒng)的“雙工”、“單工”的區(qū)別一樣,而不是應(yīng)該是“結(jié)”和“單結(jié)”。轉(zhuǎn)載自電子發(fā)燒友網(wǎng)`
2012-07-11 11:42:48

場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)照表資料分享

 在場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)照表中,收編了美國(guó)、日本及歐洲等近百家半導(dǎo)體廠家生產(chǎn)的結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)次晶體管(MOSFET)、肖特基勢(shì)壘控制柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SB)、金屬半導(dǎo)體
2021-05-11 06:19:48

場(chǎng)效應(yīng)管工作原理

、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為晶體管功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。一、場(chǎng)效應(yīng)管的分類  場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)、絕緣柵兩大類。結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)因有兩個(gè)PN結(jié)而得名,絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管
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場(chǎng)效應(yīng)管是一種什么元件而晶體管是什么元件

,不消耗信號(hào)源功率,因此它的輸入電阻很高,它還具有很好的溫度特性、抗干擾能力強(qiáng)、便于集成等優(yōu)點(diǎn)。 場(chǎng)效應(yīng)管是靠一種極性的載流子導(dǎo)電,它又被稱為單極性三極管,它分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管
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場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)方法與經(jīng)驗(yàn)

:將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1k檔上,任選兩個(gè)電極,分別測(cè)出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等,且為幾千歐姆時(shí),則該兩個(gè)電極分別是漏D和源S。因?yàn)閷?duì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管而言,漏和源極可互換,剩下
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場(chǎng)效應(yīng)管概念

。目前廣泛應(yīng)用的是SiO2為絕緣層的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,簡(jiǎn)稱MOSFET。以功能類型劃分,MOSFET分為增強(qiáng)和耗盡兩種,其中耗盡與增強(qiáng)主要區(qū)別是在制造SiO2絕緣層
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場(chǎng)效應(yīng)管特性參數(shù),怎么選用?有什么注意事項(xiàng)?

場(chǎng)效應(yīng)管特性是什么場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)有哪些場(chǎng)效應(yīng)管怎么選用?場(chǎng)效應(yīng)管的選用注意事項(xiàng)?
2021-04-20 06:49:52

場(chǎng)效應(yīng)管特性及檢測(cè)方法與注意應(yīng)用事項(xiàng)

兩個(gè)電極,分別測(cè)出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等,且為幾千歐姆時(shí),則該兩個(gè)電極分別是漏D和源S。因?yàn)閷?duì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管而言,漏和源極可互換,剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬(wàn)用表
2008-06-03 14:57:05

場(chǎng)效應(yīng)管的作用及測(cè)試資料分享

作阻抗變換。 3、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。 4、場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。 5、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。 場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試 1、結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別:   場(chǎng)效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管
2021-05-13 06:55:31

場(chǎng)效應(yīng)管的分類

材料的不同,結(jié)和絕緣柵各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來(lái)劃分,場(chǎng)效應(yīng)管又可分成耗盡與增強(qiáng)。結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡,絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡的,也有增強(qiáng)的?! ?b class="flag-6" style="color: red">場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)
2009-04-25 15:38:10

場(chǎng)效應(yīng)管的功能和基本特性

?! 、?b class="flag-6" style="color: red">場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線  柵極電壓(UGs)對(duì)漏電流(ID)的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性,反映這兩者之間關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。下圖1-60所示為N溝道結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線。當(dāng)柵極電壓UGs取
2020-12-01 17:36:25

場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)

場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多,包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù),但一般使用時(shí)關(guān)注以下主要參數(shù):1、I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)或耗盡絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,柵極電壓U GS=0時(shí)的漏源電流
2009-04-25 15:43:12

場(chǎng)效應(yīng)管的手冊(cè)功率怎么看?

