Transphorm驗證并實現(xiàn)了采用電橋配置的分立封裝GaN器件的功率可達10千瓦，這進一步印證了GaN用于電動汽車轉(zhuǎn)換器和變頻器的令人興奮的前景。
2020-12-07 15:56:28
789 伏GaN-on-Sapphire功率半導(dǎo)體，領(lǐng)先同類產(chǎn)品。這款產(chǎn)品的發(fā)布展現(xiàn)Transphorm有能力支持未來的汽車電力系統(tǒng)，以及已普遍用于工業(yè)、數(shù)據(jù)通信和可再生能源
2023-06-02 13:54:07395 年 6 月 15 日 – 新世代電力系統(tǒng)的未來, 氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發(fā)布了一款高性能、低成本的驅(qū)動器解決方案。這款設(shè)計方案
2023-06-19 17:47:16337 ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代電力系統(tǒng)的未來、氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出
2023-11-07 17:51:23620 
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）繼去年英飛凌收購GaN Systems之后，2024年1月，另一家汽車芯片大廠瑞薩也收購了功率GaN公司Transphorm。 ? Transphorm在2022
2024-02-26 06:30:001552 
`一種數(shù)字控制的緊湊型 1kW 交流/直流電源設(shè)計，適用于服務(wù)器電源單元 (PSU) 和電信整流器應(yīng)用。該高效設(shè)計支持兩個主要功率級，包括一個前端連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 圖騰柱無橋功率因數(shù)校正
2020-06-22 18:22:03
描述PMP20978 參考設(shè)計是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計。此設(shè)計將 390V 輸入轉(zhuǎn)換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級具有超過 140W/in^3
2018-10-26 10:32:18
和FPGA的低直流電源通常需要多級直流 - 直流轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)。如果高壓設(shè)備可用于進行轉(zhuǎn)換，則可以減少轉(zhuǎn)換次數(shù)。GaN器件提供了這種潛力。一個例子是數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)。數(shù)據(jù)中心包含許多需要高電流低電壓的高功率
2017-05-03 10:41:53
的設(shè)計人員面臨幾個相沖突的業(yè)界挑戰(zhàn)，從新的USB Type C連接和USB PD (電力輸送) 的輸出是否符合法定的能效標準，一直到成本等相關(guān)問題。納微的單芯片GaN功率IC可同時達到高速運作及高效
2017-09-25 10:44:14
GaN功率集成電路
2023-06-19 08:29:06
GaN功率集成電路技術(shù):過去，現(xiàn)在和未來
2023-06-21 07:19:58
GaN功率集成電路的進展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
GaN功率半導(dǎo)體集成驅(qū)動性能
2023-06-21 13:24:43
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
輸入到USB-C PD/PPS輸出的全功能產(chǎn)品。Transphorm的氮化鎵材料可用于傳統(tǒng)的AC-DC升壓PFC和DC-DC準諧振反激(QRF)拓撲。隨后，Salom負責(zé)采用該系統(tǒng)、對其進行微調(diào)、外圍
2021-08-12 10:55:49
針對可靠的高功率和高頻率電子設(shè)備，制造商正在研究氮化鎵(GaN)來制造具有高開關(guān)頻率的場效應(yīng)晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限，制造商現(xiàn)在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
用于無線充電應(yīng)用的高壓GaN功率半導(dǎo)體單級6.78 MHz功率放大器設(shè)計
2023-06-21 11:45:06
描述此參考評估模塊擁有 TPS23454 PoE 接口和直流轉(zhuǎn)直流控制器，用于需要高效率的 4 類 PoE 應(yīng)用。不論是適配器輸入 (21.6-57VDC) 還是以太網(wǎng)供電，輸出功率都為 5V
2018-07-25 07:32:52
F是一個6位數(shù)字移相器MMIC，具有0°- 360°的范圍。它被設(shè)計用于5到6GHz頻率范圍的應(yīng)用。該電路支持多種C波段相控陣應(yīng)用，包括工業(yè)傳感器和軍用雷達。該電路采用功率PHEMT工藝，0.25μm柵
2018-07-20 12:26:50
DN98- 高度集成的高效DC / DC轉(zhuǎn)換
2019-06-04 15:28:24
輸出晶體管大小，以增加RF功率。GaN在這里提供了一些優(yōu)勢，因為我們能夠大幅簡化輸出合成器、減少損耗，因而可以提高效率，減小芯片尺寸，如圖2所示。因此，我們能夠?qū)崿F(xiàn)更寬帶寬并提高性能。從GaAs轉(zhuǎn)向
2018-10-17 10:35:37
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
。這些設(shè)計平臺目 前針對戰(zhàn)略客戶而推出，代表了驅(qū)動新一代SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器 的完整IC生態(tài)系統(tǒng)的最高水準。設(shè)計平臺類型眾多，既有用于 高電壓、大電流SiC功率模塊的隔離式柵極驅(qū)動器板，也有完整
