UnitedSiC推出業(yè)界最佳6mΩ SiC FET

新增的9款器件可實現(xiàn)更高水平的設(shè)計靈活性

2021年9月14日，美國新澤西州普林斯頓：領(lǐng)先的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC（聯(lián)合碳化硅）公司，現(xiàn)已發(fā)布業(yè)界最佳的750V、6mΩ器件，從而響應(yīng)了電源設(shè)計人員對更高性能、更高效率的SiC FET的需求。這款6mΩ新器件的RDS（on）值不到最接近的SiC MOSFET競爭產(chǎn)品的一半，并且還提供了魯棒的5μs額定短路耐受時間。今天所發(fā)布的產(chǎn)品包括750V SiC FET系列中的9種新器件/封裝選項，額定值為6、9、11、23、33和44mΩ。所有器件均有采用TO-247-4L封裝的方案，同時18、23、33、44和60mΩ器件還提供了采用TO-247-3L封裝的方案。這一750V擴展系列與現(xiàn)有的18和60mΩ器件相輔相成，其為設(shè)計人員提供了更多的器件方案，實現(xiàn)了更大的設(shè)計靈活性，因此可實現(xiàn)最佳的性價比權(quán)衡，同時保持充足的設(shè)計裕度和電路魯棒性。

UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共柵”拓撲結(jié)構(gòu)，其內(nèi)部集成了一個SiC JFET并將之與一個硅MOSFET封裝在一起。這兩者結(jié)合起來就提供了寬禁帶技術(shù)的全部優(yōu)勢——可實現(xiàn)高速和低損耗以及高溫工作，同時還可保持簡單、穩(wěn)定和魯棒的柵極驅(qū)動，并具有集成的ESD保護。這些優(yōu)勢可通過品質(zhì)因數(shù)（FoM）進行量化，例如RDS（on）×A，這個指標衡量了每單位芯片面積的傳導(dǎo)損耗。在這一指標上，第4代SiC FET在高低裸片溫度下均可達到市場最低值。RDS（on）×EOSS/QOSS這一FoM在硬開關(guān)應(yīng)用中很重要，第4代SiC FET的這個值是最接近的競爭對手值的一半。RDS（on）×COSS（tr）？6？7？6？7這一FoM則在軟開關(guān)應(yīng)用中至關(guān)重要，如果將UnitedSiC額定電壓為750V的器件與競爭對手額定電壓為650V的器件相比，前者的這個值比后者低約30%。對于硬開關(guān)應(yīng)用，SiC FET的集成體二極管在恢復(fù)速度和正向壓降方面優(yōu)于競爭對手的Si MOSFET或SiC MOSFET技術(shù)。第4代技術(shù)中所包含的其他優(yōu)勢，則是通過先進的晶圓減薄技術(shù)和銀燒結(jié)貼片工藝降低了從裸片到外殼的熱阻。這些特性可在要求苛刻的應(yīng)用中實現(xiàn)最大功率輸出，同時實現(xiàn)低芯片溫升。

新的UnitedSiC SiC FET憑借其在開關(guān)效率和導(dǎo)通電阻方面的最新改進，非常適合具有挑戰(zhàn)性的新興應(yīng)用。其中包括電動汽車中的牽引驅(qū)動器以及車載和非車載充電器，以及可再生能源逆變器、功率因數(shù)校正、電信轉(zhuǎn)換器以及所有AC/DC或DC/DC功率轉(zhuǎn)換中單向和雙向功率轉(zhuǎn)換的所有階段。成熟的應(yīng)用也可以從使用這種器件中受益——可以憑借其與Si MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器以及成熟的TO-247封裝的向后兼容性來輕松提高效率。

正如UnitedSiC總裁兼首席執(zhí)行官Chris Dries所述：“UnitedSiC第4代SiC FET無疑是競爭技術(shù)中的性能領(lǐng)導(dǎo)者，并為寬禁帶開關(guān)技術(shù)樹立了新的標桿。新增的產(chǎn)品系列現(xiàn)在為所有的性能和預(yù)算規(guī)格以及更廣泛的應(yīng)用提供了更多選擇?！?/p>

新款750V第4代SiC FET的定價（1000片起，美國離岸價）從UJ4C075044K3S的4.15美元到UJ4SC075006K4S的23.46美元不等。