材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優(yōu)勢。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因，介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動(dòng)態(tài)，對GaN 調(diào)制摻雜場效應(yīng)晶體管（MODFETs）的工作原理以及特性進(jìn)行了具體分析，并同其他微波器件進(jìn)行了比較，展示了其在微波高功率應(yīng)用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
在電子電路設(shè)計(jì)中，開始通常假設(shè)元器件在室溫下工作。單片微波集成電路設(shè)計(jì)，尤其是，當(dāng)直流電流流過體積日益縮小的器件時(shí)導(dǎo)致熱量成兩倍，三倍甚至四倍高于室溫，就違反了元器件在室溫下工作的假設(shè)。此種情況下
2019-07-04 06:47:35
微波集成電路設(shè)計(jì)Smith圓圖與阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)李芹，王志功東南大學(xué)射頻與光電集成電路研究所
2009-08-24 01:39:22
競爭優(yōu)勢的材料。——————形成階段——————大約20多年前，美國國防部曾通過的微波/毫米波單片集成電路 (MIMIC) 和微波模擬前端技術(shù) (MAFET) 計(jì)劃在開發(fā)基于砷化鎵的 MMIC 中
2017-08-15 17:47:34
器件的特點(diǎn) 碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達(dá)到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強(qiáng)為硅的5.3倍,高達(dá)3.2MV/cm.，其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍,為49w/cm.k?！ ∷c硅半導(dǎo)體材料
2019-01-11 13:42:03
了?！ 」逃袃?yōu)勢加上最新進(jìn)展 碳化硅的固有優(yōu)勢有很多，如高臨界擊穿電壓、高溫操作、具有優(yōu)良的導(dǎo)通電阻/片芯面積和開關(guān)損耗、快速開關(guān)等。最近，UnitedSiC采用常關(guān)型共源共柵的第三代SiC-FET器件已經(jīng)
2023-02-27 14:28:47
應(yīng)用，處理此類應(yīng)用的唯一方法是使用IGBT
器件。
碳化硅或簡稱
SiC已被證明是一種材料，可以用來構(gòu)建類似MOSFET的組件，使
電路具有比以往IGBT更高的效率。如今，
SiC受到了很多關(guān)注，不僅因?yàn)樗?/div>
2023-02-24 15:03:59
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢，將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì)，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8
2019-05-09 06:21:14
反向恢復(fù)電流，其關(guān)斷過程很快，開關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強(qiáng)度較高，可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
，同比增長15.77%。2020年H1，中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為3539億元，同比增長16.1%。碳化硅（SiC）的應(yīng)用碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，也是目前制造水平最成熟，應(yīng)用最廣
2021-01-12 11:48:45
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強(qiáng)度。在常溫和高溫下，碳化硅的機(jī)械強(qiáng)度都很高。25℃下，SiC的彈性模量，拉伸強(qiáng)度為1.75公斤/平方厘米，抗壓強(qiáng)度為
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計(jì)，2019年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達(dá)7562億元，同比增長15.77%。2020年H1，中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為3539億元，同比增長16.1%。每一次材料的更新?lián)Q代，都是產(chǎn)業(yè)的一次革命。碳化硅陶瓷基板在高鐵、太陽能光伏、風(fēng)能、電力輸送、UPS不間斷電源等電力電子領(lǐng)域均有不小單的作用。
2021-03-25 14:09:37
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅單晶上根據(jù)氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)；選用 0.25 μm 柵極尺寸制作工藝。與硅相比較
2024-02-27 14:09:50
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
%的峰值效率以及19dB的線性增益，若匹配以合適的諧波阻抗其峰值效率會超過80%。該功率效率性能可與最優(yōu)秀的碳化硅基氮化鎵器件的效率相匹敵，與傳統(tǒng)LDMOS器件相比有10%的效率提升。若能被正確地
2017-08-30 10:51:37
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優(yōu)勢，采用硅來做氮化鎵襯底，與碳化硅基氮化鎵相比，硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
TGF2954碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2954報(bào)價(jià)TGF2954代理TGF2954TGF2954現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司TGF2954是離散的5.04毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:01:58
TGF2955碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2955報(bào)價(jià)TGF2955代理TGF2955TGF2955現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司TGF2955是離散的7.56毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:06:57
遷移率晶體管(HEMTs)和單片微波集成電路(MMICs)的發(fā)展預(yù)示著高頻工作。此外，氮化鎵還用于紫外波長光電子器件。它具有高擊穿電場，大于硅或GaAs的50倍，這使得它可以用于高功率電子應(yīng)用。氮化鎵
2021-10-14 11:48:31
方形，通過兩個(gè)晶格常數(shù)（圖中標(biāo)記為a 和c）來表征。GaN 晶體結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體領(lǐng)域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應(yīng)用中為碳化硅[SiC]，電源電子應(yīng)用中為硅[Si]）上通過
2019-08-01 07:24:28
的設(shè)計(jì)和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì)，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體，其研究開發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
微波集成電路技術(shù)是無線系統(tǒng)小型化的關(guān)鍵技術(shù).在毫米波集成電路中,高性能且設(shè)計(jì)緊湊的功率放大器芯片電路是市場迫切需求的產(chǎn)品.
