N溝道耗盡型MOSFET
1) N溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)
N
2009-09-16 09:41:43
23374 恩智浦發(fā)布業(yè)界最低RDSon的30V MOSFET-PSMN1R0-30YLC
中國上海，2010年12月6日訊--恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.
2010-12-19 10:36:44829 
Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 萬國半導(dǎo)體（AOS）發(fā)布了旗下最新150V MOSFET器件： AON6250。該器件作為AOS AlphaMOS （αMOS）中壓系列旗艦產(chǎn)品，為眾多設(shè)備追求極致效率提供了解決方案。AON6250
2013-05-14 10:23:153356 用N溝道MOSFET設(shè)計(jì)反向電壓保護(hù)電路
2022-04-29 17:59:3415878 
硬件面試中有遇到過這樣的事嗎？通常讓你畫一個(gè)增強(qiáng)型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
2023-11-21 15:05:31779 
`惠海半導(dǎo)體【中低壓MOS管廠家】，供應(yīng)中低壓壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)管NMOS管 廠家直銷，質(zhì)優(yōu)價(jià)廉 大量現(xiàn)貨 量大價(jià)優(yōu) 歡迎選購，超低內(nèi)阻，結(jié)電容超小，采用溝槽工藝，性能優(yōu)越,惠海半導(dǎo)體專業(yè)20-150V
2020-11-14 13:54:14
中低壓MOS管廣泛應(yīng)用于：LED車燈電源，LED電源，POE交換機(jī)，霧化器，香薰機(jī)，加濕器，美容儀，驅(qū)動(dòng)電機(jī)、防盜器等領(lǐng)域 型號(hào)HC037N06L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 60V30A30N06 內(nèi)阻
2020-11-12 11:24:12
`惠海半導(dǎo)體【MOS管原廠】廠家供應(yīng)n溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS管原廠，質(zhì)優(yōu)價(jià)廉大量現(xiàn)貨量大價(jià)優(yōu) 歡迎選購，低內(nèi)阻，潔電容小，采用先進(jìn)的溝槽工藝，性能優(yōu)越。電弧打火機(jī)專用MOS管 100V15A
2020-11-11 17:10:06
】型號(hào)：HC020N03LN溝道場(chǎng)效應(yīng)管30V30A TO-252內(nèi)阻20mR型號(hào)：HC3600MN溝道場(chǎng)效應(yīng)管30V8A SOT23-3內(nèi)阻22mR型號(hào)：HC3400MN溝道場(chǎng)效應(yīng)管30V5.8ASOT23-3內(nèi)阻
2020-11-11 17:32:09
，價(jià)格合理，貨源穩(wěn)定，品質(zhì)保證！型號(hào)：HC706N溝道場(chǎng)效應(yīng)管60V7A SOP-8封裝內(nèi)阻80mR型號(hào)：HC020N03LN溝道場(chǎng)效應(yīng)管30V30A TO-252封裝內(nèi)阻20mR型號(hào)：HC3600M
2020-10-09 14:25:10
：N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，內(nèi)阻10.5mR， 封裝：貼片（TO-252），低開啟電壓1.7V，低內(nèi)阻，結(jié)電容小,低開啟電壓，溫升低，轉(zhuǎn)換效率高，過電流大，抗沖擊能力強(qiáng)，可用于霧化器、香薰機(jī)、加濕器等15N
2020-12-02 15:41:01
`型號(hào):HC012N06L2參數(shù)：60V50A ，類型：n溝道場(chǎng)效應(yīng)管，內(nèi)阻14mR， 低結(jié)電容1100pF，封裝：貼片（TO-252），低開啟電壓1.5V，低內(nèi)阻，低結(jié)電容,低開啟電壓
2020-10-09 14:11:55
`型號(hào)：HC160N10L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管100V10A(10N10)TO-252封裝 內(nèi)阻145mR,可用于霧化器、車燈電源等型號(hào)：HC080N10L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管100V17A(17N
2021-03-03 15:32:16
、大電流、低開啟電壓、低內(nèi)阻、結(jié)電容小、低消耗、溫升低、轉(zhuǎn)換效率高、過電流達(dá)、抗沖擊能力強(qiáng)、SGT工藝，開關(guān)損耗小60V50A低內(nèi)阻低結(jié)電容N溝道MOS管HG012N06L`
2020-09-24 16:34:09
型號(hào):HC080N06LS【06N06】絲印：HC606參數(shù)：60V 6A 類型：N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 溝槽型內(nèi)阻72mR低結(jié)電容435pF 封裝：SOT23-3低開啟電壓1.8V廣泛用于車燈照明、車載
2021-03-08 16:42:08
60V耐壓mos管50N06_低成本_原廠直銷_種類齊全型號(hào)：HC15N10 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 100V15A(15N10)TO-252封裝，內(nèi)阻68mR,可用于加濕器、車燈電源等
2020-12-01 16:18:08
本帖最后由 xuehumaiya 于 2016-7-15 10:29 編輯
N溝道MOSFET PowerTrench??[N-Channel PowerTrench?? MOSFET]常用管...................