這2圖是2個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管的手冊(cè),里面的功率看得有點(diǎn)亂,有沒有人能教下怎么看,謝謝
2019-03-10 21:09:56

場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試及測(cè)試方法

場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試1、結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別:  場(chǎng)效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極,源和漏分別對(duì)應(yīng)于晶體管的發(fā)射和集電極。將萬(wàn)用表置于R×1k檔,用兩表筆分別測(cè)量每?jī)蓚€(gè)管腳間的正、反向電阻。當(dāng)某
2009-04-25 15:43:42

場(chǎng)效應(yīng)管的知識(shí)與測(cè)量

場(chǎng)效應(yīng)晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與相反,也稱為單極晶體管。FET應(yīng)用范圍很廣
2009-04-02 09:34:11

場(chǎng)效應(yīng)管的選型及應(yīng)用概覽

場(chǎng)效應(yīng)管可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道場(chǎng)效應(yīng)管的柵極和源間加上正電壓時(shí),其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí),電流可經(jīng)開關(guān)從漏流向源。漏和源之間存在一個(gè)內(nèi)阻,稱為導(dǎo)通電阻RDS(ON)。必須清楚場(chǎng)效應(yīng)管的柵極
2020-07-10 14:51:42

場(chǎng)效應(yīng)管經(jīng)驗(yàn)總結(jié)

Uds的增加而增加,Id由Ugs決定,相當(dāng)于晶體管的線性放大區(qū)。3.截止區(qū):很好理解,Ugs另外,當(dāng)Uds增加到一定程度,管子會(huì)被擊穿,漏電流迅速增大,此時(shí)為擊穿區(qū),應(yīng)該避免。轉(zhuǎn)移特性即漏電壓
2019-06-25 04:20:03

晶體管場(chǎng)效應(yīng)管的·輸入輸出電阻是怎么求解的·?

舉例而言,一個(gè)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管,采用自偏置結(jié)構(gòu),即柵極和源極短接在一起源也有一個(gè)電阻,在電源和漏接一個(gè)負(fù)載,此時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管可以看做是一個(gè)互導(dǎo)放大器,壓控電流源,請(qǐng)問此時(shí)這種電路的輸入輸出電阻應(yīng)該怎么求
2024-01-15 18:06:15

晶體管Ⅴbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么?

是,最大輸出電流時(shí)產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場(chǎng)效應(yīng)管可以無(wú)需任何外接元件而直接并聯(lián),因?yàn)槠渎?b class="flag-6" style="color: red">極電流具有負(fù)溫度系數(shù)。 1、晶體管的Vbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么原理,在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻? 2、場(chǎng)效應(yīng)管無(wú)需任何外接
2024-01-26 23:07:21

晶體管場(chǎng)效應(yīng)管的本質(zhì)問題理解

不會(huì)有明顯的改變。此時(shí)三極管功率基本不變,電流達(dá)到飽和,電壓降也已經(jīng)是最小值。 場(chǎng)效應(yīng)管以N增強(qiáng)為例,其本質(zhì)是一個(gè)壓控電阻,通過控制柵源電壓控制漏源電阻,具有互導(dǎo)特性,輸出阻值的變化比上輸入電壓
2024-01-18 16:34:45

ASEMI的AO3401是場(chǎng)效應(yīng)管嗎,AO3401和三管有什么區(qū)別?

電壓低并且允許從信號(hào)源汲取更多電流時(shí),應(yīng)使用晶體管。(2)場(chǎng)效應(yīng)管利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,故稱為單極器件,晶體管既有多數(shù)載流子又有少數(shù)載流子導(dǎo)電,它被稱為器件。(3)部分場(chǎng)效應(yīng)管的源漏極可以互換
2021-12-09 16:26:24

IGBT絕緣柵晶體管的相關(guān)資料推薦

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵晶體管,是由BJT(極管)和MOS(絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)...
2022-02-16 06:48:11

IGBT絕緣柵雙極晶體管

)的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。BIPOLAR是指使用了極性元件,將稱為p和n的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作晶體管
2019-05-06 05:00:17

MOS 場(chǎng)效應(yīng)管資料大全

的不同,結(jié)和絕緣柵各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來(lái)劃分,場(chǎng)效應(yīng)管又可分紅耗盡與加強(qiáng)。結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡,絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡的,也有加強(qiáng)的。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡和加強(qiáng);P溝耗盡和加強(qiáng)四大類。見下圖。
2018-10-29 22:20:31

MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管背后的聯(lián)系,看完后就全明白了

分為增強(qiáng)和耗盡,這兩種電子元器件工作原理略有不同,增強(qiáng)在柵極(G)加上正向電壓時(shí)漏(D)和源(S)才能導(dǎo)通,而耗盡即使柵極(G)沒加正電壓,漏(D)和源(S)也是導(dǎo)通的。其實(shí)到這場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-04-15 12:04:44

MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的使用注意事項(xiàng)

,使Gate和Drain之間的場(chǎng)被建立,從而觸發(fā)這種場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)?! OSFET的主要用途:  MOSFET在工業(yè)中有廣泛的應(yīng)用,主要用在邏輯電路,放大電路,功率電路等方面。普遍
2023-03-08 14:13:33

MOSFET和鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的不同器件配置及其演變

縮小每個(gè)晶體管面積以獲得相同的體積,從而在相同的總尺寸中產(chǎn)生更多的晶體管?!   D1.平面場(chǎng)效應(yīng)管  在平面設(shè)計(jì)中,澆口僅控制一個(gè)方向。在 3D 設(shè)計(jì)中,門纏繞在鰭片周圍,提供兩個(gè)或三個(gè)方向的控制(圖
2023-02-24 15:20:59

N場(chǎng)效應(yīng)管FET是如何進(jìn)行工作的?

晶體管的開關(guān)?! 〉诙糠?N場(chǎng)效應(yīng)管的主要用途  N場(chǎng)效應(yīng)管在一些工業(yè)設(shè)備和電子裝置中廣泛被用來(lái)控制信號(hào)的開關(guān)和功率的傳遞,可應(yīng)用于功率的放大器,適用于數(shù)字電路以及機(jī)械設(shè)備的控制等等?! 
2023-03-08 14:21:22

VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管相關(guān)資料下載

晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身,因此在電壓放大器(電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍)、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用?! ”娝苤?,傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、源和漏極大大致處于同一水平面的芯片上,其工作
2021-05-13 06:33:26

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管是什么?

晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身,因此在電壓放大器(電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍)、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。 眾所周知,傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、源和漏極大大致處于同一水平面的芯片上,其工作電流
2021-05-13 06:40:51

【下載】《射頻微波功率場(chǎng)效應(yīng)管的建模與特征》

`內(nèi)容簡(jiǎn)介《射頻微波功率場(chǎng)效應(yīng)管的建模與特征》首先回顧了一般商用微波射頻晶體管的種類和基本構(gòu)造,介紹了高功率場(chǎng)效應(yīng)管的集約模型的構(gòu)成;描述了功率管一般電氣參數(shù)的測(cè)量方法,著重討論對(duì)功率管的封裝法蘭
2017-09-07 18:09:11

【下載】《射頻微波功率場(chǎng)效應(yīng)管的建模與特征》

`內(nèi)容簡(jiǎn)介《射頻微波功率場(chǎng)效應(yīng)管的建模與特征》首先回顧了一般商用微波射頻晶體管的種類和基本構(gòu)造,介紹了高功率場(chǎng)效應(yīng)管的集約模型的構(gòu)成;描述了功率管一般電氣參數(shù)的測(cè)量方法,著重討論對(duì)功率管的封裝法蘭
2018-01-15 17:57:06

【轉(zhuǎn)】三極管和MOS的區(qū)別

場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為器件。(3)有些場(chǎng)效應(yīng)管的源和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管
2018-03-25 20:55:04

一文教你秒懂晶體三極管場(chǎng)效應(yīng)晶體管選型的訣竅

,和場(chǎng)效應(yīng)晶體管一樣,具有放大作用和開關(guān)特性的,是電子設(shè)備中的核心器件之- -,應(yīng)用十分廣泛。三極管場(chǎng)效應(yīng)晶體管雖然特性,外形相同,但是工作原理卻大不-樣,普通三極管是電流控制器件,二場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓
2019-04-09 11:37:36

一文讓你秒懂場(chǎng)效應(yīng)晶體管的所有參數(shù)

的UGS一ID曲線,可明白看出IDSS和UP的意義。(3)開啟電壓開啟電壓UT是指加強(qiáng)絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管中,使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。(4)跨導(dǎo)跨導(dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對(duì)漏電流ID的控制
2019-04-04 10:59:27

極管場(chǎng)效應(yīng)管與IGBT到底怎么用?

