德州儀器 （TI） 宣布推出業(yè)界首款面向絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 與碳化硅 （SiC） FET 的 35 V 單通道輸出級電源管理柵極驅動器。TI 支持拆分輸出的最新 UCC27531
2013-03-04 10:59:31
1172 CMT-TIT0697柵極驅動器板被設計為可直接安裝在CAB450M12XM3 1200V/450A碳化硅MOSFET功率模塊上。憑借可提供每通道高達2.5W功率的板載隔離電源（且無需降低高達125°C的額定環(huán)境溫度），該柵極驅動器可以驅動頻率高達100KHz的XM3模塊，從而實現高功率密度。
2020-01-15 08:09:001117 與大多數其他碳化硅評估平臺不同，GDEV提供快速連接插頭引腳端子，可以快速、一致地比較不同的柵極驅動器電路。 GDEV支持800 V DC鏈接輸入電壓和高達200 kHz的開關頻率。
2020-02-07 14:33:00630 MAX22701E 是MAX22700–MAX22702系列的首款產品，屬于單通道隔離式柵極驅動器，具有超高共模瞬態(tài)抗擾性 （CMTI），用于驅動各種逆變器或電機控制應用中的碳化硅 （SiC） 或氮化鎵 （GaN） 晶體管。
2020-03-21 08:17:00838 隔離門驅動器在許多系統(tǒng)中的電力傳輸扮演著重要角色。對此，世強代理的高性能模擬與混合信號IC廠商Silicon Labs推出可支持高達5KV隔離額定電壓值的ISO driver隔離驅動IC Si823x。有誰知道這款業(yè)界最佳單芯片隔離驅動器解決方案到底有多厲害嗎？
2019-08-02 06:37:15
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統(tǒng)中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統(tǒng)中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
)碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時間的變化很小，可靠性好?！ ?7)碳化硅器件具有很好的反向恢復特性，反向恢復電流小，開關損耗小。碳化硅功率器件可工作在高頻(>20KHz)。 (8
2019-01-11 13:42:03
MOSFET 漏極出現浪涌并因寄生效應意外打開時。這種導通會產生從高壓到地的短路，從而損壞電路?！ ∪绾?b class="flag-6" style="color: red">驅動碳化硅場效應管 考慮到卓越的材料性能，這個問題提出了如何控制這些部件才能發(fā)揮最佳作用。從我們所知
2023-02-24 15:03:59
和電容器）的尺寸、重量和成本也可隨之降低。在極端情況下，整個冷卻系統(tǒng)本身效率也可以降低，甚至可以節(jié)省更多的成本。特別是在電動汽車牽引逆變器應用中，效率的提高是一個良性循環(huán)，因為基于碳化硅的逆變器中的元件
2023-02-27 14:28:47
反向恢復電流，其關斷過程很快，開關損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強度較高，可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應用領域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
200V，但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復時間實踐，同時在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢。在
2020-06-28 17:30:27
圓盤的能量吸收范圍高達 122,290J，允許圓盤組件具有數十兆焦耳的極高能量吸收額定值。 電氣參數 EAK碳化硅磁盤應用來自雷電、電感或電容耦合的電源過電壓。開關帶感性負載的觸點。變壓器、電機
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
電子設備的能耗，因此碳化硅器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源器件”。各類電機系統(tǒng)在高壓應用領域，使用碳化硅陶瓷基板的半導體碳化硅功率器件，功耗降低效果明顯，設備的發(fā)熱量大幅減少，同時可減少最高
2021-01-12 11:48:45
精細化，集成化方向發(fā)展?！ ≡谛录夹g驅動下，汽車電子行業(yè)迎來新一輪技術革命，行業(yè)整體升級。在汽車大量電子化的帶動之下，車用電路板也會向上成長。車用電路板穩(wěn)定訂單和高毛利率的特點吸引諸多碳化硅基板從業(yè)者
2020-12-16 11:31:13
。如果選擇新的柵極驅動器，則值得選擇具有13 V欠壓鎖定功能的柵極驅動器，以確保在目標應用異常條件下的安全運行。SiC 的另一個好處是溫度對 25 °C 和 150 °C 之間傳輸特性的影響有限（圖