2013-03-01 08:23:44
`<p><font face="Verdana">N溝道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
;<p align="left">這款FDN359AN是N溝道邏輯電平MOSFET的生產(chǎn)采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench進(jìn)程，特別是
2010-04-15 09:51:37
N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)電路LTC4446資料下載內(nèi)容主要介紹了：LTC4446功能和特點(diǎn)LTC4446引腳功能LTC4446內(nèi)部方框圖LTC4446應(yīng)用電路
2021-04-15 06:53:16
為正時(shí)，它充當(dāng)增強(qiáng)型MOSFET。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管與P溝道場(chǎng)效應(yīng)管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負(fù)載，當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)，F(xiàn)ET導(dǎo)通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
：TO-252Ciss：920pF內(nèi)阻：（vgs=10v）9.1mΩ 低壓MOS管HC009N03L產(chǎn)品特性（vgs=10v）9.1mΩN溝道場(chǎng)效應(yīng)管快速切換低結(jié)電容445pF低開啟電壓1.5V低結(jié)電容溫升低轉(zhuǎn)換
2020-11-16 13:51:24
[table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][td][/td][td=363]一般描述一般特征[tr]該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)[td=331]RDS（ON）
2018-11-12 15:55:20
`N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
[table=363]N溝道增強(qiáng)型MOSFETTDM3512 [/td] [td]描述 該TDM3512采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門電荷。 這個(gè) 裝置是適合用作負(fù)載開關(guān)或在PWM 應(yīng)用。 一般特征 [tr][td]lRDS（ON）
2018-09-04 16:31:45
[table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征該TDM3550采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)◆40V/ 100A[tr]提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門電荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
：HC160N10LS參數(shù)：100V5A ，絲印：HC510 ，類型：N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，內(nèi)阻155mR，低結(jié)電容400pF，封裝：SOT23-3，低開啟電壓1.5V，低內(nèi)阻，結(jié)電容小,低開啟電壓產(chǎn)品型號(hào)
2020-07-24 17:25:11
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中，選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
AO9926B雙N溝道MOS管（20V 7.6A）
2020-10-31 16:51:02
`AON7544 N溝道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技術(shù)，具有極低的RDS（on），低柵極電壓和高電流能力，非常適合應(yīng)用在DC/DC電路中
2020-05-29 08:39:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N溝道MOS晶體管`
2012-08-20 08:03:59
BSS123 - 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
東莞市惠海半導(dǎo)體有限公司【中低壓MOS管廠家】，供應(yīng)中低壓壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)管NMOS管 廠家直銷，質(zhì)優(yōu)價(jià)廉 大量現(xiàn)貨 量大價(jià)優(yōu) 歡迎選購，低內(nèi)阻，結(jié)電容小，采用溝槽工藝，性能優(yōu)越。 主營SOT23-3
2021-03-13 11:32:45
惠海半導(dǎo)體【中低壓MOS管廠家】，供應(yīng)中低壓壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)管NMOS管 廠家直銷，質(zhì)優(yōu)價(jià)廉 大量現(xiàn)貨 量大價(jià)優(yōu) 歡迎選購，低內(nèi)阻，結(jié)電容小，采用溝槽工藝，性能優(yōu)越,惠海半導(dǎo)體專業(yè)20-150V系列
2020-12-10 11:26:01
`ISA04N65A N溝道MOSFETTO-220F 應(yīng)用范圍特征： ?適配器?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) ?充電器?低導(dǎo)通電阻 ?SMPS待機(jī)功率?低門電荷 ?LCD面板電源?峰值電流與脈沖寬度曲線 [/td][td]?ESD功能得到改善`