2019-09-11 11:52:04
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
=rgb(51, 51, 51) !important]與砷化鎵和磷化銦等高頻工藝相比，氮化鎵器件輸出的功率更大；與LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工藝相比，氮化鎵的頻率特性更好。氮化鎵器件的瞬時(shí)
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
，在這些環(huán)境中，傳統(tǒng)的硅基電子設(shè)備無法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運(yùn)行的能力將提高各種系統(tǒng)和應(yīng)用的性能，包括飛機(jī)、車輛、通信設(shè)備和航天器。今天，SiC MOSFET是長期可靠的功率器件。未來，預(yù)計(jì)多芯片電源或混合模塊將在SiC領(lǐng)域發(fā)揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
說到功率轉(zhuǎn)換電子器件，每位設(shè)計(jì)師都希望用到損耗最小的完美半導(dǎo)體開關(guān)，而寬帶隙碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）器件通常被認(rèn)為是接近完美的器件。不過，想要達(dá)到“完美”，只靠低損耗是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。開關(guān)必須
2023-02-05 15:14:52
大功率適配器為了減小對電網(wǎng)的干擾，都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時(shí)出現(xiàn)，強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動(dòng)力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
本文重點(diǎn)介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能，特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊?！ 》至?b class="flag-6" style="color: red">器件（如 TO-247）是將碳化硅集成到各種應(yīng)用中的第一步，但對于更強(qiáng)大和更
2023-02-20 16:29:54
附件：嘉和半導(dǎo)體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€(gè)兼顧品質(zhì)和性價(jià)比的完美方案?！ ≡?b class="flag-6" style="color: red">器件將傳統(tǒng)
2023-02-28 16:48:24
設(shè)計(jì)CoolSiC電路時(shí)允許選擇新的驅(qū)動(dòng)集成電路器，則值得考慮具有較高欠壓鎖定（約13V）的驅(qū)動(dòng)集成電路，以確保CoolSiC和系統(tǒng)可以在任何異常工作條件下安全運(yùn)行。 碳化硅MOSFET的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)
2023-03-14 14:05:02
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢性能則給封裝技術(shù)帶來了新的挑戰(zhàn)
2023-02-22 16:06:08
根據(jù)電壓控制增益電路理論及放大器設(shè)計(jì)原理，設(shè)計(jì)制作了一種基于GaAs工藝的可變增益功率放大器單片微波集成電路（ MMIC）。采用電路仿真ADS軟件進(jìn)行了原理圖及版圖仿真，研究了增益控制電路在放大器中的位置對性能的影響。
2021-04-06 08:32:23
。在這次活動(dòng)中，劍橋 GaN 器件公司宣布了其集成電路增強(qiáng)氮化鎵(ICeGaN)技術(shù)，以修改 GaN 基功率晶體管的柵極行為。這種新技術(shù)基于增強(qiáng)型 GaN 高電子遷移率晶體管，具有超低比導(dǎo)通電阻和非常低
2022-06-15 11:43:25
°C。系統(tǒng)可靠性大大增強(qiáng)，穩(wěn)定的超快速本體二極管，因此無需外部續(xù)流二極管。三、碳化硅半導(dǎo)體廠商SiC電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導(dǎo)體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長達(dá) 30 年的職業(yè)生涯中，長期擔(dān)任副總裁及更高級別的管理職位，并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
Wolfspeed 的 CMPA0530002S 是一種基于封裝的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。MMIC 功率放大器在輸入端匹配 50 歐姆
2022-05-17 11:12:58
Cree 的 CMPA0060002F1-AMP 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT) 基于單片微波集成電路 (MMIC)。 GaN具有優(yōu)越的與硅或砷化鎵相比的特性，包括更高
2022-05-17 12:09:15
Wolfspeed 的 CMPA1C1D060D 是基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)，位于碳化硅襯底上；使用 0.25-μm 柵極長度的制造
2022-06-27 17:02:56
Wolfspeed 的 CMPA1D1E025F 是基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)，位于碳化硅襯底上；使用 0.25-μm 柵極長度制造
2022-06-27 17:23:50
Wolfspeed 的 CMPA1D1E025F 是基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)，位于碳化硅襯底上；使用 0.25-μm 柵極長度制造
2022-06-27 17:26:15
Wolfspeed 的 CMPA1D1E030D 是基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)，位于碳化硅襯底上；使用 0.25-μm 柵極長度的制造
2022-06-27 17:34:27
Wolfspeed 的 CMPA2560025 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移
2022-06-28 10:41:06
Wolfspeed 的 CMPA2560025 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移
2022-06-28 10:46:15
Wolfspeed 的 CMPA2560025 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移
2022-06-28 10:48:03
Wolfspeed 的 CMPA2735015 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。與硅或砷化鎵相比，GaN 具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子
2022-06-28 11:22:27
Wolfspeed 的 CMPA2735015 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。與硅或砷化鎵相比，GaN 具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子
2022-06-28 11:28:20
