美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200 V肖特基二極管系列
2012-11-22 14:09:061242 Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復電流?零正向恢復電壓?高頻工作?開關特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
。尤其在高壓工作環(huán)境下,依然體現優(yōu)異的電氣特性,其高溫工作特性,大大提高了高溫穩(wěn)定性,也大幅度提高電氣設備的整體效率?! ?b class="flag-6" style="color: red">產品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域?! ?200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現貨選型相比于Si半導體材料,SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點,SiC
2019-10-24 14:25:15
電壓或高溫條件的器件非常有利。在高頻、高溫、高功率及惡劣環(huán)境下,仍具有更優(yōu)越的開關性能以及更小的結溫和結溫波動。 碳化硅二極管廣泛應用于開關電源、功率因素校正(PFC)電路、不間斷電源(UPS)、光伏
2020-09-24 16:22:14
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
二極管的Vf特性,。Vgs為0V即MOSFET在關斷狀態(tài)下,沒有通道電流,因此該條件下的Vd-Id特性可以說是體二極管的Vf-If特性。如“何謂碳化硅”中提到的,SiC的帶隙更寬,Vf比
2018-11-27 16:40:24
和相比上一代的優(yōu)點,不過由于機會難得,能否請您首先介紹一下SiC-SBD的基礎內容?說實話,我認為非常了解使用了SiC(碳化硅)這種半導體的二極管和晶體管的特點的人并不多。是啊!2010年ROHM確立
2018-12-03 15:12:02
?二極管的參數是選用二極管的決定性因素之一,二極管的壓降的其中的一種。? 二極管在正向導通的時候,流過電流的時候會產生壓降。一般情況下,這個壓降和正向電流以及溫度有關。通常硅二極管,電流越大,壓降越大。溫度越高,壓降越小。但是碳化硅二極管卻是溫度越高,壓降越大。二極管規(guī)格書下載:
2021-03-22 17:25:26
近年來,以激光作為光源的投影機層出不窮,但大多數都使用的是價格相對較低的藍色激光二極管。日前,索尼和住友電工聯(lián)手推出了全新的綠光鐳射半導體二極管,它能提供足夠的亮度來替換現有RGB裝置中更昂貴的光源
2016-09-28 10:59:59
半導體二極管的伏安特性是什么?
2021-06-15 06:17:58
半導體二極管電子教案,半導體二極管課件教程:2.1 半導體的基本知識 2.1.1 半導體材料 2.1.2 半導體的共價鍵結構 
2009-06-22 23:12:51
半導體激光二極管TOLD9211是由哪些部分組成的?半導體激光二極管TOLD9211是如何工作的?使用半導體激光二極管TOLD9211有哪些注意事項?
2021-08-03 06:27:48
。碳化硅二極管廣泛用于能效至關重要的各種PFC拓撲結構。而且更易于處理電磁干擾(EMI),因其極快的反向恢復速度。安森美半導體擁有完整的650 V和1200 V SiC二極管產品陣容,涵蓋單相和多相
2018-10-30 08:57:22
范圍的高性能硅方案,也處于實現寬禁帶的前沿,具備全面的寬禁帶陣容,產品涵蓋碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)分立器件、模塊乃至圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng),為設計人員提供針對不同應用需求的更多的選擇。
2019-07-31 08:33:30
PN結器件優(yōu)越的指標是正向導通電壓低,具有低的導通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個缺點,一是反向耐壓VR較低,一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),其將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成格子花紋(check-pattern embedded SBD),以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
更進一步。其中UF系列的最新產品在1200V和650V器件上的導通電阻達到了同類產品最低,分別小于9毫歐和7毫歐。這些器件具有低損耗體二極管效應以及固有的抗過電壓和短路的能力,與Si-MOSFET或
2023-02-27 14:28:47
應用領域。更多規(guī)格參數及封裝產品請咨詢我司人員!附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購!碳化硅(SiC)半導體材料是自第一代元素半導體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
MOSFET 漏極出現浪涌并因寄生效應意外打開時。這種導通會產生從高壓到地的短路,從而損壞電路?! ∪绾悟寗?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅場效應管 考慮到卓越的材料性能,這個問題提出了如何控制這些部件才能發(fā)揮最佳作用。從我們所知
2023-02-24 15:03:59