2023-02-23 17:11:32
碳化硅的顏色，純凈者無色透明，含雜質(碳、硅等)時呈藍、天藍、深藍，淺綠等色，少數呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光，無
2019-07-04 04:20:22
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導體電子設備，如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導熱系數（49W/mK）使功率半導體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
切換時間間隔較長。如圖3所示，采用ADuM4121隔離式柵極驅動器時，轉換時間大大縮短；當驅動同一功率MOSFET時，該驅動器相比微控制器I/O引腳能夠提供高得多的驅動電流。圖3.有柵極驅動器
2018-10-25 10:22:56
隔離式柵極驅動器時，轉換時間大大縮短；當驅動同一功率MOSFET時，該驅動器相比微控制器I/O引腳能夠提供高得多的驅動電流。很多情況下，由于數字電路可能會透支電流，直接用微控制器驅動較大功率MOSFET
2018-11-01 11:35:35
是常見隔離式柵極驅動器應用中最新出現的許多改進的核心。傳播延遲是指， 根據預期的行為， 從輸入超過上升或下降閾值到輸出達到上升值的 10% 或下降值的 90% 的總持續(xù)時間。 例如，輸出可能會直接對應
2022-11-10 07:54:32
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
隔離電源轉換器詳解柵極驅動器解決方案選項最優(yōu)隔離柵極驅動器解決方案
2021-03-08 07:53:35
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
SiC碳化硅MOS驅動的PCB布局方法解析:在為任一高功率或高電壓系統(tǒng)設計印刷電路板 (PCB) 布局時，柵極驅動電路特別容易受到寄生阻抗和信號的影響。對于碳化硅 (SiC) 柵極驅動，更需認真關注
2022-03-24 18:03:24
科技有限公司TGF2023-2-10對碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。最大功率附加效率為
2018-06-12 10:22:42
TGF2023-2-10對碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。功率附加效率為69.5%，這使
2018-11-15 11:59:01
TGF2954碳化硅晶體管產品介紹TGF2954報價TGF2954代理TGF2954TGF2954現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司TGF2954是離散的5.04毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:01:58
TGF2955碳化硅晶體管產品介紹TGF2955報價TGF2955代理TGF2955TGF2955現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司TGF2955是離散的7.56毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:06:57
產品尺寸，從而提升系統(tǒng)效率。而在實際應用中，我們發(fā)現：帶輔助源極管腳的TO-247-4封裝更適合于碳化硅MOSFET這種新型的高頻器件，它可以進一步降低器件的開關損耗，也更有利于分立器件的驅動
2023-02-27 16:14:19
，利用SiC MOSFET來作為永磁同步電機控制系統(tǒng)中的功率器件，可以降低驅動器損耗，提高開關頻率，降低電流諧波和轉矩脈動。本項目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET，驗證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
許多應用都采用隔離式半橋柵極驅動器來控制大量功率，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細闡述這些設計理念，以展現
2018-07-03 16:33:25
描述TIDA-00195 參考設計包括一個 22kW 功率級以及 TI 全新的增強型隔離式 IGBT 柵極驅動器 ISO5852S（適用于各種應用中的電機控制）。此設計可對三相逆變器（其中整合了額定
2018-12-27 11:41:40
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應用領域，如電動汽車快速充電、數據中心電源、可再生能源、能源等存儲系統(tǒng)、工業(yè)和電網基礎設施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