件,它是繼三極管之后的新一代放大元件,場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為耗盡效應(yīng)晶體管和增強(qiáng)效應(yīng)晶體管,同時(shí)又有N溝道和P溝耗盡之分。場(chǎng)效應(yīng)管一般用于開關(guān)作用,有開關(guān)用以及有功率用。特別是電機(jī)、開關(guān)電源等,應(yīng)用場(chǎng)
2023-02-13 15:43:28

極管場(chǎng)效應(yīng)晶體管,誰(shuí)才是電子行業(yè)的領(lǐng)頭羊?

功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者,只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下應(yīng)優(yōu)先選用場(chǎng)效晶體應(yīng)。三、三極管場(chǎng)效應(yīng)晶體管區(qū)別特征:1、三極管之所以又被稱為管子,是因?yàn)楣茏釉诠ぷ鲿r(shí)內(nèi)部由空穴和自由電子兩種載流子參與
2019-04-08 13:46:25

極管場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管性能當(dāng)面不是已經(jīng)超過了三管了么,三極管會(huì)不會(huì)被淘汰?為什么總是討論三極管問題?我是初學(xué)者,剛學(xué)了場(chǎng)效應(yīng)管,嘿嘿,
2015-11-04 12:54:44

極管場(chǎng)效應(yīng)管及其IGBT到底該怎么用呢?

件,它是繼三極管之后的新一代放大元件,場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為耗盡效應(yīng)晶體管和增強(qiáng)效應(yīng)晶體管,同時(shí)又有N溝道和P溝耗盡之分。場(chǎng)效應(yīng)管一般用于開關(guān)作用,有開關(guān)用以及有功率用。特別是電機(jī)、開關(guān)電源等,應(yīng)用場(chǎng)
2023-02-08 17:22:23

極管基本特性介紹

1三極管基本特性晶體管分為三極管場(chǎng)效應(yīng)管,三極管電路的學(xué)習(xí)更具普遍性,場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用我們放到后面電源管理的章節(jié)介紹。晶體管都可分為N和P,具體到三極管就是NPN三極管和PNP三極管。我們主要
2021-12-30 07:30:30

不懂選擇三極管場(chǎng)效應(yīng)管?看這篇就夠了

類型挑選好場(chǎng)效應(yīng)晶體管電子元件的第一步是取決選用N溝道或是P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。在典型的功率使用中,當(dāng)1個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管接地,而負(fù)載接入到干線電壓上時(shí),該場(chǎng)效應(yīng)晶體管就組成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中,應(yīng)選
2019-09-01 08:00:00

中山回收場(chǎng)效應(yīng)管 中山場(chǎng)效應(yīng)管回收

``中山回收場(chǎng)效應(yīng)管 中山場(chǎng)效應(yīng)管回收136-3166-5055銘盛電子科技長(zhǎng)期收購(gòu)IC,二,三極管,大小功率管,場(chǎng)效應(yīng)管,,三端穩(wěn)壓,整流橋,光耦,繼電器,變壓器,連接器,鉭電容,電感,磁珠,電容
2020-07-25 16:29:37

極管極管與晶閘管場(chǎng)效應(yīng)管介紹

極管極管與晶閘管場(chǎng)效應(yīng)管解析
2021-02-24 09:22:34

什么是晶體管 晶體管的分類及主要參數(shù)

類型。3.2 晶體管的種類及其特點(diǎn)》巨型晶體管GTR是一種高電壓、高電流的結(jié)晶體管(BJT),因此有時(shí)被稱為功率BJT。特點(diǎn):電壓高,電流大,開關(guān)特性好,驅(qū)動(dòng)功率高,但驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜;GTR和普通結(jié)
2023-02-03 09:36:05

什么是鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管?鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管有哪些優(yōu)缺點(diǎn)?

?! ∮?jì)算鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管寬度 (W)  鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的通道(鰭片)是垂直的。該設(shè)備需要牢記特定尺寸。喚起馬克斯·普朗克的“量子”,F(xiàn)inFET表現(xiàn)出一種稱為寬度量化的特性:其寬度是其高度的倍數(shù)。隨機(jī)
2023-02-24 15:25:29

使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)注意事項(xiàng)!