泛的寬禁帶半導體材料之一,憑借碳化硅(SiC)陶瓷材料自身優(yōu)異的半導體性能,在各個現代工業(yè)領域發(fā)揮重要革新作用。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應用場合下極為理想的半導體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低
2021-01-12 11:48:45
下降0.5%。PFC拓撲中的高效率也是通過通道而不是體二極管升壓來實現的?! 」ぷ鳒囟认碌膶娮枧c硅相當 一個關鍵的比較參數是導通電阻 RDS(on)。硅 MOSFET 在紙面上看起來比 SiC 更好
2023-02-23 17:11:32
電磁性。因碳化硅是一種共價鍵化合物,原子間結合的鍵很強,它具有以下一些獨特的性能,因而得以廣泛應用。1)高熔點。關于碳化硅熔點的數據.不同資料取法不一,有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用,如汽車制動器和離合器,以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導體電子設備,如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅(SiC)是比較新的半導體材料。一開始,我們先來了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導體材料。其結合力非常強,在熱、化學、機械方面都
2018-11-29 14:43:52
碳化硅肖特基二極管主要特點及產品系列 基本半導體B1D系列碳化硅肖特基二極管主要技術參數如下: 650V、1200V系列B1D碳化硅肖特基二極管電流范圍從2-40A,封裝涵蓋TO-220,TO-252,TO-263,TO-247及其家族群封裝,產品列表見下:原作者:基本半導體
2023-02-28 16:55:45
?! 』?b class="flag-6" style="color: red">半導體自主研發(fā)推出了650V、1200V、1700V系列標準封裝碳化硅肖特基二極管及1200V碳化硅MOSFET產品,具有極高的工作效率,性能優(yōu)越達到國際先進水平,可廣泛應用于新能源充電樁、光伏逆變器
2023-02-28 16:34:16
,因此使用碳化硅(SiC)陶瓷線路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。3) 低損耗一般而言,半導體器件的導通損耗與其擊穿場強成反比,故在相似的功率等級下,SiC器件的導通損耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
,為2.2MV/cm,而硅是0.25MV/cm。可以進一步地提高碳化硅半導體的摻雜濃度,從而降低它的寬度,而這個寬度是與阻斷電壓呈正比。這就意味著,相對于硅基的二極管,碳化硅二極管的阻抗會明顯降低
2019-01-02 13:57:40
通損耗一直是功率半導體行業(yè)的不懈追求?! ∠噍^于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產品,基于寬禁帶碳化硅材料設計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導通電阻低,開關損耗小的特點,可降低器件損耗、減小產品
2023-02-27 16:14:19
器、太陽能電池、壓電換能器、光電材料器件、藍光、紫外光發(fā)光二極管和激光二極管。氧化鋅對藍色/紫外發(fā)光二極管和薄膜晶體管有著濃厚的興趣。在接下來的章節(jié)中,我們將回顧一些常見的寬帶隙半導體材料系統(tǒng)的濕法刻蝕方法
2021-10-14 11:48:31
有限公司(以下簡稱“薩科微”)為代表的“造芯”勢力正在奮力追趕,致力補齊國內功率半導體產業(yè)鏈中重要的一環(huán)。薩科微半導體產品包括“slkor”品牌的碳化硅SiC二極管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管
2023-03-17 11:08:33
項目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃:申請理由:碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料,近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
,華潤微電子在寬禁帶半導體領域匠心深耕,利用全產業(yè)鏈優(yōu)勢,從產品設計、制造工藝、封裝技術和系統(tǒng)應用等方面大力推進SiC器件產品產業(yè)化。華潤微SiC SBD系列產品具有可媲美國際先進水平的卓越產品性能,均已
2023-10-07 10:12:26
范圍的高性能硅方案,也處于實現寬禁帶的前沿,具備全面的寬禁帶陣容,產品涵蓋碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)分立器件、模塊乃至圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng),為設計人員提供針對不同應用需求的更多的選擇。
2020-10-30 08:37:36
。碳化硅二極管廣泛用于能效至關重要的各種PFC拓撲結構。而且更易于處理電磁干擾(EMI),因其極快的反向恢復速度。安森美半導體擁有完整的650 V和1200 V SiC二極管產品陣容,涵蓋單相和多相
2020-10-27 09:33:16
有限公司(以下簡稱“薩科微”)為代表的“造芯”勢力正在奮力追趕,致力補齊國內功率半導體產業(yè)鏈中重要的一環(huán)。薩科微半導體產品包括“slkor”品牌的碳化硅SiC二極管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管
2023-03-17 11:13:35
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結構是如何構成的?