2018-09-06 13:43:36
`ISU04N65A N溝道 MOSFETISU04N65A N溝道MOSFETTO-251 應(yīng)用范圍特征： ?適配器?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) ?電視主要電源?低導(dǎo)通電阻 ?SMPS電源?低門電荷
2018-09-06 13:45:25
LT1158上單個(gè)輸入引腳的典型應(yīng)用同步控制圖騰柱配置中的兩個(gè)N溝道功率MOSFET
2019-05-28 09:02:21
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟(jì)高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2019-05-14 09:23:01
編輯-Z場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種電壓控制器件，根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)（簡稱JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)（簡稱MOSFET）兩大類。按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型分為N溝道和P溝道。根據(jù)導(dǎo)電方式：耗盡型
2021-12-28 17:08:46
`品牌：NCE新潔能型號(hào)：NCE3416封裝：SOT23-6批號(hào)：批號(hào)FET類型：N溝道漏源電壓（Vdss）：20V漏極電流(Id)：6.5A漏源導(dǎo)通電阻(RDS On)：16柵源電壓(Vgs
2021-07-21 16:14:39
，增強(qiáng)型MOSFET分為P溝道增強(qiáng)型和N溝道增強(qiáng)型，耗盡型MOSFET分為P溝道耗盡型和N溝道耗盡型。在本文中，小編將介紹其中一種類型的MOSFET，即P溝道MOSFET?；靖拍?b class="flag-6" style="color: red">溝道由大多數(shù)電荷載流子作為
2022-09-27 08:00:00
是主開關(guān)晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應(yīng)用的開關(guān)，本設(shè)計(jì)實(shí)例對(duì)P溝道和N溝道增強(qiáng)型MOSFET進(jìn)行了比較。對(duì)市場(chǎng)營銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
PCM15N12E 3A以上快充鋰電池保護(hù)MOSFET 的參數(shù)介紹 威明半導(dǎo)體/周R:***產(chǎn)品類型:12V ESD 鋰電池保護(hù)MOSFET參數(shù): 12V,5.9mohm (TYP: 4mohm
2019-07-31 10:45:31
概述：Y-QFT4503M（4503AGM）采用8腳貼片封裝，實(shí)為一只復(fù)合MOSFET，內(nèi)含一只P溝道和N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，如下圖所示，其最大漏源電流Idsm為7A，最大漏源電壓Vds為30V，該元件在TCL液晶電
2021-04-06 06:53:57
SL3020雙管30V16A 19毫歐DFN3.3x3.3-8-EPSL3020 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 30V16A 功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得
2020-06-20 10:04:16
深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) SLN30N03T30V 30A N溝道 MOS，原裝現(xiàn)貨熱銷 SLN30N03T參數(shù)： 30V30ADFN3*3-8 N溝道MOS管品牌：美浦森
2021-04-07 14:57:10
℃STH4612SP完美替代安森美EFC4612R雙N溝道功率MOS，24V6A，內(nèi)阻45mΩSTH4618SP完美替代安森美EFC4618R雙N溝道功率MOS，20V6A，內(nèi)阻15mΩSTH1227SP完美替代松下FCAB21490L雙N溝道功率MOS，12V27A，內(nèi)阻2.5mΩ
2021-07-21 17:09:05
【中低壓MOS供應(yīng)】VS3622DE，30V/35A，雙N溝道高級(jí)功率MOSFET 【中低壓MOS供應(yīng)】VS4610AE，40V55A，N溝道高級(jí)功率MOSFET VS3622DE
2020-11-04 14:40:31
800V，且 RDS(on) 在 10V VGS 時(shí)僅 0.15Ω ，在 4.5V 時(shí)僅 0.20Ω。威世硅尼克斯的 SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 也不含鹵素（按照 IEC
2019-07-09 17:30:39
本帖最后由 暗星歸來 于 2016-9-6 12:53 編輯
如題，因?yàn)橐獙?duì)電池進(jìn)行管理，對(duì)充電過程和放電過程控制其何時(shí)開始充電、停止充電、何時(shí)放電、何時(shí)停止放電，所以用兩個(gè)N溝道增強(qiáng)型
2016-09-06 12:51:58
，簡稱場(chǎng)效晶體管。內(nèi)部結(jié)構(gòu)（以N-MOSFET為例）如下圖所示。在P型半導(dǎo)體襯底上制作兩個(gè)N+區(qū)，一個(gè)稱為源區(qū)，一個(gè)稱為漏區(qū)。漏、源之間是橫向距離溝道區(qū)。在溝道區(qū)的表面上，有一層由熱氧化生成的氧化層作為
2023-02-10 15:33:01