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計演進的關(guān)鍵驅(qū)動力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
基于平面矩陣的高頻高效LLC模塊基于GaN功率集成電路的CPRS變壓器
2023-06-16 06:48:18
采用了數(shù)字控制器 UCD3138A。效率高達95.8%，同時提供良好的熱性能。主要特色 高達 95.8% 的高效率LM5113+ GaN Mosfet保護功能 OCP、OVP適用于 HSFB 直流-直流的全面數(shù)字控制滿負載時具有良好的熱性能完全符合電信客戶的要求
2018-11-02 16:47:28
汽車行業(yè)電氣化程度不斷提高的趨勢使汽車制造商既能經(jīng)濟高效地向市場提供新的創(chuàng)新，又能滿足日益嚴格的排放法規(guī)。將車輛的主總線電壓提高到48 V有助于滿足輕度混合動力汽車的啟停電機/發(fā)電機等高功率系統(tǒng)
2023-02-21 15:57:35
描述 PMP20978 參考設(shè)計是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計。此設(shè)計將 390V 輸入轉(zhuǎn)換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級具有超過 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
需要非常緊湊、高效的mmW 材料和器件?；A(chǔ)設(shè)施挑戰(zhàn)是開發(fā)合適的封裝，既能保持RF 性能又能解決熱管理問題。GaN 的較高功率密度（3 至5 倍，甚至10 倍于GaAs）給子系統(tǒng)封裝設(shè)計人員帶來了棘手
2017-07-28 19:38:38
升級到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
Ω、600-V GaN 功率晶體管和專用驅(qū)動器。目標應(yīng)用包括電動汽車的車載充電器、電信整流器、電機驅(qū)動器、焊接電源和其他工業(yè)交流供電轉(zhuǎn)換器。該設(shè)計支持用于提高效率的切相和自適應(yīng)死區(qū)時間、用于提高輕負載
2022-04-12 14:11:49
在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測，基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時期即將到來。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
請大佬詳細介紹一下關(guān)于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
2021-04-12 06:23:23
更高的功率密度。GaN的時代60多年以來，硅一直都是電氣組件中的基礎(chǔ)材料，廣泛用于交流電與直流電轉(zhuǎn)換，并調(diào)整直流電壓以滿足從手機到工業(yè)機器人等眾多應(yīng)用的需求。雖然必要的組件一直在持續(xù)改進和優(yōu)化，但物理學(xué)
2019-03-01 09:52:45
本文基于Agilent ADS仿真軟件設(shè)計實現(xiàn)一款高效GaN寬禁帶功率放大器，詳細說明設(shè)計步驟并對放大器進行了測試，結(jié)果表明放大器可以在2．3～2．4 GHz內(nèi)實現(xiàn)功率15W以上，附加效率超過67％的輸出。
2021-04-06 06:56:41
作為一項相對較新的技術(shù)，氮化鎵(GaN) 采用的一些技術(shù)和思路與其他半導(dǎo)體技術(shù)不同。對于基于模型的GaN功率放大器(PA) 設(shè)計新人來說，在知曉了非線性GaN模型的基本概念（非線性模型如何幫助進行
2019-07-31 06:44:26
頻率和更高功率密度的開發(fā)人員更是如此。RF GaN是一項已大批量生產(chǎn)的經(jīng)驗證技術(shù)，由于其相對于硅材料所具有的優(yōu)勢，這項技術(shù)用于蜂窩基站和數(shù)款軍用/航空航天系統(tǒng)中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比
2019-07-12 12:56:17
Conversion；EPC)、GaNSystems與Transphorm等公司。各大功率半導(dǎo)體業(yè)者的不同GaN功率晶體管專利（來源：Yole）然而，這一市場也存在整并壓力，這一點從英飛凌收購IR、英飛凌
2015-09-15 17:11:46
顯示的是將用來驅(qū)動LMG5200的Hercules模塊。圖1：具有死區(qū)發(fā)生器的Hercules PWM模塊GaN與Hercules功率級是天生的一對兒。它們在工業(yè)和汽車應(yīng)用中都能發(fā)揮很好的作用
2022-11-17 06:56:35
功率晶體管(如GaN和碳化硅(SiC))有望在高壓和高開關(guān)頻率條件下提供高功率效率，從而遠遠超過硅MOSFET產(chǎn)品?！ ?b class="flag-6" style="color: red">GaN可以為您做什么 根據(jù)應(yīng)用的不同，高效率的高頻開關(guān)可以將功率模塊的尺寸縮小
2018-11-20 10:56:25
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
Hercules微控制器來驅(qū)動它。圖1顯示的是將用來驅(qū)動LMG5200的Hercules模塊。
圖1：具有死區(qū)發(fā)生器的Hercules PWM模塊
GaN與Hercules功率級是天生的一對兒。它們在工業(yè)和汽車
2018-08-31 07:15:04
概述：GB98ADN是一款高效、大功率的LED驅(qū)動控制器，它提供用于MOSFET升壓轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動器。它最多可以驅(qū)動四根LED燈的額定電流為250mA。它還支持高達400毫安的脈沖電流，...