2021-06-18 08:32:43
是1000V。FR106,FR107300ns快速恢復二極管FR101-FR105150nsSR260肖特基二極管 10ns左右反向恢復時間短,特別適用于高頻電路。二、碳化硅二極管碳化硅是一種新材料,幾乎不
2023-02-15 14:24:47
氧可靠性等可靠性問題備受關注。那么SiC MOSFET體二極管能抗多大的浪涌電流?其短路能力如何?如何保證柵極可靠性?SiC MOSFET的體二極管抗浪涌電流大小與芯片的大小成正比。像派恩杰半導體采用
2022-03-29 10:58:06
應用領域,SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產業(yè)的技術大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
相較于硅,碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術,提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流,且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能,因此被視為下一代功率半導體。安森美半導體
2018-10-29 08:51:19
相較于硅,碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術,提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流,且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能,因此被視為下一代功率半導體。
2020-07-30 07:14:58
介紹了采用商用1200V碳化硅(SiC)MOSFET和肖特基二極管的100KHz,10KW交錯式硬開關升壓型DC / DC轉換器的參考設計和性能。 SiC功率半導體的超低開關損耗使得開關頻率在硅實現方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24
大功率適配器為了減小對電網的干擾,都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器,基本也離不開碳化硅二極管,第三代半導體材料幾乎都是同時出現,強強聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
和 500A,帶或不帶碳化硅肖特基續(xù)流 1200V 二極管。 另一個例子是MiniSKiiP,這是一種無底板電源模塊,使用賽米控的SPRiNG系統(tǒng)將電源和輔助端子連接到PCB。彈簧位置由外殼設計固定
2023-02-20 16:29:54
來制成發(fā)光二極管,在電路及儀器中作為指示燈,或者組成文字或數字顯示。磷砷化鎵二極管發(fā)紅光,磷化鎵二極管發(fā)綠光,碳化硅二極管發(fā)黃光。它是半導體二極管的一種,可以把電能轉化成光能;常簡寫為LED。發(fā)光二極管
2012-07-12 15:40:31
混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)?;?b class="flag-6" style="color: red">半導體的碳化硅肖特基二極管采用的主要是碳化硅 JBS工藝技術,與硅 FRD對比的主要優(yōu)點有: 圖9 二極管反向恢復
2023-02-28 16:48:24
ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC(碳化硅)材料的SBD(肖特基勢壘二極管)。2010年在日本國內率先開始SiC SBD的量產,目前正在擴充第二代SIC-SBD產品陣容,并推動在
2018-12-04 10:26:52
技術需求的雙重作用,導致了對于可用于構建更高效和更緊湊電源解決方案的半導體產品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙(WBG)技術器件應運而生,如碳化硅場效應管(SiC MOSFET) 。它們能夠提供設計人
2023-03-14 14:05:02
相較于硅,碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術,提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流,且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能,因此被視為下一代功率半導體。
2019-07-25 07:51:59
,減少了不必要熱阻的增加?! ?5 總結 基本半導體推出的內絕緣型TO-220封裝碳化硅肖特基二極管產品,從優(yōu)化安裝工藝、提升產品質量、減少熱阻等方面很好地解決了絕緣和導熱痛點。原作者:基本半導體
2023-02-28 17:06:57
導 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標。為不斷提升產品核心競爭力,基本半導體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管,這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
砷化鎵功率二極管是寬帶隙半導體器件,其性能僅為碳化硅(SiC)的70%左右。本文對10kW LLC轉換器中GaAs、SiC和超快硅二極管的性能進行基準測試,該轉換器也常用于高效電動汽車充電
2023-02-21 16:27:41