近年來，因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應用等下游市場的驅動，碳化硅功率器件取得了長足發(fā)展。更快的開關速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現變換器的高效高功率密度
2022-03-29 10:58:06
組件高出一大截，但其開關速度、切換損失等性能指針，也是硅組件難以望其項背的。碳化硅具有極佳的材料特性，可以顯著降低開關損耗，因此電源開關的操作頻率可以大為提高，從而使電源系統(tǒng)的尺寸明顯縮小。至于在轉換
2021-09-23 15:02:11
，在這些環(huán)境中，傳統(tǒng)的硅基電子設備無法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運行的能力將提高各種系統(tǒng)和應用的性能，包括飛機、車輛、通信設備和航天器。今天，SiC MOSFET是長期可靠的功率器件。未來，預計多芯片電源或混合模塊將在SiC領域發(fā)揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
的整體系統(tǒng)尺寸，更小的整體成本，高溫下更高的可靠性，同時降低功率損耗。創(chuàng)能動力可提供碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模組和集成功率模組，用于太陽能逆變器、功率因數校正、電動車充電樁和高效率
2023-02-22 15:27:51
硅 IGBT 和二極管與多電平配置等新拓撲相結合，可提供最佳的性價比。混合碳化硅結合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基續(xù)流二極管，也是一個不錯的選擇，與純硅解決方案相比，可將功率損耗降低多達50
2023-02-20 16:29:54
驅動半橋配置中的并聯(lián) IGBT。并聯(lián) IGBT 在柵極驅動器級（驅動強度不足）以及系統(tǒng)級均會帶來挑戰(zhàn)：難以在兩個 IGBT 中保持相等電流分布的同時確保更快的導通和關斷。此參考設計使用增強型隔離式
2018-12-07 14:05:13
一步提升電源效率。針對上述情況，解決方案有以下兩種。 方案一：將IGBT單管上反并聯(lián)的快速恢復二極管換成基本半導體的“零反向恢復”的碳化硅肖特基二極管（碳化硅 SBD），這種組合起來封裝的器件，稱之為
2023-02-28 16:48:24
MOSFET的設計中，如果該振蕩問題是純電感性，降低振蕩方法是將碳化硅MOSFET源極分為電源極和驅動器源極，鉗位二極管連接碳化硅MOSFET柵極和驅動器源極之間。當然首選方法并使用開爾文源極
2023-03-14 14:05:02
特點, 高壓輸入
隔離DC/DC變換
器的拓撲可以得到簡化（從原來的三電平簡化為傳統(tǒng)全橋拓撲）。
碳化硅MOSFET在軟開關橋
式上具有以下明顯的優(yōu)勢:高阻斷電壓可以簡化拓撲設計,電路從復雜三電平變?yōu)閮呻娖饺?/div>
2016-08-05 14:32:43
碳化硅 （SiC） MOSFET 成為 MOSFET 市場的可見部分，需要能夠提供負電壓的特殊柵極驅動器碳化硅 （SiC） MOSFET 成為 MOSFET 市場的可見部分，需要特殊的柵極驅動器
2023-02-27 09:52:17
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40
功率半導體技術的不斷改進使功率轉換器更加高效和緊湊。碳化硅 CoolSiC? MOSFET因其卓越的效率，尤其是在部分負載下而被視為電驅動應用的新趨勢。甚至可以實現無風扇設計，從而實現集成度更高
2023-02-22 16:42:00
Brian Kennedy許多應用都采用隔離式半橋柵極驅動器來控制大量功率，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細
2018-10-23 11:49:22
隔離式半橋柵極驅動器可用于許多應用，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細闡述這些設計理念，探索隔離式半橋柵極
2018-10-16 16:00:23
許多應用都采用隔離式半橋柵極驅動器來控制大量功率，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細闡述這些設計理念，以
2018-09-26 09:57:10
，工作結溫可達175℃，與傳統(tǒng)硅基模塊具有相同的封裝尺寸，可在一定程度上替代相同封裝的IGBT模塊，從而幫助客戶有效縮短產品開發(fā)周期，提高工作效率?！ ‘a品特點 溝槽型、低RDS（on） 碳化硅
2023-02-27 11:55:35
電子的發(fā)展趨勢，但瓷片電容、傳感器、柵極驅動等還無法完全匹配碳化硅的高溫高頻性能、散熱和電磁兼容問題；開發(fā)高溫電容、功率芯片片內集成傳感器、研究 SiC CMOS 驅動芯片或者采用 SOI