2021-04-07 07:30:39
請問一下GaN器件和AMO技術(shù)能實現(xiàn)高效率和寬帶寬嗎？
2021-04-19 09:22:09
描述此參考設(shè)計基于 LMG1210 半橋 GaN 驅(qū)動器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，實現(xiàn)了一款數(shù)兆赫茲功率級設(shè)計。憑借高效的開關(guān)和靈活的死區(qū)時間調(diào)節(jié)，此參考設(shè)計不僅可以顯著
2018-10-17 15:39:59
SE98是一款支持I2C-bus/SMBus總線的溫度傳感器，典型用于內(nèi)存模塊溫度檢測
2010-03-09 16:29:05
10 美國Transphorm公司發(fā)布了耐壓為600V的GaN類功率元件。該公司是以美國加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校（UCSB）的GaN元器件研究人員為核心創(chuàng)建的風(fēng)險企業(yè)，因美國谷歌向其出資而備受功率半導(dǎo)體
2012-05-18 11:43:441931 2014年9月26日 – 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN）與功率轉(zhuǎn)換專家Transphorm宣布已建立了新的合作關(guān)系，共同開發(fā)及共同推廣基于氮化鎵（GaN）的產(chǎn)品和電源系統(tǒng)方案，用于工業(yè)、計算機、電信及網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的各種高壓應(yīng)用。
2014-09-26 19:42:001149 北卡羅納州 – 2015年3月17日-推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 （ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN），和功率轉(zhuǎn)換器專家Transphorm，先前宣布雙方建立
2015-03-19 14:28:432552 國產(chǎn)高效GaN微波功率模塊，HEG001D、HEG205B等。針對寬帶、高功率微波系統(tǒng)及有源相控陣雷達應(yīng)用需求，最新推出小型化高功率GaN功率模塊，采用先進的平面內(nèi)匹配合成技術(shù)，基于成熟的薄膜混合
2015-11-26 15:44:5314 本文介紹有關(guān)用于LTE 微蜂窩式與有源天線系統(tǒng)式基站應(yīng)用的小型高效GaN Doherty 放大器。該Doherty 放大器采用TriQuint 半導(dǎo)體公司開發(fā)的T1G6001528-Q3 器件
2017-11-24 06:17:17474 
在最近的electronica China上，富士通剛剛展示了代理品牌Transphorm的氮化鎵（GaN）解決方案，可是讓好多現(xiàn)場觀眾駐足圍觀呢。
2019-04-16 18:13:234239 對于電容參數(shù)的描述，ASM GaN 是應(yīng)用場效應(yīng)板來解決的。當然，模型開發(fā)出來后，需要和真正的器件進行對比，比如用于PA和功率轉(zhuǎn)換等。
2019-09-08 09:44:435685 
Transphorm Inc.今天宣布，它已與貿(mào)澤電子（Mouser Electronics Inc.）簽署全球分銷協(xié)議，授權(quán)該公司在全球經(jīng)銷其最新的半導(dǎo)體和電子元件。根據(jù)協(xié)議，貿(mào)澤電子將分銷Transphorm的經(jīng)過JEDEC和AEC-Q101認證的GaN FET和評估工具。
2019-09-19 14:37:59881 目前，Transphorm正在努力推出第三代常閉GaN FET技術(shù)。該技術(shù)的閾值將提高到4.0V，提高了其抗噪能力和器件性能，無需負柵極驅(qū)動，并且相比上代產(chǎn)品降低了整體成本。
2019-12-13 14:20:264103 首家獲得JEDEC和AEC-Q101認證、具有最高可靠性的氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體的設(shè)計和制造領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm Inc.今天確認，其客戶AES Aircraft Elektro/Elektronik System GmbH發(fā)布了首批650 V GaN基電源。
2019-12-19 14:07:361467 前不久，Hangzhou Zhongheng Electric Co., Ltd（HZZH）就利用Transphorm的TPH3205WS-GaN器件成功開發(fā)出一種基于GaN的超高效功率模塊。
2020-04-27 16:46:163692 由于可以在較高頻率、電壓和溫度下工作且功率損耗較低，寬禁帶半導(dǎo)體（SiC 和GaN）現(xiàn)在配合傳統(tǒng)硅一同用于汽車和RF 通信等嚴苛應(yīng)用中。隨著效率的提高，對Si、SiC和GaN器件進行安全、精確的測試