Wolfspeed 的 CMPA2735030 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。與硅或砷化鎵相比，GaN 具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子
2022-06-28 14:09:52
Wolfspeed 的 CMPA2735030 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。與硅或砷化鎵相比，GaN 具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子
2022-06-28 14:12:41
Wolfspeed 的 CMPA2735075 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移
2022-06-28 14:26:31
Wolfspeed 的 CMPA2735075 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移
2022-06-28 14:28:23
Wolfspeed 的 CMPA2735075 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移
2022-06-28 14:30:19
Wolfspeed 的 CMPA2738060 是基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓
2022-06-29 09:19:52
Wolfspeed 的 CMPA2738060 是基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓
2022-06-29 09:21:43
Cree 的 CMPA3135060S 是氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT) 基于單片微波集成電路 (MMIC)。 GaN具有優(yōu)越的與硅或砷化鎵相比的特性，包括更高的擊穿率電壓，更高
2022-06-29 09:43:43
Cree 的 CMPA5259080S 是氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT) 基于單片微波集成電路 (MMIC)。 GaN具有優(yōu)越的與硅或砷化鎵相比的特性，包括更高的擊穿率電壓，更高
2022-07-01 10:20:20
Wolfspeed 的 CMP5585030 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移
2022-07-01 10:30:08
Wolfspeed 的 CMP5585030 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移
2022-07-01 10:32:18
Wolfspeed 的 CMP5585030 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移
2022-07-01 10:33:55
Wolfspeed 的 CMPA801B025 是一種基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿
2022-07-01 11:19:07
Wolfspeed 的 CMPA801B025 是一種基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿
2022-07-01 11:20:43
Wolfspeed 的 CMPA801B025 是一種基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿
2022-07-01 11:22:25
Wolfspeed 的 CMPA801B025 是一種基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿
2022-07-01 11:23:59
CMPA801B030F1氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC) Wolfspeed 的 CMPA801B030 系列 X 波段 MMIC 放大器在 7.9
2022-11-21 18:08:58
微波集成電路(MMIC)是什么意思
單片微波集成電路（MMIC）， 有時(shí)也稱射頻集成電路(RFIC)，它是隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的發(fā)展，特別是離
2010-03-05 10:46:14
10923 毫米波單片微波集成電路（MMIC）在軍事和航天系統(tǒng)中已經(jīng)使用很多年了，并且，在過去的十年中，人們已經(jīng)開發(fā)了其商業(yè)化應(yīng)用 - 例如，在通訊和車用雷達(dá)中的應(yīng)用。集成電路技術(shù)(I
2011-12-29 15:35:26
85 第一章 微波集成電路傳輸線 第二章 微波集成電路的主要元件 第三章 微波集成電路的貼氧體器件 第四章 微波集成電路的濾波器 第五章 阻抗變換器、耦合器和功率分配器 第六章 微波
2013-09-12 17:31:57399 中國集成電路大全-微波集成電路
2017-03-01 21:57:050 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是微波元器件和微波集成電路的學(xué)習(xí)課件免費(fèi)下載主要內(nèi)容包括了：微波無源元器件，微波有源元器件，微波集成電路簡介
2018-10-31 08:00:000 氮化鎵+碳化硅PD 方案的批量與國產(chǎn)氮化鎵和碳化硅SIC技術(shù)成熟密不可分，據(jù)悉采用碳化硅SIC做PFC管的方案產(chǎn)品體積更小，散熱更好，效率比超快恢復(fù)管提高2個(gè)百分點(diǎn)以上。
2021-04-01 09:23:261413 氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管這兩種化合物半導(dǎo)體器件已作為方案出現(xiàn)。這些器件與長使用壽命的硅功率橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS) MOSFET和超級結(jié)MOSFET競爭。
2022-04-01 11:05:193412 一旦硅開始達(dá)不到電路需求，碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導(dǎo)體材料浮出水面。與單獨(dú)的硅相比，這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復(fù)雜的電子產(chǎn)品。這些因素可能導(dǎo)致碳化硅和氮化鎵在整個(gè)電子市場上得到更廣泛的采用。
2022-12-13 10:01:358944 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”（WBG）。在帶隙寬度中，硅為1.1eV，SiC為3.3eV，GaN為3.4eV，因此寬帶隙半導(dǎo)體具有更高的擊穿電壓，在某些應(yīng)用中可以達(dá)到1200-1700V。
2023-02-05 14:13:341220 什么是第三代半導(dǎo)體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體，這個(gè)是相對以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 碳化硅和氮化鎵的區(qū)別? 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種常見的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在電子、光電和功率電子等領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景。雖然它們都是寬禁帶半導(dǎo)體材料，但是碳化硅和氮化鎵在物理性質(zhì)
2023-12-08 11:28:51741 
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