2023-02-22 16:06:08
有源米勒鉗位選配，提升高速開關抗干擾能力中國，2018年8月3日——意法半導體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅動器提供26V的最大柵極驅動輸出電壓，準許用戶選擇獨立的導通/關斷輸出或內部有源米勒鉗
2018-08-06 14:37:25
極限。 圖2. 典型柵極驅動器的傳播延遲和CMTI性能更高的開關頻率還會產生共模瞬變抗擾性問題，這對系統(tǒng)設計人員來說是一個非常嚴重的問題。在隔離式柵極驅動器中的隔離柵上耦合的高壓擺率信號可能破壞
2018-10-16 06:20:46
極限。圖2. 典型柵極驅動器的傳播延遲和CMTI性能更高的開關頻率還會產生共模瞬變抗擾性問題，這對系統(tǒng)設計人員來說是一個非常嚴重的問題。在隔離式柵極驅動器中的隔離柵上耦合的高壓擺率信號可能破壞數據傳輸
2018-10-16 21:19:44
轉換應用中的新型解決方案，這種技術人們期待已久，現在終于得以實現。雖然這種技術能夠提供極具吸引力的優(yōu)勢，但它們并非沒有代價。為了提供出色性能，新型開關技術需要更改所用隔離式柵極驅動器的要求，并且會為系統(tǒng)
2018-10-24 09:47:32
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
描述此參考設計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅動器解決方案，可在半橋配置中驅動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設計分別為雙通道隔離式柵極驅動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
概要：本文將討論諧振LLC和移相（Phase Shift）兩種隔離DC/DC拓撲的性能特點以及在新能源汽車電源中的應用，然后針對寬禁帶碳化硅MOSFET對兩種隔離DC/DC拓撲的應用進行了比較，并
2016-08-25 14:39:53
小于5ns； · 選用低傳輸延時，上升下降時間短的推挽芯片?！ 】傊?，相比于硅IGBT，碳化硅MOSFET在提升系統(tǒng)效率、功率密度和工作溫度的同時，對于驅動器也提出了更高要求，為了讓碳化硅
2023-02-27 16:03:36
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術為功率轉換器設計人員開辟了一系列新的可能性。與現有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導通和關斷損耗，并改善了導通和二極管損耗。對其開關特性的仔細分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
公司等為代表。四、碳化硅半導體應用碳化硅半導體器件，其高頻、高效、高溫的特性特別適合對效率或溫度要求嚴苛的應用。可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。原作者：大年君愛好電子
2023-02-20 15:15:50
輸入電壓：1000V,輸出12V/2A
要把此電源做成反激電源，用碳化硅MOS來驅動的話，請問去驅動IC用哪個？要怎么處理？有專門的IC嗎？
2023-07-31 17:36:47
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅動器參考設計為驅動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁（電動汽車充電站）應用的功率級提供了藍圖。此設計基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
MP188xx是MPS提供的一系列隔離式柵極驅動器，包括MP18831、MP18851和MP18871，本文回顧了該系列產品的特性與優(yōu)勢。隔離式柵極驅動器對電源系統(tǒng)中的開關管驅動至關重要。要了解MPS隔離產品的更多信息，請閱讀MPS促進碳中和的隔離式電源解決方案相關文章。
2022-09-30 14:05:41
通時間。對于 ≥150kW 牽引逆變器應用，隔離式柵極驅動器應具有 >10 A 的驅動強度，以便以高壓擺率將 SiC FET 切換通過米勒平臺，并利用更高的開關頻率。碳化硅場效應晶體管具有
2022-11-02 12:02:05
www.ti.com/gatedrivers開始設計您的高效系統(tǒng)。 其他信息TI Designs參考設計庫中展示了高效率系統(tǒng)中的高速柵極驅動器：“隔離GaN驅動器參考設計”?！坝糜陔娦诺? kW三路隔離DC
2019-03-08 06:45:10
基于CMOS的隔離柵極驅動器以提高電源供電系統(tǒng)設計
與傳統(tǒng)的解決方案相比,完全集成的隔離柵極驅動器械可以顯著地提高開關電源的效率,性能和可靠性.