金屬和半導體觸點形成肖特基勢壘以實現整流。與普通PN結二極管相比,它的反向恢復慣量非常低。因此,肖特基二極管適用于高頻整流或高速開關。碳化硅(SiC)是一種高性能半導體材料,因此SiC肖特基二極管具有
2023-02-07 15:59:32
對于高壓開關電源應用,碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
下一代電源半導體的方案陣容,包括針對汽車功能電子化的寬禁帶WBG(碳化硅SiC和氮化鎵GaN)、全系列電子保險絲eFuse以減少線束、和免電池的智能無源傳感器以在汽車感測/車身應用中增添功能。
2018-10-25 08:53:48
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導體電力電子技術的應用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術
2017-07-11 14:06:55
碳化硅 MOSFET 量身打造的解決方案,搭配基本半導體TO-247-3 封裝碳化硅 MOSFET。 2、通用型驅動核 1CD0214T17-XXYY 是青銅劍科技自主研發(fā)的一系列針對于單管碳化硅
2023-02-27 16:03:36
之一和全球第二大功率分立器件和模塊半導體供應商,提供廣泛的高能效和高可靠性的系統(tǒng)方案,并采用新型的寬禁帶材料如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等進行新產品開發(fā),用于汽車功能電子化和HEV/EV應用。
2019-07-23 07:30:07
碳化硅(SiC)等寬帶隙技術為功率轉換器設計人員開辟了一系列新的可能性。與現有的IGBT器件相比,SiC顯著降低了導通和關斷損耗,并改善了導通和二極管損耗。對其開關特性的仔細分析表明,SiC
2023-02-22 16:34:53
能夠提供硅和碳化硅的有用特性,本文探討了一項比較10kW、100kHz相移全橋(PSFB)性能的練習。在該應用中對GaAs、SiC和超快硅二極管進行基準測試的結果表明,GaAs二極管能夠以顯著較低
2023-02-22 17:13:39
,大多數硅用于高達250V的電壓,而砷化鎵、碳化硅或硅鍺被用作阻斷200至1700V電壓的半導體材料。硅肖特基二極管具有大約0.4V的低閾值電壓,工作電流較低時甚至低于0.1V。這遠遠低于電壓約為1V
2017-04-19 16:33:24
是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管。功率二極管包括結勢壘肖特基(JBS)二極管
2023-02-20 15:15:50
C3D06065E為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢肖特基勢壘二極管,電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案
2022-05-29 19:45:27
推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體推出最新650 V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產品,擴展了SiC二極管產品組合。
2018-03-01 13:14:178360 2018年6月5日 —推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體 (ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),發(fā)布了碳化硅 (SiC) 肖特基二極管的擴展系列,包括專門用于要求嚴苛的汽車應用的器件。
2018-06-21 16:08:423772 的表現越來越捉襟見肘,表1列出了這些領域中當前和未來對半導體器件工作溫度的要求。這些都促使人們將目光轉向了性能更佳的寬禁帶半導體材料,碳化硅(SIC)就是人們較為熟悉的一種第三代半導體材料,碳化硅是間接
2018-11-20 15:28:071412 在快充領域商用的大門。 圖1:SMBF封裝碳化硅肖特基二極管 針對PD快充“小輕薄”的特點,碳化硅功率器件領先企業(yè)基本半導體在國內率先推出SMBF封裝碳化硅肖特基二極管,該產品具有體積小、正向導通壓低和抗浪涌能力強等特點,能很好地滿足PD快充對器件
2021-04-19 11:37:022632 中,基本半導體總經理和巍巍博士發(fā)布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品。至此基本半導體產品布局進一步完善,產品競爭力再度提升,將助力國內第三代半導體產業(yè)進一步發(fā)展。基本半導體的碳化硅
2021-11-29 14:54:087839 關鍵半導體領域的專家Nexperia今天宣布推出 650 V、10 A SiC 肖特基二極管,進軍大功率碳化硅 (SiC) 二極管市場。這是 Nexperia 的一項戰(zhàn)略舉措,Nexperia 已經是值得信賴的高效功率氮化鎵 (GaN) FET 供應商,旨在擴展其高壓寬帶隙半導體器件產品。
2022-03-28 14:30:092205 碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導體化合物,屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結合力非常強,使半導體具有很高的機械、化學和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許
