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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>Nexperia擴展LFPAK56D MOSFET產(chǎn)品系列,推出符合AEC-Q101標準的半橋封裝產(chǎn)品

Nexperia擴展LFPAK56D MOSFET產(chǎn)品系列,推出符合AEC-Q101標準的半橋封裝產(chǎn)品

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采用 TrenchMOS 技術的 LFPAK56D 中的 N 溝道 60 V、9.3 mOhm、標準電平 MOSFET-PSMN9R3-60HS
2023-02-08 19:10:460

采用 TrenchMOS 技術的 LFPAK56D中的N溝道 100V,45mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN045-100HL

采用 TrenchMOS 技術的 LFPAK56D 中的 N 溝道 100 V、45 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN045-100HL
2023-02-08 19:11:020

采用 TrenchMOS 技術的 LFPAK56D中的N溝道 100V,29mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN029-100HL

采用 TrenchMOS 技術的 LFPAK56D 中的 N 溝道 100 V、29 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN029-100HL
2023-02-08 19:11:190

采用 TrenchMOS 技術的 LFPAK56D中的N溝道 100V,37.6mOhm、標準電平 MOSFET-PSMN038-100HS

采用 TrenchMOS 技術的 LFPAK56D 中的 N 溝道 100 V、37.6 mOhm、標準電平 MOSFET-PSMN038-100HS
2023-02-08 19:11:300

采用 TrenchMOS 技術的 LFPAK56D中的N溝道 100V,27.5mOhm、標準電平 MOSFET-PSMN028-100HS

采用 TrenchMOS 技術的 LFPAK56D 中的 N 溝道 100 V、27.5 mOhm、標準電平 MOSFET-PSMN028-100HS
2023-02-08 19:11:450

采用 TrenchMOS 技術的 LFPAK56D中的N溝道 100V,24.5mOhm、標準電平 MOSFET-PSMN025-100HS

采用 TrenchMOS 技術的 LFPAK56D 中的 N 溝道 100 V、24.5 mOhm、標準電平 MOSFET-PSMN025-100HS
2023-02-08 19:11:590

采用 TrenchMOS 技術的 LFPAK56D中的N溝道 40V,8.5mOhm、標準電平 MOSFET-PSMN8R5-40HS

采用 TrenchMOS 技術的 LFPAK56D 中的 N 溝道 40 V、8.5 mOhm、標準電平 MOSFET-PSMN8R5-40HS
2023-02-08 19:12:120

采用 NextPowerS3 技術的 LFPAK56D中的N溝道 40V,13.6mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN014-40HLD

采用 NextPowerS3 技術的 LFPAK56D 中的 N 溝道 40 V、13.6 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN014-40HLD
2023-02-08 19:12:260

雙N溝道 40V,4.2mOhm 標準電平 MOSFET,采用 LFPAK56D(半橋配置)-BUK7V4R2-40H

雙 N 溝道 40 V、4.2 mOhm 標準電平 MOSFET,采用 LFPAK56D(半橋配置)-BUK7V4R2-40H
2023-02-08 19:27:160

RGS系列:支持AEC-Q101的車載用1200V耐壓IGBT

ROHM新開發(fā)的“RGS系列”是滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號,傳導損耗非常低,非常有助于應用的小型化與高效化。
2023-02-09 10:19:23456

滿足AEC-Q101標準的SiC MOSFET又增10個型號,業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容!

ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉換器,又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET,該系列產(chǎn)品“支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101”,而且共有13款型號,擁有業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容。
2023-02-09 10:19:24564

雙N溝道 40V,13mOhm 標準電平 MOSFET,采用 LFPAK56D(半橋配置)-PSMN013-40VLD

雙 N 溝道 40 V、13 mOhm 標準電平 MOSFET,采用 LFPAK56D(半橋配置)-PSMN013-40VLD
2023-02-15 19:52:550

雙N溝道 40V,4.2mOhm 標準電平 MOSFET,采用 LFPAK56D(半橋配置)-PSMN4R2-40VSH

雙 N 溝道 40 V、4.2 mOhm 標準電平 MOSFET,采用 LFPAK56D(半橋配置)-PSMN4R2-40VSH
2023-02-15 19:53:060

LFPAK56D中的雙N溝道 40V,13mOhm 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K13-40H

LFPAK56D 中的雙 N 溝道 40 V、13 mOhm 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K13-40H
2023-02-16 21:23:330

LFPAK56D(半橋配置)中的雙N溝道 40V,13mOhm 邏輯電平 MOSFET-BUK9V13-40H

LFPAK56D(半橋配置)中的雙 N 溝道 40 V、13 mOhm 邏輯電平 MOSFET-BUK9V13-40H
2023-02-16 21:23:500

采用重復雪崩技術的 LFPAK56D中的雙N溝道 60V,35mOhm 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K35-60RA

采用重復雪崩技術的 LFPAK56D 中的雙 N 溝道 60 V、35 mOhm 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K35-60RA
2023-02-17 19:06:540

采用重復雪崩技術的 LFPAK56D中的雙N溝道 60V,55mOhm 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K52-60RA

采用重復雪崩技術的 LFPAK56D 中的雙 N 溝道 60 V、55 mOhm 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K52-60RA
2023-02-17 19:07:050

采用重復雪崩技術的 LFPAK56D中的雙N溝道 40V,29mOhm 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K25-40RA