2010-06-19 09:29:31
44 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID，在2019年歐洲功率電子及智能傳動產品展覽會（PCIM 2019）上展示了最新的高溫柵極驅動器、碳化硅（SiC）MOSFET器件和IGBT功率模塊
2019-05-16 09:10:563764 提供支持，可以安全地驅動快速開關碳化硅功率模塊以實現低損耗，同時可以在空間受限的電機驅動器、緊湊型電源或快速電池充電器內部的高溫環(huán)境中運行。
2020-01-14 15:00:102120 采用新型碳化硅結型場效應功率晶體管的光伏逆變器與采用硅IGBT模塊的傳統(tǒng)光伏逆變器相比，具有開關頻率高、體積小、效率高的特點。本文對橋式碳化硅模塊的驅動，以及以碳化硅器件組成的單相光伏逆變器的開關
2020-04-14 08:00:002 緊湊的印制電路板（PCB）設計。這些柵極驅動器所取得的新進展可以幫助電源轉換器設計人員滿足甚至超越日益提高的能效標準及尺寸限制，同時支持使用碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）和快速Si FET等新興技術。 ? ? ? ? ?Silicon Labs 的Si825xx系列產品為強健的柵極驅動器，
2020-12-29 10:32:381991 數字電源遙測有助于降低能耗，并延長系統(tǒng)運行時間
2021-03-21 15:04:501 ，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布推出一款全新的1200V可直接用于生產的數字柵極驅動器，為系統(tǒng)開發(fā)人員提供多層級的控制和保護，以實現安全、可靠的運行并滿足嚴格的運輸要求。 對于基于碳化硅的電源轉換設備的設計人 員
2021-10-09 16:17:461644 意法半導體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅動器在高壓電力變換和工業(yè)應用中節(jié)省空間，簡化電路設計。
2022-02-17 10:06:141783 基于進一步提升電驅動總成系統(tǒng)效率和功率密度的需求,設計了一款碳化硅三合一電驅動總成系統(tǒng),介紹了碳化硅控制器和驅動電機的結構設計方案,并詳細闡述了碳化硅三合一電驅動總成的冷卻系統(tǒng)設計方案。為了進一步
2022-12-21 14:02:33836 摘 要 基于進一步提升電驅動總成系統(tǒng)效率和功率密度的需求,設計了一款碳化硅三合一電驅動總成系統(tǒng),介紹了碳化硅控制器和驅動電機的結構設計方案,并詳細闡述了碳化硅三合一電驅動總成的冷卻系統(tǒng)設計方案
2022-12-21 14:05:031414 碳化硅具備耐高溫、耐高壓、高頻率、高效率等特性，發(fā)展勢頭迅猛?；?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅特性，碳化硅驅動器相較于硅器件驅動器有其特殊要求，面臨不同的設計挑戰(zhàn)。青銅劍技術針對碳化硅的應用特點，推出了2CP0335V33-LV100等碳化硅驅動器，可滿足多樣化需求。
2022-12-29 11:34:26964 (onsemi) 的隔離柵極驅動器針對SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）等技術所需的最高開關速度和系統(tǒng)尺寸限制而設計，為 MOSFET 提供可靠控制。電力電子行業(yè)的許多設計人員對于在諸多類型的電力電子應用中使用Si MOSFET、SiC和GaN MOSFET 具有豐富的經驗，
2023-02-05 05:55:01763 ），本文為第二部分，將帶大家全面了解使用 安森美(onsemi) 隔離式柵極驅動器的 電源、濾波設計以及死區(qū)時間控制 。 電源建議 以下是使用隔離式柵極驅動器電源時應注意的一些建議。 V DD 和 V CC 的旁路電容對于實現可靠的隔離式柵極驅動器
2023-02-08 21:40:03707 電子發(fā)燒友網站提供《GD316x故障管理、診斷、中斷和優(yōu)先級表 先進IGBT和碳化硅柵極驅動器.pdf》資料免費下載
2023-08-17 14:22:085 報告內容包含：
效率和功率密度推動變革
基本的 MOSFET 柵極驅動器功能
驅動器演進以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅動器進化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
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