2020-11-18 10:38:0027 本文介紹有關(guān)用于LTE 微蜂窩式與有源天線系統(tǒng)式基站應(yīng)用的小型高效GaN Doherty 放大器。該Doherty 放大器采用TriQuint 半導(dǎo)體公司開發(fā)的T1G6001528-Q3 器件
2020-08-20 18:51:001 高可靠性，高性能氮化鎵功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品供應(yīng)商Transphorm與貝爾集團（Bel Group）聯(lián)合宣布Bel的鈦效率電源中使用了六個Transphorm的高壓GaN FET，這表明，氮化鎵在數(shù)
2021-01-22 16:00:361798 
加賀富儀艾電子旗下代理品牌 Transphorm，是一家設(shè)計、生產(chǎn)氮化鎵功率轉(zhuǎn)換器和模塊的企業(yè)。
2021-03-09 17:44:192428 
DN98-高集成高效DC/DC轉(zhuǎn)換
2021-04-27 11:39:027 大功率、高效μ模塊電源產(chǎn)品
2021-05-20 10:39:555 大功率NPN硅晶體管BUX98/BUX98A數(shù)據(jù)手冊
2021-08-11 14:14:110 適用于廣泛工業(yè)應(yīng)用的新型交流-直流功率模塊提供高壓GaN優(yōu)勢：更高的效率、更高的性能、更緊湊的尺寸?加州戈利塔--(美國商業(yè)資訊)--設(shè)計和制造擁有最高可靠性且唯一獲得認證的高壓(HV)氮化
2022-01-06 15:56:171 這家國際航空電子供應(yīng)商因GaN驅(qū)動的更高功率密度而勝過競爭對手加州戈勒塔--(美國商業(yè)資訊)--首家獲得JEDEC和AEC-Q101認證、具有最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的設(shè)計和制造領(lǐng)導(dǎo)者
2022-01-11 10:52:211 (MOSFET)，因為它能夠驅(qū)動更高的功率密度和高達 99% 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 效率。但由于其電氣特性和它所支持的性能，使用 GaN 進行設(shè)計面臨著與硅甚至其他寬帶隙技術(shù)（如碳化硅）不同的一系列挑戰(zhàn)。
2022-07-29 14:06:52792 
的限制，并且高溫性能和低電流特性較差。高壓 Si FET 在頻率和高溫性能方面也受到限制。因此，設(shè)計人員越來越多地尋求采用高效銅夾封裝的寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體。 功率氮化鎵技術(shù) GaN 技術(shù)，特別是 GaN-on-Silicon (GaN-on-Si) 高電子遷移率晶體
2022-08-04 09:52:161078 
在第一部分，我們研究了數(shù)據(jù)中心架構(gòu)，并介紹了氮化鎵 (GaN) 功率 IC 及其在第二次電力電子革命中的作用。現(xiàn)在，讓我們看看數(shù)據(jù)中心本身內(nèi)支持 GaN 的高效硬件。 具有交流輸入的 GaN 對于
2022-08-04 09:35:21788 
基于氮化鎵技術(shù) (GaN) 的功率開關(guān)器件現(xiàn)已量產(chǎn)，并在實際功率應(yīng)用中提供高效率和功率密度。本文將探討如何使用 GaN 技術(shù)實施高功率解決方案，并提供應(yīng)用示例，展示 GaN 器件如何在超過 600 伏的電壓下也能有效工作。
2022-08-09 08:02:131637 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計.zip》資料免費下載
2022-09-07 11:30:0510 氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應(yīng)用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場擊穿
2022-09-19 09:33:211670 使用電源管理模塊有效控制 GaN 功率放大器的電源開關(guān)
2022-12-26 10:16:14592 
GaN功率HEMT設(shè)計+GaN寬帶功率放大器設(shè)計
2023-01-30 14:17:44556 近日，可靠性、高性能氮化鎵（GAN）電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供應(yīng)商Transphorm宣布推出新的240瓦電源適配器參考設(shè)計。
2023-02-06 10:15:231202 高效IPM（智能功率模塊）
2023-02-08 13:43:241244 
隨著社會壓力不斷增大，越來越多的立法要求減少二氧化碳的排放。這一趨勢推動汽車、電信等行業(yè)加大投資，以提高電源轉(zhuǎn)換效率和電氣化水平。功率氮化鎵(GaN)技術(shù)不但表現(xiàn)出極大的性能優(yōu)勢，還能為各類功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用帶來一系列優(yōu)勢，尤其是在電動汽車中。
2023-02-09 09:35:30191 