采用重復雪崩技術的 LFPAK56D 中的雙 N 溝道 40 V、29 mOhm 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K25-40RA
2023-02-17 19:07:210

采用重復雪崩技術的 LFPAK56D中的雙N溝道 60V,12.5mOhm 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K13-60RA

采用重復雪崩技術的 LFPAK56D 中的雙 N 溝道 60 V、12.5 mOhm 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K13-60RA
2023-02-17 19:07:320

NEXPERIA LFPAK 功率 MOSFET中的最大連續(xù)電流-AN90016

NEXPERIA LFPAK 功率 MOSFET 中的最大連續(xù)電流-AN90016
2023-02-17 19:38:100

白皮書:GaN FET 技術和 AEC-Q101 認證所需的穩(wěn)健性 – 中文(650 V GaN FET 技術可提供出色效率,以及 AEC-Q101 認證所需的耐久性)-nexperia_whitepaper_...

白皮書:GaN FET 技術和 AEC-Q101 認證所需的穩(wěn)健性 – 中文(650 V GaN FET 技術可提供出色效率,以及 AEC-Q101 認證所需的耐久性)-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:53:032

白皮書:GaN FET 技術和 AEC-Q101 認證所需的穩(wěn)健性-nexperia_whitepaper_...

白皮書:GaN FET 技術和 AEC-Q101 認證所需的穩(wěn)健性-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 20:08:503

LFPAK56中的N溝道 100V,19 mΩ 標準電平 MOSFET-BUK7Y19-100E

LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、19 mΩ 標準電平 MOSFET-BUK7Y19-100E
2023-02-21 19:41:370

什么是AEC-Q101認證?——華碧實驗室

AEC-Q101認證對象: 晶體管:BJT、MOSFET、IGBT、二極管、Diodes、Rectifier、Zeners、PIN、Varactors 光器件:LEDs、Optocoupler
2023-05-16 15:17:01736

Nexperia | 擴展用于汽車以太網(wǎng)的ESD保護解決方案產(chǎn)品組合

Nexperia(安世半導體)宣布擴展其備受贊譽的汽車以太網(wǎng) ESD 保護器件產(chǎn)品組合。3 款全新 ESD 保護器件符合 AEC-Q101 標準以及 IEEE 100BASE-T1
2023-05-29 10:33:19364

Nexperia | 推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合

Nexperia | 推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合 基礎半導體器件領域的專家 Nexperia(安世半導體)推出了用于自動化安全氣囊應用的專用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372

符合AEC-Q101認證的車規(guī)級瞬態(tài)抑制二極管的特性及應用

Semiware推出符合AEC-Q101認證的車規(guī)級TVS管TPSMAJ/SMBJ/SMCJ/SMDJ/5.0SMDJ系列,防護產(chǎn)品系列齊全,以滿足高標準的客戶需求.
2021-12-08 11:41:13450

功率半導體器件(IGBT、MOSFET和SiC)設計企業(yè):上海陸芯獲得第三代IGBT車規(guī)級AEC-Q101認證

3月11日,國際獨立第三方檢測檢驗和認證機構德國萊茵TV(以下簡稱“TV萊茵”)向上海陸芯電子科技有限公司(以下簡稱“上海陸芯”)的第三代IGBT產(chǎn)品頒發(fā)了AEC-Q101認證證書。這是上海陸芯汽車
2022-06-21 09:18:39887

安世半導體擴充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列

基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導體)近日宣布擴充 NextPower 80/100 V MOSFET 產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供 LFPAK56E 封裝
2023-06-21 10:34:32562

AEC-Q101 標準之TC解讀

AEC-Q101標準之TC解讀TC(TemperatureCycling)高溫循環(huán)測試意義在于證實極高溫度,極低溫度和高溫與低溫交替作用時,機械應力對于器件焊接性能的作用,標準AEC-Q101
2023-08-30 08:27:50567

安建半導體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)全部測試

安建半導體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)認證的全部測試。
2023-09-06 17:48:45474

MOSFET符合AEC-Q101標準 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET符合AEC-Q101標準 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費下載
2023-09-26 15:36:081

國星光電SiC-MOSFET器件獲得AEC-Q101車規(guī)級認證

繼1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規(guī)級認證后,近日,國星光電開發(fā)的1200V/80mΩ SiC-MOSFET(碳化硅-場效應管)器件也成功獲得了
2023-10-24 15:52:32606

國星光電的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車規(guī)級認證

繼1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規(guī)級認證后
2023-10-25 18:28:10422

適用于24V電源系統(tǒng)的車載網(wǎng)絡ESD保護產(chǎn)品組合

基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導體)近日推出符合 AEC-Q101 標準產(chǎn)品組合
2023-12-24 09:32:02490

雙N溝道40 V,13 mOhm邏輯電平MOSFET LFPAK56D(半橋配置)產(chǎn)品數(shù)據(jù)表

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《雙N溝道40 V,13 mOhm邏輯電平MOSFET LFPAK56D(半橋配置)產(chǎn)品數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-01-03 14:31:020

瞻芯電子推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品

瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品,這些產(chǎn)品不僅通過了嚴格的車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101 Qualified),還具備業(yè)界領先的低損耗水平。這些新型MOSFET推出,標志著瞻芯電子在半導體技術領域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279

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