的使用中也是必不可少的。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的種類很多,根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管;絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管又稱為金屬氧化物導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,或簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)管.  1、如何防止絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管
2016-01-26 10:19:09

單極晶體管的工作原理和特點(diǎn)

VT稱為增強(qiáng)MOS的開啟電壓?!   螛O晶體管特點(diǎn)  輸入電阻高,可達(dá)107~1015Ω,絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(IGFET)可高達(dá)1015Ω?! ≡肼暤停瑹岱€(wěn)定性好,工藝簡(jiǎn)單,易集成,器件特性便于
2020-06-24 16:00:16

單片機(jī)控制場(chǎng)效應(yīng)管

很多應(yīng)用中,甚至可以直接貼換三極管。1概述場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極晶體管。它屬于電壓控制半導(dǎo)體器件。具有...
2021-07-14 06:38:07

基于MOS場(chǎng)效應(yīng)管的大功率寬頻帶線性射頻放大器設(shè)計(jì)概述

情況下,在HF~VHF頻段設(shè)計(jì)的寬帶射頻功放,采用場(chǎng)效應(yīng)管(FET)設(shè)計(jì)要比使用常規(guī)功率晶體管設(shè)計(jì)方便簡(jiǎn)單,正是基于場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗比較高,且輸入阻抗相對(duì)頻率的變化不會(huì)有太大的偏差,易于阻抗匹配
2019-06-19 06:30:29

功率IGBT(晶體管),場(chǎng)效應(yīng)管(Mosfet)測(cè)試

1200AC:脈沖恒流源50uS~300uSD:Vce測(cè)量精度2mVE:Vce測(cè)量范圍0~8VF:電腦圖形顯示界面G:被測(cè)量器件智能保護(hù)二:應(yīng)用范圍A:大功率IGBT(晶體管)B:大功率場(chǎng)效應(yīng)管
2015-03-11 13:51:32

如何判斷場(chǎng)效應(yīng)晶體管方向,學(xué)會(huì)這幾步輕松搞定

1. 場(chǎng)效應(yīng)晶體管開關(guān)電路學(xué)習(xí)過模擬電路的人都知道三極管是流控流器件,也就是由基極電流控制集電極與發(fā)射之間的電流;而場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控流器件,也就是由柵極上所加的電壓控制漏與源之間電流
2019-03-29 12:02:16

如何去使用絕緣柵晶體管IGBT呢

IGBT是由哪些部分組成的?絕緣柵晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)?如何去使用絕緣柵晶體管IGBT呢?
2021-11-02 06:01:06

如何快速定性判斷場(chǎng)效應(yīng)管、三極管的好壞?

如何快速定性判斷場(chǎng)效應(yīng)管、三極管的好壞?怎么判斷結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管的電極?有什么注意事項(xiàng)?如何判別晶體三極管管腳?
2021-05-10 06:36:25

如何挑選出好的場(chǎng)效應(yīng)晶體管

如何挑選出好的場(chǎng)效應(yīng)晶體管?晶體三極管選用技巧有哪些?
2021-06-18 06:50:42

如何辯別場(chǎng)效應(yīng)管與三極管

`從型號(hào)區(qū)分 場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)如IRF......... 三極管型號(hào)如國(guó)產(chǎn):3DD,國(guó)外:2S......... 場(chǎng)效應(yīng)管有兩種命名方法。第一種命名方法與極管,第三位字母J代表結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管,O
2012-07-11 11:41:15

常用場(chǎng)效應(yīng)管晶體管參數(shù)

常用場(chǎng)效應(yīng)管晶體管參數(shù)常用場(chǎng)效應(yīng)管晶體管參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) (1)直流參數(shù) 飽和漏電流IDSS 它可定義為:當(dāng)柵、源之間的電壓等于零,而漏、源之間的電壓大于夾斷電壓時(shí),對(duì)應(yīng)的漏電流
2008-08-12 08:39:59

推動(dòng)電路在驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用

場(chǎng)效應(yīng)管的G和S是絕緣的,其阻抗達(dá)數(shù)十兆歐姆,理論上驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管只需要電壓不需要電流,也就是零功率驅(qū)動(dòng),但許多電路尤其是要驅(qū)動(dòng)功率較大的場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),在G前面卻有一個(gè)用PNP和NPN極管
2019-05-22 08:29:46