2022-12-30 13:57:49630 碳化硅(SiC)是一種高性能的半導體材料,基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性,可以在電力電子技術領域打破硅的極限,成為新能源及電力電子的首選器件。
2023-02-03 13:45:31321 碳化硅二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管,號稱反向恢復時間為零,是高效PFC boost電路的專用升壓二極管。以碳化硅二極管為代表的第三代半導體材料的發(fā)展開始受到重視,并在智能
2023-02-10 17:45:171730 碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導體器件,它具有較高的強度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。
2023-02-15 15:21:40629 晶圓(前端工藝)。碳化硅晶圓再經過劃片封裝測試(后段工藝)就變成了我們現在使用的半導體-碳化硅二極管和碳化硅MOS。
2023-02-21 10:04:111693 SiC碳化硅二極管起步電壓為650V,電流6A到10A,主要用于UPS、快充、微逆、電源、電動工具、消費類產品、工控。碳化硅二極管料號為:KN3D06065F(650V碳化硅二極管,電流6A,貼片
2023-02-21 10:12:241680 什么是第三代半導體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導體,這個是相對以硅基為核心的第二代半導體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 我們拿慧制敏造碳化硅半導體出品的KNSCHA碳化硅二極管封裝接下來我們來看一下碳化硅二極管的貼片封裝,常見的有有TO-263和TO-252封裝,隨著近些年電源對于功率密度要求不斷提高,碳化硅功率器件
2023-02-21 13:38:161795 基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia(安世半導體)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管,主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應用。10 A、650
2023-04-20 15:55:361319 碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導體器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性,因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應速度快等特點,廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領域,如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747 碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導體器件,具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應,即在金屬與半導體接觸處形成一個肖特基勢壘,使得半導體中的載流子向金屬一側偏移,形成整流效應。
2023-06-07 17:10:34801 碳化硅肖特基二極管是用碳化硅為原料的二極管。該材料是屬于第三代寬禁帶半導體材料,材料本身的性能就優(yōu)于硅材料。該類二極管由于反向恢復時間短,可提高系統(tǒng)效率,因此市面上的應用非常廣泛。本文重點提到
2022-08-16 10:14:23477 和管理者。今年,Nexperia(安世半導體)的熱插拔MOSFET與碳化硅肖特基二極管兩款明星產品現已雙雙入圍年度功率半導體! 采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET) 同時
2023-08-28 15:45:311140 基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia(安世半導體)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管,主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應用。10 A、650
2023-09-22 09:25:32260 2023年11月,日本三菱電機、安世半導體(Nexperia)宣布,將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅(SiC)MOSFET分立產品功率半導體。
2023-11-25 16:50:53451 基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia(安世半導體)近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件,RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 在當今快速發(fā)展的電力電子領域,碳化硅(SiC)材料因其出色的物理性能而備受關注。作為一種寬禁帶半導體材料,碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中,碳化硅肖特基二極管作為一種重要
2023-12-29 09:54:29186
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