低內(nèi)阻超結(jié)MOS NCE08N608A 600V內(nèi)阻600豪歐封裝TO-220 TO-251TO-252
2012-08-10 16:43:26
型號(hào)如下：型號(hào)：HC240N10LSN溝道場(chǎng)效應(yīng)管 絲印HC310，100V3A 3N10 SOT23-3封裝，內(nèi)阻200mR 型號(hào)：HC160N10LSN溝道場(chǎng)效應(yīng)管 絲印HC510 100V5A
2020-09-23 11:38:52
型號(hào)如下：型號(hào)：HC240N10LSN溝道場(chǎng)效應(yīng)管 絲印HC310，100V3A 3N10 SOT23-3封裝，內(nèi)阻200mR 型號(hào)：HC160N10LSN溝道場(chǎng)效應(yīng)管 絲印HC510 100V5A
2020-10-14 15:18:58
在通孔板上建立電路數(shù)小時(shí)后，我發(fā)現(xiàn)使用P-MOSFET時(shí)Vgs并不容易。經(jīng)過搜索，我發(fā)現(xiàn)我需要使用N-MOSFET或BJT（NPN）將源極電壓帶到柵極，以便關(guān)斷MOSFET。對(duì)我來說非常重要的是，當(dāng)
2018-08-23 10:30:01
電源管理ICTDM3412雙路N溝道增強(qiáng)型MOSFET 描述：TDM3412采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。 這個(gè)器件適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。一般描述：?頻道1RDS（ON）
2018-05-25 11:54:29
：SL50P03 P溝道DFN3.3*3.3-8 EP-30V -50ASL7403P溝道DFN3x3A-8 EP-30V -32ASL6411P溝道DFN5*6-8 EP-20V -85ASL3020N溝道
2020-07-02 14:49:14
/復(fù)位IC、背光驅(qū)動(dòng)芯片/MOS管SL3009N溝道SOP-830V 9ASL4354N溝道SOP-830V20A可替換 AO4354SL4406N溝道SOP-830V13A可替換 AO4406A
2020-07-27 16:55:26
N溝道和P溝道MOSFET哪個(gè)常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個(gè)常用?
2019-05-13 09:00:00
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V（絕對(duì)最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
，合適于功率MOSFET的應(yīng)用。這種結(jié)構(gòu)稱為垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散MOS結(jié)構(gòu)VDMOSFET（Vertical Double Diffused MOSFET）。N溝道MOSFET襯底為高摻雜的N+襯底，高摻雜溝道
2016-10-10 10:58:30
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中，選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。1、N溝通和P溝道
2016-12-07 11:36:11
， 電感電流檢測(cè)單元,電池電壓檢測(cè)電路和內(nèi)置場(chǎng)效應(yīng)晶體管驅(qū)動(dòng)電路等，具有外部元件少， 電路簡單等優(yōu)點(diǎn)。
當(dāng)電池電壓低于輸入電壓或電池短路時(shí),YB5082 在內(nèi)部N溝道MOSFET和P溝道MOSFET
2023-10-12 15:36:55
外場(chǎng)效應(yīng)晶體管驅(qū)動(dòng)電路等，具有外部元件少，電路簡單等優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)接通輸入電源后，QF8302進(jìn)入充電狀態(tài)，控制片外N溝道MOSFET導(dǎo)通，電感電流上升，當(dāng)上升到外部電流檢測(cè)電阻設(shè)置的上限時(shí)，片外N溝道
2021-09-23 18:32:01
溝道和N溝道增強(qiáng)型MOSFET進(jìn)行了比較。對(duì)市場(chǎng)營銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal Solution for Energy Transfer）的縮寫。對(duì)工程師來說
2021-04-09 09:20:10
有沒有人用過SI2307 P溝道MOSFET?不知道為什么5V的電壓無法關(guān)斷、、、是不是設(shè)計(jì)問題？
2016-08-28 18:29:46
`請(qǐng)問像9926、8814這樣的雙MOSFET的規(guī)格書里所描述的導(dǎo)通內(nèi)阻Rds(on)是指其一個(gè)MOSFET的內(nèi)阻還是指兩個(gè)MOSFET串聯(lián)后的總內(nèi)阻呢？望知道的朋友解答下，不勝感激，謝謝。`
2012-10-03 15:57:50
器件。一旦在MOSFET的柵極端施加電壓，源極溝道的漏極電阻將變得更大。當(dāng)柵源電壓增加更多時(shí)，從漏極到源極的電流將減少，直到電流從漏極到源極的流動(dòng)停止。耗盡型MOSFET有兩種類型，分別是P溝道和N溝道
2022-09-13 08:00:00
` 本帖最后由 meiyatechdptel 于 2011-11-16 17:16 編輯
超低內(nèi)阻高壓MOSFET陳章深圳市美亞科技有限公司ShenZhen Meiya Techology
2011-11-16 17:02:58
LTC2924，采用外部N溝道MOSFET的電源排序的簡單緊湊型解決方案
2019-04-16 06:07:32
