納微關(guān)于半橋氮化鎵功率芯片的專利整體概況

早在2017年，納微便發(fā)布了業(yè)界首款集成半橋氮化鎵功率芯片NV6250，截至目前，納微已在該技術(shù)方向下申請(qǐng)了103件專利。本期我們來一起看下納微關(guān)于半橋氮化鎵功率芯片所布局專利的整體概況。

圖1(a)-(b)中分別展示了這103件專利的申請(qǐng)趨勢和申請(qǐng)國家或地區(qū)，從圖中可以看到納微在半橋氮化鎵功率芯片方向上所申請(qǐng)的專利量從2015年一開始便達(dá)到了最高的33件，經(jīng)分析發(fā)現(xiàn)，此后的專利申請(qǐng)大多是這些早期專利的后續(xù)同族專利。

（a）申請(qǐng)趨勢

（b）申請(qǐng)國家或地區(qū)

圖1

通過進(jìn)一步分析上述這些專利發(fā)現(xiàn)，納微的專利布局具有以下特點(diǎn)：

1.同族專利多

其中，共計(jì)86件專利要求了在先的優(yōu)先權(quán)，占比約83.5%，這也使得其大部分專利都具有多個(gè)同族專利。具有代表性的包括，以US62127725作為優(yōu)先權(quán)的專利共計(jì)40個(gè)；以US62051160作為優(yōu)先權(quán)的專利共計(jì)38個(gè)（與前者具有部分重疊）。這種方式一方面可以使得后續(xù)的專利具有更早的優(yōu)先權(quán)，另一方面也有利于增加專利之間的關(guān)聯(lián)度，其形成組合式專利保護(hù)。

例如，在這103件專利中，有83件都采用下圖中所示的半橋結(jié)構(gòu)圖，表明這些專利都可應(yīng)用到相同的半橋架構(gòu)中。

圖2

2.專利質(zhì)量較高

從圖3中可以看到，目前納微在半橋氮化鎵功率芯片方向上的專利已授權(quán)76件，除去世界知識(shí)產(chǎn)權(quán)局WO的8件PCT專利之外，其授權(quán)率高達(dá)約80%，目前僅有3件專利處于失效狀態(tài)。

圖3

此外，這些專利中，權(quán)利要求項(xiàng)數(shù)大于20項(xiàng)的共計(jì)70件，且大部分具有超過兩項(xiàng)的獨(dú)立權(quán)利要求；在說明書方面，頁數(shù)在50頁以上的共計(jì)73件，其中有17件更是達(dá)到了100頁以上。以上內(nèi)容說明納微專利的保護(hù)層次較多更全面，整體說明書內(nèi)容詳細(xì)豐富，也有利于專利在審查過程中的修改，增加授權(quán)率。

3.保護(hù)角度全面

如上文中所提到的，在納微的這些專利中共有83件都采用了圖2所示的半橋結(jié)構(gòu)示意圖，這些專利通過不同的主題角度對(duì)半橋氮化鎵功率芯片產(chǎn)品的各個(gè)組成部分進(jìn)行了全面保護(hù)，以下以中國同族專利為例進(jìn)行展示。

在基礎(chǔ)架構(gòu)方面，專利CN110176858B主要對(duì)具有低側(cè)功率開關(guān)和高側(cè)功率開關(guān)的半橋式氮化鎵驅(qū)動(dòng)電路的整體架構(gòu)進(jìn)行了保護(hù)；專利CN107005163B對(duì)具有至少一個(gè)功率開關(guān)的驅(qū)動(dòng)架構(gòu)進(jìn)行了保護(hù)。

在電路的各個(gè)組成元件方面，下表中按最早優(yōu)先權(quán)日的時(shí)間順序進(jìn)行了展示：

最早優(yōu)先權(quán)日：20140820

CN106796930B

具有分布式柵極的功率晶體管

核心保護(hù)點(diǎn)的代表附圖