揭秘場(chǎng)效應(yīng)晶體管的使用訣竅,看完這里你就了然于胸

明原先假定是正確的。再次測(cè)量的阻值均很小,說明是正向電阻,屬于P溝道場(chǎng)效應(yīng)管,黑表筆所接觸的也是柵極G。若不出現(xiàn)上述情況,可以互換紅黑表筆,按上述方法進(jìn)測(cè)試,直至判別柵極爲(wèi)止。普通結(jié)效應(yīng)晶體管的源
2019-03-21 16:48:50

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管與硅功率器件比拼之包絡(luò)跟蹤,不看肯定后悔

本文展示氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46

海飛樂技術(shù)現(xiàn)貨替換IXFP14N85XM場(chǎng)效應(yīng)管

`海飛樂技術(shù)現(xiàn)貨替換IXFP14N85XM場(chǎng)效應(yīng)管MOS驅(qū)動(dòng)跟極性晶體管相比,一般認(rèn)為使MOS導(dǎo)通不需要電流,只要GS電壓高于一定的值,就可以了。這個(gè)很容易做到,但是,我們還需要速度。在MOS
2020-03-20 17:14:07

海飛樂技術(shù)現(xiàn)貨替換IXFP20N85X場(chǎng)效應(yīng)管

和工作原理電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管種類和結(jié)構(gòu)有許多種,按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道,同時(shí)又有耗盡和增強(qiáng)之分。在電力電子裝置中,主要應(yīng)用N溝道增強(qiáng)。電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)電機(jī)理與小功率絕緣柵MOS相同,但結(jié)構(gòu)有
2020-03-20 17:09:10

電子元件中場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶體三極管,誰(shuí)能領(lǐng)袖群倫

`晶體三極管簡(jiǎn)稱三極管,和場(chǎng)效應(yīng)晶體管一樣,具有放大作用和開關(guān)特性的,是電子設(shè)備中的核心器件之一,應(yīng)用十分廣泛。三極管場(chǎng)效應(yīng)晶體管雖然特性,外形相同,但是工作原理卻大不一樣,普通三極管是電流控制器
2019-03-27 11:36:30

電源中場(chǎng)效應(yīng)晶體管四點(diǎn)使用心得,你知道哪一個(gè)?

的種類繁多,根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為結(jié)場(chǎng)效晶體應(yīng)和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管;絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管又稱為金屬氧化物導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。1、防止絕緣柵場(chǎng)效晶體應(yīng)擊穿由于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管
2019-03-26 11:53:04

結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管的分類

1、結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類型。 為使N溝道場(chǎng)效應(yīng)管能夠正常工作,應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓,以保證耗盡層承受反向電壓;在漏源之間加正向電壓,以形成漏電流。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27

絕緣門/極性晶體管介紹與特性

IGBT 是一種功率開關(guān)晶體管,它結(jié)合了 mosfet 和 bjt 的優(yōu)點(diǎn),用于電源和電機(jī)控制電路絕緣柵極極性晶體管也簡(jiǎn)稱為 IGBT,是傳統(tǒng)極性晶體管晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管的交叉,使其成為理想
2022-04-29 10:55:25

功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET,功率場(chǎng)控晶體管

功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET,功率場(chǎng)控晶體管 功率場(chǎng)效應(yīng)管又叫功率場(chǎng)控晶體管。一.
2009-05-12 20:36:421457

功率場(chǎng)效應(yīng)管的原理、特點(diǎn)及參數(shù)

功率場(chǎng)效應(yīng)管的原理、特點(diǎn)及參數(shù) 功率場(chǎng)效應(yīng)管又叫功率場(chǎng)控晶體管。 一.功率場(chǎng)效應(yīng)管
2009-10-06 22:55:144643

功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)引腳符號(hào)

功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(VF)又稱VMOS場(chǎng)效應(yīng)管。在實(shí)際應(yīng)用中,它有著比晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)管更好的特性。
2019-10-11 10:51:0926486

功率場(chǎng)效應(yīng)管與雙極型功率晶體管之間特性比較

除了RDS(ON)之外,在MOS管的選擇過程中還有幾個(gè)MOS管參數(shù)也對(duì)電源設(shè)計(jì)人員非常重要。許多情況下,設(shè)計(jì)人員應(yīng)該密切關(guān)注數(shù)據(jù)手冊(cè)上的安全工作區(qū)(SOA)曲
2021-01-07 16:56:473430

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