Simulation Computing Cloud）。從2014年開始合作，2016年合作發(fā)布全球首款量產(chǎn)互聯(lián)網(wǎng)汽車榮威RX5至今，上汽集團(tuán)旗下自主品牌包括榮威、名爵、大通等新車全線搭載基于AliOS操作系統(tǒng)的斑馬
2018-06-19 16:04:24
`型號(hào):HC080N06LS參數(shù)：60V6A ，類型：N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，內(nèi)阻90mR，低結(jié)電容435pF，封裝：貼片（SOT23-3），低開啟電壓1.5V，低結(jié)電容，低內(nèi)阻，低結(jié)電容,低開啟電壓，溫升
2020-10-27 15:42:11
WhisperBattery荷蘭威仕博蓄電池6-GEL-70-銷售總部荷蘭Whisperpower蓄電池集團(tuán)-威仕博蓄電池納米吸酸膠體蓄電池威仕博電池WESSBOSS蓄電池集團(tuán) 成立
2022-11-02 14:21:51
威仕博納米吸酸膠體蓄電池（中國）有限公司W(wǎng)ESSBOSS威仕博蓄電池6-GEL-70現(xiàn)貨價(jià)格荷蘭Whisperpower蓄電池集團(tuán)-威仕博蓄電池納米吸酸膠體蓄電池威仕博電池WESSBOSS蓄電池集團(tuán)
2022-11-02 17:14:11
20V N-溝道增強(qiáng)型MOSFET
20V N-溝道增強(qiáng)型MOSFET簡介
2010-04-08 17:33:33
15 20V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管
20V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:36:2023 20V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管
20V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:39:0026 30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管
30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:41:0020 30V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管
30V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:42:0929 N加P溝道增強(qiáng)型MOSFET管
N加P溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:43:3925 N溝道增強(qiáng)型MOSFET
N溝道增強(qiáng)型MOSFET的工作原理
1) N溝道增強(qiáng)型MOSFET的結(jié)構(gòu)N 溝道增強(qiáng)型
2009-09-16 09:38:1810460 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 羅姆展出了采用溝道構(gòu)造的SiC制肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)和MOSFET。溝道型SBD的特點(diǎn)在于，與普通SiC制SBD相比二極管導(dǎo)通電壓(以下稱導(dǎo)通電壓)較低。溝道型SBD的導(dǎo)通電壓為0.5V，降到了以往
2011-10-12 09:35:301111 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:05873 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 MICRO FOOT器件具有20V MOSFET中最低的RDS(ON)，外形尺寸為1mm2或小于0.7mm2，開啟電壓低至1.2V
2015-06-19 17:07:561040 MOSFET多數(shù)是載流子器件， N溝道MOSFET在導(dǎo)電過程中有電子流動(dòng)。 P溝道在導(dǎo)電期間使用被稱為空穴的正電荷。電子的流動(dòng)性是空穴的三倍。盡管沒有直接的相關(guān)性，就RDS(on)而言，為得到相等的值，P溝道的管芯尺寸大約是N溝道的三倍。因此N溝道的管芯尺寸更小。
2018-03-09 14:28:1521279 
電源系統(tǒng)中的恒定電流源，固態(tài)繼電器，電信開關(guān)和高壓直流線路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當(dāng)柵極至源極電壓為零時(shí)，該MOSFET用作常開的開關(guān)。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率
2021-05-27 12:18:587444 
電源管理系統(tǒng)要實(shí)現(xiàn)高能源轉(zhuǎn)換效率、完善可靠的故障保護(hù)，離不開高性能的開關(guān)器件。近日，豪威集團(tuán)全新推出兩款 MOSFET：業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙 N 溝道 MOSFET WNMD2196A 和 SGT 80V N 溝道 MOSFET WNM6008。
2022-06-28 11:26:32910 由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關(guān)。
2022-11-18 11:28:212478 30 V，N 溝道 MOSFET-PMPB100ENE
2023-02-21 19:32:000 在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路，該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動(dòng)電路。
2023-04-29 09:35:005290 
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