白皮書：功率GaN技術(shù)：高效率轉(zhuǎn)換的需求-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:43:201 功率 GaN 技術(shù)：高效功率轉(zhuǎn)換的需求-AN90021
2023-02-17 19:43:381 白皮書：功率 GaN 技術(shù)：高效功率轉(zhuǎn)換的必要性-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:50:460 您可以通過多種方式控制GaN功率級。LMG5200 GaN 半橋功率級的 TI 用戶指南使用無源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中，我將描述如何使用Hercules微控制器驅(qū)動它。圖 1 顯示了用于驅(qū)動 LMG5200 的 Hercules 模塊。
2023-04-14 10:07:41963 
Transphorm宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規(guī)格書。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導(dǎo)體，領(lǐng)先同類產(chǎn)品。 該器件
2023-06-16 18:25:04268 
Transphorm在公告中表示，他們的氮化鎵將被用于大恒能源的Solar Unit產(chǎn)品線，GaN器件可以實現(xiàn)更小、更輕、更可靠的太陽能系統(tǒng)，同時還能以更低的能耗提供更高的總發(fā)電量。Transphorm還表示，氮化鎵技術(shù)在全球光伏領(lǐng)域的市場空間將超過5億美元。
2023-08-30 16:42:34826 
三菱電機集團近日（2023年9月14日）宣布，將于9月21日開始提供用于5G Massive MIMO*1（mMIMO）基站的新型氮化鎵（GaN）功率放大器模塊樣品。
2023-09-27 15:05:46876 Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）是強大的GaN功率半導(dǎo)體（下一代電力系統(tǒng)的未來）領(lǐng)域全球領(lǐng)先的企業(yè)。該公司今天推出了三款TOLL封裝的SuperGaN?FET，其導(dǎo)通電
2023-10-12 16:40:56251 專為大功率應(yīng)用而設(shè)計的隔離式柵極驅(qū)動器，有助于加速氮化鎵半導(dǎo)體在數(shù)據(jù)中心、可再生能源和電動汽車領(lǐng)域的應(yīng)用 ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 12 月 7 日 – 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN
2023-12-12 18:03:10179 新設(shè)計工具有助于加速兩輪電動車市場的產(chǎn)品設(shè)計，并幫助系統(tǒng)工程師充分利用SuperGaN FET的優(yōu)勢 ? 2023 年 12 月 21 日 －全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商
2023-12-27 17:39:22130 
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）與全球氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布雙方已達成最終協(xié)議
2024-01-11 18:17:32865 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 瑞薩 電子與全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.(以下“Transphorm”)于今天宣布雙方已達成最終協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，瑞薩子公司將以每股
2024-01-12 14:11:58267 在科技領(lǐng)域的巨浪中，瑞薩電子以35%的溢價宣告了一項重磅收購。1月11日，瑞薩電子正式宣布與氮化鎵（GaN）器件領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm達成最終協(xié)議，按照協(xié)議的規(guī)定，瑞薩電子的子公司將以每股
2024-01-12 14:54:25361 瑞薩電子與氮化鎵（GaN）器件領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm宣布，雙方已達成最終收購協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價格收購Transphorm，這一價格較Transphorm在1月10日的收盤價溢價約35%，總估值約為3.39億美元。
2024-01-17 14:15:33234 此次交易對Transphorm的估值約為3.39億美元（約合人民幣24.27億元）。此次收購將為瑞薩提供GaN（功率半導(dǎo)體的下一代關(guān)鍵材料）的內(nèi)部技術(shù)。
2024-01-19 11:32:57130
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